JPH01248622A - Reactive dry etching method for calcium sulfide or strontium sulfide and manufacture of multicolor thin film el element - Google Patents
Reactive dry etching method for calcium sulfide or strontium sulfide and manufacture of multicolor thin film el elementInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、硫化カルシウムあるいは硫化ストロンチウム
主成分とする薄膜を、高速、且つ再現性良くドライエツ
チングする方法に関するもの、及び上記硫化カルシウム
、硫化ストロンチウム等の硫化物を主成分とする薄膜を
蛍光体層として用いている、キャラクタ−表示、或はグ
ラフィック表示用フラットデイスプレィとして最適な多
色薄膜ＥＬ素子の製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a method for dry etching thin films containing calcium sulfide or strontium sulfide as a main component at high speed and with good reproducibility, and The present invention relates to a method for producing a multicolor thin film EL element which is suitable for use as a flat display for character display or graphic display, using a thin film mainly composed of sulfide as a phosphor layer.
従来の技術
従来薄膜ＥＬ素子の蛍光体薄膜層としてはＺｎＳ ：Ｍ
ｎが多く用いられていたが、最近ＺｎＳ：Ｍｎ以外の材
料でも高輝度のものが開発されるようになった。Conventional technology As a phosphor thin film layer of a conventional thin film EL element, ZnS:M
Although n was often used, recently materials other than ZnS:Mn with high brightness have been developed.
例えばＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆは緑、ＳｒＳ：Ｃｅは青、Ｃａ
Ｓ ： Ｅｕは赤に明るく発光する。そこでこれらの材
料を用いた多色表示の１膜ＥＬ素子が多く提案されてい
る。For example, ZnS:Tb, F is green, SrS:Ce is blue, Ca
S: Eu emits bright red light. Therefore, many single-film EL devices with multicolor display using these materials have been proposed.
多色表示の薄膜Ｅｌ−素子を作製する場合、複数の蛍光
体層の間に電極層と必要に応じて誘電体薄膜層を挟む方
法と、複数の蛍光体薄膜層を所定のパターンに配置する
方法が考えられる。前者の方法では、電極層が複数組必
要で素子構造が非常に複雑になり、また特性も不安定と
なりやすい。−方後者の場合、素子構造の単純さや特性
の安定性の面から現実的な方法である。しかしながら、
パターンが大きければメタルマスクを用いて各蛍光体薄
膜層を形成することは可能であるが、パターンが細かい
とメタルマスクを用いての形成は実際上困難である。When manufacturing a thin film El-element with multicolor display, there is a method of sandwiching an electrode layer and, if necessary, a dielectric thin film layer between multiple phosphor layers, and arranging the multiple phosphor thin film layers in a predetermined pattern. There are possible ways. In the former method, multiple sets of electrode layers are required, making the device structure extremely complicated, and the characteristics tend to be unstable. - In the latter case, it is a practical method from the viewpoint of simplicity of device structure and stability of characteristics. however,
If the pattern is large, it is possible to form each phosphor thin film layer using a metal mask, but if the pattern is fine, it is practically difficult to form it using a metal mask.
薄膜層を微細なパターンに形成するには全面に一様に薄
膜を形成した後、フォトレジストのパターンを形成し化
学的または物理的に薄膜の不用な部分を除去（エツチン
グ）する方法が一般的である。化学的なエツチング方法
としては硫酸、或は塩酸等の酸性溶液によりエツチング
が可能である。To form a thin film layer into a fine pattern, a common method is to form a thin film uniformly over the entire surface, then form a photoresist pattern and chemically or physically remove (etch) unnecessary parts of the thin film. It is. As a chemical etching method, etching can be performed using an acidic solution such as sulfuric acid or hydrochloric acid.
また物理的な方法としてはアルゴン等の不活性なガスを
用いてスパッタエツチングする方法、或は反応性のガス
を用いて反応性スパッタエツチングをする方法等が提案
されている。As physical methods, a sputter etching method using an inert gas such as argon, a reactive sputter etching method using a reactive gas, etc. have been proposed.
