JPH01200071A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
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- JPH01200071A JPH01200071A JP2322788A JP2322788A JPH01200071A JP H01200071 A JPH01200071 A JP H01200071A JP 2322788 A JP2322788 A JP 2322788A JP 2322788 A JP2322788 A JP 2322788A JP H01200071 A JPH01200071 A JP H01200071A
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- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 230000005653 Brownian motion process Effects 0.000 description 6
- 238000005537 brownian motion Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高真空度を形成する真空排気装置に関し、排気速度の向
上を目的とし、 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気装
置において、該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメ
ントを加熱し、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめて
ゲッタ面を形成したゲッタチャソバの吸気口部に、前記
真空チャンバの外部から操作可能な遮蔽板を設けて構成
する。
上を目的とし、 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気装
置において、該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメ
ントを加熱し、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめて
ゲッタ面を形成したゲッタチャソバの吸気口部に、前記
真空チャンバの外部から操作可能な遮蔽板を設けて構成
する。
本発明は半導体装置の製造工程等で使用される高真空度
の排気装置に係り、特に排気速度の向上を図った真空排
気装置に関する。
の排気装置に係り、特に排気速度の向上を図った真空排
気装置に関する。
一般に１×１０三Ｔｏｒｒ程度の超高真空度を得る場合
には、通常ロータリポンプ、ターボ分子ポンプ。
には、通常ロータリポンプ、ターボ分子ポンプ。
イオンポンプ、ゲッタポンプ等を順次使用して段階的に
真空度を上げる手段をとっている。
真空度を上げる手段をとっている。
特に最終段階で使用するゲッタポンプでは、−般にチタ
ン（Ｔｉ）の如き活性金属の原子をゲッタチャンバの側
壁に付着させ、該ゲッタチャンバ内および該チャンバと
連絡している真空チャンバ内でブラウン運動している気
体原子を上記チタン原子に吸着させることによって真空
度の向上を図っている。
ン（Ｔｉ）の如き活性金属の原子をゲッタチャンバの側
壁に付着させ、該ゲッタチャンバ内および該チャンバと
連絡している真空チャンバ内でブラウン運動している気
体原子を上記チタン原子に吸着させることによって真空
度の向上を図っている。
この場合、チタン原子をゲッタチャンバの側壁に付着さ
せる時に真空チャンバ内に配設している半導体ウェハ等
の被加工物に該チタン（Ｔｉ）原子を付着させてはなら
ず、このためゲッタチャソバの吸気口部分にチタン原子
の被加工物方向への流出を遮断し且つ真空チャンバ内の
気体原子のみを逆に透過するパフフルを配設している。
せる時に真空チャンバ内に配設している半導体ウェハ等
の被加工物に該チタン（Ｔｉ）原子を付着させてはなら
ず、このためゲッタチャソバの吸気口部分にチタン原子
の被加工物方向への流出を遮断し且つ真空チャンバ内の
気体原子のみを逆に透過するパフフルを配設している。
第２図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
であり、（Ａ）は全体構成図をまた（Ｂ）はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
であり、（Ａ）は全体構成図をまた（Ｂ）はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
図（Ａ）で、１は真空チャンバであり２は半導体ウェハ
等の被加工物３を配設する載置台を示している。
等の被加工物３を配設する載置台を示している。
また４は真空チャンバ１の内部を所要の真空度の近傍ま
で排気するポンプを示し、該ポンプ４とは別の場所に破
線で示すゲッタポンプ５を配設している。なお６は該ゲ
ッタポンプ５を制御する電源部分である。
で排気するポンプを示し、該ポンプ４とは別の場所に破
線で示すゲッタポンプ５を配設している。なお６は該ゲ
ッタポンプ５を制御する電源部分である。
図（Ｂ）でゲッタポンプ５は、ステンレス鋼よりなる内
径が３００ｍｍ程度の円筒状のゲッタチャンバ１０とそ
