JPH01200071A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
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- JPH01200071A JPH01200071A JP2322788A JP2322788A JPH01200071A JP H01200071 A JPH01200071 A JP H01200071A JP 2322788 A JP2322788 A JP 2322788A JP 2322788 A JP2322788 A JP 2322788A JP H01200071 A JPH01200071 A JP H01200071A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高真空度を形成する真空排気装置に関し、排気速度の向
上を目的とし、 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気装
置において、該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメ
ントを加熱し、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめて
ゲッタ面を形成したゲッタチャソバの吸気口部に、前記
真空チャンバの外部から操作可能な遮蔽板を設けて構成
する。
上を目的とし、 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気装
置において、該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメ
ントを加熱し、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめて
ゲッタ面を形成したゲッタチャソバの吸気口部に、前記
真空チャンバの外部から操作可能な遮蔽板を設けて構成
する。
本発明は半導体装置の製造工程等で使用される高真空度
の排気装置に係り、特に排気速度の向上を図った真空排
気装置に関する。
の排気装置に係り、特に排気速度の向上を図った真空排
気装置に関する。
一般に1×10三Torr程度の超高真空度を得る場合
には、通常ロータリポンプ、ターボ分子ポンプ。
には、通常ロータリポンプ、ターボ分子ポンプ。
イオンポンプ、ゲッタポンプ等を順次使用して段階的に
真空度を上げる手段をとっている。
真空度を上げる手段をとっている。
特に最終段階で使用するゲッタポンプでは、−般にチタ
ン(Ti)の如き活性金属の原子をゲッタチャンバの側
壁に付着させ、該ゲッタチャンバ内および該チャンバと
連絡している真空チャンバ内でブラウン運動している気
体原子を上記チタン原子に吸着させることによって真空
度の向上を図っている。
ン(Ti)の如き活性金属の原子をゲッタチャンバの側
壁に付着させ、該ゲッタチャンバ内および該チャンバと
連絡している真空チャンバ内でブラウン運動している気
体原子を上記チタン原子に吸着させることによって真空
度の向上を図っている。
この場合、チタン原子をゲッタチャンバの側壁に付着さ
せる時に真空チャンバ内に配設している半導体ウェハ等
の被加工物に該チタン(Ti)原子を付着させてはなら
ず、このためゲッタチャソバの吸気口部分にチタン原子
の被加工物方向への流出を遮断し且つ真空チャンバ内の
気体原子のみを逆に透過するパフフルを配設している。
せる時に真空チャンバ内に配設している半導体ウェハ等
の被加工物に該チタン(Ti)原子を付着させてはなら
ず、このためゲッタチャソバの吸気口部分にチタン原子
の被加工物方向への流出を遮断し且つ真空チャンバ内の
気体原子のみを逆に透過するパフフルを配設している。
第2図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
であり、(A)は全体構成図をまた(B)はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
であり、(A)は全体構成図をまた(B)はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
図(A)で、1は真空チャンバであり2は半導体ウェハ
等の被加工物3を配設する載置台を示している。
等の被加工物3を配設する載置台を示している。
また4は真空チャンバ1の内部を所要の真空度の近傍ま
で排気するポンプを示し、該ポンプ4とは別の場所に破
線で示すゲッタポンプ5を配設している。なお6は該ゲ
ッタポンプ5を制御する電源部分である。
で排気するポンプを示し、該ポンプ4とは別の場所に破
線で示すゲッタポンプ5を配設している。なお6は該ゲ
ッタポンプ5を制御する電源部分である。
図(B)でゲッタポンプ5は、ステンレス鋼よりなる内
径が300mm程度の円筒状のゲッタチャンバ10とそ
の中心軸近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状の
チタン(Ti)からなるフィラメント11および真空チ
ャンバ1に固定された厚さ21程度のステンレス板より
なる同心円の斜め原状に形成したバッフル12とで構成