発明が解決しようとする課題
しかしながらＣａＳ、 或は５ｒＳＮ膜は酸或は水分に
非常に弱いため、化学的な方法でのエツチングは不向き
である。そのため上記硫化物薄膜のエツチングには物理
的な°方法（ドライエツチング）が望ましいと考えられ
ているが、ＣａＳ、 ＳｒＳを主成分とした薄膜を十分
な速度で且つ再現性良くエツチングする方法がなく、そ
のため多色薄膜ＥＬ素子の実現も非常に困難であった。Problems to be Solved by the Invention However, CaS or 5rSN films are extremely susceptible to acid or moisture, and are therefore unsuitable for etching using chemical methods. Therefore, it is considered desirable to use a physical method (dry etching) for etching the sulfide thin film, but there is no method for etching thin films containing CaS or SrS as main components at a sufficient speed and with good reproducibility. Therefore, it has been extremely difficult to realize a multicolor thin film EL device.
課題を解決するための手段
ＣａＳあるいはＳｒＳを主成分とする薄膜をドライエツ
チングする手段として、メチル基、若しくはエチル基を
含む化合物のうち少なくとも一種を含むガスを用いて硫
化物薄膜の反応性ドライエツチングを行う。Means for Solving the Problems As a means for dry etching a thin film mainly composed of CaS or SrS, reactive dry etching of a sulfide thin film is carried out using a gas containing at least one of compounds containing a methyl group or an ethyl group. I do.
作用
本発明の方法によれば、プラズマにより活性化されたメ
チル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスからメチ
ル基若しくはエチル基が解離し、基板表面でＣａＳ或は
ＳｒＳと反応し、Ｃａ或はＳｒとメチル基若しくはエチ
ル基が結合した化合物を形成する。これらの化合物は、
沸点が低いため容易に蒸発し、良好なエツチングが行え
る。Effect According to the method of the present invention, methyl groups or ethyl groups are dissociated from the gas of a compound containing methyl groups or ethyl groups activated by plasma, and react with CaS or SrS on the substrate surface, resulting in Ca or ethyl groups. A compound is formed in which Sr and a methyl group or an ethyl group are bonded. These compounds are
Because it has a low boiling point, it evaporates easily and performs good etching.
また、上述の反応性ドライエツチング方法を用いること
により、蛍光体層に硫化物を用いている薄膜Ｅ’Ｌ素子
の蛍光体薄膜のパターニングを容易に行うことができ、
多色薄膜ＥＬ素子を容易に、且つ再現性良く製造するこ
とができる。Furthermore, by using the above-mentioned reactive dry etching method, it is possible to easily pattern the phosphor thin film of a thin film E'L element using sulfide in the phosphor layer.
A multicolor thin film EL device can be manufactured easily and with good reproducibility.
実施例
実施例１
第１図に、本発明の硫化カルシウム、及び硫化ストロン
チウムの反応性ドライエツチングに用いた装置の概略図
を示す。真空容器ｌ内部には、電極対カソード２、アノ
ード３が配置されている。EXAMPLES Example 1 FIG. 1 shows a schematic diagram of an apparatus used for reactive dry etching of calcium sulfide and strontium sulfide according to the present invention. Inside the vacuum container 1, an electrode pair cathode 2 and an anode 3 are arranged.
カソード２上には基板４が配置されている。カソード２
にはマツチング回路５を介して高周波電源６が接続され
ており、交流電圧が印加されている。A substrate 4 is placed on the cathode 2 . cathode 2
A high frequency power source 6 is connected through a matching circuit 5 to which an alternating current voltage is applied.
基板４上には被エツチング物である硫化物薄膜が形成さ
れている。また、真空容器１にはガス導入ロアが取り付
けてあり、流量計８ａ、８ｂにより所望の流量に制御さ
れたガスを真空容器１内に導入できる構造となっている
。真空容器ｌ内のガス圧力は真空排気系９により制御さ
れる。A sulfide thin film, which is an object to be etched, is formed on the substrate 4. Further, a gas introduction lower is attached to the vacuum container 1, and the structure is such that gas can be introduced into the vacuum container 1 with a desired flow rate controlled by flow meters 8a and 8b. The gas pressure within the vacuum container 1 is controlled by a vacuum evacuation system 9.
