JPH01191792A - 三弗化窒素の製造方法 - Google Patents
三弗化窒素の製造方法Info
- Publication number
- JPH01191792A JPH01191792A JP63014725A JP1472588A JPH01191792A JP H01191792 A JPH01191792 A JP H01191792A JP 63014725 A JP63014725 A JP 63014725A JP 1472588 A JP1472588 A JP 1472588A JP H01191792 A JPH01191792 A JP H01191792A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nh4f
- gas
- molten salt
- aqueous solution
- salt electrolysis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 28
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N (E)-4-oxonon-2-enal Chemical compound CCCCCC(=O)\C=C\C=O SEPPVOUBHWNCAW-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 4-one Natural products O1C(C(=O)CC)CC(C)C11C2(C)CCC(C3(C)C(C(C)(CO)C(OC4C(C(O)C(O)C(COC5C(C(O)C(O)CO5)OC5C(C(OC6C(C(O)C(O)C(CO)O6)O)C(O)C(CO)O5)OC5C(C(O)C(O)C(C)O5)O)O4)O)CC3)CC3)=C3C2(C)CC1 LLBZPESJRQGYMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N azaperone Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(=O)CCCN1CCN(C=2N=CC=CC=2)CC1 XTKDAFGWCDAMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- DUQAODNTUBJRGF-ONEGZZNKSA-N dinitrogen difluoride Chemical compound F\N=N\F DUQAODNTUBJRGF-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- -1 iron Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は三弗化窒素(Nh)の製造方法に関し、更に詳
しくは溶融塩電解法によるNF3の製造方法に関する。
しくは溶融塩電解法によるNF3の製造方法に関する。
〔従来技術及び発明が解決しようとする課題〕NFSは
沸点が一129℃、融点が一208°Cの物性を示す無
色の気体である。
沸点が一129℃、融点が一208°Cの物性を示す無
色の気体である。
NF3は半導体のドライエツチング剤やCVD装置のク
リーニングガスとして近年注目されているがこれらの用
途に使用されるNF、は高純度のものが要求されている
。
リーニングガスとして近年注目されているがこれらの用
途に使用されるNF、は高純度のものが要求されている
。
NF3の製造方法には種々の方法がある。その主なもの
を列記するとアンモニウム酸弗化物の溶融塩電解法(米
国特許3235474号公報)、アンモニウム酸弗化物
を溶融状態にて気相状の弗素と反応させる方法(特公昭
55−8926号公報)、固体状の金属弗化物のアンモ
ニウム錯体と元素状弗素(F2)を反応させる方法(特
公昭62−21724号公報)、酸性フッ化アンモニウ
ムまたはフッ化アンモニウムと弗化水素を原料とするN
H,F −HF系や、これに更に酸性フン化カリウムま
たはフッ化カリウムを原料として加えたKF −NH,
F −IP系での溶融塩電解法(特公昭47−1641
8号公報)などがある。
を列記するとアンモニウム酸弗化物の溶融塩電解法(米
国特許3235474号公報)、アンモニウム酸弗化物
を溶融状態にて気相状の弗素と反応させる方法(特公昭
55−8926号公報)、固体状の金属弗化物のアンモ
ニウム錯体と元素状弗素(F2)を反応させる方法(特
公昭62−21724号公報)、酸性フッ化アンモニウ
ムまたはフッ化アンモニウムと弗化水素を原料とするN
H,F −HF系や、これに更に酸性フン化カリウムま
たはフッ化カリウムを原料として加えたKF −NH,