されており、上記ゲッタチャンバ10の円筒壁の内部に
は液体注入ポート10aから矢示A方向に注入する液体
13が壁内を循環して液体排出ボート10bから矢示B
方向に排出するように連続した中空部10cを設けてい
る。なお14はフィラメント11を真空チャンバ1に対
して絶縁保持する絶縁保持具で6は図(A)と同様の電
源部分である。
径が300mm程度の円筒状のゲッタチャンバ10とそ
の中心軸近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状の
チタン(Ti)からなるフィラメント11および真空チ
ャンバ1に固定された厚さ21程度のステンレス板より
なる同心円の斜め原状に形成したバッフル12とで構成
されており、上記ゲッタチャンバ10の円筒壁の内部に
は液体注入ポート10aから矢示A方向に注入する液体
13が壁内を循環して液体排出ボート10bから矢示B
方向に排出するように連続した中空部10cを設けてい
る。なお14はフィラメント11を真空チャンバ1に対
して絶縁保持する絶縁保持具で6は図(A)と同様の電
源部分である。
かかる構成になる真空ポンプで例えば1×10三Tor
r程度の超高真空度を得るには、通常はまずポンプ4で
ほぼI X 10=Torr程度の真空度まで到達させ
た後、上記ゲッタポンプ5を作動させて所要の真空度に
到達させている。
r程度の超高真空度を得るには、通常はまずポンプ4で
ほぼI X 10=Torr程度の真空度まで到達させ
た後、上記ゲッタポンプ5を作動させて所要の真空度に
到達させている。
この場合上記ゲッタポンプ5は、ゲッタチャンバ10の
円筒壁内部に例えば冷却水(I+ 20 )または液体
窒素等の液体を循環させて該ゲッタチャンバ10を冷却
させた状態で、上記のフィラメンH1を約30分程度通
電加熱してチタン(Ti)原子を昇華蒸発させる。この
昇華蒸発するチタン(Ti)原子は直進するためその大
部分は冷却状態にある上記ゲッタチャンバ10の内壁1
0d部分に付着してゲッタ面を形成する。一方その一部
は被加工物3の方向に進むが、該ゲッタポンプ5の端部
近傍に設けた斜め原状のパンフル12で遮断されるので
前記の真空チャンバ1の内壁および被加工物3に付着す
ることがない。
円筒壁内部に例えば冷却水(I+ 20 )または液体
窒素等の液体を循環させて該ゲッタチャンバ10を冷却
させた状態で、上記のフィラメンH1を約30分程度通
電加熱してチタン(Ti)原子を昇華蒸発させる。この
昇華蒸発するチタン(Ti)原子は直進するためその大
部分は冷却状態にある上記ゲッタチャンバ10の内壁1
0d部分に付着してゲッタ面を形成する。一方その一部
は被加工物3の方向に進むが、該ゲッタポンプ5の端部
近傍に設けた斜め原状のパンフル12で遮断されるので
前記の真空チャンバ1の内壁および被加工物3に付着す
ることがない。
一部チタン原子は活性であるためその周囲に浮遊する気
体原子を吸着する。
体原子を吸着する。
従ってゲッタチャンバlOの内壁10d部分に付着した
チタン原子によるゲッタ面がその周囲でブラウン運動し
ている気体原子を強力に吸着することから、該ゲッタチ
ャンバlO内部ひいては真空チャンバl内の真空度を上
げている。
チタン原子によるゲッタ面がその周囲でブラウン運動し
ている気体原子を強力に吸着することから、該ゲッタチ
ャンバlO内部ひいては真空チャンバl内の真空度を上
げている。
この際、真空チャンバ1内にある気体原子はブラウン運
動をしながら順次バッフル12を通過してゲッタチャン
バの方に移動するが、バッフル12を通過する時にブラ
ウン運動が該パンフル12によって阻害されることから
、該バッフル12部分における気体の通過し易さ(以下
コンダクタンスとする)が悪くなり排気装置としての排
気速度を低下させる原因となっている。
動をしながら順次バッフル12を通過してゲッタチャン
バの方に移動するが、バッフル12を通過する時にブラ
ウン運動が該パンフル12によって阻害されることから
、該バッフル12部分における気体の通過し易さ(以下
コンダクタンスとする)が悪くなり排気装置としての排
気速度を低下させる原因となっている。
従来の真空排気装置では、ゲッタポンプの吸気口近傍に
設けているパンフルが排気速度の低下を肩し所要真空度
に到達するのに時間がかがると云う問題があった。
設けているパンフルが排気速度の低下を肩し所要真空度
に到達するのに時間がかがると云う問題があった。
上記問題点は、真空チャンバの一部にゲッタポンプを備
えた真空排気装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部がら操作可能な遮蔽坂を設けてなる真空排気装置
によって解決される。
えた真空排気装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部がら操作可能な遮蔽坂を設けてなる真空排気装置
によって解決される。
ゲッタポンプを排気速度を上げて効率よく作動させるに
は、チタン原子を所要部分のみに付着させると共に真空
チャンバ内の気体原子をブラウン運動を阻害することな
く上記ゲッタチャンバ内に移動させて吸着させることが
必要である。
は、チタン原子を所要部分のみに付着させると共に真空
