JPH01220307A - 高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤおよびその製造方法 - Google Patents
高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤおよびその製造方法Info
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- JPH01220307A JPH01220307A JP63043530A JP4353088A JPH01220307A JP H01220307 A JPH01220307 A JP H01220307A JP 63043530 A JP63043530 A JP 63043530A JP 4353088 A JP4353088 A JP 4353088A JP H01220307 A JPH01220307 A JP H01220307A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、Ｙを含む希土類元素（以下、これらの元素
をＲで示す）、アルカリ土類金属（以下Ａで示す）、鋼
（Ｃｕ ）および酸素（０）からなるイロブスカイト構
造を有する化合物（以下、この化合物なＭｉ電導セラミ
ックスという）を、複合管に充填してなる高強度と高臨
界電流密度を有する超電導ワイヤおよびその製造法に関
するものである。
をＲで示す）、アルカリ土類金属（以下Ａで示す）、鋼
（Ｃｕ ）および酸素（０）からなるイロブスカイト構
造を有する化合物（以下、この化合物なＭｉ電導セラミ
ックスという）を、複合管に充填してなる高強度と高臨
界電流密度を有する超電導ワイヤおよびその製造法に関
するものである。
一般に、超電導セラミックスを用いたワイヤの加工方法
としては。
としては。
（ａ） 原料粉末として、いずれも平均粒径：ｌＯμ
寓以下のＲ２Ｏ３粉末、Ａの炭酸塩粉末、ＣｕＯ粉末を
用意し、これら原料粉末を所定の配合組成に配合し、混
合して大気中または酸素雰囲気中で温度＝８５０〜９５
０℃にて焼成し、イロブスカイト構造を有する超電導セ
ラミックスを作製し、これを平均粒径：ｌＯμ冨以下に
粉砕する。
寓以下のＲ２Ｏ３粉末、Ａの炭酸塩粉末、ＣｕＯ粉末を
用意し、これら原料粉末を所定の配合組成に配合し、混
合して大気中または酸素雰囲気中で温度＝８５０〜９５
０℃にて焼成し、イロブスカイト構造を有する超電導セ
ラミックスを作製し、これを平均粒径：ｌＯμ冨以下に
粉砕する。
（ｂ） 上記粉砕した粉末を銀（Ａｇ）Ｗ管内に充填
し１両端を真空密封し、この充填Ａｇ管材にスェージラ
ダ加工や溝ロール加工まなはダイス加工等の伸線加工を
施し、直径２５Ｍ以下の充填ワイヤとし。
し１両端を真空密封し、この充填Ａｇ管材にスェージラ
ダ加工や溝ロール加工まなはダイス加工等の伸線加工を
施し、直径２５Ｍ以下の充填ワイヤとし。
（Ｃ） 最終的に、充填線材に充填されている超電導
セラミックスを焼結し、その後、酸素吸収のために、上
記伸線加工された充填Ａｇワイヤを、大気中または酸素
雰囲気中で、温度＝９００〜９５０℃にて熱処理し、製
品としている。
セラミックスを焼結し、その後、酸素吸収のために、上
記伸線加工された充填Ａｇワイヤを、大気中または酸素
雰囲気中で、温度＝９００〜９５０℃にて熱処理し、製
品としている。
上記従来の技術１ｃ）の工程において、超電導セラミッ
クスワイヤを熱処理することＫよシ超［４セラミツクス
粉末の焼結とその後の酸素吸収を行なうのであるが、上
記伸線加工した直径：５鵡以下の充填Ａｇワイヤの熱処
理温度は９００〜９５０℃であり、この熱処理温度はＡ
ｇの融点（９６０，８℃）ｋ近いために、超電導セラミ
ックスを被覆しているＡｇワイヤは軟化し１曲が）やす
くなシ、不注意な白けは、充填されている超電導セラミ
