JPH01214080A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH01214080A JPH01214080A JP3882788A JP3882788A JPH01214080A JP H01214080 A JPH01214080 A JP H01214080A JP 3882788 A JP3882788 A JP 3882788A JP 3882788 A JP3882788 A JP 3882788A JP H01214080 A JPH01214080 A JP H01214080A
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- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06808—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the electrical laser parameters, e.g. voltage or current
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体レーザ駆動回路に関する。
［従来の技術］
従来のＬＤ駆動回路におけるＬＤ保護回路は、例えば第
２図に示すようにＬＤのすぐ近くにインダクタ（第２図
１７のし）とキャパシタ（第２図１８のＣ）を入れて、
静電気や回路からのサージに対してＬＤを保護するのが
一般的であった。
２図に示すようにＬＤのすぐ近くにインダクタ（第２図
１７のし）とキャパシタ（第２図１８のＣ）を入れて、
静電気や回路からのサージに対してＬＤを保護するのが
一般的であった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術ではＬＤを高速変調する場合に
はＬＣの時定数をその変調周波数に応じて変更し、広範
囲の変調を可能にする必要があった。また第２図１９０
ＦＥＴ （電界効果型トランジスタ）のドレイン負荷に
インダクタを用いると、駆動電流が過渡的に非常に大き
くなる可能性があるという問題点を有する。
はＬＣの時定数をその変調周波数に応じて変更し、広範
囲の変調を可能にする必要があった。また第２図１９０
ＦＥＴ （電界効果型トランジスタ）のドレイン負荷に
インダクタを用いると、駆動電流が過渡的に非常に大き
くなる可能性があるという問題点を有する。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは変調速度等のＬＤの使用条件に関
わらず使用できる静電気や回路からのサージに対するＬ
Ｄの保護回路を有する高信頼性のＬＤ駆動回路を提供す
るところにある。
の目的とするところは変調速度等のＬＤの使用条件に関
わらず使用できる静電気や回路からのサージに対するＬ
Ｄの保護回路を有する高信頼性のＬＤ駆動回路を提供す
るところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体レーザ駆動回路は、
ａ）ＬＤの逆方向電圧を検出する回路と、ｂ）ＬＤの最
大逆方向電圧を設定するために必要な基準電圧を発生す
る基準電圧発生回路回路と、Ｃ）該基準電圧とＬＤの逆
方向電圧を比較して、その大小によって出力レベルの変
化するコンパレータと、 ｄ）該コンパレータから前記基準電圧の絶対値よりＬＤ
の逆方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力さ
れた場合にはＬＤのカソードとアノード間を短絡する回
路からなるＬＤ保護回路を有することを特徴とする。お
よび前記コンパレータがヒステリシス特性を有すること
を特徴とする。
大逆方向電圧を設定するために必要な基準電圧を発生す
る基準電圧発生回路回路と、Ｃ）該基準電圧とＬＤの逆
方向電圧を比較して、その大小によって出力レベルの変
化するコンパレータと、 ｄ）該コンパレータから前記基準電圧の絶対値よりＬＤ
の逆方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力さ
れた場合にはＬＤのカソードとアノード間を短絡する回
路からなるＬＤ保護回路を有することを特徴とする。お
よび前記コンパレータがヒステリシス特性を有すること
を特徴とする。
［実施例コ
以下、本発明を実施例に基づき図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明による実施例を示すＬＤ駆動回路であ
る。一般にＬＤ駆動回路には周囲の温度変化等によりＬ
Ｄの出射光量が変化することのないようにＡＰＣ（オー
トマチックパワーコントロール）の機能が要求されるが
、本実施例にもＡＰＣの機能を付加した。ＡＰＣ回路の
中身は本発明では特に規定しないのでその詳細について
は述べない。構成としては、第１図３のＬＤの出射光量
を第１図２のＰＤ（ホトダイオード）でモニタし、それ
を第１図１５のＡＰＣ回路にフィードバックする。そし
てＡＰＣ回路からの出力■を定電流回路へ出力する。Ｌ
Ｄの出射パワーＰは、第１図１３の抵抗値をＲＬ、第１
図１４の基準電圧を■。とじて、 Ｐ＝ η （■。−■）／ＲＬ となる。ただし、η［ワット／アンペアコはＬＤの微分
効率である。
る。一般にＬＤ駆動回路には周囲の温度変化等によりＬ
Ｄの出射光量が変化することのないようにＡＰＣ（オー
トマチックパワーコントロール）の機能が要求されるが