上述の装置を用いてＣａＳ薄膜をドライエツチングする
場合について詳しく説明する。カソード２上にＣａＳ薄
膜の形成された基板４を載置する。ＣａＳ薄膜にはスト
ライブ状にパターニングされたフォトレジストが塗布さ
れている。真空容器ｌ内を１．０×１０Ｔ５Ｔｏｒｒま
で排気後、ガス導入ロアよリメタノールとアルゴンの混
合ガスを導入する。メタノールガス及びアルゴンガスは
流量計８ａ、８ｂにより各々所望の流量になるように制
御されている。また真空容器ｌ内の圧力は、真空排気系
９により所定の一定圧力に保たれている。高周波電源６
を動作させ、マツチング回路５を通してカソード２に所
定の交流電圧を印加する。交流電圧の印加により電極間
にプラズマが発生し、ＣａＳ薄膜のエツチングが行われ
る。ＣａＳ薄膜のエツチング量が所望の値に達したら、
高周波ＴＩＥ源６の動作をとめエツチングを終了する。The case of dry etching a CaS thin film using the above-mentioned apparatus will be explained in detail. A substrate 4 on which a CaS thin film is formed is placed on the cathode 2 . A photoresist patterned in stripes is applied to the CaS thin film. After evacuating the inside of the vacuum container l to 1.0×10T5 Torr, a mixed gas of rimethanol and argon is introduced through the gas introduction lower. Methanol gas and argon gas are controlled by flow meters 8a and 8b to have desired flow rates, respectively. Further, the pressure inside the vacuum container 1 is maintained at a predetermined constant pressure by a vacuum exhaust system 9. High frequency power supply 6
is operated, and a predetermined AC voltage is applied to the cathode 2 through the matching circuit 5. Plasma is generated between the electrodes by applying an alternating voltage, and the CaS thin film is etched. When the etching amount of the CaS thin film reaches the desired value,
The operation of the high frequency TIE source 6 is stopped and etching is completed.
本発明の方法によるＣａＳ薄膜のエツチングは、次のよ
うな過程を経て進行していると考えられる。It is thought that etching of a CaS thin film by the method of the present invention proceeds through the following process.
即ち、電極部に発生させたプラズマによりメタノールが
分解されメチル基（ＣＨ３）が生成される。プラズマに
より活性化されたＣ１１３は、基板上に形成されている
Ｃａとが結合しＣａとの化合物Ｃａ（ＣＨ３）２を形成
する。Ｃａ（Ｃ１１３）２は蒸気圧が高いので基板上か
ら容易に蒸発し、その結果ＣａＳ薄膜のエツチングが進
行する。That is, methanol is decomposed by the plasma generated at the electrode portion, and methyl groups (CH3) are generated. C113 activated by the plasma combines with Ca formed on the substrate to form a compound Ca(CH3)2 with Ca. Since Ca(C113)2 has a high vapor pressure, it easily evaporates from the substrate, and as a result, etching of the CaS thin film progresses.
上述の装置を用い、メタノールガスの流量を９０ＳＣＣ
Ｍ、アルゴンガスの流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中
のガス圧力を５＝ＯＸ １Ｏ−２ＴｏｒｒとしてＣａＳ
薄膜のエツチングを行ったところ、５０ｎｍ／ｗｉｎと
いう従来得られなかった高いエツチング速度が得られた
。Using the above device, the flow rate of methanol gas was set to 90 SCC.
M, argon gas flow rate IO5ccM, gas pressure during etching 5=OX 1O-2Torr, CaS
When a thin film was etched, a high etching rate of 50 nm/win, which was previously unobtainable, was obtained.
以上の実施例１では、エツチングガスとしてメタノール
とアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスのみ
でもエツチングが行える。またガスはメタノールガスに
限るものではなく、メチル基若しくはエチル基を含む化
合物のガスを少なくとも１種以上含むガスを用いても同
様の効果が得られる。In the first embodiment described above, a mixed gas of methanol and argon was used as the etching gas, but etching can also be performed using methanol gas alone. Further, the gas is not limited to methanol gas, and the same effect can be obtained by using a gas containing at least one type of gas of a compound containing a methyl group or an ethyl group.
実施例２ 第２図に本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法を示す。Example 2 FIG. 2 shows a method for manufacturing the multicolor thin film EL device of the present invention.
