JPH01253247A - ダイの位置決め方法と装置 - Google Patents
ダイの位置決め方法と装置Info
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- JPH01253247A JPH01253247A JP1045074A JP4507489A JPH01253247A JP H01253247 A JPH01253247 A JP H01253247A JP 1045074 A JP1045074 A JP 1045074A JP 4507489 A JP4507489 A JP 4507489A JP H01253247 A JPH01253247 A JP H01253247A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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- G01B21/04—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring length, width, or thickness by measuring coordinates of points
-
- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は一般的には集積回路の製造およびテストに関し
、特に複数のダイを含むウェーハ上で−(従来技術とそ
の問題点) 本発明が関係する一般的なタイプの集積回路はウェーハ
をいくつかの連続した製造段階およびテスト段階を通す
ことによって製造される。ウェーハは典型的には円形を
しており、通常直径は2インチから6インチの間である
。製造段階は組立段階を含み、組立段階の間に集積回路
すなわちダイがウェーハ上に形成される。一方テスト段
階は欠陥ダイの識別と分離を含む。選別段階と包装段階
は動作可能なダイを選別、包装し、出荷および組み込み
に備える。
、特に複数のダイを含むウェーハ上で−(従来技術とそ
の問題点) 本発明が関係する一般的なタイプの集積回路はウェーハ
をいくつかの連続した製造段階およびテスト段階を通す
ことによって製造される。ウェーハは典型的には円形を
しており、通常直径は2インチから6インチの間である
。製造段階は組立段階を含み、組立段階の間に集積回路
すなわちダイがウェーハ上に形成される。一方テスト段
階は欠陥ダイの識別と分離を含む。選別段階と包装段階
は動作可能なダイを選別、包装し、出荷および組み込み
に備える。
ウェーハは典型的には数百のダイを保持できる。
これらのダイのうち比較的少ない割合、多くは10パー
セント(10%)から50パーセント(50%)を越え
るぐらいが動作可能である。一方残りのダイは欠陥品で
あり、したがって使用不可能である。
セント(10%)から50パーセント(50%)を越え
るぐらいが動作可能である。一方残りのダイは欠陥品で
あり、したがって使用不可能である。
このように歩留りが低い理由は不純物レベルと同様、製
造プロセスにも非常に高い精度が要求されることに関係
している。
造プロセスにも非常に高い精度が要求されることに関係
している。
テストプロセスの歩留りを改良するために様々な試みが
成されてきたが、完全に満足のゆくものはなかった。そ
のような試みの一つがTurnerらによって合衆国特
許番号4608525に述べられているが、それは高さ
の測定装置に関するものである。該特許の装置は輪郭を
求めテストするシステムであり、電子センサをダイから
ダイヘステップさせ、ウェーハ内の完成したダイのテス
トを可能にするため、エアプローブを用いてウェーハの
輪郭を決定している。
成されてきたが、完全に満足のゆくものはなかった。そ
のような試みの一つがTurnerらによって合衆国特
許番号4608525に述べられているが、それは高さ
の測定装置に関するものである。該特許の装置は輪郭を
求めテストするシステムであり、電子センサをダイから
ダイヘステップさせ、ウェーハ内の完成したダイのテス
トを可能にするため、エアプローブを用いてウェーハの
輪郭を決定している。
該特許の装置はウェーハの物理的エツジの位置を決定す
るために圧カドランスデューサを用いる。
るために圧カドランスデューサを用いる。
次に、これらのエツジの間にラインを引き、ウェーハの
中心を図式的に決定し、次に欠陥ダイをこの中心に対し
てべ位置決めする。該特許の装置ではウェーハの輪郭を
求めることの簡素化に成功したが、製造プロセス全体と
しての歩留りの実質的な改善にはなっていない。
中心を図式的に決定し、次に欠陥ダイをこの中心に対し
てべ位置決めする。該特許の装置ではウェーハの輪郭を
求めることの簡素化に成功したが、製造プロセス全体と
しての歩留りの実質的な改善にはなっていない。
該特許の装置が比較的非効率であることを示す一例は基
準エツジやユニークな特徴、あるいはウェーハ上のダイ
の位置決めをするためにエツジセンサを使用しているこ
とである。従来技術でよく知られているようにエツジセ
