JPH01257304A - 有機正特性サーミスタ - Google Patents
有機正特性サーミスタInfo
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- JPH01257304A JPH01257304A JP63085864A JP8586488A JPH01257304A JP H01257304 A JPH01257304 A JP H01257304A JP 63085864 A JP63085864 A JP 63085864A JP 8586488 A JP8586488 A JP 8586488A JP H01257304 A JPH01257304 A JP H01257304A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49085—Thermally variable
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a)産業上の利用分野
この発明は、有機正特性サーミスタ素体の表面に電極と
して導電ペーストを付与した有機正特性サーミスタに関
する (b)従来の技術 、一般にポリエチレンなどポリオレフィン系樹脂にカー
ボンブラック、グラファイト金属粉などの導電性粒子を
混入混練したものは正特性サーミスタの性質を備えてい
るが、このような有機正特性サーミスタ素体をシート状
に成型し、その表面に一対の電極を形成した面状発熱体
が従来より開発されている。
して導電ペーストを付与した有機正特性サーミスタに関
する (b)従来の技術 、一般にポリエチレンなどポリオレフィン系樹脂にカー
ボンブラック、グラファイト金属粉などの導電性粒子を
混入混練したものは正特性サーミスタの性質を備えてい
るが、このような有機正特性サーミスタ素体をシート状
に成型し、その表面に一対の電極を形成した面状発熱体
が従来より開発されている。
面状発熱体として用いることのできる従来の一般的な有
機正特性サーミスタにおいては、有機正特性サーミスタ
素体をシート状に成型し、その表面に一対の電極を形成
する際、金属箔を貼付し、この金属箔をエツチングする
ことにより電極パターンを形成する方法と、導電ペース
トをスクリーン印刷法などによって塗布する方法とがあ
る。
機正特性サーミスタにおいては、有機正特性サーミスタ
素体をシート状に成型し、その表面に一対の電極を形成
する際、金属箔を貼付し、この金属箔をエツチングする
ことにより電極パターンを形成する方法と、導電ペース
トをスクリーン印刷法などによって塗布する方法とがあ
る。
(C)発明が解決しようとする課題
一般に、電極として金属箔を用いる場合は、エツチング
工程が介在するため、有機正特性サーミスタ素体がエツ
チング液により劣化するというリスクを備えている。こ
のようなリスクを回避する点では導電ペーストの塗布に
より電極を形成する方法が優れているが下記問題が生じ
る。
工程が介在するため、有機正特性サーミスタ素体がエツ
チング液により劣化するというリスクを備えている。こ
のようなリスクを回避する点では導電ペーストの塗布に
より電極を形成する方法が優れているが下記問題が生じ
る。
すなわち、従来の有機正特性サーミスタにおいては、押
出成型やプレス成型によって有機正特性サーミスタ素体
がシート状に成型されるが、その際、導電性粒子に配向
が生じ、有機正特性サーミスタ素体の表面層において導
電性粒子の分布密度が低下するという現象が生じる。
出成型やプレス成型によって有機正特性サーミスタ素体
がシート状に成型されるが、その際、導電性粒子に配向
が生じ、有機正特性サーミスタ素体の表面層において導
電性粒子の分布密度が低下するという現象が生じる。
電極として金属箔を用いる場合は、シート状に成型され
た有機正特性サーミスタ素体に対して金属箔が圧着され
るため、金属箔が導電性粒子の分布密度の均一な深さま
で埋設されることにより上記現象はさほど問題とはなら
ないが、導電ペーストからなる電極の場合は、前記表面
層がそのままの状態で存在することとなる。その結果有
機正特性サーミスタの電極間の抵抗値が有機正特性サー
ミスタ素体の抵抗率に比べて非常に高い値となる。また
、素体表面における導電性粒子の分布密度が一定でない
ため抵抗値のばらつきが大きくなり、面状発熱体として
用いる場合にこのことが表面温度の均一性を損なうこと
となり、広面積を均一に発熱させる面状発熱体としての
利点が失われるこの発明の目的は導電ペーストからなる
電極と有機正特性サーミスタ素体との界面における前記
表面層による影響を排除して上記問題点を解消した有機
正特性サーミスタを提供することにある。
