JPH01207640A - 半導体光検出装置と紫外線検出方法および半導体光検出素子とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は紫外線等の特定波長の光の検出を、半導体素子
を用いて行なう技術に係るもので、より詳しくは、半導
体光検出装置と紫外線検出方法および半導体光検出素子
とその製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来、火災警報装置、バーナーの燃焼監視装置、光電カ
ウンタ、放電現像の検知装置等に紫外線検出装置が応用
されている。これらの紫外線検出装置に使われる紫外線
センサは、紫外線に対して高感度であることが要求され
るのはもちろん、可視光や赤外光に感度を持たないこと
、高信頼性、高寿命であること、小型軽量であることな
どの特性が要求される。現在までに考えられている紫外
線センサとしては、金属の光電効果と放電による電流の
ガス増倍効果を利用した紫外線検出管と、半導体中の光
電効果を利用したシリコンホトダイオードなどがあり、
それぞれ固有の特徴を持っている。

紫外線検出管は紫外線に対す感度の点では優れているが
、真空管であるため寿命が短いことや、地れ品く取扱が
困難であること、あるいは小型軽量化が困難であること
などの短所がある。一方、シリコンホトダイオードは寿
命が半永久的であり、また信号処理回路を同一チップ上
に集積しやすいため、高機能化、小型軽量化が容易であ
るなどの長所がある。しかし、その半面、シリコンの物
性に起因して可視光から赤外光にピーク感度があるため
、紫外線のみの信号を得る場合は高価な赤外線フィルタ
ーを用いなければならないという欠点があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、従来技術では紫外線検出管とシリコンホト
ダイオードの両方の長所を満足できる紫外線センサは得
られず、現在では、その感度の高さから紫外線検出管が
一般に用いられている。このため、取扱が手軽で応用範
囲が広いシリコンホトダイオードに、紫外線検出管なみ
の光電特性をもたせたセンサの開発が望まれているのが
現状である。

そこで本発明は、従来のシリコンホトダイオードの特徴
である小型、軽量、かつ高寿命の特性を実現しながら、
しかも従来の紫外線検出管の特徴である高紫外線感度の
特性を併せて実現できるようにすることを目的とする。

すなわち、本発明の第１の目的は、小型、軽量かつ高寿
命であって、しかも紫外線感度の高い半導体光検出装置
を提供することにある。

また、本発明の第２の目的は、半導体検出素子を用いる
ことにより、紫外線を感度よく簡単に検出することので
きる紫外線検出方法を提供することにある。

また、本発明の第３の目的は、半導体光検出装置に適用
することが可能な紫外線検出用の半導体光検出素子を提
供することにある。

さらに、本発明の第４の目的は、紫外線検出特性の優れ
た半導体光検出素子の、歩留りのよい簡単な製造方法を
提供することを目的とすることにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体光検出装置は、半導体光検出素子と
信号処理回路を有して構成され、この半導体光検出素子
は、第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物を浅
くドープして形成された紫外線感度を有する第１の受光
部と、半導体基板に第２導電型の不純物を深くドープし
て形成された紫外線感度を有しない第２の受光部とを有
する。

そして、信号処理回路は第１の受光部の出力と第２の受
光部の出力の差から紫外線検出出力を求めるように構成
されていることを特徴とする。

また、本発明に係る紫外線検出方法は、上記のような第
１および第２の受光部とを有する半導体光検出素子に、
紫外線を含む被検出光を照射する第１のステップと、第
１の受光部の出力から第２の受光部の出力を差し引くこ
とにより紫外線検出出力を求める第２のステップとを備
えることを特徴とする。

また、本発明に係る半導体光検出素子は、第１導電型の
半導体基板と、この半導体基板もしくは基板上の半導体
結晶成長層中に第２導電型の不純物を浅くドープして形
成された第１の受光部と、第１の受光部と近接した位置
に第２導電型の不純物を深くドープして形成された第２
の受光部と、第１および第２の受光部の表面を覆うよう
に、同一の厚さで同一の透光性材料により形成された例
えば熱酸化による二酸化シリコンからなる光透過膜とを
備えることを特徴とする。