ンサはたとえばダイの電子回路をぐるりと囲んでいる導
電リングを弱めたり、あるいは破壊に到らしめ繊細に組
み立てられたウェーハ上のダイに実質的な損傷を与えて
しまう。結果として、幾つかのダイか機能上のテストを
され、包装後、あるいは組み込み直後に欠陥品になるこ
とは珍しくはない。
準エツジやユニークな特徴、あるいはウェーハ上のダイ
の位置決めをするためにエツジセンサを使用しているこ
とである。従来技術でよく知られているようにエツジセ
ンサはたとえばダイの電子回路をぐるりと囲んでいる導
電リングを弱めたり、あるいは破壊に到らしめ繊細に組
み立てられたウェーハ上のダイに実質的な損傷を与えて
しまう。結果として、幾つかのダイか機能上のテストを
され、包装後、あるいは組み込み直後に欠陥品になるこ
とは珍しくはない。
そのように本来欠陥品でありながら外見上は動作するよ
うなダイが組み込まれた回路ボードの交換は比較的高価
であり、殊に効率が悪いことは当業者には明らかである
。さらにエツジセンサはウェーハのエツジとの衝突が繰
り返されるために壊れがちで、定期交換などの維持管理
が必要になる。
うなダイが組み込まれた回路ボードの交換は比較的高価
であり、殊に効率が悪いことは当業者には明らかである
。さらにエツジセンサはウェーハのエツジとの衝突が繰
り返されるために壊れがちで、定期交換などの維持管理
が必要になる。
そういった維持管理は製造プロセスを絶えず妨害、中断
し、製造を遅らす原因になりがちである。
し、製造を遅らす原因になりがちである。
したがって、ウェーハの輪郭も求め、該ウェーハ上に製
造された完全なあるいは特定のダイの正確な位置を決め
、一意的に識別するための新しく改善された方法が必要
とされる。該方法は超小型電子回路の伝統的な製造およ
びテストの歩留りを改善しなければならない。さらに該
方法はウェーハの輪郭を求めるのにエツジセンサを使わ
ず、しかも歩留りの改善には本質的には貢献しない特別
な基準点も必要としないものでなければいけない。
造された完全なあるいは特定のダイの正確な位置を決め
、一意的に識別するための新しく改善された方法が必要
とされる。該方法は超小型電子回路の伝統的な製造およ
びテストの歩留りを改善しなければならない。さらに該
方法はウェーハの輪郭を求めるのにエツジセンサを使わ
ず、しかも歩留りの改善には本質的には貢献しない特別
な基準点も必要としないものでなければいけない。
ウェーハの電気的テスト段階は全体の製造プロセスには
必須である。というのはテスタは捨てるべき欠陥ダイと
同様に、包装すべき機能するダイを検出し、識別しなけ
ればならないからである。
必須である。というのはテスタは捨てるべき欠陥ダイと
同様に、包装すべき機能するダイを検出し、識別しなけ
ればならないからである。
伝統的な電気的テストが正しく働くためには、ダイの接
続点、すなわちパッドはテスタのプローブと正確に位置
が合わねばならない。この点において、ダイの位置合わ
せ誤差が比較的些細であっても、機能するダイを間違っ
て欠陥品と識別し、無駄に檜てることがある。
続点、すなわちパッドはテスタのプローブと正確に位置
が合わねばならない。この点において、ダイの位置合わ
せ誤差が比較的些細であっても、機能するダイを間違っ
て欠陥品と識別し、無駄に檜てることがある。
不整合の起る危険を最少にするため自動ウェーハプロー
ブを用いてダイを非常に正確な方法でテスタのプローブ
の下に移動させるのが典型的である。テスト段階の完了
後、機能するダイを欠陥ダイと区別し分離し、続いて動
作可能なダイだけを発送、あるいは組み込み用に包装す
る。
ブを用いてダイを非常に正確な方法でテスタのプローブ
の下に移動させるのが典型的である。テスト段階の完了
後、機能するダイを欠陥ダイと区別し分離し、続いて動
作可能なダイだけを発送、あるいは組み込み用に包装す
る。
従来から欠陥ダイはインク塗布、あるいは擦り傷によっ
て視覚的に識別されている。識別プロセスは「オンライ
ン」、あるいは「オフライン」のどちらかで行われる。
て視覚的に識別されている。識別プロセスは「オンライ
ン」、あるいは「オフライン」のどちらかで行われる。
「オンライン」でダイを識別するときは通常テスト完了
直後に欠陥ダイに擦り傷を付けるか、あるいはインクが
塗られる。
直後に欠陥ダイに擦り傷を付けるか、あるいはインクが
塗られる。
「オフライン」でダイを識別するときは別個のプロセス
段階として全てのダイをテストした後に擦り傷を付けた
りインクを塗ったりする。
段階として全てのダイをテストした後に擦り傷を付けた
りインクを塗ったりする。
前述の伝統的な識別プロセスにはいくつかの開側におい
て、テスタのプローブの位置合わせが悪く、全ウェーハ
が間違ってマークされ、ダイは欠陥品として不正確に識
別されるかも知れない。結果として、全ウェーハが捨て
られ、製造コストが実質的に増加し、ひどく高価なもの
となる。
て、テスタのプローブの位置合わせが悪く、全ウェーハ
が間違ってマークされ、ダイは欠陥品として不正確に識
別されるかも知れない。結果として、全ウェーハが捨て
