JPH01206549A - 複合表面分析装置 - Google Patents
複合表面分析装置Info
- Publication number
- JPH01206549A JPH01206549A JP63032158A JP3215888A JPH01206549A JP H01206549 A JPH01206549 A JP H01206549A JP 63032158 A JP63032158 A JP 63032158A JP 3215888 A JP3215888 A JP 3215888A JP H01206549 A JPH01206549 A JP H01206549A
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- electron
- analyzer
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- energy
- electrons
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Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 19
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- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
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- 238000000004 low energy electron diffraction Methods 0.000 description 7
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、試料の極表面状態を解析する場合に使用して
好適な複合表面分析装置に関する。
好適な複合表面分析装置に関する。
(ロ)従来の技術
試料の表面状態を調べるには、表面の組成、化学結合状
態および結晶構造を知ることが必要となる。そのため、
従来、表面分析装置として、オージェ電子分光装置、低
エネルギ電子回折(LEED)装置、反射電子回折(R
HEED)装置がそれぞれ提供されている。
態および結晶構造を知ることが必要となる。そのため、
従来、表面分析装置として、オージェ電子分光装置、低
エネルギ電子回折(LEED)装置、反射電子回折(R
HEED)装置がそれぞれ提供されている。
オージェ電子分光装置は、試料表面を電子線励起して発
生するオージェ電子を検出することより、元素の組成、
化学結合状態を分析することができるが、結晶構造を分
析するには適さない。また、LEED装置およびRHE
ED装置は、共に試料に電子線を照射して回折した回折
電子を検出することで結晶構造の情報を得ることができ
る。この場合、LEED装置は、試料に対して低エネル
ギ(lKeV以下)の電子線を垂直入射させる関係上、
バックグラウンドが多くなり、S/N比が悪く、高い検
出感度が得られない難点がある。これに対して、RHE
ED装置は、表面すれすれに高エネルギ(数十eV)の
電子線を入射さ仕るのセ、Br a g gの回折条件
を満たすことが容易で、かつ高い検出感度が得られる。
生するオージェ電子を検出することより、元素の組成、
化学結合状態を分析することができるが、結晶構造を分
析するには適さない。また、LEED装置およびRHE
ED装置は、共に試料に電子線を照射して回折した回折
電子を検出することで結晶構造の情報を得ることができ
る。この場合、LEED装置は、試料に対して低エネル
ギ(lKeV以下)の電子線を垂直入射させる関係上、
バックグラウンドが多くなり、S/N比が悪く、高い検
出感度が得られない難点がある。これに対して、RHE
ED装置は、表面すれすれに高エネルギ(数十eV)の
電子線を入射さ仕るのセ、Br a g gの回折条件
を満たすことが容易で、かつ高い検出感度が得られる。
したがって、結晶構造解析のためには、LEED装置よ
りもRHEED装置の方がよく使用されている。
りもRHEED装置の方がよく使用されている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
ところで、近年は、試料表面の組成、化学結合状態およ
び結晶構造を相互に対応付けて多面的に解析する必要性
から、上記の各表面分析装置を複合化することが試みら
れている。この場合、オージェ電子分光装置とLEED
装置は、共に試料表面に対して垂直に電子線を照射して
試料から放射された電子を検出できるので、幾何学的な
配置構成を共通化することが容易であり、そのため、従
来技術として、オージェ電子分光装置と低エネルギ電子
回折(LEED)装置を結合させた複合表面分析装置が
提供されている。
び結晶構造を相互に対応付けて多面的に解析する必要性
から、上記の各表面分析装置を複合化することが試みら
れている。この場合、オージェ電子分光装置とLEED
装置は、共に試料表面に対して垂直に電子線を照射して
試料から放射された電子を検出できるので、幾何学的な
配置構成を共通化することが容易であり、そのため、従
来技術として、オージェ電子分光装置と低エネルギ電子
回折(LEED)装置を結合させた複合表面分析装置が
提供されている。
これに対して、RHEED装置では、電子線を初めから
試料表面に対して傾斜させて入射させるので、回折電子
は入射側には戻らず、反対方向に出射される。そのため
、LEED装置に代えてRHEED装置をそのままオー
ジェ電子分光装置と単純に結合させることは難しく、し
たがって、従来技術では、オージェ電子分光装置とRH