さらに、本発明の半導体光検出素子の製造方法は、第１
導電型のシリコン基板もしくはシリコン結晶成長層の互
いに近接した第１および第２の受光部形成領域表面に、
それぞれ同一厚さの熱酸化による第１および第２の二酸
化シリコン膜を形成する第１の工程と、第１の二酸化シ
リコン膜を介して第１の受光部形成領域に、例えば拡散
係数の小さい第２導電型の不純物を低濃度に注入して熱
処理によりこれを浅くドープすると共に、第２の二酸化
シリコン膜を介して第２の受光部形成領域に、例えば拡
散係数の大きい第２導電型の不純物を高濃度に注入して
熱処理によりこれを深くドープする第２の工程と、第１
および第２の受光部形成領域にオーミック電極を形成す
る第３の工程とを備えることを特徴とする。

〔作用〕

本発明の半導体光検出装置によれば、半導体光検出素子
の浅い接合をもつ第１の受光部は紫外線感度を有し、深
い接合をもつ第２の受光部は紫外線感度を有しない。と
ころで、第１および第２の受光部は共に紫外線以外の可
視光および赤外線に感度を有し、この程度は望ましくは
ほぼ同一とされる。このため、信号処理回路の出力は紫
外線に対応する検出出力のみとなるので、結果として紫
外線が検出されることになる。

また、本発明の紫外線検出方法によれば、上記の紫外線
の検出が第１および第２のステ・ツブでなされることに
なる。

また、本発明の半導体光検出素子によれば、光透過膜が
形成されているので受光部が保護され、またこれは同一
材料によって同一の厚さで形成されているので、受光部
に達する入射光スペクトルは同一となり、従って紫外線
以外の感度を第１および第２の受光部との間でほぼ同一
とすることができる。

さらに、本発明の半導体光検出素子の製造方法によれば
、光透過膜はシリコン基板の熱酸化により形成されるの
で、透過スペクトルが優れた同一の膜厚のものを、歩留
りよく簡単に形成できる。

しかも、第１および第２の受光部形成のための不純物イ
オンの注入工程において、光透過膜の光透過特性が害さ
れたりすることもない・。

〔実施例〕

以下、添付図面の第１図ないし第１３図を参照して、本
発明の詳細な説明する。なお、図面の説明において同一
要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

第１図は本発明に係る半導体光検出装置の基本構成図で
ある。図示の通り、この装置は半導体光検出素子１０と
信号処理回路２０により構成される。半導体光検出素子
１０は第１導電型（例えばｐ型）の半導体基板１１を含
み、この単一の半導体基板１１に浅く第２導電型（例え
ばｎ型）の不純物をドープして形成された第１の受光部
１２による第１のホトダイオードＰＤＩと、これと同一
導電型の不純物を深くドープして形成された第２の受光
部１３による第２のホトダイオードＰＤ２を有している
。この半導体光検出素子１０に紫外線を含む被検出光が
図中の矢印の如く入射されると、半導体基板１１中にキ
ャリア（電子、正孔）が生成され、これが第１のホトダ
イオードＰＤＩおよび第２のホトダイオードＰＤ２に収
集されて信号処理回路２０に送られる。信号処理回路２
０に送られた第１の信号ＰＤＩ　　　および第２の信Ｕ
Ｔ 号ＰＤ２　　　は、 ＯＵＴ ＰＤ　　　＝＝ＰＤ１　　−ＰＤ２ＯＵＴＯＵＴ　　　
　　ＯＵＴ に従って処理され、紫外線検出出力ＰＤ　　　が得ＵＴ られる。

ここで、第１のホトダイオードＰＤＩは紫外線域も含め
て広い波長域で感度を有し、その感度のスペクトルは第
１図中の曲線Ｃ１のようになっている。これに対し、第
２のホトダイオードＰＤ２は紫外線域において感度を有
さず、その感度のスペクトルは第１図中の曲線Ｃ２のよ
うになっている。従って、第１の信号ＰＤＩ　　　の可
視光およＯＵＴ び赤外線域の感度のスペクトルが第２のホトダイオード
ＰＤ２の感度のスペクトルと同一であるとすれば、信号
処理回路２０を経由した後の出力ＰＤ　　　の感度のス
ペクトルは、可視光および赤ＵＴ 外線域の信号がキャンセルされて、等測的に第１図中の
曲線Ｃ３のようになっている。このため、上記ような装
置によって、紫外線を感度よく検出することが可能にな
る。しかも、この装置は紫外線検出管などと比べて小型
、軽量であり、かつ半導体光検出素子１０の受光面に高
価なカラーフィルタを設けたりする必要もない。

