JPH01210389A - 光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はヒートモードの光記録媒体に関し、更に詳細に
は、特定の化合物を、クエンチャ−として含む光記録媒
体に関する。
は、特定の化合物を、クエンチャ−として含む光記録媒
体に関する。
(従来の技術)
ヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利用す
るものであり、たとえばレーザ等の記録光で媒体の一部
を融解、除去等してピットを形成することにより情報を
記録し、このピットを読み出し光で検出して記録の読み
出しを行うピット形成タイプのものがよく知られている
。
るものであり、たとえばレーザ等の記録光で媒体の一部
を融解、除去等してピットを形成することにより情報を
記録し、このピットを読み出し光で検出して記録の読み
出しを行うピット形成タイプのものがよく知られている
。
このような光記録媒体の記録層には各種の色素、あるい
は色素と樹脂を組み合わせたものが使用されている。し
かしこのような光記録媒体はくりかえしの消去や、読み
出し光のくりかえし照射によって、あるいはまた長期保
存によって、感度やC/N比が低下するという欠点があ
る。そこで、色素の光安定性を向上させ、特に読み出し
光による脱色(再生劣化)を防止するために、色素とり
エンチャーを併用することが提案されている(たとえば
特開昭60−162691.6〇−201988,60
−203488,60−257290)。
は色素と樹脂を組み合わせたものが使用されている。し
かしこのような光記録媒体はくりかえしの消去や、読み
出し光のくりかえし照射によって、あるいはまた長期保
存によって、感度やC/N比が低下するという欠点があ
る。そこで、色素の光安定性を向上させ、特に読み出し
光による脱色(再生劣化)を防止するために、色素とり
エンチャーを併用することが提案されている(たとえば
特開昭60−162691.6〇−201988,60
−203488,60−257290)。
しかしこれらのクエンチャ−を併用してもなお、光記録
媒体の読み出し光に対する耐久性、あるいは長期保存安
定性は、実用上十分満足すべきものとはいえなかった。
媒体の読み出し光に対する耐久性、あるいは長期保存安
定性は、実用上十分満足すべきものとはいえなかった。
(発明が解決しようとする課題)
したがって本発明の目的は、読み出し光のくりかえし照
射に対して耐久性があり、しかも保存安定性に優れた光
記録媒体を提供することである。
射に対して耐久性があり、しかも保存安定性に優れた光
記録媒体を提供することである。
本発明の他の目的のひとつは、有機溶剤への溶解度が高
く、色素との混和性が高い安定化剤を用いて、読み出し
光に対する安定性を改良した光記録媒体を提供すること
である。
く、色素との混和性が高い安定化剤を用いて、読み出し
光に対する安定性を改良した光記録媒体を提供すること
である。
(課題を解決するための手段)
本発明の目的は、基板上に、色素と、下記一般式〔1〕
または〔■〕で表わされる化合物の少なくとも1種を担
持せしめてなる光記録媒体により達成された。
または〔■〕で表わされる化合物の少なくとも1種を担
持せしめてなる光記録媒体により達成された。
式中、〔Cat )は錯体を中性ならしめるために必要
な陽イオンを示し、nは1または2を示し、Mは口u、
Co、Ni、 Pd、 Ptを示す。
な陽イオンを示し、nは1または2を示し、Mは口u、
Co、Ni、 Pd、 Ptを示す。
Rは置換または無置換のアルキル基、アリール基または
複素環基を示し、同一の配位子中の2つのRは互いに結
合して環を形成してもよい。
複素環基を示し、同一の配位子中の2つのRは互いに結
合して環を形成してもよい。
本発明を更に詳細に説明する。
上記一般式〔■〕中のCatで表わされる2価の無機陽
イオンとしては、アルカリ土類金属、たとえば、Mg”
、Ca″+、Sr”+またはBa”などをあげることが
できる。
イオンとしては、アルカリ土類金属、たとえば、Mg”
、Ca″+、Sr”+またはBa”などをあげることが
できる。
一般式〔■〕中のCatで表わされる2価の有機陽イオ
ンとしては、ビスオニウムイオン(たとえば、ビスアン
モニウムイオン、またはビスホスホニウムイオンなど)
などをあげることができる。
ンとしては、ビスオニウムイオン(たとえば、ビスアン
モニウムイオン、またはビスホスホニウムイオンなど)
などをあげることができる。
一般式CI)中のCatで表わされる1価の無機陽イオ
ンとしては、たとえばアルカリ金属(たとえば、Li”
、Na+またはに+など)、NH6+をあげることがで
きる。また1価の有機陽イオンとしてはたとえばオニウ
ムイオン(たとえば4級アンモニウムイオン、4級ホス
ホニウムイオンまたは3級スルホニウムイオンなど)な
どをあげることができる。
ンとしては、たとえばアルカリ金属(たとえば、Li”
、Na+またはに+など)、NH6+をあげることがで
きる。また1価の有機陽イオンとしてはたとえばオニウ
ムイオン(たとえば4級アンモニウムイオン、4級ホス
ホニウムイオンまたは3級スルホニウムイオンなど)な
どをあげることができる。
上記のオニウムイオンの中で本発明に好ましく用いられ
るものは、下記の一般式(I a)、(I b)、(I
c)、(I d)、(I e)または(If)で表わす
ことができる。
るものは、下記の一般式(I a)、(I b)、(I
c)、(I d)、(I e)または(If)で表わす
ことができる。
、、、z’、、
■
、、z’、、
■
R12−5−R” (I e )式
中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8
、R9、R10、R”、R”、R13、R+4およびR
′5は、それぞれ炭素数1ないし20のアルキル基(置
換基部分の炭素原子を除く)、または炭素数6ないし1
4のアリール基(置換基部分の炭素原子を除く)を表わ
す。
中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8
、R9、R10、R”、R”、R13、R+4およびR
′5は、それぞれ炭素数1ないし20のアルキル基(置
換基部分の炭素原子を除く)、または炭素数6ないし1
4のアリール基(置換基部分の炭素原子を除く)を表わ
す。
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R
9、R10、R”、R12、R13、R”、およびR1
5で表わされるアルキル基としては、たとえば、メチル
基、n−ブチル基、l5O−アミル基、n−ドデシル基
、またはn−オクタデシル基などをあげることができる
。R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9、RIOlRll、R12、R”、Rl 4および
RISで表わされるアリール基としては、たとえばフェ
ニル基、またはα−ナフチル基などをあげることができ
る。
9、R10、R”、R12、R13、R”、およびR1
5で表わされるアルキル基としては、たとえば、メチル
基、n−ブチル基、l5O−アミル基、n−ドデシル基