F −IP系での溶融塩電解法(特公昭47−1641
8号公報)などがある。
しかしながらこれらの方法で製造されたNF3は亜酸化
窒素(StO) 、二酸化炭素(Coり 、二弗化二窒
素(NzFz)、弗化水素(HF)、四弗化炭素(CF
4)など種々の不純物を含んでおり、本発明で対象とす
る溶融塩電解法で得られるNFsも同様である。従って
、溶融塩電解法で得られたNFSを半導体のドライエツ
チング剤やCVD装置のクリーニングガスとして使用す
るためには、上記各種不純物を除去し高純度のNF3と
するための精製が必要である。
窒素(StO) 、二酸化炭素(Coり 、二弗化二窒
素(NzFz)、弗化水素(HF)、四弗化炭素(CF
4)など種々の不純物を含んでおり、本発明で対象とす
る溶融塩電解法で得られるNFsも同様である。従って
、溶融塩電解法で得られたNFSを半導体のドライエツ
チング剤やCVD装置のクリーニングガスとして使用す
るためには、上記各種不純物を除去し高純度のNF3と
するための精製が必要である。
これらの不純物を除去する方法としては下記する方法が
知られている。すなわち(1)HFは生成した粗NF、
ガスを100℃前後に加熱した弗化ナトリウム充填塔に
導き、吸着除去する方法で簡便に実施することができる
。 (2)Nzo及びCotなどのような比較的高沸点
の成分は、ゼオライトなどの吸着剤と接触させることで
効率よく除去することができる(ChelIl、Eng
、 、84.116. (1977)等) 、 (s)
Nip。
知られている。すなわち(1)HFは生成した粗NF、
ガスを100℃前後に加熱した弗化ナトリウム充填塔に
導き、吸着除去する方法で簡便に実施することができる
。 (2)Nzo及びCotなどのような比較的高沸点
の成分は、ゼオライトなどの吸着剤と接触させることで
効率よく除去することができる(ChelIl、Eng
、 、84.116. (1977)等) 、 (s)
Nip。
はKISHl、Na1S、 NatS宜Oa 、NFl
xSOs等の水溶液と接触させる方法が知られている(
J、 Massonne+ケミ−・インジェニュール・
テヒニーク(Chew、 Ing。
xSOs等の水溶液と接触させる方法が知られている(
J、 Massonne+ケミ−・インジェニュール・
テヒニーク(Chew、 Ing。
Techn、) 41. (12)、 695.(19
69)) 、また本発明者等が先に出願した固体酸化物
または固体塩化物と接触させる方法(特願昭61−29
7645号及び特願昭62−27398号)、紫外線を
照射する方法(特願昭62−28336号)によっても
効率よく除去することができる。
69)) 、また本発明者等が先に出願した固体酸化物
または固体塩化物と接触させる方法(特願昭61−29
7645号及び特願昭62−27398号)、紫外線を
照射する方法(特願昭62−28336号)によっても
効率よく除去することができる。
しかしながら、CFaのような炭素化合物は上記した各
方法では除去されず、その効果的な除去方法は未だ知ら
れていない、またCF、はその沸点が一128℃であっ
て、NF3の沸点と非常に接近しているのでNFsの深
冷蒸留によっても分離が実質的に不可能である。
方法では除去されず、その効果的な除去方法は未だ知ら
れていない、またCF、はその沸点が一128℃であっ
て、NF3の沸点と非常に接近しているのでNFsの深
冷蒸留によっても分離が実質的に不可能である。
このような状況から、上記各方法で精製されたNF2中
には、通常CF、が100〜200重量pp情程度含有
されている。これが大きく影響して現在市販されている
ものの純度は99.98〜99.99容量%程度が限度
であり、最近の更なる高純度の要求を満足していないの
が実状である。またNF、中にCF。
には、通常CF、が100〜200重量pp情程度含有
されている。これが大きく影響して現在市販されている
ものの純度は99.98〜99.99容量%程度が限度
であり、最近の更なる高純度の要求を満足していないの
が実状である。またNF、中にCF。
が含有されていると、このNF3を使用して半導体のド
ライエツチングやCVD装置のクリーニングを行った場
合、十分満足する結果が得られないという問題もある。
ライエツチングやCVD装置のクリーニングを行った場
合、十分満足する結果が得られないという問題もある。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者等はか
かる状況に鑑み、CF、の含有量が少なく、併せて極め
て高純度なNF、を溶融塩電解法によって得る方法につ
いて、鋭意検討を重ねた結果本発明を完成するに至った
ものである。
かる状況に鑑み、CF、の含有量が少なく、併せて極め
て高純度なNF、を溶融塩電解法によって得る方法につ