ックスに不連続または切断を生じせしめ、＾温熱処理の
ためＫＡｇワイヤ自身の強度も極めて低下しているので
断線することもあつな。
クスワイヤを熱処理することＫよシ超［４セラミツクス
粉末の焼結とその後の酸素吸収を行なうのであるが、上
記伸線加工した直径：５鵡以下の充填Ａｇワイヤの熱処
理温度は９００〜９５０℃であり、この熱処理温度はＡ
ｇの融点（９６０，８℃）ｋ近いために、超電導セラミ
ックスを被覆しているＡｇワイヤは軟化し１曲が）やす
くなシ、不注意な白けは、充填されている超電導セラミ
ックスに不連続または切断を生じせしめ、＾温熱処理の
ためＫＡｇワイヤ自身の強度も極めて低下しているので
断線することもあつな。
上記超電導セラミックスを被覆する材料としてＡｇ以外
の金属５例えばＮ１合金、ステンレス鍋などの高温強度
がすぐれた材料が考えられるが、上記Ａｇ以外の金属は
、酸素の拡散浸透および排出を行うことができないため
、上記Ａｇ以外の金属によシ超電導ワイヤを作製すると
、加工中または加工後に超電導セラミックスより放出さ
れた酸素によりワイヤに膨らみが生じ、また上記大気中
または酸素雰囲気中にて行なわれる最終熱処理により、
充填されている超電導セラミックスに酸素を吸収させる
仁とができない。
の金属５例えばＮ１合金、ステンレス鍋などの高温強度
がすぐれた材料が考えられるが、上記Ａｇ以外の金属は
、酸素の拡散浸透および排出を行うことができないため
、上記Ａｇ以外の金属によシ超電導ワイヤを作製すると
、加工中または加工後に超電導セラミックスより放出さ
れた酸素によりワイヤに膨らみが生じ、また上記大気中
または酸素雰囲気中にて行なわれる最終熱処理により、
充填されている超電導セラミックスに酸素を吸収させる
仁とができない。
したがって、現在のところ、超電導セラミックス粉末の
被覆材としてＡｇ以外の金属は考えられない。ところが
、上記Ａｇは高価であるとともに、高温熱処理中での扱
いが難しく、高温および常温における強度も弱いために
上述の如きトラブルを生じることが毎々あった。
被覆材としてＡｇ以外の金属は考えられない。ところが
、上記Ａｇは高価であるとともに、高温熱処理中での扱
いが難しく、高温および常温における強度も弱いために
上述の如きトラブルを生じることが毎々あった。
さらに、上記従来の技術で述べた方法によｔ）Ｈ造した
超電導ワイヤの臨界電流密度Ｊｃは、１０ｓＡ／ｃＩＩ
Ｌ２のオーダーであシ、実用に供する超電導ワイヤの臨
界電流密度は、少くともｌＯＡ／ｃＩＬ２を必要として
いる。上記４ｏプスカイト構造を有する超電導セラミッ
クスの結晶は、結晶異方性が大きく、結晶のＣ軸方向に
は電流が流れにくく、Ｃ軸方向に垂直な方向には電流が
流れやすいため、上記超電導ワイヤに充填されている超
電導セラミックス粉末の結晶のＣ軸方向がワイヤの長手
方向に対して垂直に配向するように充填し、その配向層
が十分な厚さを有すると、 １０ Ａ／ｃａ２以上
の高臨界電流密度を有する超電導ワイヤが得られるはず
であるけれども、上記超電導ワイヤ中の超電導セラミッ
クス粉末のＣ軸方向がワイヤの長手方向に対して垂直に
配向している十分な厚さの配向層を得るための手段につ
いても知られてはいなかった。
超電導ワイヤの臨界電流密度Ｊｃは、１０ｓＡ／ｃＩＩ
Ｌ２のオーダーであシ、実用に供する超電導ワイヤの臨
界電流密度は、少くともｌＯＡ／ｃＩＬ２を必要として
いる。上記４ｏプスカイト構造を有する超電導セラミッ
クスの結晶は、結晶異方性が大きく、結晶のＣ軸方向に
は電流が流れにくく、Ｃ軸方向に垂直な方向には電流が
流れやすいため、上記超電導ワイヤに充填されている超
電導セラミックス粉末の結晶のＣ軸方向がワイヤの長手
方向に対して垂直に配向するように充填し、その配向層
が十分な厚さを有すると、 １０ Ａ／ｃａ２以上
の高臨界電流密度を有する超電導ワイヤが得られるはず
であるけれども、上記超電導ワイヤ中の超電導セラミッ