チャンバ内の気体原子をブラウン運動を阻害することな
く上記ゲッタチャンバ内に移動させて吸着させることが
必要である。
本発明になる真空排気装置では、ゲッタポンプのフィラ
メント加熱時すなわちチタン原子の昇華蒸発時のみ吸気
口近傍に設ける遮蔽板を動作させて該チタン原子のゲッ
タチャンバからの飛び出しを遮断し、フィラメント加熱
終了後は該遮蔽板を除去する構成としている。
メント加熱時すなわちチタン原子の昇華蒸発時のみ吸気
口近傍に設ける遮蔽板を動作させて該チタン原子のゲッ
タチャンバからの飛び出しを遮断し、フィラメント加熱
終了後は該遮蔽板を除去する構成としている。
従って被加工物をチタン原子で汚染することなく真空排
気装置としての排気速度を向上させることが可能である
。
気装置としての排気速度を向上させることが可能である
。
第1図は本発明になる真空排気装置の構成例を示した図
であり、(^)は全体構成図をまた(B)はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
であり、(^)は全体構成図をまた(B)はゲッタポン
プ部分の構成断面図である。
図(A)で、真空チャンバ1.載置台2.被加工物3.
ポンプ4.電源部分6.絶縁保持具14はいずれも第2
図と同様のものであり、破線で示す20はゲッタポンプ
部分を示している。
ポンプ4.電源部分6.絶縁保持具14はいずれも第2
図と同様のものであり、破線で示す20はゲッタポンプ
部分を示している。
図(B)でゲッタポンプ20は、第2図同様のステンレ
ス鋼よりなる円筒状のゲッタチャンバ10とその中心軸
近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状のチタン(
Ti)からなるフィラメント11と、C〜C断面におけ
る円内図の如く真空チャンバlの隔壁を通して大気中か
ら真空中へ回転運動を伝達する市販の真空回転導入機2
1の真空側の回転軸21aに固定され且つ厚さ2mm程
度でチタン原子が遮断できる大きさを有するほぼ円形の
ステンレスよりなる遮蔽!7ij22とで構成されてい
る。
ス鋼よりなる円筒状のゲッタチャンバ10とその中心軸
近傍の軸方向に配設したコイルスプリング状のチタン(
Ti)からなるフィラメント11と、C〜C断面におけ
る円内図の如く真空チャンバlの隔壁を通して大気中か
ら真空中へ回転運動を伝達する市販の真空回転導入機2
1の真空側の回転軸21aに固定され且つ厚さ2mm程
度でチタン原子が遮断できる大きさを有するほぼ円形の
ステンレスよりなる遮蔽!7ij22とで構成されてい
る。
なおゲッタチャンバ10の円筒壁の内部に、液体注入ポ
ート10aから注入する液体13が壁内を循環した後液
体排出ポー1−10bから排出するように連続した中空
部10cが設けられていることは第2図で説明した通り
である。
ート10aから注入する液体13が壁内を循環した後液
体排出ポー1−10bから排出するように連続した中空
部10cが設けられていることは第2図で説明した通り
である。
かかる構成になる真空排気装置では、真空回転導入機2
1の大気側の回転軸21bを操作して真空側の回転軸2
1aを回転させて図示a位置の如く遮蔽板22でゲッタ
チャンバlOの吸気口を遮蔽した状態でフィラメント1
1を第2図記載の条件で加熱し、チタン(Ti)原子を
冷却状態にあるゲッタチャンバ10の内壁10d部分に
付着させてゲッタ面を形成している。
1の大気側の回転軸21bを操作して真空側の回転軸2
1aを回転させて図示a位置の如く遮蔽板22でゲッタ
チャンバlOの吸気口を遮蔽した状態でフィラメント1
1を第2図記載の条件で加熱し、チタン(Ti)原子を
冷却状態にあるゲッタチャンバ10の内壁10d部分に
付着させてゲッタ面を形成している。
この際被加工物3の方向に向かうチタン(Ti)原子は
遮蔽板22で遮断されるため、真空チャンバ1の内壁お
よび被加工物3に付着してこれらを汚染することがない
。
遮蔽板22で遮断されるため、真空チャンバ1の内壁お
よび被加工物3に付着してこれらを汚染することがない
。
またフィラメント11の加熱終了後は上記真空回転導入
機21の大気側回転軸21bを逆に操作して前記の遮蔽
板22を図示す位置に動かしている。
機21の大気側回転軸21bを逆に操作して前記の遮蔽
板22を図示す位置に動かしている。
従って真空チャンバ1内にある気体原子はそのブラウン
運動が阻害されることなく真空チャンバ1とゲッタチャ
ンバlO内を自由に動き回ることができるので、該真空
排気装置の排気速度を向上させることができる。
運動が阻害されることなく真空チャンバ1とゲッタチャ
ンバlO内を自由に動き回ることができるので、該真空
排気装置の排気速度を向上させることができる。
なお、従来の固定パンフルを装着した時の排気速度をS
l とし、パフフルを除去した場合の排気速度を32と
すると、およそ S+=1/3・Sl となる。
l とし、パフフルを除去した場合の排気速度を32と
すると、およそ S+=1/3・Sl となる。
従って、所要真空度に到達するまでの時間を従来の時間
に対してほぼ1/3〜1/2程度の範囲に短縮すること
ができる。
に対してほぼ1/3〜1/2程度の範囲に短縮すること
ができる。
上述の如く本発明によって、被加工物を汚染することな
