JPH01246831A - 多層電極配線法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は多層電極配線法に関し、とりわけ半導体装置に
おけるＡρ電極配線又はＣｕ電極配線の配線・処理方法
に関する。

〔従来の技術１ 従来、半導体装置におけるＡβ電極配線又はＣｕ電極配
線は、第１の電極配線上に形成されたＳｔｏｗ膜等から
成る絶縁膜を介し、該絶縁膜に開けられたコンタクト穴
を通して、第２の電極配線としてＡＩ又はＣｕ１／ｌ極
配線がなされるのが通例であった。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によるとコンタクト部でのＡｉ又
はＣｕ膿のつきまわりが悪（、配線の段切れを起こした
り、マイグレーションによる断線を起こす等の課題があ
った。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決するために、コ
ンタクト穴部のＡｆｌやＣｕ配線の表面が平滑になり、
且つ、マイグレーションによる断線を抑止する、主とし
て半導体装置におけるＡｌ又はＣｕ配線の形成・処理法
を提供する事を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明は、多層電極配線法
に係り、絶縁膜を介し、該絶縁膜に開けられたコンタク
ト穴を通して下層電極配線と多層にＡｌ１又はＣｕ電極
電線する場合に関し、ＷＳｉ又はＷ膜とＡρ又はＣｕ膿
の２層構造にて形成すると共に、前記Ａｊ２又はＣｕ膜
をレーザー・アニールあるいはランプ・アニールにより
再結晶化する手段をとる事、及び、前記ＷＳｉ又はＷ膜
をＣＶＤ法で形成する手段をとる。

〔実　施　例１ 第１図は本発明の一実施例を示す、配線形成、処理法を
工程順に示したものである。すなわち、（ａ）半導体基
板１の表面に・は下層配線層となる拡散配線層２と層間
絶縁膜となるＳｉＯ２膜３が形成され、該Ｓ　ｉ　Ｏ２
膜３の前記下層配線層である拡散配線層２の上にはコン
タクト穴が開けられた後、ＣＶＤ法ニヨリＣＶＤＷＳｉ
膜４を形成後、Ｐ　Ｖ　Ｄ　（Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法としてスパッタ法
等によりＰＶＤＡｆｉ膜５を形成したもので、該ＰＶＤ
ＡＩ膜５は多結晶体であると共に、コンタクト内でのつ
きまわりが悪く、凹状に形成されて成る。次で（ｂ）表
面からレーザー光あるいはランプ光による光アニール６
の処理をＡｌ２膿の表面から施すことにより、Ａｌ膜は
融解、再結晶化し、単結晶化あるいは巨大結晶化すると
共に、コンタクト穴部はＡβに埋め込まれて成り、表面
が平滑になることとなる。

第２図は本発明の他の実施例を示す配線形成・処理法で
あり、半導体基板１１の表面には拡散配線層１２及びＳ
ｉＯ□膜１３膜形３され、該５ｉｎ２膜１３の前記拡散
配線層１２上に開けられたコンタクト穴を通して、ＣＶ
ＤＷＳｉ膜１４が前記コンタクト穴を埋める様に形成さ
れ、更に、該ＣＶＤＷＳｉ膜上にはＡ４膜等が形成され
、該Ａｌ膜は、光アニール１５により結晶化Ａ４膜１６
として形成・処理されて成る。これら下地ＷＳｉやＷ膜
光アニール時の耐熱膜としての作用があると共に、Ａｌ
１やＣｕ膿の再結晶化の種となる作用もある。

［発明の効果］ 本発明により、マイグレーションによる断線やコンタク
ト穴部■の段切れの無い半導体装置におけるＡｌ又はＣ
ｕ配線を形成する事ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図は本発明の実施例を示
す、配線形成・処理法を示す図である。 ■、１１・・・半導体基板 ２．１２・・・拡散配線層 ３．１３・・・ＳｉＯ□膜 ４．１４・・−ＣＶＤＷＳｉ膜 ５・・・・・・ＰＶＤＡｆｉ膜 ６．１５・・・光アニール ７．１６・・・結晶化Ａβ膜 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　最　上　　務（他１名）第１図 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁膜を介し、該絶縁膜に開けられたコンタクト
   穴を通して下層電極配線と多層にＡｌ又はＣｕ電極配線
   する場合、ＷＳｉ又はＷ膜とＡｉ又はＣｕ膿の２層構造
   にて形成すると共に、前記Ａｌ又はＣｕ膜をレーザー・
   アニールあるいはランプ・アニールにより再結晶化する
   事を特徴とする多層電極配線法。
2. （２）ＷＳｉ膜又はＷ膿をＣＶＤ法で形成する事を特徴
   とする請求項１記載の多層電極配線法。