クス粉末のＣ軸方向がワイヤの長手方向に対して垂直に
配向している十分な厚さの配向層を得るための手段につ
いても知られてはいなかった。
そこで１本発明者等は、高価なＡｇの使用を減らし、さ
らに高温および室温強直がすぐれるとともに少なくとも
１０ Ａ／Ｃｌ１２のオーダーの鍋臨界−流密度の電流
を流すことのできる超電導ワイヤを開発すべく研究を行
なったところ。
らに高温および室温強直がすぐれるとともに少なくとも
１０ Ａ／Ｃｌ１２のオーダーの鍋臨界−流密度の電流
を流すことのできる超電導ワイヤを開発すべく研究を行
なったところ。
超′Ｒｔ導セラミックス粉末を、内層がＡｇで外層がＡ
ｇ部分とＡｇ以外の金属部分からなり、上記外層のＡｇ
部分は上記内層のＡｇと一体であり、外面に露出してい
る複合管に充填し。
ｇ部分とＡｇ以外の金属部分からなり、上記外層のＡｇ
部分は上記内層のＡｇと一体であり、外面に露出してい
る複合管に充填し。
上記超電導セラミックス粉末を充填した複合管を伸線加
工して超１４を導セラミックス粉末充填ワイヤとし。
工して超１４を導セラミックス粉末充填ワイヤとし。
上記伸線加工した超電導セラミックス粉末充填ワイヤを
、１パスの圧下率が５０％以上の平ロール圧延を行ない
。
、１パスの圧下率が５０％以上の平ロール圧延を行ない
。
ついで、上記平ロール圧延した超を専セラミックス粉末
充填ワイヤを、温度：９００〜９５０℃にて熱処理する
と。
充填ワイヤを、温度：９００〜９５０℃にて熱処理する
と。
上記高温および常温強度にすぐれるとともに高臨界電流
密度を有する超電導ワイヤが得られるという知見を得た
のである。
密度を有する超電導ワイヤが得られるという知見を得た
のである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って１次のような作用がある。
って１次のような作用がある。
（１）上記複合管の外層のｒＡｇ以外の金属部分」Ｋ高
温および常温強度のすぐれた金属１例えばインコネル、
ハステロイ等のＮｉ基合金、８ＵＳ３０４等のオーステ
ナイトステンレス鋼などを用いると。
温および常温強度のすぐれた金属１例えばインコネル、
ハステロイ等のＮｉ基合金、８ＵＳ３０４等のオーステ
ナイトステンレス鋼などを用いると。
熱処理中の強度不足によるトラブルは解消され。
高温および常温強度のすぐれた超電導ワイヤを得ること
ができ、上記複合管の外層にｒＡｇ部分」を設けること
Ｋより、加工中または加工後に超電導セラミックス粉末
から放出された酸素によるワイヤの膨らみの発生が防止
され、大気または酸素雰囲気熱処理中の酸素の吸収も行
なわれる。
ができ、上記複合管の外層にｒＡｇ部分」を設けること
Ｋより、加工中または加工後に超電導セラミックス粉末
から放出された酸素によるワイヤの膨らみの発生が防止
され、大気または酸素雰囲気熱処理中の酸素の吸収も行
なわれる。
（２） 上記伸線加工した超電導セラミックス粉末充
填ワイヤを１パスの圧下率が５０チ以上の平ロール圧延
を行なうと、ワイヤに充填されている超電導セラミック
ス粉末の結晶のＣ軸方向がワイヤの長手方向に対して垂
直に揃った配向層（以下。
填ワイヤを１パスの圧下率が５０チ以上の平ロール圧延
を行なうと、ワイヤに充填されている超電導セラミック
ス粉末の結晶のＣ軸方向がワイヤの長手方向に対して垂
直に揃った配向層（以下。
圧縮配向ｌ−という）が形成され、しかも上記圧縮配向
層の厚さは５μ冨以上となシ、臨界電流密反を１０
Ａ／ｃＸ２以上にすることができる。
層の厚さは５μ冨以上となシ、臨界電流密反を１０
Ａ／ｃＸ２以上にすることができる。
ここで圧下率とは、伸線加工した平ロール圧延前の超を
導セラミックス粉末充填ワイヤの外径なｈｏ、平ロール
圧延後の断面偏平な超電導セラミックス粉末充填ワイヤ
の厚さをｈとすると。
導セラミックス粉末充填ワイヤの外径なｈｏ、平ロール