られ、製造コストが実質的に増加し、ひどく高価なもの
となる。
一方、代わりのインク塗布プロセスは部分的に回復可能
であるが、インクが隣接する動作可能なダイのパッドと
接触し、該ダイは欠陥品として使用不能になるのが一般
的である。さらにインクは゛ −船釣にエポキシを基材
としており、簡単には除去できず、とくに比較的高温に
さらされた後はそうである。したがって、マーキングプ
ロセスを始める前にウェーハ上の全てのダイをテストす
るまで待つことが望ましい。
であるが、インクが隣接する動作可能なダイのパッドと
接触し、該ダイは欠陥品として使用不能になるのが一般
的である。さらにインクは゛ −船釣にエポキシを基材
としており、簡単には除去できず、とくに比較的高温に
さらされた後はそうである。したがって、マーキングプ
ロセスを始める前にウェーハ上の全てのダイをテストす
るまで待つことが望ましい。
したがって、ウェーハ上のダイの正確な識別を可能にし
、さらに超小型電子回路の伝統的な製造の歩留りを改善
することに加えて、前述の伝統的で有害な視覚的マーク
技術を使用せずに済むような、新しく改善された輪郭を
求めるプロセスが必要である。
、さらに超小型電子回路の伝統的な製造の歩留りを改善
することに加えて、前述の伝統的で有害な視覚的マーク
技術を使用せずに済むような、新しく改善された輪郭を
求めるプロセスが必要である。
「オフライン」でダイを識別するには、従来からテスタ
のウエーハブローバ上のウェーハとインク塗布機のプロ
ーバ上のウェーハとの間で実質的に正確な位置合わせを
維持する必要がある。比較的些細な位置合わせ誤差によ
りダイか不正確にマークされ、生産歩留りの本質的な減
少を起こすことになる。
のウエーハブローバ上のウェーハとインク塗布機のプロ
ーバ上のウェーハとの間で実質的に正確な位置合わせを
維持する必要がある。比較的些細な位置合わせ誤差によ
りダイか不正確にマークされ、生産歩留りの本質的な減
少を起こすことになる。
したがって製造プロセスの位置合わせの許容誤差を増加
し、ウェーハの物理的移動を調節するような、新しく改
善されたプロセスが必要である。
し、ウェーハの物理的移動を調節するような、新しく改
善されたプロセスが必要である。
伝統的な輪郭を求める方法に関連したもうひとつの関心
は自動ウェーハステッパによって周辺区域のダイを排除
することである。そのような区域のダイは一般的には望
ましくない。というのは、それは角や側面部を欠いたよ
うな構造的に不完全なものだからである。したがって、
そのような区域のダイはテストしたときに正しい機能を
示すかも知れないが、組み込み後の金のかかる潜在的補
修段階を避けるため除去されねばならない。この区域す
なわち周辺のダイに関連したもう一つの関心はテスト段
階でプローブカードに生ずる損傷である。
は自動ウェーハステッパによって周辺区域のダイを排除
することである。そのような区域のダイは一般的には望
ましくない。というのは、それは角や側面部を欠いたよ
うな構造的に不完全なものだからである。したがって、
そのような区域のダイはテストしたときに正しい機能を
示すかも知れないが、組み込み後の金のかかる潜在的補
修段階を避けるため除去されねばならない。この区域す
なわち周辺のダイに関連したもう一つの関心はテスト段
階でプローブカードに生ずる損傷である。
してかって、ウェーハの輪郭を求め、その上に製造され
たダイの位置を正確に決め、−意に識別する新しく改善
した方法が大変型まれる。その方法は超小型電子回路の
伝統的な製造の歩留りを改善し、さらにウェーハの輪郭
を求め、あるいはその上のダイの正確な位置を決定する
ためのエツジセンサを不要にしなければならない。
たダイの位置を正確に決め、−意に識別する新しく改善
した方法が大変型まれる。その方法は超小型電子回路の
伝統的な製造の歩留りを改善し、さらにウェーハの輪郭
を求め、あるいはその上のダイの正確な位置を決定する
ためのエツジセンサを不要にしなければならない。
新しく改善された輪郭を求めるプロセスは伝統的な視覚
的インク塗布技術および擦り傷によるマーク技術を不要
にし、物理的、あるいは電子的に完全であっても、周辺
ダイをテストプローブに損傷を与えずに除外しなければ
ならない。本発明の方法はさらに様々なメーカーの自動
ウエーハプローバに適合しなければならない。
的インク塗布技術および擦り傷によるマーク技術を不要
にし、物理的、あるいは電子的に完全であっても、周辺
ダイをテストプローブに損傷を与えずに除外しなければ
ならない。本発明の方法はさらに様々なメーカーの自動
ウエーハプローバに適合しなければならない。
(発明の目的)
したがってウェーハの輪郭を求め、その上のダイの位置
を正確に決める新しくて改善された方法を提供すること
が本発明の一つの目的である。
を正確に決める新しくて改善された方法を提供すること
が本発明の一つの目的である。
ウェーハ上に製造されたダイの位置を正確に決め、−意
に識別するための新しく改善された輪郭を求める方法を
提供することが本発明の他の目的である。
に識別するための新しく改善された輪郭を求める方法を
