JPH01243222A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH01243222A JPH01243222A JP6890488A JP6890488A JPH01243222A JP H01243222 A JPH01243222 A JP H01243222A JP 6890488 A JP6890488 A JP 6890488A JP 6890488 A JP6890488 A JP 6890488A JP H01243222 A JPH01243222 A JP H01243222A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置に用いられる磁気ディスクなどの
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
第2図は従来用いられている磁気記録媒体の模式的な要
部構成断面図を示したものである。第2図の磁気記録媒
体はAl−Mg合金基板1の上に非磁性金属基体層2を
被覆し、この非磁性金属基体層2上にさらに非磁性金属
下地層3を介して例えばCo−Ni−Cr合金薄膜の磁
性層4を被覆し、磁性層4上に保護潤滑層5を設けてあ
り、基板1に非磁性金属基体層2から保護潤滑層5まで
をこの符号順に積み重ねたように構成したものである。
部構成断面図を示したものである。第2図の磁気記録媒
体はAl−Mg合金基板1の上に非磁性金属基体層2を
被覆し、この非磁性金属基体層2上にさらに非磁性金属
下地層3を介して例えばCo−Ni−Cr合金薄膜の磁
性層4を被覆し、磁性層4上に保護潤滑層5を設けてあ
り、基板1に非磁性金属基体層2から保護潤滑層5まで
をこの符号順に積み重ねたように構成したものである。
このように構成された磁気記録媒体は製造過程で基板1
を所定の面粗さ、平行度および平面度に仕上げ、非磁性
金属基体層2はN1−P合金を無電解めっきもしくは基
板1自体をアルマイト処理することにより形成するのが
好ましく、いずれも所定の硬さを必要とし、表面は機械
的研磨を行って所定の面精度まで仕上げる。非磁性金属
下地層3は一般にCrを用いてスパッタ形成し、引き続
きCo=Ni−Cr合金などの磁性層4、さらにカーボ
ンもしくは8102などの保護潤滑層5を連続的にスパ
ッタして被覆する。
を所定の面粗さ、平行度および平面度に仕上げ、非磁性
金属基体層2はN1−P合金を無電解めっきもしくは基
板1自体をアルマイト処理することにより形成するのが
好ましく、いずれも所定の硬さを必要とし、表面は機械
的研磨を行って所定の面精度まで仕上げる。非磁性金属
下地層3は一般にCrを用いてスパッタ形成し、引き続
きCo=Ni−Cr合金などの磁性層4、さらにカーボ
ンもしくは8102などの保護潤滑層5を連続的にスパ
ッタして被覆する。
かくして得られた磁気記録媒体は強度1寸法精度などの
機械的特性および磁気特性も良好であり、例えばA#−
Mg合金基板1上に被覆したN1−P基体層2にCrの
非磁性金属下地層3を2000人、 Co−30at%
Ni−7,5at%Cr磁性層4を500八ふよびカー
ボン保護潤滑層5を500人連続スパッタして形成した
ものの代表的な磁気特性として保磁力Hcは9000e
である。
機械的特性および磁気特性も良好であり、例えばA#−
Mg合金基板1上に被覆したN1−P基体層2にCrの
非磁性金属下地層3を2000人、 Co−30at%
Ni−7,5at%Cr磁性層4を500八ふよびカー
ボン保護潤滑層5を500人連続スパッタして形成した
ものの代表的な磁気特性として保磁力Hcは9000e
である。
以上のような磁気記録媒体は緒特性の向上とともに近年
ますます軽量化とコストの低減に対する要求が高められ
ている。
ますます軽量化とコストの低減に対する要求が高められ
ている。
記録媒体の軽量化とコスト低減に対して考慮すべき点は
基板材料の選択である。すなわち、Al2−Mg合金を
基板に用いているために、この上に硬いN1−P層を設
けねばならず、基板面とN1−P層の表面研磨加工に多
大の時間を要し、このことがコストに大きな比率を占め
ている。したがって、この加工工数を短縮するのがよい