圧延後の断面偏平な超電導セラミックス粉末充填ワイヤ
の厚さをｈとすると。
ｈｏ−ｈ
圧下率−−Ｘ Ｉ ＯＯ（＠
Ｏ
で表わすことができる。
この圧下率：５０−以上の平ロールによる圧延はｌバス
で行ない、しかも縁材の塑性加工工程の最終段階で行な
う必要がある。かかるｌ／々ス圧延は可及的に急激に行
なうことが望ましい。
で行ない、しかも縁材の塑性加工工程の最終段階で行な
う必要がある。かかるｌ／々ス圧延は可及的に急激に行
なうことが望ましい。
上記圧縮配向層の層厚を５〜１５０μ諷に定めた理由＃
ｉ、５μｍ未満では、従来の超電導ワイヤのように臨界
ｔａ密＆ＪＣは１０Ａ／ｃＷＬ２のオーダーにしかなら
ないために実用にならず、上記圧縮配向層の層厚は大き
いほど＾臨界寛流密反が得られるが、普通の圧延または
プレスによシ得られる圧動配向層の層厚は１５０μ票が
限界でるる。したがって、上記圧縮配向層の層厚は５〜
１５０μ風に定めた。
ｉ、５μｍ未満では、従来の超電導ワイヤのように臨界
ｔａ密＆ＪＣは１０Ａ／ｃＷＬ２のオーダーにしかなら
ないために実用にならず、上記圧縮配向層の層厚は大き
いほど＾臨界寛流密反が得られるが、普通の圧延または
プレスによシ得られる圧動配向層の層厚は１５０μ票が
限界でるる。したがって、上記圧縮配向層の層厚は５〜
１５０μ風に定めた。
（３）上記方法によシ形成された圧縮配向層を有する超
電導セラミックス粉末充填ワイヤを、最後に大気中また
は酸素雰囲気中で熱処理しても圧縮配向層のＣ軸方向お
よび厚さに何ら変化は認められない。
電導セラミックス粉末充填ワイヤを、最後に大気中また
は酸素雰囲気中で熱処理しても圧縮配向層のＣ軸方向お
よび厚さに何ら変化は認められない。
（４） 複合管の内層をＡｇ層とした理由はｓ Ａｇ
以外の例えばＮ１基合金ま九はオーステナイト系ステン
レス鋼と超電導セラきツクス粉末が接触した状態で処理
されると、化学反応を起し、 ＮｉＯ、ＦｅＯ。
以外の例えばＮ１基合金ま九はオーステナイト系ステン
レス鋼と超電導セラきツクス粉末が接触した状態で処理
されると、化学反応を起し、 ＮｉＯ、ＦｅＯ。
Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ５等の酸化物が生成し、超電導特
性が大幅に劣化することによるものである。
性が大幅に劣化することによるものである。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
原料粉末として、いずれも平均粒径：６μ重のＹ２Ｏ３
粉末、 ！３ａｃＯ３粉末、およびＣｕＯ粉末を用意し
。
粉末、 ！３ａｃＯ３粉末、およびＣｕＯ粉末を用意し
。
これら粉末をＹ２Ｏ３： ｌ ５． ｌ ３ 転ＢａＣ
０，： ５２．８９％ 、 ＣｕＯ： ３１．９８
’ｌｋ （以上重量ｓ）の割合で配合し、混合し、この
混合粉末を、大気中、温度＝９１０℃、ｌＯ時間保持の
条件で焼成し、平均粒径：２，５／ＪＩＩＫ粉砕して５
ＹＢａ２Ｃｕ３０７の組成を有しはロブスカイト構造を
有する超電廊セラミツクス粉末を作製した。
′ 第１図は、この実施例で用いる複合管の概略図である。
０，： ５２．８９％ 、 ＣｕＯ： ３１．９８
’ｌｋ （以上重量ｓ）の割合で配合し、混合し、この
混合粉末を、大気中、温度＝９１０℃、ｌＯ時間保持の
条件で焼成し、平均粒径：２，５／ＪＩＩＫ粉砕して５
ＹＢａ２Ｃｕ３０７の組成を有しはロブスカイト構造を
有する超電廊セラミツクス粉末を作製した。
′ 第１図は、この実施例で用いる複合管の概略図である。
上記複合管は、内層４がＡｇからなり、外層はＡｇ部分
２とＳＵＳ ３０４のオーステナイトステンレス銅から
なるＡｇ以外の金属部分ｌから構成されており、上記内
層４は肉厚：０．５ｍＸ内径：５、 ’Ｏｔｘを有し、
上記外層は肉厚＝０．５朋×外径ニア、０躊を有し、上
記外層のＡｇ部分２は直径：１．８騙の円形で構成され
ている。