提供することが本発明の他の目的である。
伝統的な視覚的インク塗布技術および擦り傷によるマー
ク技術に変わる正確な識別技術を与えると同時に、エツ
ジセンサを不要にした新しく改善された輪郭を求める方
法を提供することが本発明のもう一つの別の目的である
。
ク技術に変わる正確な識別技術を与えると同時に、エツ
ジセンサを不要にした新しく改善された輪郭を求める方
法を提供することが本発明のもう一つの別の目的である
。
プロセスあるいはパターンずれのどちらに起因して生じ
たにせよ、周辺ダイをテストプローブに損傷を与えずに
除去する新しく改善された輪郭を求める方法を提供する
ことが本発明のもう一つの目的である。
たにせよ、周辺ダイをテストプローブに損傷を与えずに
除去する新しく改善された輪郭を求める方法を提供する
ことが本発明のもう一つの目的である。
様々なメーカーの自動ウエーハプローバに適合する新し
く改善された輪郭を求める方法およびテストの方法を供
給することが本発明のさらにもう一つの目的である。
く改善された輪郭を求める方法およびテストの方法を供
給することが本発明のさらにもう一つの目的である。
機能する「ドロップアウト」ダイ、あるいは基準ダイを
潜在的に用いるようなことをしない新しく改善された輪
郭を求める方法を供給することが本発明のもうひとつの
目的である。
潜在的に用いるようなことをしない新しく改善された輪
郭を求める方法を供給することが本発明のもうひとつの
目的である。
(発明の概要)
つまり、本発明の前述および別の目的や特徴はウェーハ
の輪郭を求め、その上に形成されたダイを一意に識別す
るための新しく改善された方法を提供することにより実
現される。この方法は予め決められた座標系に対して、
ウェーハの周囲に沿った一組の基準点の位置を決める段
階を含む。
の輪郭を求め、その上に形成されたダイを一意に識別す
るための新しく改善された方法を提供することにより実
現される。この方法は予め決められた座標系に対して、
ウェーハの周囲に沿った一組の基準点の位置を決める段
階を含む。
次にウェーハの周辺の実質的な輪郭を求め、かつ基準点
を通る仮想円の方程式を定義する。ウェーハ上の任意の
基準ダイの座標と同様、仮想円の中心の座標を仮想円の
方程式から導出する。続いて予め決められたステッピン
グ寸法を用いて中心のダイ、あるいは基準ダイに対して
ウェーハの全表面を写像(map:マツプ)する。
を通る仮想円の方程式を定義する。ウェーハ上の任意の
基準ダイの座標と同様、仮想円の中心の座標を仮想円の
方程式から導出する。続いて予め決められたステッピン
グ寸法を用いて中心のダイ、あるいは基準ダイに対して
ウェーハの全表面を写像(map:マツプ)する。
したがってウェーハおよびその上のダイの輪郭を求める
そのような特定のプロセスにより、テストプロセスが自
動化され、テスタや包装機上のウェーハの向きにかかわ
らず、ダイの識別精度が増加する。エツジセンサを用い
ず、あるいはエツジセンサの使用を実質的に減らすこと
でダイへの損傷事故が最小になり、したがって製造プロ
セスの歩留り、および効率を改善する。
そのような特定のプロセスにより、テストプロセスが自
動化され、テスタや包装機上のウェーハの向きにかかわ
らず、ダイの識別精度が増加する。エツジセンサを用い
ず、あるいはエツジセンサの使用を実質的に減らすこと
でダイへの損傷事故が最小になり、したがって製造プロ
セスの歩留り、および効率を改善する。
周辺ダイを除くことでプローブカードに与える損傷が実
質的に減少し、したがって動作可能なダイの識別の不正
確さが最小になる。さらに、伝統的な視覚的マーク技術
や「ドロップアウト」基準ダイを使わないので、さらに
集積回路製造プロセスの歩留りおよび効率の改善に貢献
する。
質的に減少し、したがって動作可能なダイの識別の不正
確さが最小になる。さらに、伝統的な視覚的マーク技術
や「ドロップアウト」基準ダイを使わないので、さらに
集積回路製造プロセスの歩留りおよび効率の改善に貢献
する。
(好適実施例の説明)
第1図および第2図は本発明のプロセスに従って輪郭を
求られるウェーハ100を示す。ウェーハ100は典型
的には円形をしており、大きさの異なる一つ、あるいは
それ以上のフラットを持、つ。最大平面105は大フラ
ット (major flat)として知られており、
一方残りの比較的小さいフラット(図示せず)は小フラ
ット(minor flat>として知られている。大
フラット105に対する小フラットの配列はウェーハ1
00の組成を確認するのに役立つ。
求られるウェーハ100を示す。ウェーハ100は典型
的には円形をしており、大きさの異なる一つ、あるいは
それ以上のフラットを持、つ。最大平面105は大フラ
ット (major flat)として知られており、
一方残りの比較的小さいフラット(図示せず)は小フラ
ット(minor flat>として知られている。大
フラット105に対する小フラットの配列はウェーハ1
00の組成を確認するのに役立つ。
本発明の方法の第1段階は点110.111および11
