JPH01181420A - プロキシミテイ露光装置 - Google Patents
プロキシミテイ露光装置Info
- Publication number
- JPH01181420A JPH01181420A JP63002985A JP298588A JPH01181420A JP H01181420 A JPH01181420 A JP H01181420A JP 63002985 A JP63002985 A JP 63002985A JP 298588 A JP298588 A JP 298588A JP H01181420 A JPH01181420 A JP H01181420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photomask
- mask
- exposure apparatus
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、その表面に７オトレジストを塗布した基板
上へフォトマスク上のパターンを露光するために用いら
れる露光装置に関し、殊に、マスクと基板とを微小間隙
だけ隔てて平行に保持した状態で露光を行うプロキシミ
ティ露光装置に関するものである。
上へフォトマスク上のパターンを露光するために用いら
れる露光装置に関し、殊に、マスクと基板とを微小間隙
だけ隔てて平行に保持した状態で露光を行うプロキシミ
ティ露光装置に関するものである。
（従来の技術）
この種の露光装置としては、従来より例えば第２図に示
すものが知られている（光工学ハンドフック第６８２頁
朝倉書店 昭和６１年２月発行）。
すものが知られている（光工学ハンドフック第６８２頁
朝倉書店 昭和６１年２月発行）。
それは基板１０１とフォトマスク１０６とを微小間隙だ
け隔てて平木に保持し、露光光学系１１０による平行な
照射光で基板１０１の表面に塗布した７オトレジスト上
にフォトマスク上のパターンを露光するように構成され
ている。
け隔てて平木に保持し、露光光学系１１０による平行な
照射光で基板１０１の表面に塗布した７オトレジスト上
にフォトマスク上のパターンを露光するように構成され
ている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、近年では業界の要請から基板が大型化する傾
向にあり、これに伴ってフォトマスクも大サイズのもの
が用いられるようになってきでいる。ちなみに、例えば
液晶表示装置の基板にあっては３００關Ｘ３００ｍｍ以
上の大きさになるものもある。
向にあり、これに伴ってフォトマスクも大サイズのもの
が用いられるようになってきでいる。ちなみに、例えば
液晶表示装置の基板にあっては３００關Ｘ３００ｍｍ以
上の大きさになるものもある。
しかるに、上記従来例の如く基板１０１及びフォトマス
ク１０６を水平に保持した状態で露光する場合には、第
３図に示すように基板１０１は基板ホルダ１０２の上面
に沿って平面状に保持されるものの、ガラス板で形成さ
れたフォトマスク１０６は自重により仮想線状に撓み、
基板１０１とフォトマスク１０６との間隙が中央部では
小さく、周辺部では大きくなり、その結果パターン焼付
時の解像度が周辺部で低下する。基板１０１とフォトマ
スク１０６を接触させない条件下においては、フォトマ
スク１０６の撓み量が大きくなる程、基板１０１とフォ
トマスク１０６との間隙を大きく設定しなければならず
、周辺部での解像度はさらに低下することになる。
ク１０６を水平に保持した状態で露光する場合には、第
３図に示すように基板１０１は基板ホルダ１０２の上面
に沿って平面状に保持されるものの、ガラス板で形成さ
れたフォトマスク１０６は自重により仮想線状に撓み、
基板１０１とフォトマスク１０６との間隙が中央部では
小さく、周辺部では大きくなり、その結果パターン焼付
時の解像度が周辺部で低下する。基板１０１とフォトマ
スク１０６を接触させない条件下においては、フォトマ
スク１０６の撓み量が大きくなる程、基板１０１とフォ
トマスク１０６との間隙を大きく設定しなければならず
、周辺部での解像度はさらに低下することになる。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので次
のように構成される。
のように構成される。
即ち、基板を立設保持する基板ホルダと、フォトマスク
を基板に近接させて平行に立設保持するマスクホルダと
、基板の表面に対して垂直に平行光を照射してマスク・
パターンを露光する露光光学系とを具備して成り、フォ
トマスク及び基板を立設配置した状態で露光するように
構成したことを特徴とするものである。
を基板に近接させて平行に立設保持するマスクホルダと
、基板の表面に対して垂直に平行光を照射してマスク・
パターンを露光する露光光学系とを具備して成り、フォ
トマスク及び基板を立設配置した状態で露光するように
構成したことを特徴とするものである。
（作 用）