次に、半導体光検出素子について詳細に説明する。

第２図は半導体光検出素子の一実施例の断面図である。

図示の通り、ｐ型の半導体基板１１にはｎ型の不純物を
浅くドープした第１の受光部１２と、ｎ型の不純物を深
くドープした第２の受光部１３とが形成され、これらの
ｐｎ接合によって第１のホトダイオードＰＤＩおよび第
２のホトダイオードＰＤ２が形成されている。また、半
導体基板１１の表面には絶縁材料からなる保護膜１４が
形成され、受光部の位置には開口が形成されて、ここに
透光性の光透過膜１５が設けられている。

この光透過膜１５の端部には開口が形成され、この開口
を介して第１の受光部１２および第２の受光部１３にオ
ーミック接触する電極１６と配線１７が設けられている
。

ここで、半導体基板１１は例えばシリコン単結晶から成
っており、第１の受光部１２は例えばヒ素（Ａｓ　）を
含んで０．５μｍ程度の深さに形成され、第２の受光部
１３は例えばリン（Ｐ）を含んで１．５μｍ程度の深さ
に形成される。また、保護膜１４は例えば熱酸化により
二酸化シリコン（Ｓｉ　０２）からなり、０．５μｍ程
度の厚さで形成され、光透過膜１５についても例えば熱
酸化５１０２からなり、０．１μｍ程度の厚さで形成さ
れる。さらに、電極１６および配線１７は例えばアルミ
ニウム（１）で形成される。

次に、第２図に示す半導体光検出素子の作用を、第３図
ないし第５図を参照して説明する。

第２図中の上方から、紫外線を含んだ被検出光が入射さ
れると、これは光透過膜１５を透過して第１の受光部１
２および第２の受光部１３中に入る。すると、第１の受
光部１２および第２の受光部１３中とその直下の半導体
基′ＦｆＬ１１中でキャリアが発生することになるが、
−膜内に、短波長の紫外線は半導体基板１１中の深い位
置まで達することがなく、浅い位置で紫外線による光生
成キャリアが現れる。

ここで、ｐｎ接合面の浅い第１のホトダイオードＰＤ１
とｐｎ接合面の深い第２のホトダイオードＰＤ２を比較
すると、その空乏層は第１のホトダイオードＰＤＩにつ
いては表面近傍の浅い位置に現れるが、第２のホトダイ
オードＰＤ２については浅い位置に現れない。このため
、第１のホトダイオードＰＤＩからは紫外線によるキャ
リアをも含んだ光電流が得られるが、第２のホトダイオ
ードＰＤ２からは紫外線によるキャリアを含まない光電
流が得られる。第３図および第４図は、それぞれ第１の
ホトダイオードＰＤＩ、第２のホトダイオードＰＤ２の
分光感度特性を示す図である。

そして、ホトダイオードＰＤＩ、ＰＤ２の両者の光電流
のうち、可視光および赤外線域の感度に対応する成分に
ついては、光透過膜１５が路間−厚さで同一材料なので
、はぼ同一となっている（第３図、第４図参照）。そこ
で、紫外線感度を有する第１のホトダイオードＰＤＩの
光電流から、紫外線感度を有しない第２のホトダイオー
ドＰＤ２の光電流を差し引けば、紫外線のみの光電流を
得ることが可能になる。第５図は第３図に示す第１のホ
トダイオードＰＤＩの出力から、第４図に示す第２のホ
トダイオードＰＤ２の出力を差し引いたときの、感度特
性を説明する図である。