く排気速度が向上する真空排気装置を提供することがで
きる。
く排気速度が向上する真空排気装置を提供することがで
きる。
第1図は本発明になる真空排気装置の構成例を示した図
、 第2図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
、 である。図において、 1は真空チャンバ、 2は載置台、 3は被加工物、 4はポンプ、 6は電源部分、 10はゲッタチャンバ、10aは液体注入ポート、10
bは液体排出ボート、 10cは中空部、 10dは内壁、11はフィラメ
ント、 13は液体、 14は絶縁保持具、 20はゲッタポンプ、 21は真空回転導入機、21a
、 bは回転軸、 22は遮蔽板、をそれぞれ表わし
ている。 ノし419月になる真ぢこよ体女B柾1シつ41成手り
Itiした7第 1 図
、 第2図は従来の真空排気装置の主要部構成例を示した図
、 である。図において、 1は真空チャンバ、 2は載置台、 3は被加工物、 4はポンプ、 6は電源部分、 10はゲッタチャンバ、10aは液体注入ポート、10
bは液体排出ボート、 10cは中空部、 10dは内壁、11はフィラメ
ント、 13は液体、 14は絶縁保持具、 20はゲッタポンプ、 21は真空回転導入機、21a
、 bは回転軸、 22は遮蔽板、をそれぞれ表わし
ている。 ノし419月になる真ぢこよ体女B柾1シつ41成手り
Itiした7第 1 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空チャンバの一部にゲッタポンプを備えた真空排気
装置において、 該ゲッタポンプを構成するチタンフィラメントを加熱し
、昇華蒸発したチタン原子を付着せしめてゲッタ面を形
成したゲッタチャンバの吸気口部に、前記真空チャンバ
の外部から操作可能な遮蔽板を設けたことを特徴とする
真空排気装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2322788A JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2322788A JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01200071A true JPH01200071A (ja) | 1989-08-11 |
Family
ID=12104743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2322788A Pending JPH01200071A (ja) | 1988-02-03 | 1988-02-03 | 真空排気装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01200071A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03242476A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 真空処理方法 |
WO1997017542A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with neg pump |
JPH09168732A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
US6241477B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ getter in process cavity of processing chamber |
-
1988
- 1988-02-03 JP JP2322788A patent/JPH01200071A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03242476A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 真空処理方法 |
WO1997017542A1 (en) * | 1995-11-08 | 1997-05-15 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with neg pump |
US5935395A (en) * | 1995-11-08 | 1999-08-10 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump |
JPH09168732A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-06-30 | Hitachi Ltd | 真空処理装置 |
US6241477B1 (en) * | 1999-08-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | In-situ getter in process cavity of processing chamber |
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