、またはn−オクタデシル基などをあげることができる
。R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、
R9、RIOlRll、R12、R”、Rl 4および
RISで表わされるアリール基としては、たとえばフェ
ニル基、またはα−ナフチル基などをあげることができ
る。
上記のアルキル基またはアリール基は、シアン基、ハロ
ゲン原子(弗素原子、塩素原子、臭素原子など)、炭素
数1ないし20のアルキル基(たとえば、メチル基、エ
チル基、n−ブチル基、n−オクチル基、ヘキサデシル
、基、オクタデシル基、またはメトキシエトキシエチル
基など)、炭素数6ないし14のアリール基(たとえば
、フェニル基、トリル基、α−ナフチル基またはメトキ
シフェニル基など)、炭素数7ないし30のアラルキル
基(たとえば、ベンジル基、6−フェニルオクチル基、
アニシル基など)、アルコキシ基(たとえば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基またはメト
キシエトキシ基など)、アリーロキシ基(たとえば、フ
ェノキシ基、トリロキシ基またはメトキシフェノキシ基
など)、アルコキシカルボニル基(たとえば、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカ
ルボニル基またはフェノキシメトキシカルボニル基など
)、アリーロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシ
カルボニル基、トリロキシカルボニル基、またはメトキ
シフェノキシカルボニル基など)、アシル基(たとえば
、アセチル基、ベンゾイル基またはp−メトキシベンゾ
イル基など)、アシルオキシ基(たとえば、アセトキシ
基、ベンゾイルオキシ基またはp−メトキシベンゾイル
オキシ基など)、アシルアミノ基(たとえば、アセトア
ミド基またはベンズアミド基またはメトキシアセトアミ
ド基など)、アニリノ基(たとえば、フェニルアミノ基
、N−メチルアニリノ基、N−フェニルアニリノ基また
はN−アセチルアニリノ基など)、アルキルアミノ基(
たとえばn−ブチルアミノ基、N、N−ジエチルアミノ
基または4−メトキシ−n−ブチルアミノ基など)、カ
ルバモイル基(たとえば、n−ブチルカルバモイル基ま
たは、N。
ゲン原子(弗素原子、塩素原子、臭素原子など)、炭素
数1ないし20のアルキル基(たとえば、メチル基、エ
チル基、n−ブチル基、n−オクチル基、ヘキサデシル
、基、オクタデシル基、またはメトキシエトキシエチル
基など)、炭素数6ないし14のアリール基(たとえば
、フェニル基、トリル基、α−ナフチル基またはメトキ
シフェニル基など)、炭素数7ないし30のアラルキル
基(たとえば、ベンジル基、6−フェニルオクチル基、
アニシル基など)、アルコキシ基(たとえば、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基またはメト
キシエトキシ基など)、アリーロキシ基(たとえば、フ
ェノキシ基、トリロキシ基またはメトキシフェノキシ基
など)、アルコキシカルボニル基(たとえば、メトキシ
カルボニル基、エトキシカルボニル基、n−ブトキシカ
ルボニル基またはフェノキシメトキシカルボニル基など
)、アリーロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシ
カルボニル基、トリロキシカルボニル基、またはメトキ
シフェノキシカルボニル基など)、アシル基(たとえば
、アセチル基、ベンゾイル基またはp−メトキシベンゾ
イル基など)、アシルオキシ基(たとえば、アセトキシ
基、ベンゾイルオキシ基またはp−メトキシベンゾイル
オキシ基など)、アシルアミノ基(たとえば、アセトア
ミド基またはベンズアミド基またはメトキシアセトアミ
ド基など)、アニリノ基(たとえば、フェニルアミノ基
、N−メチルアニリノ基、N−フェニルアニリノ基また
はN−アセチルアニリノ基など)、アルキルアミノ基(
たとえばn−ブチルアミノ基、N、N−ジエチルアミノ
基または4−メトキシ−n−ブチルアミノ基など)、カ
ルバモイル基(たとえば、n−ブチルカルバモイル基ま
たは、N。
N−ジエチルスルファモイル基、n−ドデシルスルファ
モイル基またはN−(4−メトキシ−n−ブチル)スル
ファモイル基など)、スルホニルアミノ基(たとえば、
メチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ
基またはメトキシメチルスルホニルアミノ基など)、ま
たはスルホニル基(たとえばメシル基、トシル基または
メトキシメタンスルホニル基など)、アルキルチオ基(
たとえばメチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシルチオ基
など)、アリールチオ基(たとえばフェニルチオ基など
)などで置換されていてもよい。
モイル基またはN−(4−メトキシ−n−ブチル)スル
ファモイル基など)、スルホニルアミノ基(たとえば、
メチルスルホニルアミノ基、フェニルスルホニルアミノ
基またはメトキシメチルスルホニルアミノ基など)、ま
たはスルホニル基(たとえばメシル基、トシル基または
メトキシメタンスルホニル基など)、アルキルチオ基(
たとえばメチルチオ基、ブチルチオ基、ドデシルチオ基
など)、アリールチオ基(たとえばフェニルチオ基など
)などで置換されていてもよい。
Zl およびZ2はそれぞれ置換もしくは無置換の5員
環または6員環を形成するのに必要な非金属原子群を表
わす。これらの5員環または6員環としては、ピリジン
環、イミダゾール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピ
ロリジン環、ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン
環、イミダシリン環などをあげることができる。Zlお
よびZ2で表わされる5員環または6員環に対する置換
基は、前記のR1ないしR”で表わされる基に対する置
換基として例示したものを包含する。
環または6員環を形成するのに必要な非金属原子群を表
わす。これらの5員環または6員環としては、ピリジン
環、イミダゾール環、ピロール環、2−ピロリン環、ピ
ロリジン環、ピペリジン環、ピラゾール環、ピラゾリン
環、イミダシリン環などをあげることができる。Zlお
よびZ2で表わされる5員環または6員環に対する置換
基は、前記のR1ないしR”で表わされる基に対する置
換基として例示したものを包含する。
−紋穴(I a>で表わされるカチオンとしては、たと
えば、テトラブチルアンモニウムイオン、ヘキサデシル
ベンジルジメチルアンモニウムイオン、テトラメチルア
ンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、
またはヘキサデシルトリメチルアンモニウムイオンなど
をあげることができる。
えば、テトラブチルアンモニウムイオン、ヘキサデシル
ベンジルジメチルアンモニウムイオン、テトラメチルア
ンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、