の中心軸近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状の
チタン（Ｔｉ）からなるフィラメント１１および真空チ
ャンバ１に固定された厚さ２１程度のステンレス板より
なる同心円の斜め原状に形成したバッフル１２とで構成
されており、上記ゲッタチャンバ１０の円筒壁の内部に
は液体注入ポート１０ａから矢示Ａ方向に注入する液体
１３が壁内を循環して液体排出ボート１０ｂから矢示Ｂ
方向に排出するように連続した中空部１０ｃを設けてい
る。なお１４はフィラメント１１を真空チャンバ１に対
して絶縁保持する絶縁保持具で６は図（Ａ）と同様の電
源部分である。
径が３００ｍｍ程度の円筒状のゲッタチャンバ１０とそ
の中心軸近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状の
チタン（Ｔｉ）からなるフィラメント１１および真空チ
ャンバ１に固定された厚さ２１程度のステンレス板より
なる同心円の斜め原状に形成したバッフル１２とで構成
されており、上記ゲッタチャンバ１０の円筒壁の内部に
は液体注入ポート１０ａから矢示Ａ方向に注入する液体
１３が壁内を循環して液体排出ボート１０ｂから矢示Ｂ
方向に排出するように連続した中空部１０ｃを設けてい
る。なお１４はフィラメント１１を真空チャンバ１に対
して絶縁保持する絶縁保持具で６は図（Ａ）と同様の電
源部分である。
かかる構成になる真空ポンプで例えば１×１０三Ｔｏｒ
ｒ程度の超高真空度を得るには、通常はまずポンプ４で
ほぼＩ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒ程度の真空度まで到達させ
た後、上記ゲッタポンプ５を作動させて所要の真空度に
到達させている。
ｒ程度の超高真空度を得るには、通常はまずポンプ４で
ほぼＩ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒ程度の真空度まで到達させ
た後、上記ゲッタポンプ５を作動させて所要の真空度に
到達させている。
この場合上記ゲッタポンプ５は、ゲッタチャンバ１０の
円筒壁内部に例えば冷却水（Ｉ＋ ２０ ）または液体
窒素等の液体を循環させて該ゲッタチャンバ１０を冷却
させた状態で、上記のフィラメンＨ１を約３０分程度通
電加熱してチタン（Ｔｉ）原子を昇華蒸発させる。この
昇華蒸発するチタン（Ｔｉ）原子は直進するためその大
部分は冷却状態にある上記ゲッタチャンバ１０の内壁１
０ｄ部分に付着してゲッタ面を形成する。一方その一部
は被加工物３の方向に進むが、該ゲッタポンプ５の端部
近傍に設けた斜め原状のパンフル１２で遮断されるので
前記の真空チャンバ１の内壁および被加工物３に付着す
ることがない。
円筒壁内部に例えば冷却水（Ｉ＋ ２０ ）または液体
窒素等の液体を循環させて該ゲッタチャンバ１０を冷却
させた状態で、上記のフィラメンＨ１を約３０分程度通
電加熱してチタン（Ｔｉ）原子を昇華蒸発させる。この
昇華蒸発するチタン（Ｔｉ）原子は直進するためその大
部分は冷却状態にある上記ゲッタチャンバ１０の内壁１
０ｄ部分に付着してゲッタ面を形成する。一方その一部
は被加工物３の方向に進むが、該ゲッタポンプ５の端部
近傍に設けた斜め原状のパンフル１２で遮断されるので
前記の真空チャンバ１の内壁および被加工物３に付着す
ることがない。
一部チタン原子は活性であるためその周囲に浮遊する気
体原子を吸着する。
体原子を吸着する。
従ってゲッタチャンバｌＯの内壁１０ｄ部分に付着した
チタン原子によるゲッタ面がその周囲でブラウン運動し
ている気体原子を強力に吸着することから、該ゲッタチ
ャンバｌＯ内部ひいては真空チャンバｌ内の真空度を上
げている。
チタン原子によるゲッタ面がその周囲でブラウン運動し
ている気体原子を強力に吸着することから、該ゲッタチ
ャンバｌＯ内部ひいては真空チャンバｌ内の真空度を上
げている。
この際、真空チャンバ１内にある気体原子はブラウン運
動をしながら順次バッフル１２を通過してゲッタチャン
バの方に移動するが、バッフル１２を通過する時にブラ
ウン運動が該パンフル１２によって阻害されることから
、該バッフル１２部分における気体の通過し易さ（以下
コンダクタンスとする）が悪くなり排気装置としての排
気速度を低下させる原因となっている。
動をしながら順次バッフル１２を通過してゲッタチャン
バの方に移動するが、バッフル１２を通過する時にブラ
ウン運動が該パンフル１２によって阻害されることから
、該バッフル１２部分における気体の通過し易さ（以下
コンダクタンスとする）が悪くなり排気装置としての排
気速度を低下させる原因となっている。
従来の真空排気装置では、ゲッタポンプの吸気口近傍に
設けているパンフルが排気速度の低下を肩し所要真空度
に到達するのに時間がかがると云う問題があった。
設けているパンフルが排気速度の低下を肩し所要真空度
に到達するのに時間がかがると云う問題があった。
上記問題点は、真空チャンバの一部にゲッタポンプを備
えた真空排気装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部がら操作可能な遮蔽坂を設けてなる真空排気装置
によって解決される。
えた真空排気装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部がら操作可能な遮蔽坂を設けてなる真空排気装置