このように、差し引いた結果として得られる信号出力は
、紫外線のみに感度をもった出力となる。

次に、第２図の示す半導体光検出素子の製造方法の一例
を説明する。

第６図はその工程別断面図である。まず、ｐ型Ｓ１から
なる半導体基板１１を熱酸化し、５ＩＯ２からなる保護
膜１４を０．５μｍ程度の厚さに形成する（同図（ａ）
参照）。そして、フォトリソグラフィ技術を用いてホト
ダイオードの領域の保護膜１４に開口を形成したのち、
再び熱酸化して５ＩＯ２からなる光透過膜１５を０．　
１μｍ程度の厚さに形成する（同図（ｂ）参照）。

次に、第１のホトダイオードＰＤＩの領域に開口を有す
るレジストパターン２１を形成して、ｎ型不純物イオン
としてのヒ素（Ａｓ　）イオンを低濃度に注入する（同
図（ｃ）図示）。しかる後、レジストパターン２１をア
セトンなどで除去し、第２のホトダイオードＰＤ２の領
域に開口を有する別のレジストパターン２２を形成して
、同じくｎ型不純物イオンとしてのリン（Ｐ）イオンを
高濃度に注入する（同図（ｄ）図示）。このようにする
と、第１のホトダイオードＰＤＩの領域には拡散係数の
小さなＡｓイオンが低濃度に注入され、第２のホトダイ
オードＰＤ２の領域には拡散係数の大きなＰイオンが高
濃度に注入されるので、レジストパターン２２を除去し
た後にアニールを行なえば、第１のホトダイオードＰＤ
Ｉの領域には深さ０．５μｍ程度の浅いｎ型の第１の受
光部１２が形成され、第２のホトダイオードＰＤ２の領
域には深さ１．５μｍ程度の深いｎ型の第２の受光部１
３が形成されることになる（第６図（ｅ）図示）。

次いで、フォトリソグラフィ技術を用いて光透過膜１５
に開口を形成し、これにオーミック接触する電極１６お
よび配線１７を、例えばアルミニウムなどを用いてリフ
トオフ法で形成すると、第２図の半導体光検出素子が得
られることになる。

本発明に係る半導体光検出素子およびその製造方法につ
いては、種々の゛変形が可能である。

例えば、保護膜１４や光透過膜１５は熱酸化５ＩＯ２に
限らず、例えばプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン（
ＳＩＮ　　）としてもよい。但し、光透過膜１５につい
ては、ホトダイオードＰＤＩ。

ＰＤ２の赤外感度に重大な影響を与えるので、その材料
および厚さを同一にすることが大切である。

また、単結晶からなる半導体基板１１上に半導体結晶成
長層を例えばエピタキシャル成長法などで形成し、ここ
に第１のホトダイオードＰＤ１および第２のホトダイオ
ードＰＤ２をなす拡散層を形成してもよい。第７図にそ
の一例の断面図を示す。図示の通り、半導体基板１１の
上面にはエピタキシャル成長法による半導体結晶成長層
３１が形成され、ここに浅い第１の受光部１２と深い第
２の受光部１３が形成されている。ここで、半導体結晶
成長−３１をｐ型として第１の受光部１２および第２の
受光部１３をｎ型とすると（半導体基板１１はｐ型でも
ｎ型でもよい）、それぞれｐｎ接合を有する第１のホト
ダイオードＰＤＩと第２のホトダイオードＰＤ２が得ら
れることになる。

この構成によれば、迷光の原因となる赤外線の影響を当
初からカットできるので、より高精度な検出が可能であ
る。すなわち、第２図に示す第１のホトダイオードＰＤ
Ｉによる分光感度特性は第８図の破線のようになるのに
対し、第７図に示す第１のホトダイオードＰＤ１による
分光感度特性は第８図中の実線のようになり、赤外線に
よる影響が大幅に低減される。従って、第７図に示す第
１のホトダイオードＰＤ１および第２のホトダイオード
ＰＤ２において、接合の浅い第１のホトダイオードＰＤ
Ｉと接合の深い第２のホトダイオードＰＤ２との間で赤
外線感度が完全に同一でないときでも、その差分は第２
図のものと比べてｔ０対的に低くなるので、精度のよい
検出が可能になる。