2のように周辺の任意の一組の基準点を定めることであ
る。該点1]、0.111および112は予め決められ
た座標系(X、Y)に関してそれぞれの座標(XISY
l)、(X2、Y2) および(X3、Y3)を持つ。
2のように周辺の任意の一組の基準点を定めることであ
る。該点1]、0.111および112は予め決められ
た座標系(X、Y)に関してそれぞれの座標(XISY
l)、(X2、Y2) および(X3、Y3)を持つ。
本発明の好適実施例においてこれらの基準点はウェーハ
100の外部周辺エツジ115に沿って配置されている
が、座標系に関して基準点を異なる位置にとることもで
きることは、ここでの説明を検討すれば同業者には明ら
かである。
100の外部周辺エツジ115に沿って配置されている
が、座標系に関して基準点を異なる位置にとることもで
きることは、ここでの説明を検討すれば同業者には明ら
かである。
しかしながら単純にするため基準点がウェーハの大フラ
ット、あるいは小フラットに沿っては決められていない
ことに注意すべきである。
ット、あるいは小フラットに沿っては決められていない
ことに注意すべきである。
本プロセスにおける第2段階は周辺エツジ115を取り
巻き、基準点110.111および112を通る仮想円
の方程式を定義することである。もしウェーハ110の
外部半径およびウェーハ110を移動するチャック(図
示せず)の中心点がわかれば周辺エツジ115の方程式
を決定するのに2個の基準点だけが必要である。したが
って、ウェーハ100の半径が与えられていない場合や
測定の精度を増すために、第3の基準点の座標が一般に
必要である。
巻き、基準点110.111および112を通る仮想円
の方程式を定義することである。もしウェーハ110の
外部半径およびウェーハ110を移動するチャック(図
示せず)の中心点がわかれば周辺エツジ115の方程式
を決定するのに2個の基準点だけが必要である。したが
って、ウェーハ100の半径が与えられていない場合や
測定の精度を増すために、第3の基準点の座標が一般に
必要である。
次の方程式(1)は前述の仮想円の方程式を表す。
(X−a) ’ + (Y−b) ’ −r” =O(
1)ここで(a、b)およびrはそれぞれ中心120の
座標および周辺エツジ115を通る円の半径を表す。
1)ここで(a、b)およびrはそれぞれ中心120の
座標および周辺エツジ115を通る円の半径を表す。
周辺エツジ115の方程式がひとたび決定されると中心
120の座標aおよびbが座標系に関して導出される。
120の座標aおよびbが座標系に関して導出される。
ときとして半径rの値がわからない場合、基準点110
、111および112の座標(XI、Yl)、(X2
、Y2)および(X3、Y3) を単に方程式(1)に
代入することによって導出される。
、111および112の座標(XI、Yl)、(X2
、Y2)および(X3、Y3) を単に方程式(1)に
代入することによって導出される。
方程式(1)を解くことによりaSbおよびrの値が次
のように求められる。
のように求められる。
(X2) ’−(XI) ’+(Y2) ”−(Yl)
’+2b(Yl)−2b(Y2)a =
(2)2 (X2)
−2(XI) (X2)−(XI) (X3)−□I
fンr= C(Xi−a)’+(Yl−b)” 〕”
’ (4)ひとたび中心12
0の座4j[(a、b)が定義されるとウェーハ100
上に便宜的に置かれた任意の目標ダイ102の座標(X
4、Y4)が座標系に関して決定される。予め決められ
たステッピング寸法を用いてウェーハ100が完全に写
像される。結果としてウェーハ100上の全てのダイの
座標が、ウェーハ100の置かれた向きやずれにかかわ
らず、座標系あるいはウェーハ100上のダイパターン
のずれに関して高い精度で確定される。
’+2b(Yl)−2b(Y2)a =
(2)2 (X2)
−2(XI) (X2)−(XI) (X3)−□I
fンr= C(Xi−a)’+(Yl−b)” 〕”
’ (4)ひとたび中心12
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上に便宜的に置かれた任意の目標ダイ102の座標(X
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たステッピング寸法を用いてウェーハ100が完全に写
像される。結果としてウェーハ100上の全てのダイの
座標が、ウェーハ100の置かれた向きやずれにかかわ
らず、座標系あるいはウェーハ100上のダイパターン
のずれに関して高い精度で確定される。
したがって輪郭を求める本プロセスは他のウェーハと同
様にウェーハ100を独自にマツプすることができる。
様にウェーハ100を独自にマツプすることができる。
したがって、ウェーハ上の各ダイは従来のエツジセンサ
や視覚的マーク技術を用いずに正確に識別される。さら
にテストプローブに対して最小の損傷で、あるいは損傷
を与えずに周辺ダイを除去できる。本発明の方法は相異
なるメーカーの自動ウェーハプローブにほとんど汎用的
