JPH01181207A - 平衡形増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マイクロ波・ミリ波を増幅する高出力の平衡形増幅器に
関し、 小形化の可能なことを目的とし、 金属ケースの対向する側壁間の空間に配設されており、
第１のハイブリッド回路で分配した信号を該側壁の離間
方向に並べた複数の増幅素子夫々で増幅した後、第２の
ハイブリッド回路で加幹して出力する平衡形増幅器にお
いて、該ケースの第１及び第２のハイブリッド回路で覆
われる位置に該側壁の離間方向に延在する溝を設け、一
方の側壁を貫通した絶縁線の一部を直接該一方の側壁に
近接した増幅素子に接続し、かつ該一方の側壁を貫通し
た絶縁線の他の一部を該溝を挿通させて該一方の側壁か
ら離間した増幅素子に接続し、該複数の増幅素子夫々に
該絶縁線よりバイアスを供給するよう構成する。

（産業上の利用分野〕 本発明は平衡形増幅器に関し、マイクロ波・ミリ波を増
幅する高出力の平衡形増幅器に関する。

マイクロ波・ミリ波の信号の電力増幅を行なうとき、信
号をハイブリッド回路で電力分配し、分配された各信号
を夫々増幅素子で増幅した後これらをハイブリッドで加
算する高出力の平衡形増幅器が使用される。

このような平衡形増幅器は複数の増幅素子及びハイブリ
ッド回路を使用するので、できるだけ小形化することが
要望されている。

〔従来の技術〕

第３図は従来の平衡形増幅器の一例の平面図を示す。

同図中、接地された金属ケース１内の側壁２゜３に挾ま
れる空間にハイブリッド回路４．７及びＦＥＴ等の固体
増幅素子５．６が配設されている。

ハイブリッド回路４は端子８に入来するマイクロ波・ミ
リ波の信号を固体増幅素子５．６夫々に電力１／２とし
て分配し、固体増幅素子５．６夫々で増幅された信号は
ハイブリッド回路７で加算され端子９より出力される。

また、側壁２．１０間、及び給電空間１６゜１７夫々を
通された絶縁１１２．１３及び１４゜１５夫々は側壁２
及び３夫々を貫通して固体増幅素子５及び６夫々に接続
され、固体増幅素子５及び６夫々にバイアスを供給して
いる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来回路では固体増幅素子５．６の両側に２つの給電空
間１６．１７を設け、固体増幅素子５゜６夫々へのバイ
アスを供給している。

このように２つの給電空１！１１６．１７を必要とする
ため増幅器全体の構成が大形化してしまうという問題点
があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、小形化の可
能な平衡形増幅器を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の平衡形増幅器は、金属ケース（２０）の対向す
る側壁（２１，２２）間の空間に配設されており、第１
のハイブリッド回路（４）で分配した信号を側壁（２１
，２２）の１ＩｌｔＥ方向に並べた複数の増幅素子（５
，６）夫々で増幅した後、第２のハイブリッド回路（７
）で加算して出力する平衡形増幅器において、 ケース（２０）の第１及び第、２のハイブリッド回路（
４，７）で覆われる位置に側壁（２１゜２２）の鐘同方
向に延在する溝（２３，２４）を設け、 一方の側壁（２２）を貫通した絶縁線の一部（１４，１
５）を直接一方の側壁（２２）に近接した増幅素子（６
）に接続し、かつ一方の側壁（２２）を貫通した絶Ｉａ
ｌｌノ他の一部（１２゜１３）を溝（２３，２４）を挿
通させて一方の側１（２２）から離間した増幅素子（５
）に接続する。

（作用〕 本発明においては、複数の増幅素子（５，６）にバイア
スを供給する絶縁１ｉｔ（１２〜１５）が全て一方の側
壁（２２）、を貫通して対向する側壁（２１，２２）間
の空間に引き出され、絶縁線（１２〜１５）の通る給電
空ａｌｌ（２６）が１つで済み、増幅器の全体構成を小
形化できる。

また、一方の側Ｗ！（２２）から離間した増幅素子（５
）に接続される絶縁線の他の一部（１２゜１３）は満（
２３，２４）を拝通さゼるため、ノイズ混入のおそれが
ない。

〔実施例〕

第１図は本発明の平衡形増幅器の平面図を示す。

同図中、第３図と同一部分には同一符号を付し、その説
明を省略する。

第１図において、アルミニウム等で形成された金属ケー
ス２０内の側壁２１．２２に挾まれる空間にハイブリッ
ド回路４．７及び固体増幅素子５゜６が第３図と同様に
配設されている。