EED装置を結合させたものは未だ提供されていない。
試料表面に対して傾斜させて入射させるので、回折電子
は入射側には戻らず、反対方向に出射される。そのため
、LEED装置に代えてRHEED装置をそのままオー
ジェ電子分光装置と単純に結合させることは難しく、し
たがって、従来技術では、オージェ電子分光装置とRH
EED装置を結合させたものは未だ提供されていない。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、オージェ電子分光装置とRHEED装置を結合させ
ることが可能であり、これによって、試料表面の組成、
化学結合状態および結晶構造を相互に対応付けて多面的
に解析できる複合表面分析装置を提供することを目的と
する。
て、オージェ電子分光装置とRHEED装置を結合させ
ることが可能であり、これによって、試料表面の組成、
化学結合状態および結晶構造を相互に対応付けて多面的
に解析できる複合表面分析装置を提供することを目的と
する。
(ハ)課題を解決するための手段
本発明は、上記の目的を達成するために、次の構成を採
る。
る。
すなわち、本発明の複合表面分析装置では、試料表面に
対して傾斜配置される電子銃を備え、この電子銃から試
料表面に照射された電子線の出射側にエネルギアナライ
ザを配置するとともに、このエネルギアナライザの出射
側には蛍光板を対向配置し、かつ、前記蛍光板とエネル
ギアナライザとの間に電子検出器を挿脱自在に設けてい
る。
対して傾斜配置される電子銃を備え、この電子銃から試
料表面に照射された電子線の出射側にエネルギアナライ
ザを配置するとともに、このエネルギアナライザの出射
側には蛍光板を対向配置し、かつ、前記蛍光板とエネル
ギアナライザとの間に電子検出器を挿脱自在に設けてい
る。
(ホ)作用
上記構成において、RHEED装置として使用する場合
には、電子銃からの高エネルギの電子線が試料表面すれ
すれに入射される。試料表面で回折された回折電子は、
エネルギアナライザに入射され、所定の回折電子のみが
このエネルギアナライザを通過して蛍光板に照射される
。これにより、蛍光板の反射回折像に基づいて結晶構造
の情報を得ることができる。
には、電子銃からの高エネルギの電子線が試料表面すれ
すれに入射される。試料表面で回折された回折電子は、
エネルギアナライザに入射され、所定の回折電子のみが
このエネルギアナライザを通過して蛍光板に照射される
。これにより、蛍光板の反射回折像に基づいて結晶構造
の情報を得ることができる。
一方、オージェ電子分光装置として使用する場合には、
エネルギアナライザの出射口の対向位置に電子検出器を
挿入配置する。そして、電子線照射により試料表面から
発生されたオージェ電子は、エネルギアナライザに入射
され、所定のオージェ電子のみがエネルギアナライザを
通過して電子検出器で検出される。これにより、試料表
面の組成、化学結合状態の情報を得ることができる。
エネルギアナライザの出射口の対向位置に電子検出器を
挿入配置する。そして、電子線照射により試料表面から
発生されたオージェ電子は、エネルギアナライザに入射
され、所定のオージェ電子のみがエネルギアナライザを
通過して電子検出器で検出される。これにより、試料表
面の組成、化学結合状態の情報を得ることができる。
(へ)実施例
図面は本発明の複合表面分析装置の構成図である。この
実施例の複合表面分析装置lは、試料2の表面に対して
傾斜配置される電子銃4を備える。
実施例の複合表面分析装置lは、試料2の表面に対して
傾斜配置される電子銃4を備える。
また、この電子銃4から試料2表面に照射された電子線
の出射側には球面静電型のエネルギアナライザ6が配置
されている。このエネルギアナライザ6の入射側焦点は
試料2の電子線照射位置と一致するように設定されてい
る。また、試料2の電子線照射位置に近接させて、試料
表面から発生される余分なX線、紫外線、熱電子、可視
光線等(特に、試料を加熱したような場合に顕著に放出
される)が後述する蛍光板8に散乱照射されないように
遮蔽部材7が配置されている。一方、エネルギアナライ
ザ6の出射側には回折電子像を得るための蛍光板8が対
向配置され、さらに、エネルギアナライザ6の出射側と
蛍光板8との間には、チャンネルトロン等の電子検出器
10が挿脱自在に設けられている。
の出射側には球面静電型のエネルギアナライザ6が配置
されている。このエネルギアナライザ6の入射側焦点は
試料2の電子線照射位置と一致するように設定されてい
る。また、試料2の電子線照射位置に近接させて、試料
表面から発生される余分なX線、紫外線、熱電子、可視
光線等(特に、試料を加熱したような場合に顕著に放出
される)が後述する蛍光板8に散乱照射されないように
遮蔽部材7が配置されている。一方、エネルギアナライ
ザ6の出射側には回折電子像を得るための蛍光板8が対
向配置され、さらに、エネルギアナライザ6の出射側と
蛍光板8との間には、チャンネルトロン等の電子検出器
10が挿脱自在に設けられている。
次に、上記構成を有する複合表面分析装置の分析動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
(i)RHEED装置として使用する場合この場合には
、電子検出器lOはエネルギアナライザ6の出射口6b
から放出される電子の障害とならないように離しておく
。また、エネルギアナライザ6の静電圧が回折電子のエ
ネルギに合わせて最適値に設定される。
、電子検出器lOはエネルギアナライザ6の出射口6b
から放出される電子の障害とならないように離しておく
。また、エネルギアナライザ6の静電圧が回折電子のエ
ネルギに合わせて最適値に設定される。
この状態で、電子銃4からの高エネルギの電子線を試料
2の表面すれすれに入射させる。そして、試料2表面で