に適合し、潜在的に動作可能な「ドロップアウト」ダイ
を不必要に犠牲にすることはない。
や視覚的マーク技術を用いずに正確に識別される。さら
にテストプローブに対して最小の損傷で、あるいは損傷
を与えずに周辺ダイを除去できる。本発明の方法は相異
なるメーカーの自動ウェーハプローブにほとんど汎用的
に適合し、潜在的に動作可能な「ドロップアウト」ダイ
を不必要に犠牲にすることはない。
コンピュータ(図示せず)を用いて必要な計算を実行し
、輪郭を求めるプロセスを制御することができる。コン
ピュータは以下のソフトウェアプログラムを用いて本発
明の輪郭を求めるプロセス1100 P引DTHrN
F @ WIDTHINFlllo 1 1120 ! 11301XおよびYオフセットを求めるルーチン11
40 t 自動プローバからのX1Yの値を入力1
150 INPUT ”FIR3T PAIR
(microns) : ”:Xl、 Y1
1160 1NPIIT ”58CDND PAIR:
”:X2、Y21170 1NPIIT ”T
HIRD PAIR: ”:X3. Y311a
o + 1190 にS−°。
、輪郭を求めるプロセスを制御することができる。コン
ピュータは以下のソフトウェアプログラムを用いて本発
明の輪郭を求めるプロセス1100 P引DTHrN
F @ WIDTHINFlllo 1 1120 ! 11301XおよびYオフセットを求めるルーチン11
40 t 自動プローバからのX1Yの値を入力1
150 INPUT ”FIR3T PAIR
(microns) : ”:Xl、 Y1
1160 1NPIIT ”58CDND PAIR:
”:X2、Y21170 1NPIIT ”T
HIRD PAIR: ”:X3. Y311a
o + 1190 にS−°。
1200 INPUT ”5OLV[!、 F
ORWAFBRDf八へBTBR7’、’Y’:121
0 + 1220 ウエーハサイス人力零本本本本本本本12
40 INPUT ’ENTBRWΔI’BR5IZ
E in mm: ’、’100’:l11250
! IF R<>76 0RIt<>100
THBN 11401260 IP R−767
H[iN I?−76000/21 (’[1NVBR
T TOMICI11270 IF n−100TI
IBN R−100000/2 ! C0NVBRT
TOM11290 ! a、 bオフセット1こつ
いて解く 本本本本本本本本本本本本本本 に$ @ IF に$−’Y’ THIEN
1290 [ELS[E 1240NS RONS 1100 PIIIDTII INF @ WID
THINFlllo 1 1120 ! 1130!XおよびYオフセットを求めるルーチ114
0 ! 1150 INPUT ”FIR3T PJI
R(microns) : ”:X11160
1NP[IT ”5IECOND I’八へII:
“:X2. Y21170 INPUT
”THIRD P八[Ill: ”:X3. Y
31190 Kドパ 1200 INPUT ”5OLVE、 FO
fil WAFBRDIAMBT[ER7°。
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! IF R<>76 0RIt<>100
THBN 11401260 IP R−767
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1210 !
1220 ウェーハサイズ人力 *******本1
230 ! 1240 1NPLIT ’ENTERWAFER5I
ZB in mm: ’、’1250 1 IF
R<>76 0RR<>100 THBN 1
1401260 IP R−76THBN R−76
000/2 ! C0NVIERT T(1270IF
lt−100TIIBN R−100000/2 !
C0NV[ERT1280 ! 1290 ! a、 bオフセット(ごついて解く
零寧l*Jン **本本本 、 Yl 、“Y”: K$ @ II’ K$−“Y’ Tl
l[EN 12901ELS口1240100°:R コ MICRONS TOMICRONS k零零零 1510 ! MIN <?a> & M
へX <?9> >1530 X9. Y9=
[il @ X8. Y8=−、R1540! 1550 1 ウェーハフラットとし・1560 ! 1570 INPUT ”Major flat @
Ft。
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Ft。
1580 1F F$=’l” TII[ENに8=Y
8+3F1590 1FI?$= “[]’
TH[EN K8=Y8+4シ1600 If’
f’S=’じ Tl1BN K8=X8+3ξ1610
IF FS=’ll’ THBN K8二X8+4
′t1620 ! 1630 j小フラット(×?)に対す・1650
INPUT ”Minor flat @ ft。
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1660 !