によって解決される。
ゲッタポンプを排気速度を上げて効率よく作動させるに
は、チタン原子を所要部分のみに付着させると共に真空
チャンバ内の気体原子をブラウン運動を阻害することな
く上記ゲッタチャンバ内に移動させて吸着させることが
必要である。
は、チタン原子を所要部分のみに付着させると共に真空
チャンバ内の気体原子をブラウン運動を阻害することな
く上記ゲッタチャンバ内に移動させて吸着させることが
必要である。
本発明になる真空排気装置では、ゲッタポンプのフィラ
メント加熱時すなわちチタン原子の昇華蒸発時のみ吸気
口近傍に設ける遮蔽板を動作させて該チタン原子のゲッ
タチャンバからの飛び出しを遮断し、フィラメント加熱
終了後は該遮蔽板を除去する構成としている。
メント加熱時すなわちチタン原子の昇華蒸発時のみ吸気
口近傍に設ける遮蔽板を動作させて該チタン原子のゲッ
タチャンバからの飛び出しを遮断し、フィラメント加熱
終了後は該遮蔽板を除去する構成としている。
従って被加工物をチタン原子で汚染することなく真空排
気装置としての排気速度を向上させることが可能である
。
気装置としての排気速度を向上させることが可能である
。
第１図は本発明になる真空排気装置の構成例を示した図
であり、（＾）は全体構成図をまた（Ｂ）はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
であり、（＾）は全体構成図をまた（Ｂ）はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
図（Ａ）で、真空チャンバ１．載置台２．被加工物３．
ポンプ４．電源部分６．絶縁保持具１４はいずれも第２
図と同様のものであり、破線で示す２０はゲッタポンプ
部分を示している。
ポンプ４．電源部分６．絶縁保持具１４はいずれも第２
図と同様のものであり、破線で示す２０はゲッタポンプ
部分を示している。
図（Ｂ）でゲッタポンプ２０は、第２図同様のステンレ
ス鋼よりなる円筒状のゲッタチャンバ１０とその中心軸
近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状のチタン（
Ｔｉ）からなるフィラメント１１と、Ｃ〜Ｃ断面におけ
る円内図の如く真空チャンバｌの隔壁を通して大気中か
ら真空中へ回転運動を伝達する市販の真空回転導入機２
１の真空側の回転軸２１ａに固定され且つ厚さ２ｍｍ程
度でチタン原子が遮断できる大きさを有するほぼ円形の
ステンレスよりなる遮蔽！７ｉｊ２２とで構成されてい
る。
ス鋼よりなる円筒状のゲッタチャンバ１０とその中心軸
近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状のチタン（
Ｔｉ）からなるフィラメント１１と、Ｃ〜Ｃ断面におけ
る円内図の如く真空チャンバｌの隔壁を通して大気中か
ら真空中へ回転運動を伝達する市販の真空回転導入機２
１の真空側の回転軸２１ａに固定され且つ厚さ２ｍｍ程
度でチタン原子が遮断できる大きさを有するほぼ円形の
ステンレスよりなる遮蔽！７ｉｊ２２とで構成されてい
る。
なおゲッタチャンバ１０の円筒壁の内部に、液体注入ポ
ート１０ａから注入する液体１３が壁内を循環した後液
体排出ポー１−１０ｂから排出するように連続した中空
部１０ｃが設けられていることは第２図で説明した通り
である。
ート１０ａから注入する液体１３が壁内を循環した後液
体排出ポー１−１０ｂから排出するように連続した中空
部１０ｃが設けられていることは第２図で説明した通り
である。
かかる構成になる真空排気装置では、真空回転導入機２
１の大気側の回転軸２１ｂを操作して真空側の回転軸２
１ａを回転させて図示ａ位置の如く遮蔽板２２でゲッタ
チャンバｌＯの吸気口を遮蔽した状態でフィラメント１
１を第２図記載の条件で加熱し、チタン（Ｔｉ）原子を
冷却状態にあるゲッタチャンバ１０の内壁１０ｄ部分に
付着させてゲッタ面を形成している。
１の大気側の回転軸２１ｂを操作して真空側の回転軸２
１ａを回転させて図示ａ位置の如く遮蔽板２２でゲッタ
チャンバｌＯの吸気口を遮蔽した状態でフィラメント１
１を第２図記載の条件で加熱し、チタン（Ｔｉ）原子を
冷却状態にあるゲッタチャンバ１０の内壁１０ｄ部分に
付着させてゲッタ面を形成している。
この際被加工物３の方向に向かうチタン（Ｔｉ）原子は
遮蔽板２２で遮断されるため、真空チャンバ１の内壁お
よび被加工物３に付着してこれらを汚染することがない
。
遮蔽板２２で遮断されるため、真空チャンバ１の内壁お
よび被加工物３に付着してこれらを汚染することがない
。
またフィラメント１１の加熱終了後は上記真空回転導入
機２１の大気側回転軸２１ｂを逆に操作して前記の遮蔽
板２２を図示す位置に動かしている。
機２１の大気側回転軸２１ｂを逆に操作して前記の遮蔽
板２２を図示す位置に動かしている。
従って真空チャンバ１内にある気体原子はそのブラウン
運動が阻害されることなく真空チャンバ１とゲッタチャ
ンバｌＯ内を自由に動き回ることができるので、該真空
排気装置の排気速度を向上させることができる。
運動が阻害されることなく真空チャンバ１とゲッタチャ
ンバｌＯ内を自由に動き回ることができるので、該真空
排気装置の排気速度を向上させることができる。
なお、従来の固定パンフルを装着した時の排気速度をＳ
ｌ とし、パフフルを除去した場合の排気速度を３２と
すると、およそ Ｓ＋＝１／３・Ｓｌ となる。