回折された回折電子は、エネルギアナライザ6の入射口
6aに入射される。電子線照射により、試料2の表面か
らは回折電子のみならず、余分なX線、紫外線、熱電子
、可視光線等も発生するが、これらはエネルギアナライ
ザ6により除かれ、所定のエネルギをもつ入射電子のみ
がエネルギアナライザ6を通過してその出射口6bから
蛍光板8に照射される。入射口6aと出射口6bへ入射
、出射角度が保存されるような本例のようなエネルギー
アナライザを選べば、蛍光板8には回折パターンが保存
されたまま現われる。
2の表面すれすれに入射させる。そして、試料2表面で
回折された回折電子は、エネルギアナライザ6の入射口
6aに入射される。電子線照射により、試料2の表面か
らは回折電子のみならず、余分なX線、紫外線、熱電子
、可視光線等も発生するが、これらはエネルギアナライ
ザ6により除かれ、所定のエネルギをもつ入射電子のみ
がエネルギアナライザ6を通過してその出射口6bから
蛍光板8に照射される。入射口6aと出射口6bへ入射
、出射角度が保存されるような本例のようなエネルギー
アナライザを選べば、蛍光板8には回折パターンが保存
されたまま現われる。
これにより、S/N比の高い反射回折像が得られる。
(11)オージェ電子分光装置として使用する場合この
場合には、エネルギアナライザ6の出射側焦点の位置に
電子検出器lOを挿入配置する。また、エネルギアナラ
イザlOの静電圧がオージェ電子のエネルギに合わせて
最適値に設定される。
場合には、エネルギアナライザ6の出射側焦点の位置に
電子検出器lOを挿入配置する。また、エネルギアナラ
イザlOの静電圧がオージェ電子のエネルギに合わせて
最適値に設定される。
この状態で、電子銃4からの電子線を試料2表面に照射
する。電子線照射により試料2表面から発生されたオー
ジェ電子は、エネルギアナライザ6の入射口6aに入射
され、所定のエネルギをもっオージェ電子のみがエネル
ギーナライザ6を通過してその出射口6bから出射され
て電子検出器10で検出される。これにより、試料表面
の組成、化学結合状態の情報を得ることができる。
する。電子線照射により試料2表面から発生されたオー
ジェ電子は、エネルギアナライザ6の入射口6aに入射
され、所定のエネルギをもっオージェ電子のみがエネル
ギーナライザ6を通過してその出射口6bから出射され
て電子検出器10で検出される。これにより、試料表面
の組成、化学結合状態の情報を得ることができる。
(ト)効果
本発明によれば、オーノエ電子分光装置とRT−IEE
D装置を複合化させることが可能となり、これによって
、試料表面の組成、化学結合状態および結晶構造を相互
に対応付けて多面的に解析でさるようになる等の優れた
効果が発揮される。
D装置を複合化させることが可能となり、これによって
、試料表面の組成、化学結合状態および結晶構造を相互
に対応付けて多面的に解析でさるようになる等の優れた
効果が発揮される。
図面は本発明の複合表面分析装置の構成図である。
l・・・複合表面分析装置、2・・・試料、4・・・電
子銃、6・・・エネルギアナライザ、8・・蛍光板、1
0・・・電子検出器。
子銃、6・・・エネルギアナライザ、8・・蛍光板、1
0・・・電子検出器。
Claims (1)
- (1)試料表面に対して傾斜配置される電子銃を備え、
この電子銃から試料表面に照射された電子線の出射側に
エネルギアナライザを配置するとともに、このエネルギ
アナライザの出射側には蛍光板を対向配置し、かつ、前
記蛍光板とエネルギアナライザとの間に電子検出器を挿
脱自在に設けたことを特徴とする複合表面分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63032158A JPH01206549A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 複合表面分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63032158A JPH01206549A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 複合表面分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01206549A true JPH01206549A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12351122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63032158A Pending JPH01206549A (ja) | 1988-02-15 | 1988-02-15 | 複合表面分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01206549A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048686A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
-
1988
- 1988-02-15 JP JP63032158A patent/JPH01206549A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007048686A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Ebara Corp | 検出装置及び検査装置 |
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