1670 IF Pi$=’ビ THEN L8=X
8+]1680 IF Fi$=’R’ TI
(ON L9=X9−]1690 iF Fi
$=’F’ Tl1BN L8=Y9+](と Y
の計算 本本本本本本車本本車本零本−ザスライプ
に対する調整 Bk、 Lt、 Rt :”、“P’:F$i00 @
K9=Y9−4250 7501 K9=Y9−3500 1000に9=X9−4250 :500に9=X9−3500 6調Jjl **本本車本本本零本本本京本8に、
Lt、 Rt :”、 ’じ:FiS、420 .420 .420 2110 + 2120 DISP”TへRFET “’ R
OW ”:n2:” C0L2130 ! 2140 !最上部の全ダイのYを計算する2150
+ 2160 Y9=Y6+Itl*Y72170 ! 2180 ! 2190 !最上端の全ダイのXを旧算する、220
0 ! 2210 X8=X6−CI=X7 2220 ! 2230 !デモのためプリンタ上にマツプ2240
! 2250 PIIINT ” WIIOLεDI[i
LOCATORVers2260 +1ftlNT
@ PRINT ”X1= ”:に1:” Y1=“
2270 1’1llNT @ P旧NT ”X2=
”:X2:”Y 2 = ”2280 PRINT
@ PRINT ”X3= ”:X3:” Y3=”2
290 RO=R*2 @ RO−Its/1000
@ PRINT @*全ダイの位置 本本本本本 、UMN“:02 車本本本本車 *本本本車 を出力する *本章京本本本** ion 2.16.87 Rev ロ ゛’:D
八TIへ$:Y1 :Y2 :Y3 PRINT RO:” MM WへI’[!R″
@ PRINT2500 C=に=2+Y”2 2510 IF C>(R−ロ)” 2 T
i1t!N 27702520 C0=(X−X7
)”2+(Y+Y7>=22530 1F CO>
(R−El)−2丁+1[IN 27702540
C2=(X−X7)−2+Y”22550 IF
C2>(R−ロ) ” 2 TIl[lN 27702
560 C3=X=2+(Y+Y7)=22570
IF C:]>(R−[り−2Tll0N 2
7702590 ! 4隅全部がウェーハ上にある
。本市2610 υ$;”胃“ I Sl’T
01口 TO11110LII 車重2620
! 2610 II’ X=X6 AND Y=
Y6 TIl[iN D$=”T” ! DnS
IGNATU TAIIG口T 本市2650+区域
(こよる除外 零零車重本2660 ! 2670 1F F$=’17’ ORF$=’
口゛ TIIBN 2680 ロLS[l 27
0026flOIF Y8>Y AND Y+Y
7>K9 TIl[iN D$=” ”2690
IF Y8<Y AND Y<K8 T
II[lN l]$=” ”2700 1F l?
$=’L’ ORI’$=“R’ TH[EN 2
7LOEL、SE 27302710 IF X
9>X 八ND X>K9 TIIBN O$
=” ”2720 IF X8<X 八ND
X−X7<K8 T)IVSN D$=”
”2731) IF P1$=’R’ TIIBN
2740 BLSE 27502740 IF
X9>X 八ND X>L9 TIIBN
O3=” ”2750 111Fl$=“じ THB
N 2750 BLSB 27702760 IF
X8<X 八ND X−X7<L8 TII
BN O$=” ”2770 1F F1$=
’B’ TII[EN 2780 BLSB 2
7902780 IF Y9>Y AND
Y+Y7>L9 THBN D$=” ”279
0 1FFl$=“F’ T)t[EN 280
0 1ELS[E 28202800 IF
Y8<Y 八NOY<L8 TIIIEN O$
=” ”2810 ! 2820 DI$=D1$&’“ ”&D$283
0 NIEXT X 2840 PRINT Dl$ l PRfNTS
R口W2850 NIEXT Y 2860 ! 2B70 !ウェーハマツプがプリントされた289
0 PI?lNT [:tlR$(12);2900
IMAGE dddcddd、dd、2a・
(2910BNO 周 発明の効果) 前述の実施例からも明らかなように、ウェーハ響されな
い高精度の割り出しが可能となる。
8+]1680 IF Fi$=’R’ TI
(ON L9=X9−]1690 iF Fi
$=’F’ Tl1BN L8=Y9+](と Y
の計算 本本本本本本車本本車本零本−ザスライプ
に対する調整 Bk、 Lt、 Rt :”、“P’:F$i00 @
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+ 2160 Y9=Y6+Itl*Y72170 ! 2180 ! 2190 !最上端の全ダイのXを旧算する、220
0 ! 2210 X8=X6−CI=X7 2220 ! 2230 !デモのためプリンタ上にマツプ2240
! 2250 PIIINT ” WIIOLεDI[i
LOCATORVers2260 +1ftlNT
@ PRINT ”X1= ”:に1:” Y1=“
2270 1’1llNT @ P旧NT ”X2=
”:X2:”Y 2 = ”2280 PRINT
@ PRINT ”X3= ”:X3:” Y3=”2
290 RO=R*2 @ RO−Its/1000
@ PRINT @*全ダイの位置 本本本本本 、UMN“:02 車本本本本車 *本本本車 を出力する *本章京本本本** ion 2.16.87 Rev ロ ゛’:D
八TIへ$:Y1 :Y2 :Y3 PRINT RO:” MM WへI’[!R″
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i1t!N 27702520 C0=(X−X7
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C2=(X−X7)−2+Y”22550 IF
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560 C3=X=2+(Y+Y7)=22570
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7702590 ! 4隅全部がウェーハ上にある
。本市2610 υ$;”胃“ I Sl’T
01口 TO11110LII 車重2620
! 2610 II’ X=X6 AND Y=
Y6 TIl[iN D$=”T” ! DnS
IGNATU TAIIG口T 本市2650+区域
(こよる除外 零零車重本2660 ! 2670 1F F$=’17’ ORF$=’
口゛ TIIBN 2680 ロLS[l 27
0026flOIF Y8>Y AND Y+Y
7>K9 TIl[iN D$=” ”2690
IF Y8<Y AND Y<K8 T
II[lN l]$=” ”2700 1F l?