いて、鋭意検討を重ねた結果本発明を完成するに至った
ものである。
すなわち、本発明の三弗化窒素の製造方法は、酸性弗化
アンモニウムと無水弗化水素を原料とする溶融塩電解法
により三弗化窒素を製造するに際し、有機化合物の含有
量が炭素(C)として50重量ppm以下の酸性弗化ア
ンモニウムを使用することを特徴とするものである。
アンモニウムと無水弗化水素を原料とする溶融塩電解法
により三弗化窒素を製造するに際し、有機化合物の含有
量が炭素(C)として50重量ppm以下の酸性弗化ア
ンモニウムを使用することを特徴とするものである。
本発明を更に詳細に説明する。
本発明においては、有機化合物の含有量が、Cとして5
0重量pp−以下の酸性弗化アンモニウム(N11.F
−HF)を使用するので、先ずこれを入手しなければ
ならない、しかし現在市販のN)1.F −BP中には
有機物がCとして200〜300重量ppm程度含有さ
れている。
0重量pp−以下の酸性弗化アンモニウム(N11.F
−HF)を使用するので、先ずこれを入手しなければ
ならない、しかし現在市販のN)1.F −BP中には
有機物がCとして200〜300重量ppm程度含有さ
れている。
かかるNH,F −HF中の有機物含有量をCとして5
0重量ppm以下にする方法としては、いかなる方法で
もよいが、好ましくは、先ず該N)1.F −BPを水
に溶解させて水溶液とした後、(1)この水溶液を活性
炭と接触させる方法、(2)晶析法によりこの水溶液か
らNH4F −HFを析出させる方法のいずれかもしく
はこれを組みあわせる方法により、容易に実施すること
かできる。
0重量ppm以下にする方法としては、いかなる方法で
もよいが、好ましくは、先ず該N)1.F −BPを水
に溶解させて水溶液とした後、(1)この水溶液を活性
炭と接触させる方法、(2)晶析法によりこの水溶液か
らNH4F −HFを析出させる方法のいずれかもしく
はこれを組みあわせる方法により、容易に実施すること
かできる。
この場合(1)の方法においては、NH,F −HF水
溶液の温度は95°C以下とすることが好ましい、その
理由は上記温度を越えるとN)1.F −IPの気化並
びに分解が起こり始めるからである。従ってNH4F
−HF水溶液の温度は95°C以下でかつ活性炭との接
触掻作に支障のない範囲で高い程NH,F −HFの濃
度を高くすることができるので好ましく、通常60〜8
0°Cで実施される。またNH,F −HFの濃度は高
い程好ましいが、活性炭と接触させる際のNH4F −
HF結晶の析出を防止する必要上、上記温度における飽
和溶解度より5重量%程度低い濃度が好ましい。
溶液の温度は95°C以下とすることが好ましい、その
理由は上記温度を越えるとN)1.F −IPの気化並
びに分解が起こり始めるからである。従ってNH4F
−HF水溶液の温度は95°C以下でかつ活性炭との接
触掻作に支障のない範囲で高い程NH,F −HFの濃
度を高くすることができるので好ましく、通常60〜8
0°Cで実施される。またNH,F −HFの濃度は高
い程好ましいが、活性炭と接触させる際のNH4F −
HF結晶の析出を防止する必要上、上記温度における飽
和溶解度より5重量%程度低い濃度が好ましい。
本発明においては、使用する活性炭はその種類を特に限
定するものではな(、その形状も粉状、粒状の何れでも
良い、ただし粉状活性炭を使用する場合は、NH,F
−1(F水溶液中へ粉状活性炭を添加しこれをよ(混合
した後、粉状活性炭を濾別により分離する。
定するものではな(、その形状も粉状、粒状の何れでも
良い、ただし粉状活性炭を使用する場合は、NH,F
−1(F水溶液中へ粉状活性炭を添加しこれをよ(混合
した後、粉状活性炭を濾別により分離する。
かくして分離して得られた濾液であるNIl、F −)
HF水溶液は、これを加熱して水分を蒸発しNH4F
−IFを結晶として析出(iffi縮晶析)させてスラ
リーとするが、上記水分の蒸発はNH4F −HF水溶
液の沸点が95°C以下、好ましくは80℃以下となる
ような減圧下で行なうことが望ましい。
HF水溶液は、これを加熱して水分を蒸発しNH4F
−IFを結晶として析出(iffi縮晶析)させてスラ
リーとするが、上記水分の蒸発はNH4F −HF水溶
液の沸点が95°C以下、好ましくは80℃以下となる
ような減圧下で行なうことが望ましい。
次にこのスラリーはフィルタープレス、オリバーフィル
ター等通常公知の濾過機または遠心分離機で濾別し、得
られた結晶は乾燥して水分を除去するが、該乾燥して得
られたN)1.F −HFを、本発明においては、溶融
塩電解法によるNFsの製造における原料として使用す
るので、このNH4F −HPは水分を極力完全に除去
することが好ましい、尚、上記乾燥においてはNH,F
−HFの気化並びに分解を避けるため、乾燥温度は9
