JPH01245444A - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JPH01245444A JPH01245444A JP7355688A JP7355688A JPH01245444A JP H01245444 A JPH01245444 A JP H01245444A JP 7355688 A JP7355688 A JP 7355688A JP 7355688 A JP7355688 A JP 7355688A JP H01245444 A JPH01245444 A JP H01245444A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光ディスクの製造方法に関し、特にレーザ等
の露光ビームを反射させるクロム等の金属反射膜上のフ
ォトレジストマスクの形成工程の改善に関する。
の露光ビームを反射させるクロム等の金属反射膜上のフ
ォトレジストマスクの形成工程の改善に関する。
背景技術
画像−文書φデータ等のアナログあるいはデジタル信号
を記録する光学式記録媒体のガラス基盤光ディスクの製
造においては、まずマスクとなるクロムブランクス上に
設けられたフォトレジスト塗布膜上に、ブリアドレス又
はプリグループ信号に応じて明滅するレーザービームを
照射して選択的に露光し、その後、現像して得られたフ
ォトマスクにクロムエツチング処理等の処理を施し、ク
ロムマスクを作成する。次に基板となる薄板ガラス円板
上に設けられたフ第１・レジスト塗布膜上に上記クロム
マスクを接近または密むさせクロムマスク面より紫外光
照射等を行い、クロムマスクパターンを転写露光する。
を記録する光学式記録媒体のガラス基盤光ディスクの製
造においては、まずマスクとなるクロムブランクス上に
設けられたフォトレジスト塗布膜上に、ブリアドレス又
はプリグループ信号に応じて明滅するレーザービームを
照射して選択的に露光し、その後、現像して得られたフ
ォトマスクにクロムエツチング処理等の処理を施し、ク
ロムマスクを作成する。次に基板となる薄板ガラス円板
上に設けられたフ第１・レジスト塗布膜上に上記クロム
マスクを接近または密むさせクロムマスク面より紫外光
照射等を行い、クロムマスクパターンを転写露光する。
その後、現像して得られたガラス基板のフォトマクスに
ガラスエツチング処理等の処理を施し、ブリアドレスお
よび／又はプリグループ等を有するガラス基板を作成す
る。
ガラスエツチング処理等の処理を施し、ブリアドレスお
よび／又はプリグループ等を有するガラス基板を作成す
る。
最後に、上記ガラス基板上に記録材料を塗布、蒸着ある
いはスパッタを施してガラス基板光ディスクを得ている
。
いはスパッタを施してガラス基板光ディスクを得ている
。
従来、フォトレジスト膜の露光装置として、第２図に示
すものが知られている。レーザー光源１はレーザービー
ム２を発生させ、光学系３はレーザービーム２を円形ガ
ラス基板４上のフォトレジスト膜へ導く。光変調器３ａ
は外部情報信号に応じてレーザービームを明滅させるよ
うな変調を行う。変調されたレーザビーム２はフォトレ
ジスト膜を選択的に露光する。尚、露光、現像後に得ら
れる基板上に同心円状又は螺旋状に配列されるプリアド
レスやプリグループ等のピット列を形成するように、ガ
ラス基板４は回転しかつレーザービーム２に対して相対
移動するようになされている。
すものが知られている。レーザー光源１はレーザービー
ム２を発生させ、光学系３はレーザービーム２を円形ガ
ラス基板４上のフォトレジスト膜へ導く。光変調器３ａ
は外部情報信号に応じてレーザービームを明滅させるよ
うな変調を行う。変調されたレーザビーム２はフォトレ
ジスト膜を選択的に露光する。尚、露光、現像後に得ら
れる基板上に同心円状又は螺旋状に配列されるプリアド
レスやプリグループ等のピット列を形成するように、ガ
ラス基板４は回転しかつレーザービーム２に対して相対
移動するようになされている。
かかる露光装置を用いてガラス基板上にフォトレジスト
マスクを形成する前には、第３図に示されるように、ま
ず、クロム等の金属のスパッタリング等の処理によって
ガラス基板４上にクロム反射膜５を形成し、その上に溶
液形態のフォトレジストを塗布し乾燥して、フォトレジ
スト膜６を形成する。この様にガラス基板４上にはクロ
ム膜５、フォトレジスト膜６が順に積層される。
マスクを形成する前には、第３図に示されるように、ま
ず、クロム等の金属のスパッタリング等の処理によって
ガラス基板４上にクロム反射膜５を形成し、その上に溶
液形態のフォトレジストを塗布し乾燥して、フォトレジ
スト膜６を形成する。この様にガラス基板４上にはクロ
ム膜５、フォトレジスト膜６が順に積層される。
次に、第２図に示すごとくレーザー光源１から出射され
光学系３によって記録位置へ導かれたレーザビーム２ａ
によって、フォトレジスト膜６を感光させる。
光学系３によって記録位置へ導かれたレーザビーム２ａ
によって、フォトレジスト膜６を感光させる。
その後、フォトレジスト膜６の露光された部分を現像処
理し除去してクロム反射膜５にレジストマスクを作製す
る（ポジ型）。
理し除去してクロム反射膜５にレジストマスクを作製す
る（ポジ型）。
得られたレジストマスクを有したガラス基板にクロムエ
ツチング処理等の処理を施し、その後、この基板からク
ロムマスクを作成して、かかるクロムマスタからピット
を有した光ディスクを複製する。
ツチング処理等の処理を施し、その後、この基板からク
ロムマスクを作成して、かかるクロムマスタからピット
を有した光ディスクを複製する。
以上の製造工程、特に露光工程においてはレーザビーム
２ａの一部がクロム膜５によって吸収され、熱エネルギ
ーに変わる。この場合、この熱がフォトレジスト膜６へ
も拡散し、フォトレジストの光化学反応における感光レ
ベルに影響を与える。
２ａの一部がクロム膜５によって吸収され、熱エネルギ
ーに変わる。この場合、この熱がフォトレジスト膜６へ
も拡散し、フォトレジストの光化学反応における感光レ
ベルに影響を与える。
この影響は記録レーザーパワー、記録パターン、フォト
レジスト感度、クロム膜のビーム吸収率等によって大き
く変化し均一な感光、現像の妨げとなる欠点がある。ま
た、レーザビーム２ａの一部がクロム膜５によって反射
され、入射ビームと干渉し、光化学反応に寄与する光の
強度が変化し、フォトレジストの露光に影響を与える。
レジスト感度、クロム膜のビーム吸収率等によって大き
く変化し均一な感光、現像の妨げとなる欠点がある。ま
た、レーザビーム２ａの一部がクロム膜５によって反射
され、入射ビームと干渉し、光化学反応に寄与する光の
強度が変化し、フォトレジストの露光に影響を与える。
この影響はレジスト膜厚、クロム膜の反射率等によって
変化し、均一な感光・現像の妨げとなる欠点もある。
変化し、均一な感光・現像の妨げとなる欠点もある。
発明の概要
本発明の目的は、上記の従来の欠点を解決すべく、クロ
ム膜からフォトレジスト膜への熱伝搬あるいはクロム膜
からの反射光を減少させて均一な感光を可能とするフォ
トレジストマスク形成工程を有する製造方法を提供する
ことを目的としている。
ム膜からフォトレジスト膜への熱伝搬あるいはクロム膜
からの反射光を減少させて均一な感光を可能とするフォ
トレジストマスク形成工程を有する製造方法を提供する
ことを目的としている。
本発明は、基板上に金属反射膜を形成する工程と、金属
反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、高分子系
樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォト
レジスト膜側から所定信号により変調された露光ビーム
によってフォトレジスト膜を露光する工程と、フォトレ
ジスト膜における潜像を現像してフォトレジストマスク
を形成する現像工程とを含むことを特徴とする。
反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、高分子系
樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォト
レジスト膜側から所定信号により変調された露光ビーム
によってフォトレジスト膜を露光する工程と、フォトレ
ジスト膜における潜像を現像してフォトレジストマスク
を形成する現像工程とを含むことを特徴とする。
実施例
以下、この発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は実施例の光ディスクの製造方法の特にフォトレ
ジストマスクを形成するための各工程におけるガラス基
板の部分拡大断面図である。
ジストマスクを形成するための各工程におけるガラス基
板の部分拡大断面図である。
まず、第１図（ωに示す如く、スパッタリングにより形
成されたクロム膜５を有するガラス基板４を用意し、該
ガラス基板４のクロム膜面に濃度１Ｏｇ／Ωのポリビニ
ルアルコール水溶液をスピンコード法で塗布し、その後
、加熱乾燥させるベーキング処理を行い、有機溶媒難溶
性でかつ膜厚約数１００人のポリビニルアルコールから
なる高分子系樹脂膜７を形成する。かかる高分子系樹脂
膜７の膜厚は、ガラス基板４を回転させるスピンナの振
り切り回転数調整と、該ビニルアルコール水溶液の濃度
調整とにより調整する。有機溶媒難溶性とするのは、後
のフォトレジスト塗布工程で有機溶媒が使用される故に
、該有機溶媒に溶解せずに耐えさせるためである。
成されたクロム膜５を有するガラス基板４を用意し、該