た有機正特性サーミスタ素体に対して金属箔が圧着され
るため、金属箔が導電性粒子の分布密度の均一な深さま
で埋設されることにより上記現象はさほど問題とはなら
ないが、導電ペーストからなる電極の場合は、前記表面
層がそのままの状態で存在することとなる。その結果有
機正特性サーミスタの電極間の抵抗値が有機正特性サー
ミスタ素体の抵抗率に比べて非常に高い値となる。また
、素体表面における導電性粒子の分布密度が一定でない
ため抵抗値のばらつきが大きくなり、面状発熱体として
用いる場合にこのことが表面温度の均一性を損なうこと
となり、広面積を均一に発熱させる面状発熱体としての
利点が失われるこの発明の目的は導電ペーストからなる
電極と有機正特性サーミスタ素体との界面における前記
表面層による影響を排除して上記問題点を解消した有機
正特性サーミスタを提供することにある。
(d)課題を解決するための手段
この発明は、有機正特性サーミスタ素体の表面に導電ペ
ーストからなる電極が形成された有機正特性サーミスタ
において、 前記有機正特性サーミスタ素体表面が粗面化されている
ことを特徴としている。
ーストからなる電極が形成された有機正特性サーミスタ
において、 前記有機正特性サーミスタ素体表面が粗面化されている
ことを特徴としている。
(e)作用
この発明の有機正特性サーミスタにおいては、有機正特
性サーミスタ素体表面が粗面化されているため、素体表
面を微視的にみた場合、すくなくともその凹部は導電性
粒子が所定の密度で分布している。そして、粗面化され
た有機正特性サーミスタ素体の表面に導電ペーストが塗
布された際、前記凹部に導電ペーストが埋入される。し
たがって、この導電ペーストからなる電極は有機正特性
サーミスタ素体中の分布密度の均一な導電性粒子と接触
することとなり、前述の問題が解消されるff)実施例 第1図はこの発明の実施例である有機正特性サーミスタ
の構造を表す図であり、(A)は上面図、(B)は正面
図である。図において1はシート状に成型された有機正
特性サーミスタ素体、2゜3はこの素体表面に形成され
た電極である。ここで素体1の寸法は10X20111
1.電極間隔は5Nである。
性サーミスタ素体表面が粗面化されているため、素体表
面を微視的にみた場合、すくなくともその凹部は導電性
粒子が所定の密度で分布している。そして、粗面化され
た有機正特性サーミスタ素体の表面に導電ペーストが塗
布された際、前記凹部に導電ペーストが埋入される。し
たがって、この導電ペーストからなる電極は有機正特性
サーミスタ素体中の分布密度の均一な導電性粒子と接触
することとなり、前述の問題が解消されるff)実施例 第1図はこの発明の実施例である有機正特性サーミスタ
の構造を表す図であり、(A)は上面図、(B)は正面
図である。図において1はシート状に成型された有機正
特性サーミスタ素体、2゜3はこの素体表面に形成され
た電極である。ここで素体1の寸法は10X20111
1.電極間隔は5Nである。
上記有機正特性サーミスタを試料として、有機正特性サ
ーミスタ素体表面の粗面化度を変えて電極間の抵抗値お
よびそのばらつきを測定した。有機正特性サーミスタの
製造条件は次のとおりである。
ーミスタ素体表面の粗面化度を変えて電極間の抵抗値お
よびそのばらつきを測定した。有機正特性サーミスタの
製造条件は次のとおりである。
まず有機高分子材料中に導電性粒子を混入・混練し19
0℃120Kg/cm”で10分間プレスを行い、20
0x200x0.5+uのシート状有機正特性サーミス
タ素体を作成した。このシートに所定の細かさを有する
ステンレススチールの金網を、常温で120Kg/cm
”で3分間プレスを行うことにより、シート表面を粗面
化した。
0℃120Kg/cm”で10分間プレスを行い、20
0x200x0.5+uのシート状有機正特性サーミス
タ素体を作成した。このシートに所定の細かさを有する
ステンレススチールの金網を、常温で120Kg/cm
”で3分間プレスを行うことにより、シート表面を粗面
化した。
その後シートを10X20鶴のチップ状に切り出して、
第1図(A)、 (B)に示したように電極間隔5鶴
としてAgペーストを塗布した。これを40℃で30分
間乾燥させて試料とした。 第2図は上記有機正特性サ
ーミスタの要部拡大概略断面図であり、図に示すように
有機正特性サーミスタ素体1の表面には金網のプレス加
工による凹部4が形成され、全体として粗面化されてい
る。そして電極2はAgペーストが塗布、乾燥されたも
のであるため、凹部4にAgペーストが埋入されて、有
機正特性サーミスタ素体の表面層より深部で導電性粒子
と接している。
第1図(A)、 (B)に示したように電極間隔5鶴