２とＳＵＳ ３０４のオーステナイトステンレス銅から
なるＡｇ以外の金属部分ｌから構成されており、上記内
層４は肉厚：０．５ｍＸ内径：５、 ’Ｏｔｘを有し、
上記外層は肉厚＝０．５朋×外径ニア、０躊を有し、上
記外層のＡｇ部分２は直径：１．８騙の円形で構成され
ている。
かかる複合管に上記超１！感セラミックス粉末３を充填
し１両端部を真空密封した後、ロータリースェージング
加工にて直径：３．Ｏｍとし、引き続いて溝ロール加工
により直径：２．０驕超電尋セラミツクス粉末充填ワイ
ヤとした。
し１両端部を真空密封した後、ロータリースェージング
加工にて直径：３．Ｏｍとし、引き続いて溝ロール加工
により直径：２．０驕超電尋セラミツクス粉末充填ワイ
ヤとした。
第２図は、上記超電導セラミックス粉末充填ワイヤの概
略図である。上記超電導セラミックス充填ワイヤの外層
５のＡｇ部分２は長円形になっていた。
略図である。上記超電導セラミックス充填ワイヤの外層
５のＡｇ部分２は長円形になっていた。
上記第２図に示される超１！導セラミックス粉末充填ワ
イヤを２個の平ロールにより圧下率＝８０％ ０） ｌ
パス圧延し、厚さ：０．４１ｃｍの断面偏平な帯状超電
導セラミックス粉末充填ワイヤを作製した。
イヤを２個の平ロールにより圧下率＝８０％ ０） ｌ
パス圧延し、厚さ：０．４１ｃｍの断面偏平な帯状超電
導セラミックス粉末充填ワイヤを作製した。
第３図には、上記帯状超電導セラミックス粉末充填ワイ
ヤの概略図を示し、第４図（ａ）および（１））には、
上記帯状超電導セラミックス粉末充填ワイヤの断面拡大
概略図を示す。
ヤの概略図を示し、第４図（ａ）および（１））には、
上記帯状超電導セラミックス粉末充填ワイヤの断面拡大
概略図を示す。
上記乎ロール圧延後の帯状超電導セラミックス粉末充填
ワイヤの充填粉末３には第４図（ａ）およびｌｂ）に示
されるように圧縮配向層５が形成されており、第４図（
ａ）に示されるように、Ａｇ内層番に沿って厚さ：５μ
寓以上の圧扁配向層５が形成されていることもあり、第
４図（ｂ） Ｋ示されるように、コア全体が厚さ：５μ
観以上の圧動配向層５となっている場ｐもある。
ワイヤの充填粉末３には第４図（ａ）およびｌｂ）に示
されるように圧縮配向層５が形成されており、第４図（
ａ）に示されるように、Ａｇ内層番に沿って厚さ：５μ
寓以上の圧扁配向層５が形成されていることもあり、第
４図（ｂ） Ｋ示されるように、コア全体が厚さ：５μ
観以上の圧動配向層５となっている場ｐもある。
上記帯状超電導セラミックス粉末充填ワイヤを。
大気中、温度＝９２０℃、１５時間保持の条件にて熱処
理を行ない、帯状超電導ワイヤを作製し。
理を行ない、帯状超電導ワイヤを作製し。
この帯状超電導ワイヤの臨界電流密度を測定したところ
、 Ｊｃ ： １．６Ｘｌｏ Ａ／ｃ！Ｉｔ２であった
。
、 Ｊｃ ： １．６Ｘｌｏ Ａ／ｃ！Ｉｔ２であった
。
上記帯状超電導ワイヤを切断し、超電導セラミックス粉
末充填層をＸ＠回折により配向テストを行なったところ
、超電導セラミックス粉末の結晶のＣ軸方向が帯状超電
導ワイヤの長手方向に対して垂直に配向している圧縮配
向層が存在しておシ上記圧縮配向層の層厚は８０μ諺で
あった。
末充填層をＸ＠回折により配向テストを行なったところ
、超電導セラミックス粉末の結晶のＣ軸方向が帯状超電
導ワイヤの長手方向に対して垂直に配向している圧縮配
向層が存在しておシ上記圧縮配向層の層厚は８０μ諺で
あった。
なお、この実施例では、複合管として断面円形の複合円
筒管を用いたが、断面形状は円形に限定されることなく
長円またはその他の多角形であってもよく、さらに、伸
線力り工された超電導セラミックス粉末充填ワイヤの断
面は円形に限定されるものではない。
筒管を用いたが、断面形状は円形に限定されることなく
長円またはその他の多角形であってもよく、さらに、伸
線力り工された超電導セラミックス粉末充填ワイヤの断
面は円形に限定されるものではない。
この発明によると、従来のＡｇ被覆超ｍｓワイヤよ）も
Ａｇの使用量が少なく、Ａ温および常温における強度が
優れるとともに高臨界電流密度を有する超ｖＬ導ワイヤ
を簡単に製造することができるというすぐれた効果があ
る。
Ａｇの使用量が少なく、Ａ温および常温における強度が
優れるとともに高臨界電流密度を有する超ｖＬ導ワイヤ
を簡単に製造することができるというすぐれた効果があ
る。
第１図は、超を導セラミックス粉末を充填するための複
合管の概略図。 第２図は、超電導セラミックス粉末を充填した複合管を
伸縮加工した超電導セラミックス粉末充填複合ワイヤの
概略図。 第３図は、平ロール圧延後の断面偏平な帯状超電導セラ
ミックス粉末充填ワイヤの概略図。 第４図（ａ）および（ｂ）は、？！Ｆ状超電導セラミッ
クス粉末充填ワイヤの断面拡大概略図を示す。 １・・・外層のＡｇ以外の金属部分。 ２・・・外層のＡｇ部分。 ３・・・超電導セラミックス粉末。 ４・・・内層。 ５・・・圧縮配向Ｊ餉。
合管の概略図。 第２図は、超電導セラミックス粉末を充填した複合管を
伸縮加工した超電導セラミックス粉末充填複合ワイヤの
概略図。 第３図は、平ロール圧延後の断面偏平な帯状超電導セラ
ミックス粉末充填ワイヤの概略図。 第４図（ａ）および（ｂ）は、？！Ｆ状超電導セラミッ
クス粉末充填ワイヤの断面拡大概略図を示す。 １・・・外層のＡｇ以外の金属部分。 ２・・・外層のＡｇ部分。 ３・・・超電導セラミックス粉末。 ４・・・内層。 ５・・・圧縮配向Ｊ餉。
Claims (2)
- （１）内層が銀で、外層が銀部分と銀以外の金属部分か
らなり、上記外層の銀部分は、上記内層の銀と一体であ
りかつ外面に露出している断面偏平な複合管と、 上記断面偏平な複合管に充填されているＹを含む希土類
元素、アルカリ土類金属、銅および酸素からなるペロブ
スカイト構造を有する化合物（以下、超電導セラミック
スという）粉末とからなる超電導ワイヤであつて、 上記超電導セラミックス粉末は、上記ペロブスカイト構
造のＣ軸方向が上記超電導ワイヤの長手方向に対して垂
直に配向している配向層を有するように充填されており
、上記配向層の厚さは、５〜１５０μｍであることを特
徴とする高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤ。 - （２）上記超電導セラミックス粉末を、内層が銀で外層
が銀部分と銀以外の金属部分からなり上記外層の銀部分
は上記内層の銀と一体でありかつ外面に露出している複
合管に充填し、 上記超電導セラミックス粉末を充填した複合管を伸線加
工して超電導セラミックス粉末充填ワイヤとし、 上記伸線加工した超電導セラミックス粉末充填ワイヤを
、１パスの圧下率が５０％以上の平ロール圧延を行なつ
て、断面偏平な超電導セラミックス粉末充填ワイヤとし
、 ついで、上記断面偏平な超電導セラミックス粉末充填ワ
イヤを、温度：９００〜９５０℃にて熱処理することを
特徴とする高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤ
の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043530A JPH01220307A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤおよびその製造方法 |
| EP89902962A EP0358779B1 (en) | 1988-02-26 | 1989-02-27 | High-strength superconductive wire and cable having high current density, and method of producing them |
| PCT/JP1989/000198 WO1989008317A1 (en) | 1988-02-26 | 1989-02-27 | High-strength superconductive wire and cable having high current density, and method of producing them |
| DE89902962T DE68905980T2 (de) | 1988-02-26 | 1989-02-27 | Hochfeste supraleitfähige drähte und kabel mit hoher stromdichte sowie verfahren zur herstellung. |
| KR1019890701967A KR900701019A (ko) | 1988-02-26 | 1989-02-27 | 고전류 밀도를 보유하는 고강도 초전도 와이어 및 케이블과 그 제조방법 |
| US07/445,639 US5068219A (en) | 1988-02-26 | 1989-02-27 | High strength superconducting wires and cables each having high current density, and a process for fabricating them |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043530A JPH01220307A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220307A true JPH01220307A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12666300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63043530A Pending JPH01220307A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 高臨界電流密度を有する高強度超電導ワイヤおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220307A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009539208A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-12 | デンマークス テクニスケ ウニヴェルシテト | 機械的強度を向上させた高臨界温度の超伝導物品 |
| US10844479B2 (en) | 2014-02-21 | 2020-11-24 | Ut-Battelle, Llc | Transparent omniphobic thin film articles |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63043530A patent/JPH01220307A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009539208A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-12 | デンマークス テクニスケ ウニヴェルシテト | 機械的強度を向上させた高臨界温度の超伝導物品 |
| US10844479B2 (en) | 2014-02-21 | 2020-11-24 | Ut-Battelle, Llc | Transparent omniphobic thin film articles |
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