5°C以下、好ましく80’C以下で実施される。乾燥
はこのようにさほど高(ない温度で実施されるので、真
空乾燥機などを使用し減圧下で乾燥するのが好ましい。
ター等通常公知の濾過機または遠心分離機で濾別し、得
られた結晶は乾燥して水分を除去するが、該乾燥して得
られたN)1.F −HFを、本発明においては、溶融
塩電解法によるNFsの製造における原料として使用す
るので、このNH4F −HPは水分を極力完全に除去
することが好ましい、尚、上記乾燥においてはNH,F
−HFの気化並びに分解を避けるため、乾燥温度は9
5°C以下、好ましく80’C以下で実施される。乾燥
はこのようにさほど高(ない温度で実施されるので、真
空乾燥機などを使用し減圧下で乾燥するのが好ましい。
また、この際の粉状活性炭の使用量は、活性炭の種類、
NHaF−HF水溶液の濃度等により異なりうるが、N
H,F −IF純分に対し5〜20重量%程度が好まし
い0粒状活性炭を使用する場合は、例えば粒状活性炭を
カラム等へ充填した後、この粒状活性炭層へNH4F
−HF水溶液を通液する方法で行なわれる0通液後のN
H,F −HF水溶液は上記粉状活性炭を使用する場合
と同様に濃縮晶析、結晶分離、乾燥してNIl、F −
HF結晶とする。
NHaF−HF水溶液の濃度等により異なりうるが、N
H,F −IF純分に対し5〜20重量%程度が好まし
い0粒状活性炭を使用する場合は、例えば粒状活性炭を
カラム等へ充填した後、この粒状活性炭層へNH4F
−HF水溶液を通液する方法で行なわれる0通液後のN
H,F −HF水溶液は上記粉状活性炭を使用する場合
と同様に濃縮晶析、結晶分離、乾燥してNIl、F −
HF結晶とする。
また、(2)の方法を採用する場合、NH4F・IIF
HF水溶液NH4F −HF結晶を晶析させる方法は、
fi縮晶析または冷却晶析の何れでもよいが、NH4F
−IPは第1図に示す様に、溶解度曲線における温度
勾配が相当に大きいので、熱エネルギー的な見地から冷
却晶析が好ましい、しかして、冷却晶析を採用する場合
、N)1.F −HF水溶液は温度を70〜80℃とし
その温度における飽和溶解度濃度ないしはそれより茗干
低い濃度とした後、これを冷却しNH,F −HF結晶
を析出させる。この際の冷却温度は低い程好ましいが、
通常、水等の冷媒を用いて常温程度まで冷却することで
充分である。
HF水溶液NH4F −HF結晶を晶析させる方法は、
fi縮晶析または冷却晶析の何れでもよいが、NH4F
−IPは第1図に示す様に、溶解度曲線における温度
勾配が相当に大きいので、熱エネルギー的な見地から冷
却晶析が好ましい、しかして、冷却晶析を採用する場合
、N)1.F −HF水溶液は温度を70〜80℃とし
その温度における飽和溶解度濃度ないしはそれより茗干
低い濃度とした後、これを冷却しNH,F −HF結晶
を析出させる。この際の冷却温度は低い程好ましいが、
通常、水等の冷媒を用いて常温程度まで冷却することで
充分である。
このようにして冷却され赳水溶液は、NH,F −HF
結晶が析出していてスラリーとなっているので、活性炭
を使用する場合と同様にこのスラリーを濾別してNH,
F −11F結晶を得、これを乾燥する。尚、上記濾別
時にNH,F −HF結晶は適量の水で洗浄するのが好
ましい、また、濾別により得られる濾液はNH,F −
IPの溶解に再利用すればよい。
結晶が析出していてスラリーとなっているので、活性炭
を使用する場合と同様にこのスラリーを濾別してNH,
F −11F結晶を得、これを乾燥する。尚、上記濾別
時にNH,F −HF結晶は適量の水で洗浄するのが好
ましい、また、濾別により得られる濾液はNH,F −
IPの溶解に再利用すればよい。
尚、上記濾別時のNH,F −HF結晶の水による洗浄
及び濾液の再利用は、活性炭を使用する(1)の方法を
採用する場合にも同様にして適用することができる。
及び濾液の再利用は、活性炭を使用する(1)の方法を
採用する場合にも同様にして適用することができる。
また、(1)の活性炭を使用する場合でも、活性炭と接
触させたN)14F −)HF水溶液からN114F
−HF結晶を得る方法としては、前記の濃縮晶析法でも
良いが上記の如き冷却晶析法でも差支えない。
触させたN)14F −)HF水溶液からN114F
−HF結晶を得る方法としては、前記の濃縮晶析法でも
良いが上記の如き冷却晶析法でも差支えない。
以上のようにして得られたNH,F −HF結晶は、有
機物含有量がCとして50重量ppta以下に充分低下
しており、本発明の目的に好適に使用することが可能で
ある。なお、Cが50重量ppmを越えるものを使用し
た場合は、得られる製品NF2中のCF、の含有量がき
わだって多(なり本発明の目的を達成することが出来な
い、有機物Cの含有量は、例えば水に溶解したサンプル
を電気炉で燃焼し、発生するCOlをIR分析すること