としてAgペーストを塗布した。これを40℃で30分
間乾燥させて試料とした。 第2図は上記有機正特性サ
ーミスタの要部拡大概略断面図であり、図に示すように
有機正特性サーミスタ素体1の表面には金網のプレス加
工による凹部4が形成され、全体として粗面化されてい
る。そして電極2はAgペーストが塗布、乾燥されたも
のであるため、凹部4にAgペーストが埋入されて、有
機正特性サーミスタ素体の表面層より深部で導電性粒子
と接している。
以上に示した有機正特性サーミスタの特性を第3図に示
す。ここで実施例1〜4に示すように40メツシュ/イ
ンチ〜200メソシュ/インチの金網をプレスした有機
正特性サーミスタ素体を用いた物は、比較例1〜3に示
した例と比べて抵抗値のばらつきが低く抑えられている
。このことから実施例1〜4に示した条件では電極と素
体表面との接触状態が安定していることが判る。比較例
2に示すようにメツシュがあまりに細かすぎる場合は、
金網の食い込み深さが浅くなるため、比較例1に示すよ
うに粗面化加工を行わなかった場合と同様に抵抗値のば
らつきは大きいままである。
す。ここで実施例1〜4に示すように40メツシュ/イ
ンチ〜200メソシュ/インチの金網をプレスした有機
正特性サーミスタ素体を用いた物は、比較例1〜3に示
した例と比べて抵抗値のばらつきが低く抑えられている
。このことから実施例1〜4に示した条件では電極と素
体表面との接触状態が安定していることが判る。比較例
2に示すようにメツシュがあまりに細かすぎる場合は、
金網の食い込み深さが浅くなるため、比較例1に示すよ
うに粗面化加工を行わなかった場合と同様に抵抗値のば
らつきは大きいままである。
逆に比較例3に示すように、メツシュの粗い金網を用い
た場合は、金網の食い込み深さが深くなりすぎ、シート
状の有機正特性サーミスタ素体にほぼ貫通する孔があき
、Agペーストの塗布が不可能であった。
た場合は、金網の食い込み深さが深くなりすぎ、シート
状の有機正特性サーミスタ素体にほぼ貫通する孔があき
、Agペーストの塗布が不可能であった。
また、実施例1〜4の範囲で、メソシュの粗いものほど
抵抗値が高(なるが、これは金網の食い込み深さがメソ
シュの粗いものほど深(なり、有機正特性サーミスタ素
体の実質的な厚み(第2図におけるt)が薄くなるため
である。
抵抗値が高(なるが、これは金網の食い込み深さがメソ
シュの粗いものほど深(なり、有機正特性サーミスタ素
体の実質的な厚み(第2図におけるt)が薄くなるため
である。
上記実施例では20X10mの小サイズの有機正特性サ
ーミスタについて抵抗値およびそのばらつきを測定した
が、実際に面状発熱体として用いる場合は、大面積のシ
ート状に成型された有機正特性サーミスタ素体の表面に
第4図に示すように一対の櫛状電極2.3を対向配置す
る。この場合、本発明によれば小面積における電極間の
抵抗値のばらつきが小さいため、発熱分布に偏りが生じ
ることなく、全面を均一に加熱することが可能となる。
ーミスタについて抵抗値およびそのばらつきを測定した
が、実際に面状発熱体として用いる場合は、大面積のシ
ート状に成型された有機正特性サーミスタ素体の表面に
第4図に示すように一対の櫛状電極2.3を対向配置す
る。この場合、本発明によれば小面積における電極間の
抵抗値のばらつきが小さいため、発熱分布に偏りが生じ
ることなく、全面を均一に加熱することが可能となる。
実施例によれば有機正特性サーミスタ素体の表面を粗面
化する方法として、−船釣な化学エツチング法を用いる
ことなり、網状体をプレスする方法を採ったため、溶剤
や酸による素体の劣化が生じることがない。なお、同様
の粗面化法として、網状の凹凸を形成したロールを用い
、ロールプレスを行ってもよい。
化する方法として、−船釣な化学エツチング法を用いる
ことなり、網状体をプレスする方法を採ったため、溶剤
や酸による素体の劣化が生じることがない。なお、同様
の粗面化法として、網状の凹凸を形成したロールを用い
、ロールプレスを行ってもよい。
(a発明の効果
以上のようにこの発明の有機正特性サーミスタによれば
有機正特性サーミスタ素体表面と電極との接触状態が安
定し、抵抗値のばらつきが抑えられ、これに伴い温度分
布が均一化される。また、有機正特性サーミスタ素体表
面に対する導電ペーストの投錨効果により接着効果が増
大する。さらに、これらの効果により信鯨性を高めるこ
とができる。
有機正特性サーミスタ素体表面と電極との接触状態が安
定し、抵抗値のばらつきが抑えられ、これに伴い温度分
布が均一化される。また、有機正特性サーミスタ素体表
面に対する導電ペーストの投錨効果により接着効果が増
大する。さらに、これらの効果により信鯨性を高めるこ
とができる。