またはヘキサデシルトリメチルアンモニウムイオンなど
をあげることができる。
1i1Q式(I b)で表わされるカチオンとしては、
たとえばドデシルピリジニウムイオン、ヘキサデシルヒ
リシニウムイオン、またはドデシルイミダゾリウムイオ
ンなどをあげることができる。
たとえばドデシルピリジニウムイオン、ヘキサデシルヒ
リシニウムイオン、またはドデシルイミダゾリウムイオ
ンなどをあげることができる。
一般式(I c)で表わされるカチオンとしては、たと
えば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウムイ
オン、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウムイオ
ンなどをあげることができる。
えば、N−エチル−N−ヘキサデシルピペリジニウムイ
オン、N−エチル−N−ドデシルピラゾリジニウムイオ
ンなどをあげることができる。
一般式(I d>で表わされるカチオンとしては、たと
えば、テトラブチルホスホニウムイオン、トリフェニル
ベンジルホスホニウムイオン、トリフェニルブチルホス
ホニウムイオン、ヘキサデシルトリブチルホスホニウム
イオンなどをあげることができる。
えば、テトラブチルホスホニウムイオン、トリフェニル
ベンジルホスホニウムイオン、トリフェニルブチルホス
ホニウムイオン、ヘキサデシルトリブチルホスホニウム
イオンなどをあげることができる。
一般式(I e)で表わされるカチオンとしては、たと
えば、ヘキサデシルメチルエチルスルホニウムイオン、
ドデシルメチルエチルスルホニウムイオンなどをあげる
ことができる。
えば、ヘキサデシルメチルエチルスルホニウムイオン、
ドデシルメチルエチルスルホニウムイオンなどをあげる
ことができる。
一般式(I f)で表わされるカチオンとしては、たと
えばビス(トリフェニルホスホラニリデン)アンモニウ
ムイオンをあげることができる。
えばビス(トリフェニルホスホラニリデン)アンモニウ
ムイオンをあげることができる。
他の有機陽イオンの例として、たとえば、電子を供与し
やすい中性有機分子から生成したラジカルカチオンをあ
げることができる。これらの電子供与体(中性分子)と
しては、たとえば次のような化合物をあげることができ
る。
やすい中性有機分子から生成したラジカルカチオンをあ
げることができる。これらの電子供与体(中性分子)と
しては、たとえば次のような化合物をあげることができ
る。
(Ig−1)
(Ig−2)
(Ig−3)
(,12=1.2,3.4)
(Ig−4)
(Ig−5)
上記一般式〔■〕、[II’lで表わされる化合物にお
いて、Rで表わされるアルキル基は好ましくは、炭素数
1ないし20のアルキル基を示し、このアルキル基とし
て、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル基、n−
ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オ
クタデシル基、イソブチル基、2−エチルヘキシル基、
t−ブチル基、t−アミル基などをあげることができる
。
いて、Rで表わされるアルキル基は好ましくは、炭素数
1ないし20のアルキル基を示し、このアルキル基とし
て、たとえばメチル基、エチル基、n−ブチル基、n−
ヘキシル基、n−オクチル基、n−ドデシル基、n−オ
クタデシル基、イソブチル基、2−エチルヘキシル基、
t−ブチル基、t−アミル基などをあげることができる
。
この場合、アルキル基は更に置換されていてもよく、ン
アノ基、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、ハロゲン
原子(たきえば塩素原子、臭素原子または弗素原子など
)、アリール基(たとえば、フェニル基、トリル基、ナ
フチル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基また
はアセチルフェニル基など)、アルコキシ基(たとえば
、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、プロポキシ基
またはメトキシエトキシ基など)、アリーロキシ基(た
とえばフェノキシ基、トリロキシ基、ナフトキン基また
はメトキシフェノキシ基など)、アルコキシカルボニル
基(たとえば、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボ
ニル基またはフェノキシメトキシカルボニル基など)、
アリーロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカル
ボニル基、トリロキシカルボニル基またはメトキシフェ
ノキシカルボニル基など)、アシル基(たとえばホルミ
ル基、アセチル基、バレリル基、ステアロイル基、ベン
ゾイル基、トルオイル基、ナフトイル基またはp−メト
キシベンゾイル基など)、アシルオキシ基(たとえば、
アセトキシ基またはアシルオキシ基など)、アシルアミ
ノ基(たとえば、アセトアミド基、ベンズアミド基、ま
たはメトキシアセトアミド基など)、アニリノ基(たと
えば、フェニルアミノ基、N−メチルアニリノ基、N−
フェニルアニリノ基、またはN−アセチルアニリノ基な
ど)、アルキルアミノ基(たとえば、n −ブチルアミ
ノ基、N−N−ジエチルアミノ基、4−メトキシ−n−
ブチルアミノ基など)、カルバモイル基(たとえば、n
−ブチルカルバモイル基、N−N−ジエチルカルバモイ
ル基、n−ブチルスルファモイル基、N−N−ジエチル
スルファモイル基、n−ドデシルスルファモイル基、マ
タはN−(4−メトキシ−n−ブチル)スルファモイル
基など)、スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスル
ホニルアミン基、フェニルスルホニルアミン基、または
メトキシメチルスルホニルアミノ基など)、またはスル
ホニル基(たとえば、メシル基、トシル基またはメトキ
シメタンスルホニル基など)などで置換されていてもよ
い。
アノ基、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、ハロゲン
原子(たきえば塩素原子、臭素原子または弗素原子など
)、アリール基(たとえば、フェニル基、トリル基、ナ
フチル基、クロロフェニル基、メトキシフェニル基また
はアセチルフェニル基など)、アルコキシ基(たとえば
、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、プロポキシ基
またはメトキシエトキシ基など)、アリーロキシ基(た
とえばフェノキシ基、トリロキシ基、ナフトキン基また
はメトキシフェノキシ基など)、アルコキシカルボニル
基(たとえば、メトキシカルボニル基、ブトキシカルボ
ニル基またはフェノキシメトキシカルボニル基など)、
アリーロキシカルボニル基(たとえば、フェノキシカル
ボニル基、トリロキシカルボニル基またはメトキシフェ
ノキシカルボニル基など)、アシル基(たとえばホルミ
ル基、アセチル基、バレリル基、ステアロイル基、ベン
ゾイル基、トルオイル基、ナフトイル基またはp−メト
キシベンゾイル基など)、アシルオキシ基(たとえば、
アセトキシ基またはアシルオキシ基など)、アシルアミ
ノ基(たとえば、アセトアミド基、ベンズアミド基、ま
たはメトキシアセトアミド基など)、アニリノ基(たと
えば、フェニルアミノ基、N−メチルアニリノ基、N−
フェニルアニリノ基、またはN−アセチルアニリノ基な
ど)、アルキルアミノ基(たとえば、n −ブチルアミ
ノ基、N−N−ジエチルアミノ基、4−メトキシ−n−
ブチルアミノ基など)、カルバモイル基(たとえば、n
−ブチルカルバモイル基、N−N−ジエチルカルバモイ
ル基、n−ブチルスルファモイル基、N−N−ジエチル
スルファモイル基、n−ドデシルスルファモイル基、マ
タはN−(4−メトキシ−n−ブチル)スルファモイル
基など)、スルホニルアミノ基(たとえば、メチルスル
ホニルアミン基、フェニルスルホニルアミン基、または
メトキシメチルスルホニルアミノ基など)、またはスル
ホニル基(たとえば、メシル基、トシル基またはメトキ
シメタンスルホニル基など)などで置換されていてもよ
い。
Rで表わされるアリール基は炭素数6ないし14のアリ
ール基を示し、特に好ましくはフェニル基を示す。
ール基を示し、特に好ましくはフェニル基を示す。
この場合、フェニル基は更に置換されていてもよく、例
えばメチル基、メトキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、水酸基などで置換されていてもよい。
えばメチル基、メトキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、
シアノ基、水酸基などで置換されていてもよい。
Rで表わされる複素環基はへテロ原子として、環中に少
なくとも1個の窒素原子、酸素原子もしくはイオウ原子
を含む5員ないし6員の複素環基であり、たとえばフリ
ル基、ヒドロフリル基、チエニル基、ピラゾリル基、ピ
ロリジル基、ピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル
基、キノリル基、インドリル基、オキサシリル基、チア
ゾリル基などをあげることができ、これらの複素環基は
、たとえばニトロ基などで、更に置換されていてもよい
。
なくとも1個の窒素原子、酸素原子もしくはイオウ原子
を含む5員ないし6員の複素環基であり、たとえばフリ
ル基、ヒドロフリル基、チエニル基、ピラゾリル基、ピ
ロリジル基、ピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル
基、キノリル基、インドリル基、オキサシリル基、チア
ゾリル基などをあげることができ、これらの複素環基は
、たとえばニトロ基などで、更に置換されていてもよい
。
同一の配位子中の2つのRは互いに結合して環を形成し
ていてもよいが、この場合、好ましくは、5員環ないし
8員環がよい。また、これらの環は、他のへテロ原子、
たとえば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子などを含ん
でいてもよい。
ていてもよいが、この場合、好ましくは、5員環ないし
8員環がよい。また、これらの環は、他のへテロ原子、
たとえば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子などを含ん
でいてもよい。
また、これらの環は置換されていてもよく (たとえば
、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリール基な
ど)また、他の環と縮合していても (シよい。
、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アリール基な
ど)また、他の環と縮合していても (シよい。
前記一般式で表わされる化合物の製造は、一般に次のよ
うにして行うことができる。
うにして行うことができる。
無水メタノール中に溶かした1、3−ジチオ−)L=−
2−f−オ、□□”!r fC* M FMJ Ii
L、1.″2−エチレンジチオール誘導体のアルカリ金
属塩に変える。この溶液に、所要の金属の塩を加え、空
気酸化する。生成した沈澱を濾過する。これを乾燥した
後、ジクロロメタンなどの有機溶媒で抽出し、抽出液を
濃縮して、ゆっくりメタノールを加えると求める錯体の
結晶が析出する。
2−f−オ、□□”!r fC* M FMJ Ii
L、1.″2−エチレンジチオール誘導体のアルカリ金
属塩に変える。この溶液に、所要の金属の塩を加え、空
気酸化する。生成した沈澱を濾過する。これを乾燥した
後、ジクロロメタンなどの有機溶媒で抽出し、抽出液を
濃縮して、ゆっくりメタノールを加えると求める錯体の
結晶が析出する。
前記一般式で表わされる化合物のうち好ましいものを例
示すれば次の通りであるが、本発明はこれらの例示化合
物に限定されるものではないことはもちろんである。
示すれば次の通りであるが、本発明はこれらの例示化合
物に限定されるものではないことはもちろんである。
C2H5C2H5
上記の例示化合物を含む前記−紋穴[、I)、〔■〕で
表わされる金属錯体は、後記の参考例に示す方法又はそ
れに準じる方法によって合成することができる。
表わされる金属錯体は、後記の参考例に示す方法又はそ
れに準じる方法によって合成することができる。
本発明の光記録媒体の記録層中に含有される色素につい
ては、特に制限はない。たとえば、シアニン系、チアゾ
ロピリミジン系、アザアズレン系、アズレン系、フタロ
シアニン系、ピリリウムないしチアピリリウム系、スク
ワリウム系、キノン系、インドアニリン系、ナフタロシ
アニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメ
タン系、アゾメチン系、スチリル系、ピラゾリン系、ア
ミノベンゼン系等のいずれであってもよい。これらのう
ち好ましいものは、シアニン系、チアゾロピリミジン系
、アザアズレン系、アズレン系、フタロシアニン系、ピ
リリウムないしチアピリリウム系、スクワリウム系、キ
ノン系、インドアニリン系であり、特に好ましいものは
シアニン系およびキノン系の色素である。
ては、特に制限はない。たとえば、シアニン系、チアゾ
ロピリミジン系、アザアズレン系、アズレン系、フタロ
シアニン系、ピリリウムないしチアピリリウム系、スク
ワリウム系、キノン系、インドアニリン系、ナフタロシ
アニン系、アントラキノン系、アゾ系、トリフェニルメ
タン系、アゾメチン系、スチリル系、ピラゾリン系、ア
ミノベンゼン系等のいずれであってもよい。これらのう
ち好ましいものは、シアニン系、チアゾロピリミジン系
、アザアズレン系、アズレン系、フタロシアニン系、ピ
リリウムないしチアピリリウム系、スクワリウム系、キ
ノン系、インドアニリン系であり、特に好ましいものは
シアニン系およびキノン系の色素である。
シアニン色素の中で好ましいものとしては、特開昭59
−1’13295に記載された次の一般式で表わされる
ものが挙げられる。
−1’13295に記載された次の一般式で表わされる
ものが挙げられる。
φ−L−ψ(X−)m
式中、φおよびψは、5員または6員のへテロ環基を表
わし、このヘテロ環はベンゼン環、ナフクレン環、5.
6または7員のへテロ環と縮合環を形成していてもよい
。ヘテロ原子としては、0、N、S、Se 、Teが挙
げられ、好ましくは0、N、Sである。Lはモノ−、ジ
ー、トリー、テトラ−カルボシアニン色素を形成するた
めの連結基を表わす。Xは陰イオンを表わし、分子の電
荷をバランスするのに必要な陰電荷を提供し、φまたは
ψ上に連結して分子内塩を形成していてもよい。
わし、このヘテロ環はベンゼン環、ナフクレン環、5.
6または7員のへテロ環と縮合環を形成していてもよい
。ヘテロ原子としては、0、N、S、Se 、Teが挙
げられ、好ましくは0、N、Sである。Lはモノ−、ジ
ー、トリー、テトラ−カルボシアニン色素を形成するた
めの連結基を表わす。Xは陰イオンを表わし、分子の電
荷をバランスするのに必要な陰電荷を提供し、φまたは
ψ上に連結して分子内塩を形成していてもよい。
mはOまたは1を表わす。
上記シアニン色素の中で特に好ましいものは、φおよび
ψが、 (T’ はC−R”またはN、T2は(、−R”またま
たは−C−C−を表わし、R”、R22、R23、R1
622R23 は置換または無置換のアルキル基またはアリール基を表
わし、R17、R18、R19、R”は水素原子または
置換基、たとえば、アルキル基、アリール基、ヘテロ環
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ
基、カルボン酸基等を表わし、あるいはR17とR18
、R18とR19、R19とR”% R”とRI6、R
”とR”、R22とR23が連結して環を形成してもよ
い)であり、Lが千CH=CR”+V (R24は水素
原子、アルキル基、フェニル基または塩素原子を表わし
、nは0〜3の整数を表わす)であるような化合物であ
る。
ψが、 (T’ はC−R”またはN、T2は(、−R”またま
たは−C−C−を表わし、R”、R22、R23、R1
622R23 は置換または無置換のアルキル基またはアリール基を表
わし、R17、R18、R19、R”は水素原子または
置換基、たとえば、アルキル基、アリール基、ヘテロ環
基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
ルキルオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ
基、カルボン酸基等を表わし、あるいはR17とR18
、R18とR19、R19とR”% R”とRI6、R
”とR”、R22とR23が連結して環を形成してもよ
い)であり、Lが千CH=CR”+V (R24は水素
原子、アルキル基、フェニル基または塩素原子を表わし
、nは0〜3の整数を表わす)であるような化合物であ
る。
また好ましいチアゾロピリミジン系シアニン色素の例と
しては、特願昭61178504号明細書に記載された
次の一般式で表わされる化合物が挙げられる。
しては、特願昭61178504号明細書に記載された
次の一般式で表わされる化合物が挙げられる。
式中、A1およびA2はそれぞれ独立に水素原子、ハロ
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキン基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、ンアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Yは、N R30(R30は置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換
もしくは無置換のアラルキル基を表わす。)、O,S、
Se、又はTeを表わし、Z4は5員の複素環を形成す
るのに必要な原子団を表わし;R25、R26、R27
およびR28は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のア
ラルキル基または水素原子を表わし;R29は置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ4と
結合して6員の複素環を形成するのに必要な原子団を表
わし;nはOll又は2を表わし;Xは陰イオンを表わ
す。
ゲン原子、置換もしくは無置換のアルコキン基、置換も
しくは無置換のアリールオキシ基、ンアノ基、置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、又は置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし
;Yは、N R30(R30は置換もしくは無置換のア
ルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、又は置換
もしくは無置換のアラルキル基を表わす。)、O,S、
Se、又はTeを表わし、Z4は5員の複素環を形成す
るのに必要な原子団を表わし;R25、R26、R27
およびR28は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のア
ラルキル基または水素原子を表わし;R29は置換もし
くは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリー
ル基、置換もしくは無置換のアラルキル基、又はZ4と
結合して6員の複素環を形成するのに必要な原子団を表
わし;nはOll又は2を表わし;Xは陰イオンを表わ
す。
ただしxハR25、R26、R27、R28、R29、
R” 、Z’ 、A、又はA2上に結合して分子内塩
を形成していてもよい。
R” 、Z’ 、A、又はA2上に結合して分子内塩
を形成していてもよい。
また、好ましいアザアズレン系色素の例としては、特願
昭61−184’500号明細書に記載された次の一般
式で表わされる化合物が挙げられる。
昭61−184’500号明細書に記載された次の一般
式で表わされる化合物が挙げられる。
式中R31、R32、R33、R”、R35、およびR
36は水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機残基を
表わし;Aは2重結合によって結合した2価の有機残基
を表わし;Xは陰イオン残基を表わす。
36は水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機残基を
表わし;Aは2重結合によって結合した2価の有機残基
を表わし;Xは陰イオン残基を表わす。
θ
ただしXは陽電荷を中和するのに必要な数だけ存在し、
R31、R”、R33、R24、R3S、R36、又は
A上に結合して分子内塩を形成していてもよい。
R31、R”、R33、R24、R3S、R36、又は
A上に結合して分子内塩を形成していてもよい。
又R32とR33、R”とR”、R34とR35、R3
5とR36の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで
置換又は無置換の芳香族炭素環又は芳香族複素環を形成
してもよい〕。
5とR36の組合せのうち、少なくとも1つの組合せで
置換又は無置換の芳香族炭素環又は芳香族複素環を形成
してもよい〕。
また好ましいイミダゾキノキサリン系色素の例としては
、特願昭62−245288号明細書に記載された、下
記−紋穴で表わされるものが挙げられる。
、特願昭62−245288号明細書に記載された、下
記−紋穴で表わされるものが挙げられる。
一般式(I)
[:中、R”及びR2Oはアルキル基、アルケニル基又
はアリール基を表わし、Lはメチン基又は3.5もしく
は7個のメチン基が共役二重結合により連結されて生じ
る連結基を表わし、Zは芳香族環を完成するための原子
群を表わし、X−は陰イオンを表わす。〕 その他の好ましい色素の例は、特開昭57−21263
9.58−36490.58−112790.58−1
12792.58−114989.58−125246
.59−24692.59−55794.59−557
95.59、−67092.59−71895.59−
81194.59−83695.59−124045.