により求められる。
機物含有量がCとして50重量ppta以下に充分低下
しており、本発明の目的に好適に使用することが可能で
ある。なお、Cが50重量ppmを越えるものを使用し
た場合は、得られる製品NF2中のCF、の含有量がき
わだって多(なり本発明の目的を達成することが出来な
い、有機物Cの含有量は、例えば水に溶解したサンプル
を電気炉で燃焼し、発生するCOlをIR分析すること
により求められる。
本発明においては、例えばこのようにして得られた、有
機物含有量がCとして50重量pp+s以下のNll4
F・IIFを使用して溶融塩電解法によりNF、を製造
するが、この溶融塩電解は従来公知の方法で実施される
。
機物含有量がCとして50重量pp+s以下のNll4
F・IIFを使用して溶融塩電解法によりNF、を製造
するが、この溶融塩電解は従来公知の方法で実施される
。
すなわち電解槽中にNIl、F −)IPと無水HFを
仕込み温度を100〜150 ’C程度に保持してNH
,F −HF系電解浴を形成する。この場合の)IP/
NH4Fモル比は1.5〜2.0程度が適当である0次
に電解槽に設けられている電極(陽極及び陰極)に直流
の電流を通電して溶融塩電解を行なう。
仕込み温度を100〜150 ’C程度に保持してNH
,F −HF系電解浴を形成する。この場合の)IP/
NH4Fモル比は1.5〜2.0程度が適当である0次
に電解槽に設けられている電極(陽極及び陰極)に直流
の電流を通電して溶融塩電解を行なう。
溶融塩電解法によるNF3製造の際使用可能な電極の材
質は、陽極としてはニッケル、黒鉛、炭素、白金などが
公知であるが、黒鉛及び炭素はCF。
質は、陽極としてはニッケル、黒鉛、炭素、白金などが
公知であるが、黒鉛及び炭素はCF。
が少量ではあるが生成する可能性があるので好ましくな
く、また白金は高価であるので経済的ではない、従って
本発明では専らニッケルが使用される。陰極としては鉄
、モネル合金、銅など各種金属が使用可能であるが、廉
価な点で通常鉄が使用され本発明でも同様である。
く、また白金は高価であるので経済的ではない、従って
本発明では専らニッケルが使用される。陰極としては鉄
、モネル合金、銅など各種金属が使用可能であるが、廉
価な点で通常鉄が使用され本発明でも同様である。
電解時の電圧は5〜IOV 、電流密度は1〜15A/
dm”程度で実施される。
dm”程度で実施される。
この溶融塩電解によって陽極からはNhガスが、また陰
極からはH2ガスが発生する。尚、電解槽には第2図に
その一例を示す如く、発生したNF3ガスとH2ガスの
混合をさけるため陽極と陰極の間に隔板が設けである。
極からはH2ガスが発生する。尚、電解槽には第2図に
その一例を示す如く、発生したNF3ガスとH2ガスの
混合をさけるため陽極と陰極の間に隔板が設けである。
電極から発生したNFsガス及び)I□ガスは混合しな
いように別々に系外に導かれ、NFiは前述の如く含有
する各種不純物を従来公知の各方法により除去し精製さ
れる。
いように別々に系外に導かれ、NFiは前述の如く含有
する各種不純物を従来公知の各方法により除去し精製さ
れる。
尚、電解に際しては電解反応をマイルドに進行させるた
めと、陽極室と陰極室の圧力を極力均等に維持する目的
で、窒素ガスなどのガスをキャリヤーガスとして陽極室
及び陰極室へそれぞれ適量装入している。
めと、陽極室と陰極室の圧力を極力均等に維持する目的
で、窒素ガスなどのガスをキャリヤーガスとして陽極室
及び陰極室へそれぞれ適量装入している。
以下実施例及び比較例により本発明を具体的に説明する
。尚実施例、比較例中の%及びpp−は特記しない限り
重量基準を示す、また、C量は、島津製作所製TOC計
により、またCF41はガスクロにより求めた。
。尚実施例、比較例中の%及びpp−は特記しない限り
重量基準を示す、また、C量は、島津製作所製TOC計
により、またCF41はガスクロにより求めた。
実施例1
イオン交換水60kgに、有機物をCとして250pp
m含有する市販の工業用NH,F −IF結晶117k
gを加えた後、これを撹拌した状態で75℃まで昇温し
NH4F・IP結晶を完溶させて水溶液とした(濃度的
66%)。
m含有する市販の工業用NH,F −IF結晶117k
gを加えた後、これを撹拌した状態で75℃まで昇温し
NH4F・IP結晶を完溶させて水溶液とした(濃度的
66%)。
次に、この水溶液に18kgの粉状活性炭を添加し75
°Cの温度で1時間撹拌した後、ミリポアフィルタ−で
濾過して添加した粉状活性炭を濾別し、清澄なNH4F
−HF水溶液を得た。
°Cの温度で1時間撹拌した後、ミリポアフィルタ−で
濾過して添加した粉状活性炭を濾別し、清澄なNH4F
−HF水溶液を得た。
次いで、この水溶液を容積1801のジャケット付容器