本発明では、基板及びフォトマスクをそれぞれのホルダ
で立設保持した状態でプロキシミティ露光するので、従
来例のようなフォトマスクの自重による撓みはなくなる
。これにより、フォトマスクの撓みを考慮した間隙を設
定する必要がなく、解像度低下の問題は解消する。
で立設保持した状態でプロキシミティ露光するので、従
来例のようなフォトマスクの自重による撓みはなくなる
。これにより、フォトマスクの撓みを考慮した間隙を設
定する必要がなく、解像度低下の問題は解消する。
（実 施 例）
第１図は本発明に係るプロキシミティ露光装置の概要図
である。
である。
この露光装置は、例えば液晶表示装置用基板の製造工程
において用いられるもので、基板１を立設保持する基板
ホノげ２と、フォトマスク６を基板１に近接させて平行
に立設保持するマスクホルダ７と、基板１の表面に対し
て垂直に、平行な焼付光を照射してマスク・パターンを
基板１上に露光する露光光学系１０とを具備して成る。
において用いられるもので、基板１を立設保持する基板
ホノげ２と、フォトマスク６を基板１に近接させて平行
に立設保持するマスクホルダ７と、基板１の表面に対し
て垂直に、平行な焼付光を照射してマスク・パターンを
基板１上に露光する露光光学系１０とを具備して成る。
基板ホルダ２には強制排気手段５に連通した負圧室３が
内部に形成され、平担に形成した基板保持面Ｓ、に多数
の吸着孔４をあけて負圧室３と連通して成り、基板１を
吸着孔４で負圧吸引することにより基板保持面Ｓ１に沿
って平担にかっ立設保持するように構成されている。
内部に形成され、平担に形成した基板保持面Ｓ、に多数
の吸着孔４をあけて負圧室３と連通して成り、基板１を
吸着孔４で負圧吸引することにより基板保持面Ｓ１に沿
って平担にかっ立設保持するように構成されている。
マスクホルダ７はフォトマスク６の周縁部を保持するマ
スク保持面Ｓ２を有し、マスク保持面Ｓ２には、強制排
気手段９に連通した吸着溝８が形成されて成り、フォト
マスク６を吸着溝８で負圧吸引することによりマスク保
持面Ｓ２に沿って平担に、かつ、基板１に近接させて、
フォトマスク６を立設保持できるように構成されている
。
スク保持面Ｓ２を有し、マスク保持面Ｓ２には、強制排
気手段９に連通した吸着溝８が形成されて成り、フォト
マスク６を吸着溝８で負圧吸引することによりマスク保
持面Ｓ２に沿って平担に、かつ、基板１に近接させて、
フォトマスク６を立設保持できるように構成されている
。
露光光学系１０は従来例と同様、紫外線照射用のクセノ
ンランプＬＳと、クセノンランプＬＳからの光を集光す
る凹面鏡ＥＭと、凹面鏡ＥＭの第２焦点近傍に配置され
た７ライアイレンズＯ８と、フライフイレンズＯ８とフ
ォトマスク６との間に配置されたコリメータレンズＣＬ
と、−組の光路反転ミラーＭ１・Ｍ２とを具備して成り
、二次光源たる７ライアイレンズＯ８の射出瞳の像を被
照射面たるフォトマスク６上に形成することで可能な限
り被照射面６上での照度分布を均一にし、がっ、被照射
面６に対して垂直な平行光でマスク・パターンを焼付け
るように構成されている。
ンランプＬＳと、クセノンランプＬＳからの光を集光す
る凹面鏡ＥＭと、凹面鏡ＥＭの第２焦点近傍に配置され
た７ライアイレンズＯ８と、フライフイレンズＯ８とフ
ォトマスク６との間に配置されたコリメータレンズＣＬ
と、−組の光路反転ミラーＭ１・Ｍ２とを具備して成り
、二次光源たる７ライアイレンズＯ８の射出瞳の像を被
照射面たるフォトマスク６上に形成することで可能な限
り被照射面６上での照度分布を均一にし、がっ、被照射
面６に対して垂直な平行光でマスク・パターンを焼付け
るように構成されている。
なお、上記実施例では液晶表示装置用基板の製造工程に
おいて用いられるプロキシミティ露光装置として説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、前記したよう
に、フォトマスクの自重による撓みが問題となるプロキ
シミティ露光装置において広〈実施し得ることは云うま
でもない。
おいて用いられるプロキシミティ露光装置として説明し
たが、本発明はこれに限るものではなく、前記したよう
に、フォトマスクの自重による撓みが問題となるプロキ
シミティ露光装置において広〈実施し得ることは云うま
でもない。
（発明の効果）
以上の説明で明らかなように、本発明によればフォトマ
スクの自重による撓みなくして基板とフォトマスクとの
間隙を所定の値に維持することができ、大型化する基板
においても解像度の低下を防ぐことができる。
スクの自重による撓みなくして基板とフォトマスクとの
間隙を所定の値に維持することができ、大型化する基板
においても解像度の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るプロキシミティ露光装置の概要図
、第２図は従来のプロキシミティ露光装置を示す概要図
、第３図は問題となるフォトマスクの撓みを誇張して示