まず（ａ）に示したように、所望のパターンの透明電極
１１、及び第１絶縁体層１２が形成されたガラス基板ｌ
Ｏ上に、第１蛍光体膜１３を形成するためのＺｎＳ：Ｔ
ｂ、Ｆ膜を共蒸着法により全面に一様に形成した。Ｚｎ
Ｓ：Ｔｂ、Ｆ膜の上にフォトレジス）１４を塗布し、透
明電極１１の１本おきに第１蛍光体膜１３のストライプ
が形成されるようにフォトレジスト１４をパターニング
する。このガラス基板ｌＯを第１図に示した装置を用い
、呈ッチングガスとしてメタノールとアルゴンの混合ガ
スを用いて反応性ドライエツチングを行い、 （ｂ）に
示したようなＺｎＳ：ＴＢ、Ｆ膜のストライブ状のパタ
ーンを形成する。この時のエツチング条件は、メタノー
ルガスの流量を９０ＳＣＣＭ、アルゴンガスの流量をＩ
Ｏ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力をｓ、ｏｘ ｔＯ
−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ／ｌｌ１
ｉｎであった。First, as shown in (a), a glass substrate l on which a desired pattern of transparent electrodes 11 and a first insulating layer 12 are formed.
ZnS:T for forming the first phosphor film 13 on the O
b, F film was uniformly formed over the entire surface by co-evaporation method. Zn
A photoresist (14) is applied on the S:Tb, F film, and patterned so that stripes of the first phosphor film 13 are formed on every other transparent electrode 11. This glass substrate 1O was subjected to reactive dry etching using the apparatus shown in Fig. 1 and a mixed gas of methanol and argon as the etching gas. Forms a live pattern. The etching conditions at this time were a methanol gas flow rate of 90SCCM and an argon gas flow rate of I
O5ccM, the gas pressure during etching is s, ox tO
-2 Torr, etching rate is 50 nm/ll1
It was in.
レジストを除去し、５００℃で１時間真空中熱処理した
後、 （Ｃ）に示したように第２蛍光体膜１５を形成す
るためのＣａＳ ： Ｅｕ膜を電子ビーム蒸着法により
全面に一様に形成し、その上にフォトレジスト１６を塗
布し、第１蛍光体膜１３の形成されていない部分にフォ
トレジスト１６のストライブが残るように、フォトレジ
スト１６のパターニングを行う。次に再度第１図に示し
た装置を用い、エツチングガスとしてメタノールとアル
ゴンの混合ガスを用いて反応性ドライエツチングを行い
、 （ｄ）に示したようなＣａｂ：Ｅｕ膜のストライブ
状のパターンを形成する。この時のエツチング条件は、
メタノールガスの流量を９Ｏ５ＣＧ？、アルゴンガスの
流量をＩＯ５ｃｃＭ、エツチング中のガス圧力を５．Ｏ
Ｘ ｔｏ−２Ｔｏｒｒとし、エツチング速度は５０ｎｍ
／ｎ＋ ｉ ｎであった。レジストを除去し、５００℃
で１時間真空中熱処理をした後、 （ｅ）に示したよう
に第２絶縁体層１７、及び透明電極１１と直交する様に
ストライブ状にパターニングされた背面電極１８を形成
し、多色薄膜ＥＬ素子を完成した。After removing the resist and performing heat treatment in vacuum at 500° C. for 1 hour, a CaS:Eu film for forming the second phosphor film 15 is uniformly deposited over the entire surface by electron beam evaporation as shown in (C). A photoresist 16 is applied thereon, and the photoresist 16 is patterned so that stripes of the photoresist 16 remain in areas where the first phosphor film 13 is not formed. Next, using the apparatus shown in Figure 1 again, reactive dry etching was performed using a mixed gas of methanol and argon as the etching gas, resulting in a striped pattern of the Cab:Eu film as shown in (d). form. The etching conditions at this time are
Is the flow rate of methanol gas 9O5CG? , the flow rate of argon gas was IO5ccM, and the gas pressure during etching was 5. O
X to -2 Torr, etching speed is 50 nm
/n+i n. Remove resist and heat at 500℃
After heat treatment in vacuum for 1 hour, as shown in (e), a second insulating layer 17 and a back electrode 18 patterned in stripes perpendicular to the transparent electrode 11 are formed, and a multicolored A thin film EL device was completed.