に入れ、水溶液を撹拌した状態で真空ポンプを用いて容
器内を100mmHg abs、の圧力に減圧にし、こ
の減圧下でジャケットに圧力6Kg/c+a Gのスチ
ームを通して容器内の水溶液を加熱し、水を約30kg
蒸発させてNH4F −)IP結晶を析出させスラリー
とした(スラリー濃度54.5%)。
に入れ、水溶液を撹拌した状態で真空ポンプを用いて容
器内を100mmHg abs、の圧力に減圧にし、こ
の減圧下でジャケットに圧力6Kg/c+a Gのスチ
ームを通して容器内の水溶液を加熱し、水を約30kg
蒸発させてNH4F −)IP結晶を析出させスラリー
とした(スラリー濃度54.5%)。
このスラリーを遠心分離機に供給し固液分離して、含水
率4.5%のNH4F −HF結晶81kgと濾液65
.1kgを得た。尚、遠心分離機における結晶分離の際
に、イオン交換水をノズルにて連続的に結晶にスプレー
し、洗浄した(イオン交換水の使用量合計2.7ffi
)、上記で分離された結晶を次に真空乾燥機を用いて、
圧力100 =150mmHg abs、、温度70〜
75°Cで2時間乾燥し、有機物含有量がCとして25
ppm 、水分含有量0.05%のN11.F −HF
結晶76.5kgを得た。
率4.5%のNH4F −HF結晶81kgと濾液65
.1kgを得た。尚、遠心分離機における結晶分離の際
に、イオン交換水をノズルにて連続的に結晶にスプレー
し、洗浄した(イオン交換水の使用量合計2.7ffi
)、上記で分離された結晶を次に真空乾燥機を用いて、
圧力100 =150mmHg abs、、温度70〜
75°Cで2時間乾燥し、有機物含有量がCとして25
ppm 、水分含有量0.05%のN11.F −HF
結晶76.5kgを得た。
次に、このNH,F −1(F結晶と市販の無水OFを
原料とし、第2図に示す溶融塩電解装置(電極は陽極に
ニッケル板、陰極に鉄板を使用し、電解槽本体も鉄製で
あった。)を用いて、NFsの製造を行った。
原料とし、第2図に示す溶融塩電解装置(電極は陽極に
ニッケル板、陰極に鉄板を使用し、電解槽本体も鉄製で
あった。)を用いて、NFsの製造を行った。
即ち、上記NH4F−HF結晶59kgと無水11F1
8kgを電解槽1へ装入(HF/NH,Fモル比−1,
9)L、て電解浴3を形成し、この電解浴3を110−
130℃に維持しながら、5〜7ボルトの直流の電流を
50〜200アンペア陽極4から陰極5へ通電し溶融塩
電解を130時間行った。尚、この時の電極板の電流密
度は9〜IIA/da”であった。また、溶融塩電解時
はキャリヤーガスとして窒素ガスを、導管9、lOによ
り陽極室7及び陰極室8へそれぞれ60〜7ONlハの
流量でフィードした。
8kgを電解槽1へ装入(HF/NH,Fモル比−1,
9)L、て電解浴3を形成し、この電解浴3を110−
130℃に維持しながら、5〜7ボルトの直流の電流を
50〜200アンペア陽極4から陰極5へ通電し溶融塩
電解を130時間行った。尚、この時の電極板の電流密
度は9〜IIA/da”であった。また、溶融塩電解時
はキャリヤーガスとして窒素ガスを、導管9、lOによ
り陽極室7及び陰極室8へそれぞれ60〜7ONlハの
流量でフィードした。
溶融塩電解により陽極4からはNF3ガスが、陰極5か
らは水素ガス(H2)が発生し、それらはそれぞれ導管
11及び12により糸外に導いた。この時の導管11の
ガス(粗NFmガス)量は、20〜3ON!!、でNF
sの濃度は20〜30容量%であり、導管12のガス量
は100〜12ONj!/hでIIgの濃度は50〜6
0容量%であった。
らは水素ガス(H2)が発生し、それらはそれぞれ導管
11及び12により糸外に導いた。この時の導管11の
ガス(粗NFmガス)量は、20〜3ON!!、でNF
sの濃度は20〜30容量%であり、導管12のガス量
は100〜12ONj!/hでIIgの濃度は50〜6
0容量%であった。
この粗Nhガスを前記従来公知の精製方法で精製した。
即ち、粗NFIガスは先ず加熱弗化ナトリウム充填塔へ
通気してIFを除去し、次いでこのガスを液体窒素で一
190℃に冷却してNFsを液化し、キャリヤーガスで
あるNtガスと分離した。液化NF3は再び気化させガ
ス状とした後、含有する1hFz、Nzo 、Cot等
の不純物を除去した。
通気してIFを除去し、次いでこのガスを液体窒素で一
190℃に冷却してNFsを液化し、キャリヤーガスで
あるNtガスと分離した。液化NF3は再び気化させガ
ス状とした後、含有する1hFz、Nzo 、Cot等
の不純物を除去した。
精製後のNFSガスの純度及びCF4の含有量の分析を
行なったところ第1表に示す通りであった。
行なったところ第1表に示す通りであった。
実施例2
イオン交換水40kgを約80°Cに加熱し、撹拌しな
がらこれに有機物をCとして2soppm含有する市販