す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・基板ホルダ、 ６・・・
フォトマスク、 ７・・・マスクホルダ、 １０１ｉ
光光学系。
、第２図は従来のプロキシミティ露光装置を示す概要図
、第３図は問題となるフォトマスクの撓みを誇張して示
す説明図である。 １・・・基板、 ２・・・基板ホルダ、 ６・・・
フォトマスク、 ７・・・マスクホルダ、 １０１ｉ
光光学系。
Claims (1)
- １、基板を立設保持する基板ホルダと、フォトマスクを
基板に近接させて平行に立設保持するマスクホルダと、
基板の表面に対して垂直に平行光を照射しでマスク・パ
ターンを露光する露光光学系とを具備して成り、フォト
マスク及び基板を立設配置した状態で露光するように構
成したことを特徴とするプロキシミティ露光装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002985A JPH01181420A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | プロキシミテイ露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63002985A JPH01181420A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | プロキシミテイ露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01181420A true JPH01181420A (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=11544662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63002985A Pending JPH01181420A (ja) | 1988-01-08 | 1988-01-08 | プロキシミテイ露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01181420A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03200317A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Rohm Co Ltd | マスクアライメント装置 |
| KR20010046478A (ko) * | 1999-11-12 | 2001-06-15 | 구자홍 | 수직형 대면적 노광장치 |
| US6509142B2 (en) * | 1998-05-19 | 2003-01-21 | Orc Technologies, Inc. | Apparatus and method for exposing substrates |
| WO2005015616A1 (ja) * | 2003-08-12 | 2005-02-17 | Tadahiro Ohmi | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
| KR100990282B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-10-26 | 호야 가부시키가이샤 | 프록시미티 노광용 포토마스크의 검사 장치, 검사 방법, 제조 방법, 프록시미티 노광용 포토마스크 및 패턴 전사 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179537A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-12 | Nec Corp | Ｘ線露光装置 |
| JPS62150720A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Toshiba Corp | 放射光による表面処理装置 |
| JPS62171122A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光装置 |
-
1988
- 1988-01-08 JP JP63002985A patent/JPH01181420A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100990282B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2010-10-26 | 호야 가부시키가이샤 | 프록시미티 노광용 포토마스크의 검사 장치, 검사 방법, 제조 방법, 프록시미티 노광용 포토마스크 및 패턴 전사 방법 |
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