第1図はこの発明の実施例である有機正特性サーミスタ
の構造を表す図であり、(A)は上面図、(B)は正面
図である。第2図は同有機正特性サーミスタの要部拡大
概略断面図である。第3図は数種類の試料について測定
した抵抗値と、そのばらつきの結果を表す図である。第
4図は他の実施例に係る有機正特性サーミスタの上面図
である1−有機正特性サーミスタ素体、 2.3−電極。 出願人 株式会社 村田製作所
の構造を表す図であり、(A)は上面図、(B)は正面
図である。第2図は同有機正特性サーミスタの要部拡大
概略断面図である。第3図は数種類の試料について測定
した抵抗値と、そのばらつきの結果を表す図である。第
4図は他の実施例に係る有機正特性サーミスタの上面図
である1−有機正特性サーミスタ素体、 2.3−電極。 出願人 株式会社 村田製作所
Claims (1)
- (1)有機正特性サーミスタ素体の表面に導電ペースト
からなる電極が形成された有機正特性サーミスタにおい
て、 前記有機正特性サーミスタ素体表面が粗面化されている
ことを特徴とする有機正特性サーミスタ
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63085864A JPH01257304A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 有機正特性サーミスタ |
US07/334,213 US4959632A (en) | 1988-04-06 | 1989-04-06 | Organic PTC thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63085864A JPH01257304A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 有機正特性サーミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01257304A true JPH01257304A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13870758
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63085864A Pending JPH01257304A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 有機正特性サーミスタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4959632A (ja) |
JP (1) | JPH01257304A (ja) |
Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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US5793276A (en) * | 1995-07-25 | 1998-08-11 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor |
JPH09219302A (ja) * | 1996-02-13 | 1997-08-19 | Daito Tsushinki Kk | Ptc素子 |
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Family Cites Families (3)
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-
1988
- 1988-04-06 JP JP63085864A patent/JPH01257304A/ja active Pending
-
1989
- 1989-04-06 US US07/334,213 patent/US4959632A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5940958A (en) * | 1995-05-10 | 1999-08-24 | Littlefuse, Inc. | Method of manufacturing a PTC circuit protection device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4959632A (en) | 1990-09-25 |
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