の工業用NH,F −HF結晶94kgを添加して、8
0℃の温度でIll、F −11Fを完全に溶解した後
、このNll4F −11F水溶液中の微量の固形物を
ミリポアフィルタ−で除去して清澄な水溶液とした0次
に、このNH4F・IF水溶液を容積120iのジャケ
ット付容器に入れ水溶液を撹拌した状態でジャケットに
海水を通水して20℃迄冷却し、NH,F −up結晶
を析出させスラリーとした(スラリー濃度52%)。
がらこれに有機物をCとして2soppm含有する市販
の工業用NH,F −HF結晶94kgを添加して、8
0℃の温度でIll、F −11Fを完全に溶解した後
、このNll4F −11F水溶液中の微量の固形物を
ミリポアフィルタ−で除去して清澄な水溶液とした0次
に、このNH4F・IF水溶液を容積120iのジャケ
ット付容器に入れ水溶液を撹拌した状態でジャケットに
海水を通水して20℃迄冷却し、NH,F −up結晶
を析出させスラリーとした(スラリー濃度52%)。
このスラリーを、実施例1と同様にして、固液分離、真
空乾燥して、有機物含有量がCとして201)I)11
%水分含有量が0.05%のNH4F −HF結晶6
8kgを得た。
空乾燥して、有機物含有量がCとして201)I)11
%水分含有量が0.05%のNH4F −HF結晶6
8kgを得た。
次に、このNH4F・HF結晶59kgと市販の無水H
F18kgを用いて(OF/Nt14Fモル比−1,9
)、実施例1と同様にして130時間溶融塩電解を行っ
た。
F18kgを用いて(OF/Nt14Fモル比−1,9
)、実施例1と同様にして130時間溶融塩電解を行っ
た。
溶融塩電解により得られた粗NFsガス中のNF3の濃
度は20〜30容量%であった。
度は20〜30容量%であった。
この粗NF3ガスを実施例1と同様な方法で精製して第
1表に示す組成のNF3ガスを得た。
1表に示す組成のNF3ガスを得た。
比較例1
実施例1で使用したと同じ市販の工業用NH,F・訃結
晶(有機物含有量がCとして250ppm )59kg
を、実施例1と同様な方法で24時間真空乾燥して水分
含有量を0.04%とした。
晶(有機物含有量がCとして250ppm )59kg
を、実施例1と同様な方法で24時間真空乾燥して水分
含有量を0.04%とした。
このNH4F −IFと市販の無水HF18kgを用い
て(IIP/NH4Fモル比−1,9)、実施例1と同
様に130時間溶融塩電解を行った。溶融塩電解により
得られた粗NFsガス中のNFs 14度は20〜30
容量%であった。
て(IIP/NH4Fモル比−1,9)、実施例1と同
様に130時間溶融塩電解を行った。溶融塩電解により
得られた粗NFsガス中のNFs 14度は20〜30
容量%であった。
この粗NF!ガスを実施例1と同様な方法で精製して第
1表に示す組成のNFiガスを得た。
1表に示す組成のNFiガスを得た。
第1表
〔発明の効果〕
以上詳細に説明した如(、本発明の要旨とするところは
NHaF−IPを原料とする溶融塩電解法によりNFz
を製造する際に、原料NI1.F −)IFの品質とし
て有機物含有量がCとして50pp−以下のものを使用
するというものであり、これにより実施例及び比較例が
示す如く、本発明の方法により得られたNhは、これを
それ自体い従来公知の方法で精製することにより、従来
の製造方法及び精製方法により得られたものに比較して
、CF、の含有量が極めて少ないものとすることが出来
るのである。
NHaF−IPを原料とする溶融塩電解法によりNFz
を製造する際に、原料NI1.F −)IFの品質とし
て有機物含有量がCとして50pp−以下のものを使用
するというものであり、これにより実施例及び比較例が
示す如く、本発明の方法により得られたNhは、これを
それ自体い従来公知の方法で精製することにより、従来
の製造方法及び精製方法により得られたものに比較して
、CF、の含有量が極めて少ないものとすることが出来
るのである。
しかも、かくして得られたNF3は、従来の方法で得ら
れたものより一段と高純度であるので、半導体のドライ
エツチング剤やCvD装置のクリーニングガスとして市
場の要求を十分満足するものであり、本発明の効果は極
めて大なるものがある。
れたものより一段と高純度であるので、半導体のドライ
エツチング剤やCvD装置のクリーニングガスとして市
場の要求を十分満足するものであり、本発明の効果は極
めて大なるものがある。
第1図はNH4F −11F水溶液の溶解度曲線を示す
グラフであり、第2図は本発明の実施例及び比較例で使
用した溶融塩電解装置を示す説明図である。 図において 1−−−一電解槽零体 2−−−一蓋板3−−−−
電解浴 4−−−一陽極5−−−−陰極
6−−−−隔板7−−−−陽極室 8−
一一一陰極室9.10−−−一導管 11.12−−−−キャリヤーガス導入管13.14.