、本実施例にもＡＰＣの機能を付加した。ＡＰＣ回路の
中身は本発明では特に規定しないのでその詳細について
は述べない。構成としては、第１図３のＬＤの出射光量
を第１図２のＰＤ（ホトダイオード）でモニタし、それ
を第１図１５のＡＰＣ回路にフィードバックする。そし
てＡＰＣ回路からの出力■を定電流回路へ出力する。Ｌ
Ｄの出射パワーＰは、第１図１３の抵抗値をＲＬ、第１
図１４の基準電圧を■。とじて、 Ｐ＝ η （■。−■）／ＲＬ となる。ただし、η［ワット／アンペアコはＬＤの微分
効率である。
さて、本発明のＬＤ保護回路部分であるが、簡単に言う
とＬＤの逆方向電圧をモニタしてそれが所定の電圧より
大きくなったらＬＤのアノード、カソードを短絡するこ
とによってＬＤをオフにする構成になっている。
とＬＤの逆方向電圧をモニタしてそれが所定の電圧より
大きくなったらＬＤのアノード、カソードを短絡するこ
とによってＬＤをオフにする構成になっている。
第１図８のオペアンプおよび４．５．６．７の各抵抗か
らなる差動増幅器でＬＤの逆方向電圧を検出する。ＬＤ
のアノード側（ＶＡ）を該差動増幅器のマイナス入力端
の抵抗５に、カソードＩ＋１（ＶＣ）を差動増幅器のプ
ラス入力端の抵抗４にそれぞれ接続する。差動増幅器の
出力ｖｏｕｖは、抵抗４．５．６および７の値をそれぞ
れＲ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２として、 ＶＯＵＴ＝Ｒ２（ＶＡ ＶＣ） ／Ｒ１と表される。
らなる差動増幅器でＬＤの逆方向電圧を検出する。ＬＤ
のアノード側（ＶＡ）を該差動増幅器のマイナス入力端
の抵抗５に、カソードＩ＋１（ＶＣ）を差動増幅器のプ
ラス入力端の抵抗４にそれぞれ接続する。差動増幅器の
出力ｖｏｕｖは、抵抗４．５．６および７の値をそれぞ
れＲ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ２として、 ＶＯＵＴ＝Ｒ２（ＶＡ ＶＣ） ／Ｒ１と表される。
このＶ、ＯＵＴと第１図１２の基準電圧発生回路の出力
■ＲＥＦを第１図１６のコンパレータを用いて比較する
。
■ＲＥＦを第１図１６のコンパレータを用いて比較する
。
このコンパレータはヒステリシスを持っており、具体的
には第１図９、ｌＯおよび１１の抵抗値をそれぞれＲ３
、Ｒ３、Ｒ４とした時、コンパレータの出力をＨまたは
Ｌと表して、 ＶＲＭＡＸ＝ＶＲＥＦ＋Ｒ３（ＨＶＲＥＦ） ／ （Ｒ
３＋ＲＶＲＭＩＮ：ＶＲＥＦ−Ｒ３（Ｌ−ＶＲＥＦ）
／ （Ｒ３＋Ｒと表されるしきい値の上限、下限を有す
る。
には第１図９、ｌＯおよび１１の抵抗値をそれぞれＲ３
、Ｒ３、Ｒ４とした時、コンパレータの出力をＨまたは
Ｌと表して、 ＶＲＭＡＸ＝ＶＲＥＦ＋Ｒ３（ＨＶＲＥＦ） ／ （Ｒ
３＋ＲＶＲＭＩＮ：ＶＲＥＦ−Ｒ３（Ｌ−ＶＲＥＦ）
／ （Ｒ３＋Ｒと表されるしきい値の上限、下限を有す
る。
本実施例では、
■０υτ＞ Ｖ Ｒ旧Ｎ
となったら、コンパレータの出力はＬとなり、第１図１
のアナログスイッチがオンとなり、ＬＤのアノードとカ
ソードが短絡する。
のアナログスイッチがオンとなり、ＬＤのアノードとカ
ソードが短絡する。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によればＬＤ駆動回路に、
ａ）ＬＤの逆方向電圧を検出する回路と、ｂ）該逆方向
電圧と比較して、ＬＤをオフにするか否か決定するため
に必要な基準電圧を発生するための回路と、 Ｃ）該基準電圧とＬＤの逆方向電圧を比較して、その大
小によって出力レベルの変化するコンパレータと、 ｄ）該コンパレータから前記基準電圧の絶対値よりＬＤ
の逆方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力さ
れた場合にはＬＤのカソードとアノード間を短絡する回
路からなるＬＤ保護回路を付加することにより、変調周
波数等のＬＤの使用条件に関わらず静電気や回路からの
サージに対するＬＤの保護機能を有する高信頼性のＬＤ
駆動回路を得ることができる。尚、本発明の応用例とし
ては光メモリ、レーザビームプリンタ等が考えられる。
電圧と比較して、ＬＤをオフにするか否か決定するため
に必要な基準電圧を発生するための回路と、 Ｃ）該基準電圧とＬＤの逆方向電圧を比較して、その大
小によって出力レベルの変化するコンパレータと、 ｄ）該コンパレータから前記基準電圧の絶対値よりＬＤ
の逆方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力さ
れた場合にはＬＤのカソードとアノード間を短絡する回
路からなるＬＤ保護回路を付加することにより、変調周
波数等のＬＤの使用条件に関わらず静電気や回路からの
サージに対するＬＤの保護機能を有する高信頼性のＬＤ
駆動回路を得ることができる。尚、本発明の応用例とし
ては光メモリ、レーザビームプリンタ等が考えられる。
第１図は、本発明の実施例によるＬＤ駆動回路ブロック
図。 第２図は、従来のＬＤの保護回路例を示す図１・・・ア
ナログスイッチ ２・・・ホトダイオード ３・・・半導体レーザ ４、 ５． ６． ７・・・抵抗 ８・・・オペアンプ ９．１０．１１・・・抵抗 １２・・・基準電圧発生回路 １３・・・負荷抵抗 １４・・・基準電圧 １５・・・ＡＰＣ回路 １６・・・コンパレータ １７・・・インダクタ １８・・・キャパシタ １９・・・ＦＥＴ （電界効果型トランジスタ）以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名・、、、、、、Ｊ、１