が、所定の面粗さ、平行度および平面度に仕上げなけれ
ばならないので、大幅な工数省略は不可能であってコス
トの低減には限界があり、AA’−Mg合金を用いる限
り多くを期待することができない。
基板材料の選択である。すなわち、Al2−Mg合金を
基板に用いているために、この上に硬いN1−P層を設
けねばならず、基板面とN1−P層の表面研磨加工に多
大の時間を要し、このことがコストに大きな比率を占め
ている。したがって、この加工工数を短縮するのがよい
が、所定の面粗さ、平行度および平面度に仕上げなけれ
ばならないので、大幅な工数省略は不可能であってコス
トの低減には限界があり、AA’−Mg合金を用いる限
り多くを期待することができない。
一方基板材料の選択に関しては記録媒体の軽量化も含め
て、プラスチックもしくはプラスチックとセラミックの
複合材料を用いるのが有望である。
て、プラスチックもしくはプラスチックとセラミックの
複合材料を用いるのが有望である。
これらの材料は、V−Mg合金より軽く、金型を用いて
成形することができるので、金型の表面を高精度に加工
しておくことにより、成形後の表面研磨を行うことなく
十分に良好な面粗さや平行度が得られるという利点があ
るからである。
成形することができるので、金型の表面を高精度に加工
しておくことにより、成形後の表面研磨を行うことなく
十分に良好な面粗さや平行度が得られるという利点があ
るからである。
しかしながら、プラスチックまたはその複合材料を基板
に用いるときは、別な問題が起きる。それは、プラスチ
ックは金属とは異なり、吸湿性が高く水分を吸蔵するの
で、これがスバツタ工程で放出され磁性層に悪い影響を
及ぼし、磁気特性。
に用いるときは、別な問題が起きる。それは、プラスチ
ックは金属とは異なり、吸湿性が高く水分を吸蔵するの
で、これがスバツタ工程で放出され磁性層に悪い影響を
及ぼし、磁気特性。
特に保磁力を低下させてしまう。したがってAl−Mg
合金に代わり、プラスチックなどを基板に用いたときも
記録媒体の特性を損なわないようにするのが好ましい。
合金に代わり、プラスチックなどを基板に用いたときも
記録媒体の特性を損なわないようにするのが好ましい。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は磁気記録媒体をより軽量とし、コストを低減するた
めにプラスチックまたはプラスチックとセラミックの複
合材料であるプラスチック系材料を用い、しかも従来の
スパッタ方式あるいはCVD方式により良好な磁気特性
が得られる構造を有する磁気記録媒体を提供することに
ある。
的は磁気記録媒体をより軽量とし、コストを低減するた
めにプラスチックまたはプラスチックとセラミックの複
合材料であるプラスチック系材料を用い、しかも従来の
スパッタ方式あるいはCVD方式により良好な磁気特性
が得られる構造を有する磁気記録媒体を提供することに
ある。
本発明の磁気記録媒体はプラスチック系の非磁性基板上
にアモルファスカーボン薄膜からなるバッファ層、非磁
性金属下地層、磁性層および保護潤滑層をこの順に形成
したものである。
にアモルファスカーボン薄膜からなるバッファ層、非磁
性金属下地層、磁性層および保護潤滑層をこの順に形成
したものである。
プラスチックなどは水分を吸蔵しているために、これを
基板として用いると、スパッタ過程で放出するガスの影
響を受けて、特に磁性層の保磁力を低下させるが本発明
ではプラスチックなどの基板と非磁性金属下地層との間
にバッファ層としてアモルファスカーボン薄膜が介在す
るように形成したために、基板に吸蔵されている水分な
どのガス放出を防ぐことができるので、良好な磁気特性
を保持したまま、従来より軽量にして安価な磁気記録媒
体が得られる。
基板として用いると、スパッタ過程で放出するガスの影
響を受けて、特に磁性層の保磁力を低下させるが本発明
ではプラスチックなどの基板と非磁性金属下地層との間
にバッファ層としてアモルファスカーボン薄膜が介在す
るように形成したために、基板に吸蔵されている水分な
どのガス放出を防ぐことができるので、良好な磁気特性
を保持したまま、従来より軽量にして安価な磁気記録媒