ガラス基板４のクロム膜面に濃度１Ｏｇ／Ωのポリビニ
ルアルコール水溶液をスピンコード法で塗布し、その後
、加熱乾燥させるベーキング処理を行い、有機溶媒難溶
性でかつ膜厚約数１００人のポリビニルアルコールから
なる高分子系樹脂膜７を形成する。かかる高分子系樹脂
膜７の膜厚は、ガラス基板４を回転させるスピンナの振
り切り回転数調整と、該ビニルアルコール水溶液の濃度
調整とにより調整する。有機溶媒難溶性とするのは、後
のフォトレジスト塗布工程で有機溶媒が使用される故に
、該有機溶媒に溶解せずに耐えさせるためである。
次に、第１図中）に示す如く、高分子系樹脂膜上にフォ
トレジスト、例えばへ゛キスト社製のＡＺ−１３００９
Ｆ４６ＣＰを適宜に有機溶剤を用いて溶液の形態として
、スピンコード法で塗布し、乾燥させてフォトレジスト
膜６を形成する。このようにガラス基板４上にはクロム
膜５、高分子系樹脂膜７、フォトレジスト膜６が順に積
層される。
トレジスト、例えばへ゛キスト社製のＡＺ−１３００９
Ｆ４６ＣＰを適宜に有機溶剤を用いて溶液の形態として
、スピンコード法で塗布し、乾燥させてフォトレジスト
膜６を形成する。このようにガラス基板４上にはクロム
膜５、高分子系樹脂膜７、フォトレジスト膜６が順に積
層される。
次に、第１図（Ｃ）に示す如く、露光装置において、フ
ォトレジスト膜６をレーザー光、例えばＡｒし一ザー光
２ａによって感光させる。
ォトレジスト膜６をレーザー光、例えばＡｒし一ザー光
２ａによって感光させる。
次に、第１図曲に示す如く、露光された基板を現像処理
して、フォトレジストの露光部分を除去する。
して、フォトレジストの露光部分を除去する。
次に、第１図（ｅ）に示す如く、残されたフォトレジス
ト膜６をマスクとして、高分子系樹脂膜の露出した部分
をアルカリ水溶液を用いてエツチング処理して除去する
。
ト膜６をマスクとして、高分子系樹脂膜の露出した部分
をアルカリ水溶液を用いてエツチング処理して除去する
。
以下、従来技術と同様にレジストマスクを有したガラス
基板にクロムエツチング処理等の処理を施し、その後、
この基板からクロムマスクを作成して、かかるクロムマ
スクからピットを有した光ディスクを複製する。また、
クロム膜及び基板間に予めエツチング可能な膜を設けて
エツチングを行ってもよい。塗布するフォトレジストを
所定膜厚として、かかるマスクを有した基板から直接、
マスクを作成することもできる。
基板にクロムエツチング処理等の処理を施し、その後、
この基板からクロムマスクを作成して、かかるクロムマ
スクからピットを有した光ディスクを複製する。また、
クロム膜及び基板間に予めエツチング可能な膜を設けて
エツチングを行ってもよい。塗布するフォトレジストを
所定膜厚として、かかるマスクを有した基板から直接、
マスクを作成することもできる。
本発明による光デイスク製造方法におけるフォトレジス
トマスク露光工程では、露光ビームに対して吸収特性を
もつクロム膜からのフォトレジスト膜への熱エネルギー
の伝搬するに際して、高分子系樹脂膜が緩和膜として機
能すべく設けられている。高分子系樹脂膜は、熱伝導性
について金属より熱伝導性の低いからである。
トマスク露光工程では、露光ビームに対して吸収特性を
もつクロム膜からのフォトレジスト膜への熱エネルギー
の伝搬するに際して、高分子系樹脂膜が緩和膜として機
能すべく設けられている。高分子系樹脂膜は、熱伝導性
について金属より熱伝導性の低いからである。
実施例の高分子系樹脂膜は水溶性であるけれども、室忍
程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。しかし
、水温を温度３０℃〜８０℃の範囲にしたもので、エツ
チング処理することも可能である。
程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。しかし
、水温を温度３０℃〜８０℃の範囲にしたもので、エツ
チング処理することも可能である。
また、実施例の高分子系樹脂膜に露光ビームの波長で吸
収特性をＨする色素を混入することで、クロム反射膜に
よる露光ビームの反射を減少させることも可能である。
収特性をＨする色素を混入することで、クロム反射膜に
よる露光ビームの反射を減少させることも可能である。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、露光ビームに対して吸
収特性を有するクロム等の金属反射膜とフォトレジスト
膜の間に、ポリビニルアルコール等の高分子系樹脂膜が
形成されているので、金属反射膜から伝搬される熱エネ
ルギーが、フォトレジスト膜に伝わるのを緩和すること
ができ、光分解反応による感光レベルを安定化させるこ
とができる。また、本実施例によれば、高分子系樹脂膜