また、導電型は逆であってもよく、半導体材料や不純物
も実施例のものに限られない。具体的には、デバイスの
寿命の点ではやや劣ることになるが、ｎ型の基板を用い
てｐ型不純物としてボロン（Ｂ）をイオン注入し、受光
部１２．１３を形成してもよい。但し、受光部１２．１
３がｎ型であるときには、接合部の紫外線損傷を低く抑
えることができる。更に、浅い第１の受光部１２および
深い第２の受光部１３の形成については、例えば同一の
不純物イオンを用いてそのイオン注入の打ち込み量を異
ならせることによってもよい。

更に、第１のホトダイオードＰＤＩおよび第２のホトダ
イオードＰＤ２の配置についても、例えば第９図ないし
第１１図のようにすることができる。すなわち、第９図
の例では第１のホトダイオードＰＤ１をなす浅い第１の
受光部１２と第２のホトダイオードＰＤをなす深い第２
の受光部１３は、同一の半導体基板１１上に交互に複数
形成されている。また、第１０図の例では、第１の受光
部１２と第２の受光部１３が平面的にモザイク状に配設
されている。さらに、第１１図の例では、浅い第１の受
光部１２と深い第２の受光部１′３が櫛歯状に配設され
ている。これらのものは、スポット光の検出や微弱光の
検出に有利である。

次に、信号処理回路の一例を第１２図により説明する。

第２図に示す半導体光検出素子において、接合の浅い第
１のホトダイオードＰＤＩからの光電流出力１１および
接合の深い第２のホトダイオードＦＤ２からの光電流出
力１２は、それぞれオペアンプ４１．４２と帰還抵抗Ｒ
１を有するる増幅回路で増幅される。そして、直列接続
された抵抗Ｒおよびオペアンプ４３を含む差分回路によ
って、光電流出力■１に対応する電圧出力から光電流出
力１２に対応する電圧出力が差し引かれ、電圧出力Ｖ　
　が得られる。ここにおいて、電圧出力ＵＴ Ｖ　　１光電流出力Ｉ　１光電流出力■２および０υＴ
　　　　　　　　　　　　　　　１帰還抵抗Ｒ４の間に
は、 Ｖ　　　−（Ｉ　　−Ｉ　　）ｘＲｒ　（Ｖ）ＯＵＴ　
　　　　　　ｌ　　　　　２ の関係が成立している。なお、この信号処理回路の具体
的構成についても、種々の変形が可能であることは言う
までもない。

第１３図は本発明の半導体光検出装置と従来の紫外線検
出管の特性を比較する図である。同図において、紫外線
検出管では相対感度は破線のようになるのに対し、本発
明によれば実線のようになる。これは、実用上十分な特
性である。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した通り、本発明の半導体光検出装置
では、紫外線感度を有する第１の受光部と紫外線感度を
有しない第２の受光部は、共に紫外線以外の可視光およ
び赤外線に感度を有し、この程度は望ましくはほぼ同一
とされる。このため、信号処理回路の出力は紫外線に対
応する検出出力のみとなる。従って、小型、軽量かつ高
寿命であって、しかも紫外線感度の高い半導体光検出装
置を提供することができる。

また、本発明の紫外線検出方法では、上記の検出を第１
および第２のステップで行なうことによリ、紫外線を感
度よく簡単に検出することができる。

また、本発明の半導体光検出素子では、光透過膜が形成
されているので受光部が保護され、またこれは同一材料
によって同一の厚さで形成されているので、受光部に達
する入射光スペクトルは同一となり、従って紫外線以外
の感度を第１および第２の受光部との間でほぼ同一とす
ることができる。このため、上記の半導体光検出装置に
適用することが可能な紫外線検出用の半導体光検出素子
を提供することができる。