$=’L’ ORI’$=“R’ TH[EN 2
7LOEL、SE 27302710 IF X
9>X 八ND X>K9 TIIBN O$
=” ”2720 IF X8<X 八ND
X−X7<K8 T)IVSN D$=”
”2731) IF P1$=’R’ TIIBN
2740 BLSE 27502740 IF
X9>X 八ND X>L9 TIIBN
O3=” ”2750 111Fl$=“じ THB
N 2750 BLSB 27702760 IF
X8<X 八ND X−X7<L8 TII
BN O$=” ”2770 1F F1$=
’B’ TII[EN 2780 BLSB 2
7902780 IF Y9>Y AND
Y+Y7>L9 THBN D$=” ”279
0 1FFl$=“F’ T)t[EN 280
0 1ELS[E 28202800 IF
Y8<Y 八NOY<L8 TIIIEN O$
=” ”2810 ! 2820 DI$=D1$&’“ ”&D$283
0 NIEXT X 2840 PRINT Dl$ l PRfNTS
R口W2850 NIEXT Y 2860 ! 2B70 !ウェーハマツプがプリントされた289
0 PI?lNT [:tlR$(12);2900
IMAGE dddcddd、dd、2a・
(2910BNO 周 発明の効果) 前述の実施例からも明らかなように、ウェーハ響されな
い高精度の割り出しが可能となる。
第1図は本発明の方法が適用されるウェーハの面図、第
2図は基準ダイか位置決めされている1図のウェーハの
平面図である。 100;ウェーハ、 102:目標ダイ105:フラッ
ト 110.111.112 :基準点 ■15:周辺エツジ 120:中心 願人 ヒユーレットバラカード・カンパニー理人弁理
士長谷川次男
2図は基準ダイか位置決めされている1図のウェーハの
平面図である。 100;ウェーハ、 102:目標ダイ105:フラッ
ト 110.111.112 :基準点 ■15:周辺エツジ 120:中心 願人 ヒユーレットバラカード・カンパニー理人弁理
士長谷川次男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記の(1、1)〜(1、5)のステップより成る
ウェーハ(100)表面のダイの位置決め方法。 (1、1)所定の座標系に対して、前記ウェーハ(10
0)の周辺エッジ(115)に沿った少くとも2つの基
準点(110、111)の組を位置決めするステップ。 (1、2)前記基準点の座標((X1、Y1)、(X2
、Y2))を決定するステップ。 (1、3)前記基準点の前記座標を通り前記周辺エッジ
の方程式を決定するステップ。 (1、4)前記方程式に対して、前記ウェーハ上の任意
の目標ダイ(102)の座標(X4、Y4)を決定する
ステップ。 (1、5)所定のステッピング寸法を用いて、前記ウェ
ーハの物理配置と寸法に基いたダイ・グリッドで前記ウ
ェーハ表面全体をマッピングするステップ。 2、前記周辺エッジが実質的に円形で、前記方程式を決
定するステップが前記ウェーハの前記周辺エッジを実質
的になぞる仮想円の方程式を決定するステップを含む請
求項1記載のプロファイル方法。 3、下記の(3、1)〜(3、5)より成るウェーハ(
100)表面のダイの位置決め装置。 (3、1)所定の座標系に対して、前記ウェーハ(10
0)の周辺エッジ(115)に沿った少くとも2つの基
準点(110、111)の組を位置決めする手段。 (3、2)前記基準点の座標((X1、Y1)、(X2
、Y2))を決定する手段。 (3、3)前記基準点の前記座標を通る前記周辺エッジ
の方程式を決定する手段。 (3、4)前記方程式に対して、前記ウェーハ上の任意
の目標ダイ(102)の座標を決定する手段。 (3、5)所定のステッピング寸法を用いて、前記ウェ
ーハの物理配置と寸法に基いたダイ・グリッドで前記ウ
ェーハ表面全体をマッピングする手段。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US160,231 | 1988-02-25 | ||
US07/160,231 US4914601A (en) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | Method for profiling wafers and for locating dies thereon |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01253247A true JPH01253247A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=22576057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1045074A Pending JPH01253247A (ja) | 1988-02-25 | 1989-02-23 | ダイの位置決め方法と装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4914601A (ja) |
EP (1) | EP0329838A3 (ja) |
JP (1) | JPH01253247A (ja) |
KR (1) | KR100208111B1 (ja) |
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