59−124897.59−1’88854.59−8
5791.59−150795.59−202892.
60−19586.60−19587.60−4706
9.60−78787.60−83236.60−83
892.60−162691.60−163243.6
0−1792’92.60−182029.6(1−5
003’29.61−26044.61−27551.
61−47295.61−22603’5等に記載され
ている。
はアリール基を表わし、Lはメチン基又は3.5もしく
は7個のメチン基が共役二重結合により連結されて生じ
る連結基を表わし、Zは芳香族環を完成するための原子
群を表わし、X−は陰イオンを表わす。〕 その他の好ましい色素の例は、特開昭57−21263
9.58−36490.58−112790.58−1
12792.58−114989.58−125246
.59−24692.59−55794.59−557
95.59、−67092.59−71895.59−
81194.59−83695.59−124045.
59−124897.59−1’88854.59−8
5791.59−150795.59−202892.
60−19586.60−19587.60−4706
9.60−78787.60−83236.60−83
892.60−162691.60−163243.6
0−1792’92.60−182029.6(1−5
003’29.61−26044.61−27551.
61−47295.61−22603’5等に記載され
ている。
本発明において、色素のカチオンと前記クエンチャ−の
アニオンとの結合体を使用することもできる。
アニオンとの結合体を使用することもできる。
本発明の光記録媒体は、基板上に色素と前記りエンチャ
ーを担持させたものであるが、クエンチャ−は前記色素
1モルあたり、一般に0.05〜12モル、好ましくは
0.1〜1.2モル使用さレル。
ーを担持させたものであるが、クエンチャ−は前記色素
1モルあたり、一般に0.05〜12モル、好ましくは
0.1〜1.2モル使用さレル。
クエンチャ−は、色素薄膜記録層に含有させることが好
ましいが、記録層とは別の層、たとえば下引き層、保護
層、反射層に含有させてもよい。
ましいが、記録層とは別の層、たとえば下引き層、保護
層、反射層に含有させてもよい。
本発明の光記録媒体には、必要により、さらに基板上に
下引き層を、また記録層上に保護層、反射層を設けるこ
とができる。
下引き層を、また記録層上に保護層、反射層を設けるこ
とができる。
基板としては既知のものを任意に使用することができる
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いら
れる。その形状はディスク状、カード状、シート状、ロ
ールフィルム状など種々のものが可能である。
。その代表的な例にはガラスまたはプラスチックがあり
、プラスチックとしてはアクリル、ポリカーボネート、
ポリスルホン、ポリイミド、ポリエステルなどが用いら
れる。その形状はディスク状、カード状、シート状、ロ
ールフィルム状など種々のものが可能である。
ガラスまたはプラスチック基板には記録時のトラッキン
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
グを容易にするために案内溝を形成させてもよい。また
ガラスまたはプラスチック基板にはプラスチックバイン
ダーまたは無機酸化物、無機硫化物などの下引き層を設
けてもよい。基板よりも熱伝導率の低い下引き層が好ま
しい。また記録層同士を内側にして2枚の記録媒体を対
向させたいわゆるエアーサンドイッチ構造にすることも
可能である。
本発明における記録層の形成は、例えば、色素およびク
エンチャ−を有機溶剤(例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、アセトン、メチルエチルケトン、2.2,3.
3−テトラフルオロプロパツールあるいはこれらの混合
物など)に溶解し、必要に応じて適当なバインダー(例
えばPVA、、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート、ニトロセルロース、ホリヒニルホルマール
、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マレ
イン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、キシ
レン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばスピンコ
ード)することによって行なえるし、又は色素とクエン
チャ−を共蒸着するか、あるいは色素を真空蒸着したの
ち、クエンチャ−を塗布することによっても行なえる。
エンチャ−を有機溶剤(例えばメタノール、エタノール
、イソプロピルアルコール、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン、アセトン、メチルエチルケトン、2.2,3.
3−テトラフルオロプロパツールあるいはこれらの混合
物など)に溶解し、必要に応じて適当なバインダー(例
えばPVA、、PVP、ポリビニルブチラール、ポリカ
ーボネート、ニトロセルロース、ホリヒニルホルマール
、メチルビニルエーテル、塩素化パラフィン、無水マレ
イン酸共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、キシ
レン系樹脂)を加え、この溶液を塗布(例えばスピンコ
ード)することによって行なえるし、又は色素とクエン
チャ−を共蒸着するか、あるいは色素を真空蒸着したの
ち、クエンチャ−を塗布することによっても行なえる。
バインダーを使用する場合には、バインダーの重量は色
素重量の0.01〜2倍が好ましい。また色素をいわゆ
るラングミュア−ブロジェット法により薄膜として用い
ることもできる。
素重量の0.01〜2倍が好ましい。また色素をいわゆ
るラングミュア−ブロジェット法により薄膜として用い
ることもできる。
本発明における記録層は1層又は2層以上設ける。
記録層内又はこれに隣接する層内には、色素の劣化を防
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
ぐため、酸化防止剤もしくは褪色防止剤を存在させても
よい。
記録層の膜層は、通常0.01μm〜2μm、好ましく
は0.02〜08μmの範囲である。反射読出しの場合
は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のZの奇
数倍である。
は0.02〜08μmの範囲である。反射読出しの場合
は特に好ましくは読出しに使用するレーザ波長のZの奇
数倍である。
半導体レーザまたはHe −Ne レーザなどの反射層
を設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の
上に前述したような方式によって記録層を設けることに
よるか、あるいは基板の記録層を設け、次いでこの上に
反射層を設けるかのいずれかの方法がある。
を設ける場合は、基板に反射層を設は次にこの反射層の
上に前述したような方式によって記録層を設けることに
よるか、あるいは基板の記録層を設け、次いでこの上に
反射層を設けるかのいずれかの方法がある。
反射層は蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーティ
ング法などの他、次のような方法によっても作ることが
できる。
ング法などの他、次のような方法によっても作ることが
できる。
例えば水溶性樹脂(PVP、PVAなど)に金属塩また
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
は、金属錯塩を溶解させ、さらに、還元剤を加えた溶液
を基板に塗布し、50℃〜150℃好ましくは60℃〜
100℃で加熱乾燥させることによって形成される。
樹脂に対する金属塩または金属錯塩の量は重量比で0.
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の薄膜は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
1〜10好ましくは0.5〜1.5である。この際、記
録層の薄膜は金属粒子反射層が0.01〜0.1μmで
ありそして光吸収層が0.01〜1μmの範囲が適当で
ある。
金属塩または金属錯塩としては、硝酸銀、シアン化銀カ
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなど
を使用できる。
リウム、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シア
ン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用できる。還
元剤としてはホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、次亜燐酸
塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボランなど
を使用できる。
還元剤は金属塩または金属錯塩1モルに対し0.2〜1
0モル好ましくは0.5〜4′Fニルの範囲で使用でき
る。
0モル好ましくは0.5〜4′Fニルの範囲で使用でき
る。
本発明の光記録媒体において、情報の記録はレーザ(例
えば半導体レーザ、He −Ne レーザなど)などの
スポット状の高エネルギービームを基板を通しであるい
は基板と反対側より記録層に照射することにより行われ
、記録層に吸収された光が熱に交換され、記録層にピッ
ト(穴)が形成される。
えば半導体レーザ、He −Ne レーザなど)などの
スポット状の高エネルギービームを基板を通しであるい
は基板と反対側より記録層に照射することにより行われ
、記録層に吸収された光が熱に交換され、記録層にピッ
ト(穴)が形成される。
また情報の読み出しはレーザビームを記録の閾値エネル
ギー以下の低出力で照射し、ピント部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化によ
り検出する。
ギー以下の低出力で照射し、ピント部とピットが形成さ
れていない部分の反射光量もしくは透過光量の変化によ
り検出する。
次に本発明を参考例および実施例に基づき、更に詳細に
説明する。
説明する。
参考例1 く例示化合物(3)の合成〉無水エタノール
20mβ中に、常法に従って合成した4、5−(エチレ
ンジチオ)−1,3−ジチオール−2−チオン10gと
水酸化カリウム2、Ogを加え、50℃で2時間かくは
んする。反応液を室温で放冷すると黄色の結晶が析出す
る。
20mβ中に、常法に従って合成した4、5−(エチレ
ンジチオ)−1,3−ジチオール−2−チオン10gと
水酸化カリウム2、Ogを加え、50℃で2時間かくは
んする。反応液を室温で放冷すると黄色の結晶が析出す
る。
デカンテーションとして上澄液をすてる。エタノールを
30mA加えて、再びデカンテーションして上澄液をす
てる。
30mA加えて、再びデカンテーションして上澄液をす
てる。
次に、メタノール20mf!、を加えて結晶を溶かす。
この溶液に、メタノール20mj!に塩化ニッケル(6
水和物)0.3gを溶かした溶液を室温でかくはんしな
がら窒素下で加えると、液は、直ちに暗赤色となる。室
温で2時間かくはんする。
水和物)0.3gを溶かした溶液を室温でかくはんしな
がら窒素下で加えると、液は、直ちに暗赤色となる。室
温で2時間かくはんする。
次に、これに空気を吹込むと、反応液は直ちに暗緑色と
なる。30分間、空気を吸込みながらかくはんする。こ
れに、テトラブチルホスホニウムクロライド2gを粉末
で加えると、直ちに沈澱が析出する。室温で30分、か
くはんする。
なる。30分間、空気を吸込みながらかくはんする。こ
れに、テトラブチルホスホニウムクロライド2gを粉末
で加えると、直ちに沈澱が析出する。室温で30分、か
くはんする。
析出した沈澱を濾過、メタノールで洗い風乾する。これ
をジクロロメタンに溶かし濾過する。濾液を濃縮して、
熱メタノールを加えて、1夜、室温に放冷する。翌日析
出した結晶を濾過、メタノールで洗って風乾する。黒色
結晶0.7gを得る。
をジクロロメタンに溶かし濾過する。濾液を濃縮して、
熱メタノールを加えて、1夜、室温に放冷する。翌日析
出した結晶を濾過、メタノールで洗って風乾する。黒色
結晶0.7gを得る。
x l・Q’ j!−mol!判・cm ’ m、
p、200〜202 ℃)参考例2 〈例示化合物αO
の合成〉 無水メタノール200+nj!中に、常法に従って合成
した、4,5−ジブチルチオ−1,3−ジチオール−2
−チオン11.8 gと水酸化カリウム42gを加え、
10分間還流する。これに、窒素下で、室温でかくはん
しつつ、酢酸ニッケル(4水和物)4.4gを結晶で加
え、1時間半かくはんする。これを、空気雰囲気で、3
時間還流する。
p、200〜202 ℃)参考例2 〈例示化合物αO
の合成〉 無水メタノール200+nj!中に、常法に従って合成
した、4,5−ジブチルチオ−1,3−ジチオール−2
−チオン11.8 gと水酸化カリウム42gを加え、
10分間還流する。これに、窒素下で、室温でかくはん
