JPH01241120A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPH01241120A JPH01241120A JP63067107A JP6710788A JPH01241120A JP H01241120 A JPH01241120 A JP H01241120A JP 63067107 A JP63067107 A JP 63067107A JP 6710788 A JP6710788 A JP 6710788A JP H01241120 A JPH01241120 A JP H01241120A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、Ｘ線露光用マスクの改良に係わり、特にプロ
キシミティ露光時のマスターウェハ間のギヤ、プ調整の
必要をなくしたＸ線露光用マスクに関する。
キシミティ露光時のマスターウェハ間のギヤ、プ調整の
必要をなくしたＸ線露光用マスクに関する。
（従来の技術）
近年、集積回路の高集積化に伴い、回路パターンの微細
加工技術の中でも、感光剤にパターンを形成するリング
ラフィ技術の重要性が高まっている。現在、光を露光媒
体とするフォトリングラフィ技術が量産ラインで使用さ
れているが、波長によって決まる解像力の限界に近づき
つつあり、原理的に、解像力が飛躍的に向上するＸ線リ
ソグラフィ技術の研究開発が急速な進展を見せている。
加工技術の中でも、感光剤にパターンを形成するリング
ラフィ技術の重要性が高まっている。現在、光を露光媒
体とするフォトリングラフィ技術が量産ラインで使用さ
れているが、波長によって決まる解像力の限界に近づき
つつあり、原理的に、解像力が飛躍的に向上するＸ線リ
ソグラフィ技術の研究開発が急速な進展を見せている。
Ｘ線露光では、所定のパターンが形成されたＸ線露光用
マスクと試料とを１θμｍオーダーの間隔で平行に保持
し、マスク背面よりＸ線を照射することによって、マス
クパターンが試料上の感光剤に転写される。ここで、Ｘ
線露光用マスクは、シリコンウェハ等の基板支持体上に
、Ｘ線を透過するＳｉＮ、８ｉＣ等の薄膜をＣＶＤ法等
で堆積した後、この薄膜上に、Ｘ線を吸収するＷ等の重
合属でパターンを形成し、さらに支持体の中央部をその
裏面側からマスク基板の形状に合わせてエツチング除去
したものである。
マスクと試料とを１θμｍオーダーの間隔で平行に保持
し、マスク背面よりＸ線を照射することによって、マス
クパターンが試料上の感光剤に転写される。ここで、Ｘ
線露光用マスクは、シリコンウェハ等の基板支持体上に
、Ｘ線を透過するＳｉＮ、８ｉＣ等の薄膜をＣＶＤ法等
で堆積した後、この薄膜上に、Ｘ線を吸収するＷ等の重
合属でパターンを形成し、さらに支持体の中央部をその
裏面側からマスク基板の形状に合わせてエツチング除去
したものである。
Ｘ線露光の実用化には解決すべき課題が数多くあるが、
マスクと試料とを数十μｍの間隔で向かいあわせて露光
するプロキシミディ露光時の、マスター試料間のギャッ
プ調節もそのひとつである。
マスクと試料とを数十μｍの間隔で向かいあわせて露光
するプロキシミディ露光時の、マスター試料間のギャッ
プ調節もそのひとつである。
従来は、第３図に示すように、マスク−試料間にスペー
サーをそう人して露光を行なっていたが、ＳＯＲを光源
とする露光装置では、Ｘ線が水平方向に放射されるため
、露光するマスクおよび試料を鉛直方向に向かいあわせ
る。縦型の露光装置となる。この場合、マスクおよび試
料から分離したスペーサーをギャップ調節に用いると、
ステップアンドリピート式の露光を行なう場合マスクを
セットしたまま試料を交換したり、試料の位置をずらし
たりするのはたいへん困難である。また、スペーサーが
マスクから分離していると、ギャップ調節の際にスペー
サーの位置をあやまると、力学的強度の著しく弱いマス
ク基板をスペーサーによって傷つけたり、破損してしま
う恐れがあるうまた、マスクおよび試料から分離したス
ペーサーを用いる場合、このスペーサーを保持し、セッ
ト口、移動するために、露光装置が複雑な機構を備えな
ければならない。スペーサーを使用せず、マーク検出に
よるギャップセンサーによりてギャップ調節を行なう場
合でも、露光装置は複雑な光学的機構を必要とする。
サーをそう人して露光を行なっていたが、ＳＯＲを光源
とする露光装置では、Ｘ線が水平方向に放射されるため
、露光するマスクおよび試料を鉛直方向に向かいあわせ
る。縦型の露光装置となる。この場合、マスクおよび試
料から分離したスペーサーをギャップ調節に用いると、
ステップアンドリピート式の露光を行なう場合マスクを
セットしたまま試料を交換したり、試料の位置をずらし
たりするのはたいへん困難である。また、スペーサーが
マスクから分離していると、ギャップ調節の際にスペー
サーの位置をあやまると、力学的強度の著しく弱いマス
ク基板をスペーサーによって傷つけたり、破損してしま
う恐れがあるうまた、マスクおよび試料から分離したス
ペーサーを用いる場合、このスペーサーを保持し、セッ
ト口、移動するために、露光装置が複雑な機構を備えな
ければならない。スペーサーを使用せず、マーク検出に
よるギャップセンサーによりてギャップ調節を行なう場
合でも、露光装置は複雑な光学的機構を必要とする。
（発明が解決しようとする課題）
このように、マスク−試料間のギャップの調節に、マス
クおよび試料から分離したスペーサーを用いると、ステ
ップアンドリピート式の露光を行なう場合、スペーサー
の位置の一節がむずかしく、また、マスクから分離した
スペーサーを用いると、スペーサーによってマスクを破
壊するおそれがある。また、マーク検出方式のギャップ
センサーによるギャップの調節には複雑な光学的機構を
必要とする。
クおよび試料から分離したスペーサーを用いると、ステ
ップアンドリピート式の露光を行なう場合、スペーサー
の位置の一節がむずかしく、また、マスクから分離した
スペーサーを用いると、スペーサーによってマスクを破
壊するおそれがある。また、マーク検出方式のギャップ
センサーによるギャップの調節には複雑な光学的機構を
必要とする。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、露光時のマスク−試料間ギャップに等
しい深さの段差をマスク自身に形成してスペーサーを兼
ね備えたマスクを提供することにより、Ｘ線露光のシス
テムを大幅に簡略化することにある。
とするところは、露光時のマスク−試料間ギャップに等
しい深さの段差をマスク自身に形成してスペーサーを兼
ね備えたマスクを提供することにより、Ｘ線露光のシス
テムを大幅に簡略化することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の骨子は、マスク基板支持体上に、エツチングに
て凹領域を形成し、上面と下面の断差をＸ線露光時のマ
スク−試料間ギャップとなすことにより、スペーサーを
内蔵したＸ線露光用マスクを形成することにある。
て凹領域を形成し、上面と下面の断差をＸ線露光時のマ
スク−試料間ギャップとなすことにより、スペーサーを
内蔵したＸ線露光用マスクを形成することにある。
即ち本発明は、マスク基板支持体の表面に、Ｘ線透過性
の薄膜を被着し、該支持体の中央部の少なくとも１か所
の選択された領域をその裏面側からエツチングして得ら
れる薄膜部をマスク基板としたＸ線露光用マスクにおい
て、前記支持体のおもて側の、マスク基板を形成しよう
とする領域を含む領域をエツチングによってあらかじめ
削り、露光時のマスク−試料間ギャップの深さだけ、堀
り下げて凹領域を形成したあとで、該支持体表面にＸ線
透過性の薄膜（マスク基板）を被着することにより、該
支持体表面とマスク基板表面のあいだに段差を設け、こ
の段差を、露光時のスペーサーとして利用するようにし
たものである。
の薄膜を被着し、該支持体の中央部の少なくとも１か所
の選択された領域をその裏面側からエツチングして得ら
れる薄膜部をマスク基板としたＸ線露光用マスクにおい
て、前記支持体のおもて側の、マスク基板を形成しよう
とする領域を含む領域をエツチングによってあらかじめ
削り、露光時のマスク−試料間ギャップの深さだけ、堀
り下げて凹領域を形成したあとで、該支持体表面にＸ線
透過性の薄膜（マスク基板）を被着することにより、該
支持体表面とマスク基板表面のあいだに段差を設け、こ
の段差を、露光時のスペーサーとして利用するようにし
たものである。
（作用）
Ｘｓ露光では、マスクと試料を数十μｍの間隔で平行に
向かいあわせてマスク裏面からＸ線を照射するため、マ
スクと試料とのあいだに数十μｍの厚さのスペーサーを
そう人するが、本発明では、マスク基板面を、マスク支
持体面よりギャップ長だけ堀り下げて形成することによ
り、スペーサーをそう人する必要がなく、マスク支持体
面と試料面を平行に接触することにより、自動的に必要
なギャップが確保される。このため、スペーサーをフン
トロールするための機構や、マーク検出のための複雑な
機構が露−光装置に要求されることがなく、露光のシス
テムが簡略化される。
向かいあわせてマスク裏面からＸ線を照射するため、マ
スクと試料とのあいだに数十μｍの厚さのスペーサーを
そう人するが、本発明では、マスク基板面を、マスク支
持体面よりギャップ長だけ堀り下げて形成することによ
り、スペーサーをそう人する必要がなく、マスク支持体
面と試料面を平行に接触することにより、自動的に必要
なギャップが確保される。このため、スペーサーをフン
トロールするための機構や、マーク検出のための複雑な
機構が露−光装置に要求されることがなく、露光のシス
テムが簡略化される。
（実施例）
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例に係わるス
ペーサー付Ｘ線露光用マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
ペーサー付Ｘ線露光用マスクの製造工程を示す断面図で
ある。
まず、第１図（ａ）に示す如く・３“φ・厚さ５５０μ
ｍのシリコン基板（マスク基板支持体）１０のおもて面
に、Ｉ、 Ｐ ＣＶ Ｄｉｌ［：テ、ＮＨ。
ｍのシリコン基板（マスク基板支持体）１０のおもて面
に、Ｉ、 Ｐ ＣＶ Ｄｉｌ［：テ、ＮＨ。
とＳｉＨ，ＣＪｔガスを１＝４の割合で流し、温度８５
０°ＣでＳｉＮ膜−１１を２００ＯＡの厚さに形成し、
中央部分をＲＩＥ１２にて除去する。
０°ＣでＳｉＮ膜−１１を２００ＯＡの厚さに形成し、
中央部分をＲＩＥ１２にて除去する。
次いで、第１図（ｂ）に示す如く、ＳｉＮ膜上１をエツ
チングストッパーとしてシリコン（１００）面を優先的
にエツチングするＫＯＨおよび水より成るエツチング液
１３を作用させて、おもて面の８ｉを５０μｍエツチン
グする。
チングストッパーとしてシリコン（１００）面を優先的
にエツチングするＫＯＨおよび水より成るエツチング液
１３を作用させて、おもて面の８ｉを５０μｍエツチン
グする。
次いで、第１図（Ｃ）に示す如く、第１図（ａ）と同様
な方法でＳｉＮ膜上１を１μｍの厚さに形成する。次に
、第１図（ｄ）に示すごとく、おもて面のＳｉＮ膜上に
、Ａｕの吸収体１４を、電解めっき法にて形成する。次
に第１図（ｅ）に示すように、うら面のＳｉＮ膜にＩ（
、ＩＥ１２にて、開口部を形成する。さいごに、第１図
（ｆ）に示すように、うら面の開口部に、第１図（ｂ）
と同様にエツチング液１３を作用させてシリコン基板を
除去する。このようにして、おもて面に約５０μｍの段
差のあるスペーサー付Ｘ線露光マスクが形成される。第
２図は、第１図にて形成したスペーサー付Ｘ線露光マス
クにて、ｘａｇ光を行なった場合の実施例である。すな
わち、５０μｍの段差を設けたスペーサー付Ｘ線マスク
を、レジストＰ ＭＭＡを１μｍ厚に塗布したシリコン
ウェハーと向かいあわせ、ピーク波長１０ＡのＳＯＲ光
で露光したところ、最小線巾０．２μｍの良好なパター
ンが、マスク領域２５ｍｍ口の全面にわたって得られエ
ツチングによって形成したスペーサーが有効であること
が確かめられた。
な方法でＳｉＮ膜上１を１μｍの厚さに形成する。次に
、第１図（ｄ）に示すごとく、おもて面のＳｉＮ膜上に
、Ａｕの吸収体１４を、電解めっき法にて形成する。次
に第１図（ｅ）に示すように、うら面のＳｉＮ膜にＩ（
、ＩＥ１２にて、開口部を形成する。さいごに、第１図
（ｆ）に示すように、うら面の開口部に、第１図（ｂ）
と同様にエツチング液１３を作用させてシリコン基板を
除去する。このようにして、おもて面に約５０μｍの段
差のあるスペーサー付Ｘ線露光マスクが形成される。第
２図は、第１図にて形成したスペーサー付Ｘ線露光マス
クにて、ｘａｇ光を行なった場合の実施例である。すな
わち、５０μｍの段差を設けたスペーサー付Ｘ線マスク
を、レジストＰ ＭＭＡを１μｍ厚に塗布したシリコン
ウェハーと向かいあわせ、ピーク波長１０ＡのＳＯＲ光
で露光したところ、最小線巾０．２μｍの良好なパター
ンが、マスク領域２５ｍｍ口の全面にわたって得られエ
ツチングによって形成したスペーサーが有効であること
が確かめられた。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。
い。
たとえば、マスク基板支持体をエツチングする際のエツ
チングストッパーはＳｉＮ膜に限るものではな（，８ｉ
０．でも良い。また、Ｘ線透過性の薄膜（マスク基板）
も、ＬＰＣＶＤにて形成したＳｉＮ膜に限らず、ＳｉＣ
，ＢＮ、Ｓｉ等が可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
チングストッパーはＳｉＮ膜に限るものではな（，８ｉ
０．でも良い。また、Ｘ線透過性の薄膜（マスク基板）
も、ＬＰＣＶＤにて形成したＳｉＮ膜に限らず、ＳｉＣ
，ＢＮ、Ｓｉ等が可能である。その他、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
以上詳述したように、本発明によれば、Ｘ線マスク基板
支持体をエツチングして段差を設けた面にＸ線マスク基
板を形成することにより、マスク自身が露光時の試料間
ギャップを内蔵した構造を具備している。したがって、
露光時にマスク−試料間のギャップ調整のために露光装
置内でスペーサーを挿入したり、ギャップを測定する必
要がないので、Ｘ線露光システムの簡略化に寄与する第
１図は本発明の一実施例に係わるスペーサ付Ｘ線露光用
マスクの製造工程を示す断面図、第２図は本発明による
スペーサー付きマスクによるＸ線露光方法を示す図、第
３図は従来のスペーサーを挿入したＸ線露光方法を示す
図、である。
支持体をエツチングして段差を設けた面にＸ線マスク基
板を形成することにより、マスク自身が露光時の試料間
ギャップを内蔵した構造を具備している。したがって、
露光時にマスク−試料間のギャップ調整のために露光装
置内でスペーサーを挿入したり、ギャップを測定する必
要がないので、Ｘ線露光システムの簡略化に寄与する第
１図は本発明の一実施例に係わるスペーサ付Ｘ線露光用
マスクの製造工程を示す断面図、第２図は本発明による
スペーサー付きマスクによるＸ線露光方法を示す図、第
３図は従来のスペーサーを挿入したＸ線露光方法を示す
図、である。
１０・・・シリコン基板、
１１・・・ＳｉＮ膜（薄膜）、
１２・・・ＦＬＩＥプラズ、分子、
１３・・・ＫＯＨ水溶液、
１４・・・Ａｕ吸収体パターン、
１５・・・マスク基板支持体、
１６・・・マスク基板、
１７・・・吸収体、
１８・・・スペーサー、
１９・・・試料、
２０・・・Ｘ線。
代理人 弁理士 則 近 憲 佑
同 松 山 光 之
第１図
第２図
／’／
第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マスク基板支持体の表面に、Ｘ線透過性の 薄膜を被着し、該支持体の中央部をその裏面側からエッ
チングして開口部を少なくとも１ヵ所形成し、この開口
部に位置する薄膜をマスク基板としたＸ線露光用マスク
において、前記支持体の表面の選択的領域をあらかじめ
エッチングによって特定の厚さだけ除去した凹領域を形
成しておき、前記凹領域上に、Ｘ線透過性の薄膜とＸ線
の吸収体パターンを形成し、前記エッチングによって生
じた凹領域の上面と下面の段差をＸ線露光時のマスター
試料間ギャップとしたことを特徴とするＸ線露光用マス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067107A JPH01241120A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63067107A JPH01241120A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241120A true JPH01241120A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13335340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63067107A Pending JPH01241120A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241120A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445U (ja) * | 1990-04-11 | 1992-01-06 | ||
| US20180348627A1 (en) * | 2016-01-27 | 2018-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63067107A patent/JPH01241120A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0445U (ja) * | 1990-04-11 | 1992-01-06 | ||
| US20180348627A1 (en) * | 2016-01-27 | 2018-12-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969686B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
| US10969677B2 (en) | 2016-01-27 | 2021-04-06 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask |
| US11029596B2 (en) * | 2016-01-27 | 2021-06-08 | Lg Chem, Ltd. | Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby |
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