接地された金属ケース２０底部のハイブリッド回路４．
７夫々の配設位置には満２３．２４人々が設けられてい
る。溝２３．２４夫々は一端２３ａ。

２４ａがハイブリッド回路４．７に対して右方向にずれ
た位置で、他Ｑ２３ｂ、２４ｂがハイブリッド回路４．
７に対して左方向にずれた位置とされて略ハイブリッド
回路４．７の対角線に沿って折曲している。

側壁２２．２５間は給電空間２６とされており、この給
電空間２６を絶縁線１２〜１５夫々が通されている。絶
縁線１２．１３夫々は側壁２２を貫通して側壁２１，２
２１ａｌの空間に引き出され、他端２３ｂ、２４ｂから
満２３．２４夫々を埋設挿通され一端２３ａ、２４ａか
ら引き出されて固体増幅素子５の給電端子５ａ、５ｂ夫
々に接続されている。また絶縁線１４．１５夫々は側壁
２２を貫通して直接、固体増幅素子６の給電端子６ａ。

６ｂ人々に接続されている。

ハイブリッド回路４．７夫々は導電体のキャリア板上に
絶縁体層を設け、この絶縁体層上にマイクロストリップ
導体を形成した例えばインターディジタル形又はブラン
チライン形等のマイクロスプリット回路である。このハ
イブリッド回路４゜７夫々のｉ２３．２４の沿う対角線
と交差する対角線上の両端にはキャリア板を貫通する取
付孔が設けられている。

ハイブリッド回路４．７夫々は絶縁線１２゜１３夫々の
埋設された溝２３．２４夫々を覆う状態でケース２０に
載置され、夫々２つの取付孔を挿通ずるネジ３０．３１
及び３２．３３夫々によってケース２０に接触固定され
ている。第２図はハイブリッド回路４のネジ３１位置で
の取付状態を示す。

このように増幅器の片側にだけ給電空間２６を設け、こ
の給電空間２６に全ての絶縁線１２〜１５を通している
ため、従来のものに比して増幅器全体の構成が小形化さ
れる。

また、側壁２１．２２間の空間における絶縁線１２〜１
５夫々の配線長が長くなると、絶縁線１２〜１５夫々に
ノイズが混入しやすくなるが、絶縁線１２．１３夫々は
導電性であるケース２０に設けられた満２３．２４及び
ハイブリッド回路４．７夫々の導電性であるキャリア板
に囲繞されて配線されているため、上記ノイズ混入のお
それはない。

更にハイブリッド回路４．７夫々は対角線上に取付孔を
設けているので、ハイブリッド回路４゜７夫々のキャリ
ア板を大形化することなしにケース２０に強固に取付け
ることが可能であり、キャリア板の接地状態も良好であ
る。

（発明の効果） 上述の如く、本発明の平衡形増幅器によれば、バイアス
供給用の絶縁線を通す給電空１ｍが１つで済み、小形化
が可能となり、実用上きわめて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の平衡形増幅器の一実施例の平面図、 第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図、第３図は
従来の平衡形増幅器の一例の平面図である。 図において、 ４．７はハイブリッド回路、 ５．６は固体増幅素子、 １２〜１５は絶縁線、 ２０は金属ケース、 ２１．２２．２５は側壁、 ２３．２４は溝、 ２６は給電空間 を示す。 特許出願人　富　士　通　株式会社 同　、　株式会社 富士通山梨エレクトロニクス 本発明増幅器の平面図 ｊ１１図 、　　第１図のｎ−ｎ線に沿う断面図 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　金属ケース（２０）の対向する側壁（２１、２２）間
   の空間に配設されており、第１のハイブリッド回路（４
   ）で分配した信号を該側壁（２１、２２）の離間方向に
   並べた複数の増幅素子（５、６）夫々で増幅した後、第
   ２のハイブリッド回路（７）で加算して出力する平衡形
   増幅器において、該ケース（２０）の第１及び第２のハ
   イブリッド回路（４、７）で覆われる位置に該側壁（２
   １、２２）の離間方向に延在する溝（２３、２４）を設
   け、 一方の側壁（２２）を貫通した絶縁線の一部（１４、１
   ５）を直接該一方の側壁（２２）に近接した増幅素子（
   ６）に接続し、かつ該一方の側壁（２２）を貫通した絶
   縁線の他の一部（１２、１３）を該溝（２３、２４）を
   挿通させて該一方の側壁（２２）から離間した増幅素子
   （５）に接続し、 該複数の増幅素子（５、６）夫々に該絶縁線（１２〜１
   ５）よりバイアスを供給することを特徴とする平衡形増
   幅器。