さらに、本発明の半導体光検出素子の製造方法によれば
、上記のような紫外線検出特性の優れた半導体光検出素
子を、歩留りのよい簡単な工程で製造することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体光検出装置の基本構成図、
第２図は半導体検出素子の斜視断面図、第３図は第１の
ホトダイオードＰＤＩの絶対分光感度を示す図、第４図
は第２のホトダイオードＰＤ２の絶対分光感度を示す図
、第５図は第１のホトダイオードＰＤＩの出力から第２
のホトダイオードＰＤ２の出力を差し引いた場合の感度
特性図、第６図は本発明の半導体光検出素子の製造工程
図、第７図は本発明の他の構成の一例を示す図、第８図
は絶対分光感度の比較図、第９図は同一基板内に複数の
ホトダイオードを配列した構成図、第１０図は同一基板
内に複数のホトダイオードをモザイク状に配列した構成
図、第１１図は同一基板内に複数のホトダイオードを交
互に配列した構成図、第１２図は本発明によるホトダイ
オードの信号出力を読み出すための回路図、第１３図は
相対分光感度特性の比較図である。 １０・・・半導体光検出素子、１１・・・半導体基板、
１２・・・第１の受光部、１３・・・第２の受光部、１
４・・・保護膜、１５・・・光透過膜、１６・・・電極
、１７・・・配線、３１・・・半導体結晶成長層。 ７トダイ汀−ドＰＤ＋の分光７９．ｌ 第３図 ２００　　６００　　１０００　　Ｈ３（ｎｍ）不トタ
゛イ汀−ドＰＤ２の分光罵１夏 第４図 邑５図 半導体光検出系子の製造工程（前半） 第６図 半導本光検出系子の製造工程（後半） 第７図 配列した構成の一例 第９図 １１ノ　　　　山 ・惠１０図 袖のてう１い 第１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物を浅
   くドープして形成された第１の受光部と、前記半導体基
   板に第２導電型の不純物を深くドープして形成された第
   ２の受光部とを有する半導体光検出素子と、 前記第１の受光部の出力と前記第２の受光部の出力の差
   から紫外線検出出力を求める信号処理回路と を備えることを特徴とする半導体光検出装置。 ２、前記第１の受光部は紫外線から赤外線にわたる波長
   域において特に紫外線域で十分な感度を有し、前記第２
   の受光部は可視光から赤外線にわたる波長域において前
   記第１の受光部と同程度の感度を有し、前記信号処理回
   路は前記第１の受光部の出力から前記第２の受光部の出
   力を差し引くことにより紫外線検出出力を求めることを
   特徴とする請求項１記載の半導体光検出装置。 ３、第１導電型の半導体基板に第２導電型の不純物を浅
   くドープして形成された第１の受光部と、前記半導体基
   板に第２導電型の不純物を深くドープして形成された第
   ２の受光部とを有する半導体光検出素子に、紫外線を含
   む被検出光を照射する第１のステップと、 前記第１の受光部の出力から前記第２の受光部の出力を
   差し引くことにより紫外線検出出力を求める第２のステ
   ップと を備えることを特徴とする紫外線検出方法。 ４、第１導電型の半導体基板と、 この半導体基板に第２導電型の不純物を浅くドープして
   形成された第１の受光部と、 前記半導体基板の前記第１の受光部と近接した位置に、
   第２導電型の不純物を深くドープして形成された第２の
   受光部と、 前記第１および第２の受光部の表面を覆うように、同一
   の厚さで同一の透光性材料により形成された光透過膜と
   、 を備えることを特徴とする半導体光検出素子。 ５、前記半導体基板は、単結晶の基板と、この基板上に
   形成された第１導電型の半導体結晶成長層を含んで構成
   され、前記第１および第２の受光部をなす第２導電型の
   領域は前記半導体結晶成長層中に形成されていることを
   特徴とする請求項４記載の半導体光検出素子。 ６、第１導電型のシリコン基板の互いに近接した第１お
   よび第２の受光部形成領域表面に、それぞれ同一厚さの
   熱酸化による第１および第２の二酸化シリコン膜を形成
   する第１の工程と、前記第１の二酸化シリコン膜を介し
   て前記シリコン基板の前記第１の受光部形成領域に第２
   導電型の不純物を浅くドープすると共に、前記第２の二
   酸化シリコン膜を介して前記シリコン基板の前記第２の
   受光部形成領域に第２導電型の不純物を深くドープする
   第２の工程と、 前記第１および第２の受光部形成領域にオーミック電極
   を形成する第３の工程と、 を備えることを特徴とする半導体光検出素子の製造方法
   。 ７、前記第１の工程は、シリコン単結晶基板上に第１導
   電型のシリコン結晶成長層を形成した後、前記第１およ
   び第２の二酸化シリコン膜を形成する工程である請求項
   ６記載の半導体光検出素子の製造方法。