体が得られる。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第1図は本発明により得られた磁気記録媒体の模式的な
要部構成断面図を示したものであり、第2図と共通部分
を同一符号で表しである。第1図は第2図と基本的な構
成は同じであるが、第1図が第2図と異なる点は基板1
aにプラスチックを用い、基板1aと非磁性金属下地層
3との間に、非磁性金属基体層2ではなく、バッファ層
6としてアモルファスカーボン膜が介在するように構成
した所にある。
要部構成断面図を示したものであり、第2図と共通部分
を同一符号で表しである。第1図は第2図と基本的な構
成は同じであるが、第1図が第2図と異なる点は基板1
aにプラスチックを用い、基板1aと非磁性金属下地層
3との間に、非磁性金属基体層2ではなく、バッファ層
6としてアモルファスカーボン膜が介在するように構成
した所にある。
この記録媒体の製造方法について説明するとまず基板材
料にポリエーテルイミド樹脂の商品名ウルテム1200
を用い、所定の表面精度をもった金型により射出成形し
て基板1aをRa =0.05μm以下。
料にポリエーテルイミド樹脂の商品名ウルテム1200
を用い、所定の表面精度をもった金型により射出成形し
て基板1aをRa =0.05μm以下。
Rmax =0.5μm以下に作製し、次いでフロン溶
液等による超音波洗浄、蒸気洗浄後、クリーン度クラス
100以下、150℃の条件にて加熱脱ガス処理を行う
。次にこの基板1aをチャンバ内のトレーにセットする
。チャンバ内は少なくとも1 x 1O−5Torr以
下まで排気後、 2 Xl0−2TorrのArガス
を導入し、所定の内圧とする。そしてチャンバ内のCタ
ーゲット、 Crターゲット、 Co−Ni−Cr合
金ターゲット。
液等による超音波洗浄、蒸気洗浄後、クリーン度クラス
100以下、150℃の条件にて加熱脱ガス処理を行う
。次にこの基板1aをチャンバ内のトレーにセットする
。チャンバ内は少なくとも1 x 1O−5Torr以
下まで排気後、 2 Xl0−2TorrのArガス
を導入し、所定の内圧とする。そしてチャンバ内のCタ
ーゲット、 Crターゲット、 Co−Ni−Cr合
金ターゲット。
Cクーゲン)に所定のスパッタパワーを印加し、各ター
ゲット前を120mm/minの速度でトレーを搬送す
ることで所定の各層膜厚を得る。この時のスパッタ条件
は例えば基板温度が80℃以下、バッファ層形成用Cカ
ソードパワー密度が5.5W / cnt 、非磁性金
属下地層用Crカソードパワー密度が7.51’l/c
/、磁性層形成用Co−Ni〜CrミルCr合金カソー
ドパワー、 OW / cTll、保護潤滑層用カソー
ドパワー密度が5.5111/cJである。なお、非磁
性金属下地層のCrと磁性層のCo−Ni−Cr合金は
DCスパッタで成膜するが、バッファ層のCと保護潤滑
層のCはDCスパッタ、RFスパックのどちらで成膜し
てもよい。
ゲット前を120mm/minの速度でトレーを搬送す
ることで所定の各層膜厚を得る。この時のスパッタ条件
は例えば基板温度が80℃以下、バッファ層形成用Cカ
ソードパワー密度が5.5W / cnt 、非磁性金
属下地層用Crカソードパワー密度が7.51’l/c
/、磁性層形成用Co−Ni〜CrミルCr合金カソー
ドパワー、 OW / cTll、保護潤滑層用カソー
ドパワー密度が5.5111/cJである。なお、非磁
性金属下地層のCrと磁性層のCo−Ni−Cr合金は
DCスパッタで成膜するが、バッファ層のCと保護潤滑
層のCはDCスパッタ、RFスパックのどちらで成膜し
てもよい。
また、カーボンのバッファ層はスパッタ法でなくCVD
法で薄膜形成してもよい。この時の条件はチャンバ内を
I Xl0−5Torr以下まで排気する工程までスパ
ッタ法と同じである。この排気後、炭化水素系ガス例え
ば5 Xl0−3TorrのCH,ガス(純度99.9
8%)をチャンバ内に導入し、基板温度を80℃以下と
してトレー(アース電位)と対向する電極にRFパワー
密度0.5W/c%のRFパワーを印加することでカー
ボンを成膜する。カーボン成膜後はスパック法により、
Cr非磁性金属下地層、 C。
法で薄膜形成してもよい。この時の条件はチャンバ内を
I Xl0−5Torr以下まで排気する工程までスパ
ッタ法と同じである。この排気後、炭化水素系ガス例え
ば5 Xl0−3TorrのCH,ガス(純度99.9
8%)をチャンバ内に導入し、基板温度を80℃以下と
してトレー(アース電位)と対向する電極にRFパワー
密度0.5W/c%のRFパワーを印加することでカー
ボンを成膜する。カーボン成膜後はスパック法により、
Cr非磁性金属下地層、 C。
−Ni−Cr合金磁性層、C保護潤滑層を成膜する。な
お炭化水素系ガスはCH,に代えてC2L、 C211
6゜C6H6等の1つを用いても同等の効果が得られる
。
お炭化水素系ガスはCH,に代えてC2L、 C211
6゜C6H6等の1つを用いても同等の効果が得られる
。
これらの方法によって成膜されたカーボンバッファ層を
ラマン分光法によって測定した結果が第3図である。第
3図において、本発明のカーボン膜7はその成膜法がス
パッタ法(DC,RF)、CVD法(RF)のいずれに
限らず、1500−1600 cm−’付近に吸収ピー
クを有する。これはダイヤモンド構造8に起因する13
34cm ’の吸収ピークと明らかに異なり、無定形炭
素つまりアモルファス構造に起因するものである。故に
本発明の基板1a上に形成されたバッファ層6はアモル
ファスカーボンである。
ラマン分光法によって測定した結果が第3図である。第
3図において、本発明のカーボン膜7はその成膜法がス
パッタ法(DC,RF)、CVD法(RF)のいずれに
限らず、1500−1600 cm−’付近に吸収ピー
クを有する。これはダイヤモンド構造8に起因する13
34cm ’の吸収ピークと明らかに異なり、無定形炭
素つまりアモルファス構造に起因するものである。故に
本発明の基板1a上に形成されたバッファ層6はアモル
ファスカーボンである。
次に本発明に係わるバッファ層6の膜厚についてはその
効果を確かめるためにバッファ層6を設けないものから
2000人まで変化させた。また同時に基板材料として
ポリエステル樹脂と炭酸カルシウムとの複合材料を用い
た媒体を作製したが、このとき下地層3が2000人、
磁性層4が500人および保護潤滑層5が500人とプ
ラスチック基板を用いたものと全く同じ条件にしである
。
効果を確かめるためにバッファ層6を設けないものから
2000人まで変化させた。また同時に基板材料として
ポリエステル樹脂と炭酸カルシウムとの複合材料を用い
た媒体を作製したが、このとき下地層3が2000人、
磁性層4が500人および保護潤滑層5が500人とプ
ラスチック基板を用いたものと全く同じ条件にしである
。
次に以上のごとくして得られたそれぞれの磁気記録媒体
について磁気特性の比較を行った。第4図は縦軸を媒体
の代表的な磁気特性である保磁力11cトL、4jt軸
をバッファ層6のアモルファスカーボン膜厚とし、それ
ぞれの媒体について10点測定の平均値をプロットした
ものであり、基板にプラスチック単独(○)、プラスチ
ック複合材(△)を用いたものと、比較のためにバッフ
ァ層を形成してないものおよび従来の△β合金基板を用
いたものを併記しである。
について磁気特性の比較を行った。第4図は縦軸を媒体
の代表的な磁気特性である保磁力11cトL、4jt軸
をバッファ層6のアモルファスカーボン膜厚とし、それ
ぞれの媒体について10点測定の平均値をプロットした
ものであり、基板にプラスチック単独(○)、プラスチ
ック複合材(△)を用いたものと、比較のためにバッフ
ァ層を形成してないものおよび従来の△β合金基板を用
いたものを併記しである。
第4図かられかるように、バッファ層を設けてない媒体
はHcが僅かに1000e程度で非常に小さな値しか得
られず、これに対してアモルファスカーボンバッファ層
6を基板1aと下地層3との間に形成しである本発明の
媒体はバッファ層6のアモルファスカーボンの膜厚が増
すとともに保磁力が大きくなり、このアモルファスカー
ボン膜厚が400Å以上になると従来のA1合金基板1
にN1−Pめっき層2を被覆した媒体の保磁力9000
eと同等の値が得られる。
はHcが僅かに1000e程度で非常に小さな値しか得
られず、これに対してアモルファスカーボンバッファ層
6を基板1aと下地層3との間に形成しである本発明の
媒体はバッファ層6のアモルファスカーボンの膜厚が増
すとともに保磁力が大きくなり、このアモルファスカー
ボン膜厚が400Å以上になると従来のA1合金基板1
にN1−Pめっき層2を被覆した媒体の保磁力9000
eと同等の値が得られる。
次にそれぞれの磁気記録媒体についてクラック数の比較
を行った。第5図は縦軸を単位面積あたりの1μm以上
のクラック数(個/mm2)とし、横軸全バッファ層6
のアモルファスカーボン膜厚とし、それぞれの媒体につ
いて10点測定の平均値をプロットしたものであり、基
板にプラスチック単独(○)、プラスチック複合材(△
)を用いたものと、比較のためにバッファ層を形成して
ないものおよび従来のΔp合金基板を用いたものを併記
しである。
を行った。第5図は縦軸を単位面積あたりの1μm以上
のクラック数(個/mm2)とし、横軸全バッファ層6
のアモルファスカーボン膜厚とし、それぞれの媒体につ
いて10点測定の平均値をプロットしたものであり、基
板にプラスチック単独(○)、プラスチック複合材(△
)を用いたものと、比較のためにバッファ層を形成して
ないものおよび従来のΔp合金基板を用いたものを併記
しである。
膜面に発生するクラックは、基板と非磁性金属下地層の
個々の熱膨張係数の違いによる応力が各層に加わるため
である。第5図かられかるように、バッファ層を設けて
ない媒体はクラック数が非常に多い。これに対してアモ
ルファスカーボンバッファ層6を基板1aと下地層3と
の間に形成しである本発明の媒体はバッファ層6のアモ
ルファスカーボンの膜厚がある範囲内にある時、クラッ
ク数が少ない。つまりバッファ層の膜厚が400〜18
00 Aのときクラック数は50(個/mm2)以下で
あり、特に450〜1500人の範囲では10(個/m
m2)以下と非常に少なくなり、従来のAI!合金基板
1にN1−Pめっき層2を被覆した媒体と同等の値が得
られる。このことはカーボンのバッファ層がアモルファ
ス構造であり、基板と下地層の応力緩和の働きをしてい
るためである。
個々の熱膨張係数の違いによる応力が各層に加わるため
である。第5図かられかるように、バッファ層を設けて
ない媒体はクラック数が非常に多い。これに対してアモ
ルファスカーボンバッファ層6を基板1aと下地層3と
の間に形成しである本発明の媒体はバッファ層6のアモ
ルファスカーボンの膜厚がある範囲内にある時、クラッ
ク数が少ない。つまりバッファ層の膜厚が400〜18
00 Aのときクラック数は50(個/mm2)以下で
あり、特に450〜1500人の範囲では10(個/m
m2)以下と非常に少なくなり、従来のAI!合金基板
1にN1−Pめっき層2を被覆した媒体と同等の値が得
られる。このことはカーボンのバッファ層がアモルファ
ス構造であり、基板と下地層の応力緩和の働きをしてい
るためである。
次にそれぞれの磁気記録媒体について80℃、80%R
H環境内に1ケ月放置後Br・δ(残留磁束密度×磁性
層膜厚)値の減少量の比較を行った。第6図は縦軸をS
r・δ減少量(%)とし、横軸をバッファ層6のアモル
ファスカーボン膜厚とし、それぞれの媒体について10
点測定の平均値をプロットしたものであり、基板にプラ
スチック単独(○)。
H環境内に1ケ月放置後Br・δ(残留磁束密度×磁性
層膜厚)値の減少量の比較を行った。第6図は縦軸をS
r・δ減少量(%)とし、横軸をバッファ層6のアモル
ファスカーボン膜厚とし、それぞれの媒体について10
点測定の平均値をプロットしたものであり、基板にプラ
スチック単独(○)。
プラスチック複合材(△)を用いたものと、比較のため
にバッファ層を形成してないものおよび従来のA1合金
基板を用いたものを併記しである。
にバッファ層を形成してないものおよび従来のA1合金
基板を用いたものを併記しである。
第6図かられかるように、バッファ層を設けてない媒体
はBr・δ減少量が7.7%と非常に多い。
はBr・δ減少量が7.7%と非常に多い。
このBr・δ減少量が5%以上あると、記録、再生を繰
り返した際エラーの発生が増加する。これに対してアモ
ルファスカーボンの膜厚がある範囲内にある時、Br・
δ減少量が5%以下となる。この膜厚範囲が400〜1
800人である。特に信頼性上からA1合金基板の1.
5%の2倍以下とすると、450〜1500人の範囲が
好ましい。このBr・δ減少量と表面クラック数は第5
図、第6図かられかるように依存性があり、かつ膜厚を
変えることで制御できることがわかる。
り返した際エラーの発生が増加する。これに対してアモ
ルファスカーボンの膜厚がある範囲内にある時、Br・
δ減少量が5%以下となる。この膜厚範囲が400〜1
800人である。特に信頼性上からA1合金基板の1.
5%の2倍以下とすると、450〜1500人の範囲が
好ましい。このBr・δ減少量と表面クラック数は第5
図、第6図かられかるように依存性があり、かつ膜厚を
変えることで制御できることがわかる。
これらのことは基板1aにプラスチックまたはその複合
材料を用いたときにこれらを被覆するバッファ層6のも
たらす効果であって、基板に吸蔵されている水分などの
ガスはバッファ層6のスパッタ過程でほぼ除去されるか
、媒体形成後はバッファ層6にとじ込められて、下地層
3や磁性層4へ悪い影響を及ぼすのを防いでいるからで
ある。
材料を用いたときにこれらを被覆するバッファ層6のも
たらす効果であって、基板に吸蔵されている水分などの
ガスはバッファ層6のスパッタ過程でほぼ除去されるか
、媒体形成後はバッファ層6にとじ込められて、下地層
3や磁性層4へ悪い影響を及ぼすのを防いでいるからで
ある。
しかもプラスチックまたはその複合材料を基板1aとし
て用いるときは、従来のA1−Mg合金基板1に比べて
約60%軽量になるとともに、複雑な研磨工程を必要と
せず、基板la上に堆積させる各層は同一真空槽内で順
次スパッタさせればよく、バッファ層6を形成するため
の特別な手段も要らない。
て用いるときは、従来のA1−Mg合金基板1に比べて
約60%軽量になるとともに、複雑な研磨工程を必要と
せず、基板la上に堆積させる各層は同一真空槽内で順
次スパッタさせればよく、バッファ層6を形成するため
の特別な手段も要らない。
° 最後に本発明により得られた磁気記録媒体を磁気
記録装置に組み込んでC8S試験を行った結果、2万回
のコンタクト・スタート・ストップに対してもこの記録
媒体表面にはなんら傷の発生は見られず、再生出力もほ
とんど低下することなく、十分な耐久性をもっているこ
とを確認することができた。
記録装置に組み込んでC8S試験を行った結果、2万回
のコンタクト・スタート・ストップに対してもこの記録
媒体表面にはなんら傷の発生は見られず、再生出力もほ
とんど低下することなく、十分な耐久性をもっているこ
とを確認することができた。
磁気ディスクなどの磁気記録媒体は軽量にするとともに
、コストの低減が望まれており、従来の加工工数の多い
A1合金基板の代わりに、後加工なしで高い表面精度の
得られるプラスチックまたはその複合材料を用いるのが
合目的であるが、これらプラスチック系材料は水分など
を吸蔵しており、この上に形成される下地層や磁性層は
スパッタ時に基板から放出される水分などのガスの影響
を受けて酸化し、記録媒体の磁気特性を低下させるのに
対して、本発明によれば実施例で述べたように、プラス
チック系基板と非磁性金属下地層との間にバッファ層と
してアモルファスカーボン膜を介在させるように構成し
たために、このバッファ層によって基板からのガス放出
の磁気特性に対する悪影響はなくなり、本来の媒体の有
するすぐれた磁気特性を維持することができ、しかも基
板上の薄膜積層過程は連続スパッタが可能であって製造
効率を低下させることもない。
、コストの低減が望まれており、従来の加工工数の多い
A1合金基板の代わりに、後加工なしで高い表面精度の
得られるプラスチックまたはその複合材料を用いるのが
合目的であるが、これらプラスチック系材料は水分など
を吸蔵しており、この上に形成される下地層や磁性層は
スパッタ時に基板から放出される水分などのガスの影響
を受けて酸化し、記録媒体の磁気特性を低下させるのに
対して、本発明によれば実施例で述べたように、プラス
チック系基板と非磁性金属下地層との間にバッファ層と
してアモルファスカーボン膜を介在させるように構成し
たために、このバッファ層によって基板からのガス放出
の磁気特性に対する悪影響はなくなり、本来の媒体の有
するすぐれた磁気特性を維持することができ、しかも基
板上の薄膜積層過程は連続スパッタが可能であって製造
効率を低下させることもない。
以上のように本発明の磁気記録媒体はプラスチツク系の
基板を用いて表面研磨工程を省略したことによる軽量化
とコスト低減、およびスパッタ法またはCVD法を用い
てアモルファスカーボンバッファ層を形成することによ
りプラスチック系基板のもつ欠点を解消して媒体本来の
特性を保持することができたという点で磁気記録媒体に
望まれるいくつかの重要な課題を全て同時に達成したも
のである。
基板を用いて表面研磨工程を省略したことによる軽量化
とコスト低減、およびスパッタ法またはCVD法を用い
てアモルファスカーボンバッファ層を形成することによ