これらの素子を駆動したところ、第１蛍光体膜が形成さ
れている電極のみに電圧を印可した場合には緑色の発光
が、第２蛍光体膜が形成されている電極のみに電圧を印
可した場合には赤色の発光が、また全ての電極に電圧を
印可した場合には両色の混合色の発光が得られた。また
、各蛍光体膜の発光効率は、各蛍光体薄膜単独でＥＬ素
子を形成したものと同じ発光効率が得られた。When these devices were driven, green light was emitted when voltage was applied only to the electrode on which the first phosphor film was formed, but green light was emitted when voltage was applied only to the electrode on which the second phosphor film was formed. In this case, red light emission was obtained, and when voltage was applied to all electrodes, light emission of a mixed color of both colors was obtained. Furthermore, the luminous efficiency of each phosphor film was the same as that obtained when an EL element was formed using each phosphor thin film alone.
以上の実施例２では、第１蛍光体膜、及び第２蛍光体膜
のエツチングに際して、エツチングガスとしてメタノー
ルとアルゴンの混合ガスを用いたが、メタノールガスの
みでもエツチングが行える。In the above Example 2, a mixed gas of methanol and argon was used as the etching gas when etching the first phosphor film and the second phosphor film, but etching can also be performed using methanol gas alone.
またガスはメタノールガスに限るものではなく、メチル
基若しくはエチル基を含む化合物のガスを少なくとも１
種以、Ｌ含むガスを用いても同様の効果が得られる。Furthermore, the gas is not limited to methanol gas, and at least one gas of a compound containing a methyl group or an ethyl group is used.
A similar effect can be obtained even if a gas containing L is used.
また本実施例２では、ＺｎＳ：Ｔｂ、Ｆ膜、及びＣａＳ
： Ｅｕ膜の２種類の蛍光体膜を用いた多色薄膜ＥＬ
素子を形成する場合について述べたが、更に３種類以上
の蛍光体薄膜層を形成する場合にも、本発明の多色薄膜
ＥＬ素子製造方法が有効であることはいうまでもない。In addition, in this Example 2, ZnS:Tb, F film, and CaS
: Multicolor thin film EL using two types of phosphor films: Eu film
Although the case of forming an element has been described, it goes without saying that the method for manufacturing a multicolor thin film EL element of the present invention is also effective when forming three or more types of phosphor thin film layers.
発明の効果
本発明の硫化カルシウムまたは硫化ストロンチウムの反
応性ドライエツチング方法によれば、従来非常に困難で
あった硫化カルシウム、及び硫化ストロンチウムのドラ
イエツチングが高速で且つ再現性良く行うことが出来る
ようになった。Effects of the Invention According to the method for reactive dry etching of calcium sulfide or strontium sulfide of the present invention, dry etching of calcium sulfide and strontium sulfide, which has been extremely difficult in the past, can be performed at high speed and with good reproducibility. became.
また、本発明の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、
蛍光体層を多層化することなく、本来の発光効率を持っ
た複数の蛍光体薄膜層を一対の電極層間に形成でき信頼
性の高い多色薄膜Ｅ Ｌ素子を提供することが可能とな
った。Further, according to the method for manufacturing a multicolor thin film EL element of the present invention,
It has become possible to form multiple phosphor thin film layers with original luminous efficiency between a pair of electrode layers without multilayering phosphor layers, and to provide a highly reliable multicolor thin film EL device. .
第１図は、本発明の実施例における硫化カルシウムまた
は硫化ストロンチウムの反応性ドライエツチング方法に
用いる装置の概略図、第２図は、本発明の実施例におけ
る多色薄膜ＥＬ素子の製造方法の概略を示す断面図であ
る。
ｌ・・−真空容器、２・・・カソード、３・・−アノー
ド、４・・・基板、５・・・マツチング回路、６・・・
高周波電源、７・・・ガス導入口、８ａ、８ｂ・・・流
量計、９・・・真空排気系。１０・・・ガラス基板、１
１・・・透明電極、１２・・・第１絶縁体層、１３・・
・第１蛍光体膜、１４・・・フォトレジスト、１５・・
・第２蛍光体膜、１６・・・フォトレジスト、１７・・
・第２絶縁体膜、１８・・・背面電極。
代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばか１名区
ト
！ｓ２図FIG. 1 is a schematic diagram of an apparatus used in a method for reactive dry etching of calcium sulfide or strontium sulfide in an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram of a method for manufacturing a multicolor thin film EL device in an embodiment of the present invention. FIG. l...-vacuum vessel, 2...cathode, 3...-anode, 4...substrate, 5...matching circuit, 6...