ｌ とし、パフフルを除去した場合の排気速度を３２と
すると、およそ Ｓ＋＝１／３・Ｓｌ となる。
従って、所要真空度に到達するまでの時間を従来の時間
に対してほぼ１／３〜１／２程度の範囲に短縮すること
ができる。
に対してほぼ１／３〜１／２程度の範囲に短縮すること
ができる。
上述の如く本発明によって、被加工物を汚染することな
く排気速度が向上する真空排気装置を提供することがで
きる。
く排気速度が向上する真空排気装置を提供することがで
きる。
第１図は本発明になる真空排気装置の構成例を示した図
、 第２図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
、 である。図において、 １は真空チャンバ、 ２は載置台、 ３は被加工物、 ４はポンプ、 ６は電源部分、 １０はゲッタチャンバ、１０ａは液体注入ポート、１０
ｂは液体排出ボート、 １０ｃは中空部、 １０ｄは内壁、１１はフィラメ
ント、 １３は液体、 １４は絶縁保持具、 ２０はゲッタポンプ、 ２１は真空回転導入機、２１ａ
、 ｂは回転軸、 ２２は遮蔽板、をそれぞれ表わし
ている。 ノし４１９月になる真ぢこよ体女Ｂ柾１シつ４１成手り
Ｉｔｉした７第 １ 図
、 第２図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
、 である。図において、 １は真空チャンバ、 ２は載置台、 ３は被加工物、 ４はポンプ、 ６は電源部分、 １０はゲッタチャンバ、１０ａは液体注入ポート、１０
ｂは液体排出ボート、 １０ｃは中空部、 １０ｄは内壁、１１はフィラメ
ント、 １３は液体、 １４は絶縁保持具、 ２０はゲッタポンプ、 ２１は真空回転導入機、２１ａ
、 ｂは回転軸、 ２２は遮蔽板、をそれぞれ表わし
ている。 ノし４１９月になる真ぢこよ体女Ｂ柾１シつ４１成手り
Ｉｔｉした７第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気
装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部から操作可能な遮蔽板を設けたことを特徴とする
真空排気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322788A JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322788A JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01200071A true JPH01200071A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12104743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322788A Pending JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01200071A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03242476A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 真空処理方法 |
| WO1997017542A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with neg pump |
| JPH09168732A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US6241477B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ getter in process cavity of processing chamber |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2322788A patent/JPH01200071A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03242476A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 真空処理方法 |
| WO1997017542A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with neg pump |
| US5935395A (en) * | 1995-11-08 | 1999-08-10 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump |
| JPH09168732A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
| US6241477B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ getter in process cavity of processing chamber |
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