．、 ’：＋第１図
図。 第２図は、従来のＬＤの保護回路例を示す図１・・・ア
ナログスイッチ ２・・・ホトダイオード ３・・・半導体レーザ ４、 ５． ６． ７・・・抵抗 ８・・・オペアンプ ９．１０．１１・・・抵抗 １２・・・基準電圧発生回路 １３・・・負荷抵抗 １４・・・基準電圧 １５・・・ＡＰＣ回路 １６・・・コンパレータ １７・・・インダクタ １８・・・キャパシタ １９・・・ＦＥＴ （電界効果型トランジスタ）以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 最上 務 他１名・、、、、、、Ｊ、１
．、 ’：＋第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体レーザ（以下ＬＤとする）を駆動する回路に
おいて、 ａ）ＬＤの逆方向電圧を検出する回路と、 ｂ）ＬＤの最大逆方向電圧を設定するために必要な基準
電圧を発生する基準電圧発生回路と、ｃ）該基準電圧と
ＬＤの逆方向電圧を比較して、その大小によって出力レ
ベルの変化するコンパレータと、 ｄ）該コンパレータから前記基準電圧の絶対値よりＬＤ
の逆方向電圧の絶対値が大きいことを示す信号が出力さ
れた場合にはＬＤのカソードとアノード間を短絡する回
路からなるＬＤ保護回路を有することを特徴とするＬＤ
駆動回路。 ２）前記コンパレータがヒステリシス特性を有すること
を特徴とする第１項記載の半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3882788A JPH01214080A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3882788A JPH01214080A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214080A true JPH01214080A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12536066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3882788A Pending JPH01214080A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214080A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660471A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Xerox Corporation | Current driven voltage sensed laser diode driver (CDVS LDD) |
| WO2007095325A2 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intel Corporation | Optoelectronic device electrostatic discharge protection |
| US20170170624A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Fujitsu Limited | Optical amplifier and method of controlling excitation light |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3882788A patent/JPH01214080A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0660471A2 (en) * | 1993-12-27 | 1995-06-28 | Xerox Corporation | Current driven voltage sensed laser diode driver (CDVS LDD) |
| EP0660471A3 (en) * | 1993-12-27 | 1995-11-29 | Xerox Corp | Power supply for diode laser controlled by current, with voltage detection. |
| WO2007095325A2 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Intel Corporation | Optoelectronic device electrostatic discharge protection |
| WO2007095325A3 (en) * | 2006-02-10 | 2007-10-04 | Intel Corp | Optoelectronic device electrostatic discharge protection |
| US20170170624A1 (en) * | 2015-12-10 | 2017-06-15 | Fujitsu Limited | Optical amplifier and method of controlling excitation light |
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