High frequency power supply, 7... Gas inlet, 8a, 8b... Flow meter, 9... Vacuum exhaust system. 10...Glass substrate, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Transparent electrode, 12... First insulator layer, 13...
・First phosphor film, 14... Photoresist, 15...
・Second phosphor film, 16... Photoresist, 17...
- Second insulator film, 18... back electrode. Name of agent Patent attorney Toshio Nakao Idiot 1 Ward
to! s2 diagram
Claims (4)
分とする薄膜をドライエッチングする際、メチル基、若
しくはエチル基を含む化合物のガスのうち少なくとも一
種を含むガスを用いることを特徴とする硫化カルシウム
または硫化ストロンチウムの反応性ドライエッチング方
法。(1) Calcium sulfide or strontium sulfide characterized by using a gas containing at least one of compound gases containing methyl groups or ethyl groups when dry etching a thin film containing calcium sulfide or strontium sulfide as a main component. Reactive dry etching method for strontium sulfide.
分とする薄膜のドライエッチングに用いるガスが、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、若しくはアセトンの
うち少なくとも一種を含むガスであることを特徴とする
請求項１に記載の硫化カルシウムまたは硫化ストロンチ
ウムの反応性ドライエッチング方法。(2) According to claim 1, the gas used for dry etching of a thin film mainly composed of calcium sulfide or strontium sulfide is a gas containing at least one of methyl alcohol, ethyl alcohol, or acetone. A method for reactive dry etching of calcium sulfide or strontium sulfide as described.
層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、硫化物を
主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成する
際、メチル基、若しくはエチル基を含む化合物のガスの
うち少なくとも一種を含むガスを用いて反応性ドライエ
ッチングを行う工程を含むことを特徴とする多色薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。(3) In a method for manufacturing a thin film EL device consisting of a light emitting layer formed on a substrate and electrode layers sandwiching the light emitting layer, when forming a phosphor thin film layer containing sulfide as a main component in a predetermined pattern, methyl , or a multicolor thin film E characterized by comprising a step of performing reactive dry etching using a gas containing at least one of gases of compounds containing ethyl groups.
Method for manufacturing L element.
層よりなる薄膜ＥＬ素子の製造方法において、硫化物を
主成分とする蛍光体薄膜層を所定のパターンに形成する
際、メチルアルコール、エチルアルコール、若しくはア
セトンのうち少なくとも一種を含むガスを用いて反応性
ドライエッチングを行う工程を含むことを特徴とする請
求項３に記載の多色薄膜ＥＬ素子の製造方法。(4) In a method for manufacturing a thin film EL device consisting of a light-emitting layer formed on a substrate and electrode layers sandwiching the light-emitting layer, methyl alcohol 4. The method of manufacturing a multicolor thin film EL device according to claim 3, further comprising the step of performing reactive dry etching using a gas containing at least one of , ethyl alcohol, and acetone.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076715A JPH01248622A (en) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Reactive dry etching method for calcium sulfide or strontium sulfide and manufacture of multicolor thin film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63076715A JPH01248622A (en) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Reactive dry etching method for calcium sulfide or strontium sulfide and manufacture of multicolor thin film el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248622A true JPH01248622A (en) | 1989-10-04 |
Family
ID=13613253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63076715A Pending JPH01248622A (en) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | Reactive dry etching method for calcium sulfide or strontium sulfide and manufacture of multicolor thin film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248622A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263393B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-02-16 | Globalfoundries Inc. | Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63076715A patent/JPH01248622A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9263393B2 (en) * | 2012-11-07 | 2016-02-16 | Globalfoundries Inc. | Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits |
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