しつつ、酢酸ニッケル(4水和物)4.4gを結晶で加
え、1時間半かくはんする。これを、空気雰囲気で、3
時間還流する。
反応液の溶媒を留去後、残渣をベンゼンで抽出する。抽
出液を濃縮して、シリカゲルを用いて液体クロマトグラ
フィーを行い、ベンゼンで展開する。
出液を濃縮して、シリカゲルを用いて液体クロマトグラ
フィーを行い、ベンゼンで展開する。
暗緑色の部分をとり、溶媒を留去して、n−へキサンを
加えると、澄明な溶液となる。これを5℃で1夜放冷す
ると黒色の結晶が析出する。翌日濾過して、n−へキサ
ンで洗い風乾する。
加えると、澄明な溶液となる。これを5℃で1夜放冷す
ると黒色の結晶が析出する。翌日濾過して、n−へキサ
ンで洗い風乾する。
収量1.7g0
xlO’ m、p、97〜100℃)実施例1
表1に示す様に色素A、クエンチャ−1及び成る場合に
はバインダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジク
ロロエタン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパツ
ールからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化
した溝付(1,6μピツチ、深さ750人)ポリカーボ
ネート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで
塗布し、乾燥した。なお、色素とクエンチャ−との重量
比は3:1、バインダーを用いる場合には、バインダー
の重量は色素の115 とした。
はバインダーをメタノール−メチルエチルケトン−ジク
ロロエタン−2,2,3,3−テトラフルオロプロパツ
ールからなる適当な比率の混合溶媒に溶解し、表面硬化
した溝付(1,6μピツチ、深さ750人)ポリカーボ
ネート基板に厚さ0.1μmとなるようにスピンナーで
塗布し、乾燥した。なお、色素とクエンチャ−との重量
比は3:1、バインダーを用いる場合には、バインダー
の重量は色素の115 とした。
こうして得られた記録媒体に半導体レーザを用いて信号
を記録し、この記録部に微弱なレーザ光をあて、信号を
再生したところ表1に示すC/N比が得られた。
を記録し、この記録部に微弱なレーザ光をあて、信号を
再生したところ表1に示すC/N比が得られた。
評価条件は下記のとおりであった。
(記録及び再生)
レーザ :半導体レーザ(GaA II As
)レーザの波長 :830nm レーザのビーム径:1.6μm 線 速 : 5m/s記録パワー
:8mW 記録周波数 : 2.5MHz 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4m1ll (再生劣化の評価) 再生パワー:0.8m1ll 再生回数 :105回 色sA 表1 また60℃、湿度90%で1週間保存した後も、性能の
変化はδ忍められなかった。
)レーザの波長 :830nm レーザのビーム径:1.6μm 線 速 : 5m/s記録パワー
:8mW 記録周波数 : 2.5MHz 記録デユーティー:50% 再生パワー :0.4m1ll (再生劣化の評価) 再生パワー:0.8m1ll 再生回数 :105回 色sA 表1 また60℃、湿度90%で1週間保存した後も、性能の
変化はδ忍められなかった。
下記−紋穴で表わされる化合物の有機溶媒に対する溶解
度を測定した。
度を測定した。
試験化合物は、式
て表わされ、ここでR′は表2の試験No、 2.4の
R′の欄に示したアルキルチオ基を示す。
R′の欄に示したアルキルチオ基を示す。
なお比較のためにR′としてアルキル基を用いた場合に
ついても試験したがこの結果を表2の試験No、 1.
3に示した。有機溶剤としては、ベンゼンおよび塩化メ
チレンを選んだ。
ついても試験したがこの結果を表2の試験No、 1.
3に示した。有機溶剤としては、ベンゼンおよび塩化メ
チレンを選んだ。
溶解度の測定法としては、すり合せ栓付きの20m1容
ガラス製試験管に、溶媒IQmj!と試料1gをとり、
恒温槽中(15℃)で24時間振とうし、静置後、濾過
し、濾液の溶媒を留去したのち、残留物を秤量する重量
法を採用した。
ガラス製試験管に、溶媒IQmj!と試料1gをとり、
恒温槽中(15℃)で24時間振とうし、静置後、濾過
し、濾液の溶媒を留去したのち、残留物を秤量する重量
法を採用した。
表 2
表2より本発明の化合物は、溶解度が改善されているこ
とが明らかである。
とが明らかである。
(発明の効果)
本発明によれば、色素を含有する光ディスク、光カード
などの光記録媒体の耐光性の向上、あるいは光による読
み取り時の劣化防止が可能となる。
などの光記録媒体の耐光性の向上、あるいは光による読
み取り時の劣化防止が可能となる。
更に、従来知られた一重項酸素クエンチャーを用いるの
と比べ本発明によれば、金属錯体の置換基を適宜選択し
、組合せることにより、溶剤に対する溶解性を調節でき
、色素との混和性も高くすることが可能なため各種の結
合剤を幅広く採用できる。
と比べ本発明によれば、金属錯体の置換基を適宜選択し
、組合せることにより、溶剤に対する溶解性を調節でき
、色素との混和性も高くすることが可能なため各種の結
合剤を幅広く採用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に、色素と、下記一般式〔 I 〕または〔II〕
で表わされる化合物の少なくとも1種とを担持せしめた
ことを特徴とする光記録媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 式中、〔Cat〕は錯体を中性ならしめるために必要な
陽イオンを示し、nは1または2を示し、MはCu、C
o、Ni、Pd、Ptを示す。 Rは置換または無置換のアルキル基、アリール基または
複素環基を示し、同一の配位子中の2つのRは互いに結
合して環を形成してもよい。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037067A JPH074983B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63037067A JPH074983B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01210389A true JPH01210389A (ja) | 1989-08-23 |
JPH074983B2 JPH074983B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=12487202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63037067A Expired - Fee Related JPH074983B2 (ja) | 1988-02-19 | 1988-02-19 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH074983B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232158A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ジチオレート系金属錯体の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-19 JP JP63037067A patent/JPH074983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005232158A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-09-02 | Mitsubishi Chemicals Corp | ジチオレート系金属錯体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH074983B2 (ja) | 1995-01-25 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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