であるので、樹脂を溶液形態で塗布し、加熱して硬化さ
せ、スピンコード法等によって容易に薄膜を形成できる
。
収特性を有するクロム等の金属反射膜とフォトレジスト
膜の間に、ポリビニルアルコール等の高分子系樹脂膜が
形成されているので、金属反射膜から伝搬される熱エネ
ルギーが、フォトレジスト膜に伝わるのを緩和すること
ができ、光分解反応による感光レベルを安定化させるこ
とができる。また、本実施例によれば、高分子系樹脂膜
であるので、樹脂を溶液形態で塗布し、加熱して硬化さ
せ、スピンコード法等によって容易に薄膜を形成できる
。
また、本発明によれば、高分子系樹脂膜に露光ビームに
対して吸収特性を有する色素を混入させることが可能で
ある故に、露光ビームが金属反射膜により反射され入射
露光ビームと干渉して不均一な感光及び現像が行われる
ことを抑制できる。
対して吸収特性を有する色素を混入させることが可能で
ある故に、露光ビームが金属反射膜により反射され入射
露光ビームと干渉して不均一な感光及び現像が行われる
ことを抑制できる。
第１図は本発明による製造方法を説明するための基板の
概略拡大部分断面図、第２図はフォトレジスト露光装置
の概略図、第３図は第２図の円Ｘに示すガラス基板の部
分拡大断面図であって従来の製造方法によるフォトレジ
スト露光用基板を説明する図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・レーザー光源 ２・・・・・・レーザービーム ３・・・・・・光学系 ４・・・・・・ガラス基板 ５・・・・・・クロム膜 ６・・・・・・フォトレジスト膜 ７・・・・・・高分子系樹脂膜
概略拡大部分断面図、第２図はフォトレジスト露光装置
の概略図、第３図は第２図の円Ｘに示すガラス基板の部
分拡大断面図であって従来の製造方法によるフォトレジ
スト露光用基板を説明する図である。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・レーザー光源 ２・・・・・・レーザービーム ３・・・・・・光学系 ４・・・・・・ガラス基板 ５・・・・・・クロム膜 ６・・・・・・フォトレジスト膜 ７・・・・・・高分子系樹脂膜
Claims (4)
- （１）基板上に金属反射膜を形成する工程と、前記金属
反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、前記高分
子系樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前
記フォトレジスト膜側から所定信号により変調された露
光ビームによって前記フォトレジスト膜を露光する工程
と、前記フォトレジスト膜における潜像を現像してフォ
トレジストマスクを形成する現像工程とを含むことを特
徴とする光ディスクの製造方法。 - （２）前記高分子系樹脂膜はポリビニルアルコールから
なり、かつ前記金属反射膜はクロムからなることを特徴
とする請求項１記載の製造方法。 - （３）高分子系樹脂を溶液形態で金属反射膜上に塗布し
乾燥して前記高分子系樹脂膜を形成することを特徴とす
る請求項１又は２記載の製造方法。 - （４）前記高分子系樹脂膜は光吸収特性を有することを
特徴とする請求項１、２又は３記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355688A JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355688A JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245444A true JPH01245444A (ja) | 1989-09-29 |
| JP2511102B2 JP2511102B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=13521639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7355688A Expired - Lifetime JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511102B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7355688A patent/JP2511102B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2511102B2 (ja) | 1996-06-26 |
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