JPH01228202A - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
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- JPH01228202A JPH01228202A JP63054256A JP5425688A JPH01228202A JP H01228202 A JPH01228202 A JP H01228202A JP 63054256 A JP63054256 A JP 63054256A JP 5425688 A JP5425688 A JP 5425688A JP H01228202 A JPH01228202 A JP H01228202A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅、変調、発振等に用いるこ
とのできるモノリシックマイクロ波集積回路（以下ＭＭ
Ｉ Ｃと略す）に関するものである。
とのできるモノリシックマイクロ波集積回路（以下ＭＭ
Ｉ Ｃと略す）に関するものである。
従来の技術
近年、マイクロ波帯の通信用デバイスに対し、小型軽量
と高信頼性の要求が高まってお９、それに伴なって、従
来のハイブリッド回路方式であるＭＩＣ（マイクロ波集
積回路）から、ＭＭ Ｉ Ｃにかわって来ている。（従
来の技術としては、例えば、今井哲二他「化合物半導体
デバイス■」。（昭６０゜１、Ｓ）、工業調査会、Ｐ３
８） 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＭＭ
ＩＣについて説明する。
と高信頼性の要求が高まってお９、それに伴なって、従
来のハイブリッド回路方式であるＭＩＣ（マイクロ波集
積回路）から、ＭＭ Ｉ Ｃにかわって来ている。（従
来の技術としては、例えば、今井哲二他「化合物半導体
デバイス■」。（昭６０゜１、Ｓ）、工業調査会、Ｐ３
８） 以下、図面を参照しながら、上述したような従来のＭＭ
ＩＣについて説明する。
第３図は従来のＭＭＩＣの概略図を示すものである。半
導体基板１の上に、能動素子２とバイアス回路兼用線路
３、キャパシタ４がいっしょにつくりつけられている構
成になっている。このＭＭＩＣは、バイアス回路３で能
動素子２にバイアスを供給し、一方からの入力信号を能
動素子２で増幅し、他方の端子から取り出す増幅器とし
て動作する。
導体基板１の上に、能動素子２とバイアス回路兼用線路
３、キャパシタ４がいっしょにつくりつけられている構
成になっている。このＭＭＩＣは、バイアス回路３で能
動素子２にバイアスを供給し、一方からの入力信号を能
動素子２で増幅し、他方の端子から取り出す増幅器とし
て動作する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上述のような構成では、整合回路になって
いる線路３の形状、長さを決めるのに、何度か試行錯誤
をくりかえさなければならず、開発に時間がかかること
と、−度線路と作ってしまうと、変更ができないこと、
そしてまた能動素子２を中心として製作に多大の時間が
かかるという欠点を有していた。
いる線路３の形状、長さを決めるのに、何度か試行錯誤
をくりかえさなければならず、開発に時間がかかること
と、−度線路と作ってしまうと、変更ができないこと、
そしてまた能動素子２を中心として製作に多大の時間が
かかるという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、整合回路を変更することので
きるＭＭＩＣを提供するものである。
きるＭＭＩＣを提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するために、本発明のＭＭＩＣｍ半導体
基板上の能動素子および受動素子、別の半導体基板上の
受動素子で構成されている。
基板上の能動素子および受動素子、別の半導体基板上の
受動素子で構成されている。
作 用
この構成によ−〕で、マイクロ波の増幅、変調、発振等
の整合回路だけを取り変え、修正することができる。
の整合回路だけを取り変え、修正することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の第１の実施例における増幅器のＭＭＩ
Ｃの分割した斜視図、第２図は断面図を示すものである
。
Ｃの分割した斜視図、第２図は断面図を示すものである
。
第１図において、１１はＧ ａ Ａ ｓ基板で、大きさ
は、２肩肩×１ＷＭ×０．１５胃肩、１２はＦＥＴであ
り、ゲート長が０５μｍ１ゲ一トフインガー長１５０１
ｚｍでトータルゲート幅３００μｍ１１４は線路および
整合回路で、ＴｉとＡｕを蒸着、その上にＡｕを２μｍ
メツキしている。１５は平行平板型キャパシタンスで下
側の金属はＡＩ 、上側の金属はＴｉとＡｕで厚みはそ
れぞれ１００００八、６００人、１００００人である。
は、２肩肩×１ＷＭ×０．１５胃肩、１２はＦＥＴであ
り、ゲート長が０５μｍ１ゲ一トフインガー長１５０１
ｚｍでトータルゲート幅３００μｍ１１４は線路および
整合回路で、ＴｉとＡｕを蒸着、その上にＡｕを２μｍ
メツキしている。１５は平行平板型キャパシタンスで下
側の金属はＡＩ 、上側の金属はＴｉとＡｕで厚みはそ
れぞれ１００００八、６００人、１００００人である。
誘電体として、厚さ３０００への３１３Ｎ４膜を用いて
いる。１６は金属薄１漢でＣｒ、Ａｕをそれぞれ５００
人、３０００人蒸着してつける。２つのＧ ａ Ａ ｓ
チップをはり合せ、線路どうしの接合には、ｉ艮ペース
トをつけている。
いる。１６は金属薄１漢でＣｒ、Ａｕをそれぞれ５００
人、３０００人蒸着してつける。２つのＧ ａ Ａ ｓ
チップをはり合せ、線路どうしの接合には、ｉ艮ペース
トをつけている。
以上のように構成されたＭＭＩＣの動作は従来例と同じ
であるが、整合回路１４がＦＥＴ１２部と別の基板につ
いているため、整合回路１４を変えることができる。
であるが、整合回路１４がＦＥＴ１２部と別の基板につ
いているため、整合回路１４を変えることができる。
以上のように本実施例によれば、受動素子を能動素子と
は別の基板につくり、接合することにより、受動素子を
何種類か取り変えることができ、異なる特性のＭＭＩＣ
を簡便に作ることができる。
は別の基板につくり、接合することにより、受動素子を
何種類か取り変えることができ、異なる特性のＭＭＩＣ
を簡便に作ることができる。
なお、上記実施例では基板としてＧ ａ Ａ ｓ半導体
を用いだが、ＳｉでもＩｎＰでもよい。また増幅器とし
だが、これに限ることなく、発振器、変調器、移相器な
どの回路であってもよい。線路はスＩＩノブラインにし
たが池の種類のものでもよい。
を用いだが、ＳｉでもＩｎＰでもよい。また増幅器とし
だが、これに限ることなく、発振器、変調器、移相器な
どの回路であってもよい。線路はスＩＩノブラインにし
たが池の種類のものでもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、ＭＭＩＣ回路の受動素子の一部
を別の半導体チップに作る′ことにより、２つに分けた
回路に構成でき、その実用的効果は大なるものがある。
を別の半導体チップに作る′ことにより、２つに分けた
回路に構成でき、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は本発明の第１の実施例におけるＭ Ｍ ｒ Ｃ
の斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来のＭＭＩ
Ｃの概略図である。 １１・・・・・・半導体チップ、１２・・・・・・能動
素子、１５・・・・・・ギヤパシタンス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ばつ 法 −″ｆ−４
の斜視図、第２図はその断面図、第３図は従来のＭＭＩ
Ｃの概略図である。 １１・・・・・・半導体チップ、１２・・・・・・能動
素子、１５・・・・・・ギヤパシタンス。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ばつ 法 −″ｆ−４
Claims (1)
- （１）第１の半導体基板上に形成され、能動素子と受動
素子とからなる第１の集積回路と、第２の半導体基体上
に形成され受動素子からなる第２の集積回路とが、第１
、第２の半導体基板の主面がたがいに対向して電気的に
接続されてなることを特徴とするモノリシックマイクロ
波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054256A JPH01228202A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054256A JPH01228202A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228202A true JPH01228202A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=12965476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054256A Pending JPH01228202A (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01228202A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430457A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシック集積回路 |
| EP0592002A3 (en) * | 1992-10-09 | 1995-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit for microwaves. |
| US5446309A (en) * | 1992-06-22 | 1995-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device including a first chip having an active element and a second chip having a passive element |
| JP2000340749A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Tdk Corp | 高周波ｉｃ部品及びその製造方法 |
| WO2012161044A1 (ja) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| JP2012244101A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JP2014022561A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054256A patent/JPH01228202A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430457A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシック集積回路 |
| US5446309A (en) * | 1992-06-22 | 1995-08-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device including a first chip having an active element and a second chip having a passive element |
| EP0592002A3 (en) * | 1992-10-09 | 1995-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | Integrated circuit for microwaves. |
| JP2000340749A (ja) * | 1999-05-27 | 2000-12-08 | Tdk Corp | 高周波ｉｃ部品及びその製造方法 |
| CN103503122A (zh) * | 2011-05-24 | 2014-01-08 | 索尼公司 | 半导体装置 |
| JP2012244101A (ja) * | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Sony Corp | 半導体装置 |
| WO2012161044A1 (ja) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US9799587B2 (en) | 2011-05-24 | 2017-10-24 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| US11587857B2 (en) | 2011-05-24 | 2023-02-21 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| US11626356B2 (en) | 2011-05-24 | 2023-04-11 | Sony Group Corporation | Semiconductor device |
| US11923279B2 (en) | 2011-05-24 | 2024-03-05 | Sony Group Corporation | Semiconductor device |
| JP2014022561A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
| US9508770B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-11-29 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
| US11482565B2 (en) | 2012-07-18 | 2022-10-25 | Sony Group Corporation | Solid-state imaging device and electronic apparatus |
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