りプラスチック系基板のもつ欠点を解消して媒体本来の
特性を保持することができたという点で磁気記録媒体に
望まれるいくつかの重要な課題を全て同時に達成したも
のである。
第1図は本発明の磁気記録媒体の模式的な要部構成断面
図、第2図は従来の磁気記録媒体の模式的な要部構成断
面図、第3図はラマン分光法による測定線図、第4図は
本発明の磁気記録媒体における保磁力とバッファ層の膜
厚との関係をバッファ層なしの媒体および従来の媒体と
の比較で示した線図、第5図は本発明の磁気記録媒体に
おけるクランク数とバッファ層の膜厚との関係をバッフ
ァ層なしの媒体および従来の媒体との比較で示した線図
、第6図は本発明の磁気記録媒体におけるBr・δ減少
量とバッファ層の膜厚との関係をバラ 77層なしの媒
体および従来の媒体との比較で示した線図である。 1.1a 基板、2 非磁性金属基体層、3非磁性金属
下地層、4 磁性層、5 保護潤滑層、6 バッファ層
。 第13図 第5図
図、第2図は従来の磁気記録媒体の模式的な要部構成断
面図、第3図はラマン分光法による測定線図、第4図は
本発明の磁気記録媒体における保磁力とバッファ層の膜
厚との関係をバッファ層なしの媒体および従来の媒体と
の比較で示した線図、第5図は本発明の磁気記録媒体に
おけるクランク数とバッファ層の膜厚との関係をバッフ
ァ層なしの媒体および従来の媒体との比較で示した線図
、第6図は本発明の磁気記録媒体におけるBr・δ減少
量とバッファ層の膜厚との関係をバラ 77層なしの媒
体および従来の媒体との比較で示した線図である。 1.1a 基板、2 非磁性金属基体層、3非磁性金属
下地層、4 磁性層、5 保護潤滑層、6 バッファ層
。 第13図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)プラスチック系基板上にアモルファスカーボンバッ
ファ層、非磁性金属下地層、磁性層および保護潤滑層を
この順にスパッタ形成してなることを特徴とする磁気記
録媒体。 2)特許請求の範囲第1項記載の媒体において、スパッ
タ形成されるアモルファスカーボンバッファ層に代えて
CVD法で形成されるアモルファスカーボンバッファ層
とすることを特徴とする磁気記録媒体。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の媒体にお
いて、アモルファスカーボンバッファ層の膜厚が400
〜1800Åであることを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6890488A JPH01243222A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6890488A JPH01243222A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243222A true JPH01243222A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13387104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6890488A Pending JPH01243222A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01243222A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6911256B2 (en) | 2003-06-30 | 2005-06-28 | Imation Corp. | Buffer layers for magnetic media with a plastic substrate |
US7399386B2 (en) * | 2001-07-17 | 2008-07-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP6890488A patent/JPH01243222A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7399386B2 (en) * | 2001-07-17 | 2008-07-15 | Fuji Electric Device Technology Co., Ltd. | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus |
US6911256B2 (en) | 2003-06-30 | 2005-06-28 | Imation Corp. | Buffer layers for magnetic media with a plastic substrate |
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