15.16−−−−弁 17.1B−−−一圧力計を
示す。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
グラフであり、第2図は本発明の実施例及び比較例で使
用した溶融塩電解装置を示す説明図である。 図において 1−−−一電解槽零体 2−−−一蓋板3−−−−
電解浴 4−−−一陽極5−−−−陰極
6−−−−隔板7−−−−陽極室 8−
一一一陰極室9.10−−−一導管 11.12−−−−キャリヤーガス導入管13.14.
15.16−−−−弁 17.1B−−−一圧力計を
示す。 特許出願人 三井東圧化学株式会社
Claims (1)
- (1)酸性弗化アンモニウムと無水弗化水素を原料とす
る溶融塩電解法により三弗化窒素を製造するに際し、有
機化合物の含有量が炭素(C)として50重量ppm以
下の酸性弗化アンモニウムを使用することを特徴とする
三弗化窒素の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63014725A JPH01191792A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 三弗化窒素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63014725A JPH01191792A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 三弗化窒素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01191792A true JPH01191792A (ja) | 1989-08-01 |
JPH0563556B2 JPH0563556B2 (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=11869106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63014725A Granted JPH01191792A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 三弗化窒素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01191792A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03140488A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電解槽 |
CN106222688A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-12-14 | 浙江博瑞电子科技有限公司 | 一种氟化氢铵电解制取三氟化氮的方法 |
KR20190063250A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 효성화학 주식회사 | 내구성이 향상된 금속전극 및 이의 제조방법 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014725A patent/JPH01191792A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03140488A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 電解槽 |
CN106222688A (zh) * | 2016-07-19 | 2016-12-14 | 浙江博瑞电子科技有限公司 | 一种氟化氢铵电解制取三氟化氮的方法 |
KR20190063250A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 효성화학 주식회사 | 내구성이 향상된 금속전극 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0563556B2 (ja) | 1993-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100641603B1 (ko) | 고순도 불소의 제조방법 | |
CN109941978B (zh) | 制备双氟磺酰亚胺铵及双氟磺酰亚胺碱金属盐的方法 | |
US4975259A (en) | Method of liquefying and condensing nitrogen trifluoride and a method of purifying nitrogen trifluoride | |
CN102515132A (zh) | 一种生产高纯六氟磷酸锂的方法 | |
JP3483099B2 (ja) | ヘキサフルオロリン酸リチウムの製造方法 | |
US2385483A (en) | Recovery and purification of iodine | |
JPH01191792A (ja) | 三弗化窒素の製造方法 | |
US4247532A (en) | Purification of electrolytically-produced chlorine | |
CN112457270A (zh) | 一种二氯五氯甲基噻唑制备方法 | |
JP2002527329A (ja) | 硫酸アンモニウム精製方法 | |
HU195469B (en) | Process for production of l-malic acid | |
JPH06298720A (ja) | フルオロアルキルスルホン酸の精製方法 | |
US5266292A (en) | Method of extracting dinitrogen pentoxide from its mixture with nitric acid | |
EP0300859A2 (en) | Method for producing single crystals of anhydrous sodium sulfide. | |
JPS58190820A (ja) | 無水ホウフツ化リチウムの製法 | |
JPH06298506A (ja) | 六フッ化リン酸リチウムの精製法 | |
US3117837A (en) | Separation of ammonium salt into nh3 and acid | |
US3965247A (en) | Recovery of sodium nitrite from by-product process liquors containing sodium chloride | |
CA1086922A (en) | Purification of chlorine gas | |
KR101411733B1 (ko) | 삼불화질소 제조 방법 | |
US20230178804A1 (en) | Processes for producing lithium bis(fluorosulfonyl) imide | |
KR930007411B1 (ko) | 불소화합물을 함유한 에칭폐액의 처리방법 및 불화암모늄의 제조방법 | |
SU1723040A1 (ru) | Способ получени гептафторотанталата кали | |
KR800001378B1 (ko) | 염소가스의 정제방법 | |
KR860000556B1 (ko) | 정제염산의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |