JPH01165189A - 半導体レーザー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザービームプリンタ等に用いられ、単数
または複数のレーザー光を同時に走査する半導体レーザ
ーに関し、特に、複数のレーザー光の各々の出射方向が
所望の角度を成すようにするために好適なモノリシック
に形成された半導体レーザーに関する。

（従来の技術） 通常、半導体レーザーはｐ−ｎ接合を含む層が半導体基
板上に積層され、一対の共振面を形成することによって
構成されている。この半導体レーザーに電流を注入する
と、キャリアの再結合によって生じた光がこの共振面間
で共振し、共振面からはレーザー光が出射する。このよ
うなレーザー発振を効率良く行わせるためには、注入電
流及び光を閉じ込めるストライプ状のレーザー活性領域
が共振面と垂直に設けられている。

このような従来の半導体レーザーの一例であるリッジ導
波路型半導体レーザーの共振器に垂直な面の断面図を第
９図に示す。この半導体レーザーは、　ｎ−ＧａＡｓ基
板２０上に順次、バッファー層ｎ−−Ｇａへｓ　１９、
クラッド層ｎ”　−ＡＩＸＧａ＋−、Ａｓ　１８、下部
光閉じ込め層へｌ、Ｇａ１−．Ａｓ　１７　、活性層へ
ｌ、Ｇａ＋　−、Ａｓ　１６、上部光閉じ込め層ＡＩ、
Ｇａ、−，Ａｓ　１５、クラッド層ｐ−−ＡＩＸＧａ、
−、Ａｓ　１４、キ？’／プ層ｐ１−ＧａＡｓ　１３を
エピタキシャル成長により形成した後、エツチング加工
、誘電体膜１２の成膜を行ない、リッジを形成し、さら
に、ｎ側電極２１、ｐ側電極１１を設けて作製したもの
である。活性層Ａ１．Ｇａ＋−、Ａｓ　１６の上界面と
りッジ両側のタラッド層ｐ−−ＡｌｘＧａ、−ＸＡｓ　
１４の上面との距離をｘ、？おす。と、一般にリッジの
両側でのｘＲは共振器全長ニわたり等しくなっているの
で、リッジ両側での複素屈折率は等しい。一方、複数の
活性領域を有し、それらに応じ複数のレーザー光を出射
可能であって、各々のレーザー光の出射方向が有限の角
度を成すようにモノリシックに形成された半導体レーザ
ーにおいては、上述したように、ストライプ状の活性領
域は共振面に垂直には形成されず、その長手方向が共振
面の法線に対しある角度を成すように設けられている。

こうするのは当該角度を適宜に調整することによって、
レーザー光の出射方向をコントロールすることが可能で
あることによる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、斜光出射用の半導体レーザーは、ストラ
イプ状活性領域の長手方向と共振面の法線との成す角度
がＯｏから増えるにつれて端面損失が増える。それに対
応して、横モードの不安定化、閾電流の上昇、効率の低
下などが生じ、諸特性が劣化し、更に、場合によっては
斜出角度の制御が困難になるという欠点がある。また、
ストライプ状活性領域の長手方向と共振面の法線とのな
す角度が０°である従来のリッジ導波型半導体レーザー
では出射可能なレーザー光が単数、複数にかかわらず、
外部の反射の戻り光による発振波長の不安定化が生じる
欠点がある。

本発明は、かかる問題点を解決する半導体レーザーを提
供することにある。

（問題点を解決するための手段〕 本発明の半導体レーザーは、 共振器間の全長あるいは一部で活性領域の両側の複素屈
折率が異なり非対称であることを特徴としている。

〔作用〕

半導体レーザーを上記のような構成にすることによって
、活性領域の一方を利得導波型、または利得導波性の度
合いを強くし、他方を屈折率導波型、または屈折率導波
性の度合いを強くすることができる。これにより、導波
路内における光電異強度分布のピークを実屈折率の大き
い側、つまり、利得導波性の強い側にシフトさせ、なお
かつ利得導波性の強い側に波面の遅れを生じさせる。結
果として、本発明の半導体レーザーでは、横モードの安
定化、閾電流の上昇抑制、外部微分量子効率の低下抑制
を保持できるとともに、レーザー光の斜出を達成できる
。本発明は、レーザー光を複数出射可能な半導体レーザ
ーに適用できる。そればかりでなく、半導体レーザーの
前側及び後側から出射するレーザー光を共振面に対して
垂直からある角度ずれて斜出させた場合、従来発振波長
の不安定化の原因であった戻り光の影響を受けにくくな
り、安定な波長で発振するので、単一光出射の半導体レ
ーザーに本発明を適用することも有効である。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図（ａ）は本発明をリッジ導波路型半導体レーザー
に適用した場合における共振器に垂直な面の断面図であ
る。

本実施例の半導体レーザーでは、　ｎ”’−ＧａＡｓ基
板２０上に順次、バッファー層ｎ−ＧａＡｓ１９、クラ
ッド層ｎ”　−ＡｔＫＧａ、−ＸＡｓ　１８、光閉じ込
め層ＡＩ、Ｇａ、−、Ａｓ　１７、活性層Ａｌ、Ｇａ＋
−、Ａｓ　ｔｔｔ、光閉じ込め層へ１、Ｇａ＋−、八ｓ
　１５、クラッド層ｐ−へ１ＸＧａ１−．Ａｓ　１４、
キャップ層ｐ”　−ＧａＡｓ　１３が積層され、さらに
リッジ上部に電流注入用の窓を構成する誘電体膜１２が
設けられている。この誘電体膜１２は５ｉ０２、Ｓｉ３
Ｎ４等から成り、プラズマＣＶＤにより形成される。

さらに、　ｎ−−Ｇａ八へ基板２０の下面、誘電体膜１
２の上面にそれぞれＡｕ／（：ｒ、八ｕ−Ｇｅ／Ａｕが
蒸着されることによってｐ型電極１１．　ｎ型電極２１
が形成されている。リッジの形成のための、左右の切込
みはそれぞれフォトレジ行程、反応性イオンビームエツ
チング（ＲＩＢＥ）やウェットエツチングなどでエツチ
ングを２回行うことにより、活性層ＡｌｚＧａｌ−２Ａ
ｓ　＋６上面とクラッド層ｐ−−Ａ１．Ｇａ、−、Ａｓ
　１４上面との距＃　Ｘ　Ｒをそれぞれ独立に調整する
ことができる。

次に、このリッジ形状の作製方法の第１例、第２例、第
３例について、それぞれ第２図（ａ）〜（ｄ）、第２図
（ｅ）〜（ｈ）、第２図（ｉ）〜（１）を用いて説明す
る。

（第１例） 基板（不図示）上にＭＢＥ法により形成された下部クラ
ッド層１ａ、活性層２ａ、上部クラッド層３ａを有する
ウェハーの一部にレジスト膜４ａ形成し、露光後、一部
領域を剥離する（第２図（ａ））。

次に、レジスト膜４ａが存在しない領域の上部クラッド
層３ａを旧ＢＥにより切り込む（同図（ｂ））。

次に、レジスト膜４ａを除去した後、再度、上部クラッ
ド層３ａの上面にレジスト膜４ｂを形成し、露光後、一
部領域を剥離する（同図（Ｃ））。

さらに、レジスト膜４ｂが存在しない領域の上部クラッ
ド層３ａを旧ＢＥにより切り込む。このように、リッジ
両側のｘＲｌ、ｘＲｒを調整することができる（同図（
ｄ））。

（第２例） ウェハーの上に、形成すべきリッジに対応するストライ
プ状のレジストマスク５を形成する。さらに、レジスト
膜６を形成し、レジストマスク５の片側領域を露光して
、レジスト膜６の一部領域を剥離する（第２図（ｅ））
。

レジストマスク５、レジスト膜６の条件は、クラッド層
３ｂ、レジストマスク５、レジスト膜６におけるＲＩＣ
Ｅによるエツチングの速度をそれぞれＶ＋　、Ｖ２１　
Ｖ３　　（Ｖ２≦Ｖ３　＜　ｖ　ｒ　）になるように設
定しであるので、全エツチング時間ｔの間に第２図（ｅ
）〜（ｇ）中の（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）部ではそ
れぞれ厚さ（Ｖ３　ＬＩ＋ＶＩ　Ｌ２）、　（Ｖ３　ｔ
＋＋ｖ２１２）、ｖ、　ｔだけエツチングされることに
なる。ただし、ここでレジスト膜６がすべてエツチング
されるまでに要する時間を１１とすると、ｔ＝ｔ、＋ｔ
２である。

このように、レジスト膜６、レジストマスク５の種類、
または膜厚を調整することにより、リッジ左右でのエツ
チングの深さをコントロールすることができる。第２図
（ｆ）はエツチングの初期段階を示しており、（Ｉ）部
のレジスト膜６は残つているが、（ＩＩＩ）部の上部ク
ラッド層３ｂはエツチングされはじめている。次に、第
２図（ｇ）は、さらにエツチングが進行した状態を示し
ており、（Ｉ）部にはレジスト膜６は存在しておらず、
（Ｉ）部の上部クラッド層３ｂがエツチングされはじめ
るところである。一方、（ｍ）部の上部クラッド層３ｂ
はすでに厚さΔＸＲだけエツチングされている。このよ
うにして１回のＲＩＢＥにより、第２図（ｈ）に示すよ
うに、リジ部両側のＸＲＩ＋　ＸＲｒを調整することが
できる。

（第３例） ウェハーの上に、形成すべきリッジに対応するストライ
プ状の金属マスク、またはＳｉ３Ｎ４　、５ｉ０２等の
絶縁体のマスク７を形成する。さらに、レジスト膜８を
形成し、マスク７の片側領域を露光して、レジスト膜８
の一部領域を剥離する（第２図（ｉ））。

次に、マスク７、レジスト膜８が存在しない上部クラッ
ド層３ｃをＲＩＢＥによりΔＸＲだけ切り込む（同図（
ｊ））。

次に、レジスト膜８を除去する（同図（ｋ））。

さらに、マスク７の両側の上部クラッド層３ＣをＲＩＩ
ＩＨにより切り込み、リッジ両側のｘＲ３，ｘＲｒを調
整することができる（同図（１））。

この半導体レーザーの発振中の活性層ＡＩ、Ｇａ、−、
Ａｓ１６における水平方向の注入キャリア密度分布ｎ、
光の電界強度分布Ｐｘ、出射端面における位相の遅れ角
φの特性を順に、第１図（ｂ）　、　（Ｃ）　。

（ｄ）に示す。第１図（ａ）において、左側の活性層Ａ
１．Ｇａ、−、Ａｓ１６の上面とクラッド層Ｐ−ＡＩＸ
Ｇａｌ　−。

Ａｓ１４の上面との距１１１１　Ｘ　ｎ　＋が右側のｘ
Ｒｒよりも小さいことから活性層Ａｌ工Ｇａ、−，Ａｓ
１６の左側における実効屈折率は右側のそれよりも小さ
く、電流の広がりも左側では小さくなる。このため、注
入キャリア密度分布は第１図（ｂ）に示したように非対
称に右側にブロードに広がり、光の電界強度分布も第１
図（Ｃ）に示したように右側にピークがずれてブロード
に広がる。また、第１図（Ｃ）に示したように、左側で
は屈折率導波性が強いために位相の遅れ角はほとんどな
いが、右側では利得導波性が強いために位相の遅れ角は
大きい。これらの要因により、外部へ出射するレーザー
光の共振面での光の電界強度分布はりフジ下部中央から
幾分右側にずれ、さらに、出射レーザー光は利得導波性
の強い側にひかれている。この結果、レーザー光は斜め
方向に出射される。第３図（ａ）は、第１図の斜出用リ
ッジ導波路型レーザーを共振器の全域にわたって２個形
成した場合のアレイレーザの模式上面図である。２つの
リッジ３１ａ、　３１ｂ中の共振波は、へき開により形
成した共振面３２．３３の間で共振する。また、はぼ中
央部に電極分１１１ｔ３９が設けられ、２つのレーザー
は各々独立に駆動できる。２つのリッジの長手方向は同
一であり、かつ互いに平行な共振面３２．３３の法線方
向３７ａ、　３７ｂ、　３８ａ。

３８ｂと一致している。このアレイレーザの活性層の上
面と上部クラッド層の上面との距離をｘＲとすると、リ
ッジの長手方向に垂直で活性層に水平な方向のＸＲのプ
ロファイルは第３図（ｂ）に示すようになっている。そ
れぞれのリッジの左右でＸＲが異なることから導波機構
は非対称になり、レーザー光は共振面の法線方向３７ａ
、　３７ｂ、　３８ａ。

３８ｂに対してそれぞれ角度θ１４、θ１ｈ、θ２ａ、
θ２ｂをもって出射方向３５ａ、　３５ｂ、　３６ａ、
　３６ｂに出射する。この斜出角θは、リッジ導波路型
レーザーの場合、層の屈折率、膜厚、ｘＲによって適宜
調整することができる。つまり、レーザー内での光の分
布は膜の構成に依存し、斜出角を大きくするためには光
の分布を上部に存在させ、リッジの効果が強くでるよう
にすればよい。例えば、第１図（ａ）の活性層ＡｌｚＧ
ａｌ　−ｚ　Ａｓ１Ｂの上側の光閉じ込め層ＡＩ、Ｇａ
、□Ａｓ１５の混晶比ｙ’ｓを下側の光閉じ込め層へ１
．Ｇａ、−，Ａｓ１７の混晶比ｙＩ７よりも小さくし、
ｙ１５＜ｙＩ７とし、光の分布を活性層をはさんで非対
称に上部に多く分布させると、リッジとリッジの両側で
の実効屈折率差が大きくなるので、ｘＲをわずかにリッ
ジの両側で異ならしても斜出角は大きくなる。また、一
般にｘＲが小さいとき（Ｘ　Ｒｒ、　Ｘ　Ｒ１＞　Ｏ）
　、斜出角は左右の差ΔＸＨに大きく依存する。すなわ
ちＸ　Ｒ，：　０．０５ｐ、　Ｘ旧；０．１０μｍのと
きの斜出角θ、は、Ｘ　Ｒｒ：　０．３５ｐ、ＸＲ＋＝
０．４０）ｕ＋のときの斜出角θ２よりも大きくなる。

さらに、リッジ幅が大きいと、斜出角は小さくなる。こ
れは、垂直に出射する光の割合が増えることにより、遠
視野像のピークは垂直側に寄るからである。

第４図（ａ）は本発明を共振器の一部に応用した場合の
一例の模式上面図である。本発明は斜出用アレイレーザ
において最も有効に適用できるが、シングルレーザーと
して用いた場合にも、戻り光の影響を受けにくい等の利
点をもつので、第４図（ａ）には１ケのレーザーについ
て示しである。共振器に沿ってのＸＲのプロファイルは
、第４図（ｄ）に示すように、共振器の途中でステップ
式に片側のＸＲが変化するように加工が行なわれている
。第４（ｄ）のｘＲｒは第４図（ｂ）　、　（Ｃ）にお
ける下側のＸＲつまりｘＲｒを表わしている。共振器３
４で共振した光は共振面３２．３３から出射する。共振
面３２付近の半導体レーザー構造は本発明の第１図の実
施例と同様に形成されており、共振面３２から、この面
の垂線３７とある有限の角度θ１をなして光は出射３５
する。一方、共振面３３付近の半導体レーザー構造は従
来の第９図と同様に形成されており、共振器３３から、
その面に垂直に光は出射３６する。共振器３４に沿って
のｘＨのプロファイルは、第４図（ｅ）に示すようにグ
ラデイエンドに変化させてもよい。以上のように、共振
面の片方ではストライプ状活性層の両側の複素屈折率を
従来のように等しくし、他方はその複素屈折率を異なる
ものとし、共振器内で適当に両方を接続した場合は、第
３図（ａ）に示したように共振器全域にわたって当該複
素屈折率を異なるものとした場合に比べて裏面による端
面損失が減り、より低閾電流、高効率になる。また、共
振器の全域にわたフて当該複素屈折率を異なるものとし
、共振面の両方においてそのＸＲを別々に制御すること
によって、最適なレーザー光源を設計することができる
。

第５図は本発明の第２の実施例を示す模式断面図である
。これはｎ影領域にＺｎを拡散させてｐ形とし、屈折率
、電流の広がりを制御した場合の半導体レーザーである
。この作製手順は、まず、基板ｐ”　−ＧａＡｓ　４３
上に順次バッファ層ｐ”　−ＧａＡｓ４２、クラッド層
ｐ−−ＡＩＸＧａｌ−ＸＡｓ１４、光閉じ込め層Ａｌ、
Ｇａ＋−，Ａｓ１５、活性層Ａ１．Ｇａ＋−、Ａｓ１６
、光閉じ込め層ＡＩ、Ｇａ＋−，Ａｓ１７、クラッド層
ｎ”　−ＡＩ。

Ｇａ、−ＸＡｓ１８、キヤｙプ層ｎ−−ＧａＡｓ　４１
をエピタキシャル成長により形成する。その後、電流注
入窓の左右にそれぞれＺｎを拡散させ電流狭窄を行なう
ｐ”−Ｚｎ拡散領域４０を形成する。その際、左右での
Ｚｎの拡散深さを調整して、一方は、活性層ＡＩ、Ｇａ
＋−，Ａｓ１６を通過させてｐ影領域を形成し、活性層
ＡＩ、Ｇａ＋−，Ａｓ１ａ内の水平方向の屈折率を低く
して屈折率導波性を強くする。また他方は活性層ＡＩ、
Ｇａ＋−，Ａｓ１６の手前までＺｎを拡散させて利得導
波性を強くしておく。その後、誘電体膜１２で電流注入
のためのストライプ窓を形成し、無効電流を低減し、最
後にｎ形電極２１、ｐ形電極１１をそれぞれ誘電体膜１
２の上面、基板ｐ”　−ＧａＡｓ　４３の下面に蒸着す
ることにより形成する。この第５図の実施例においても
電極ストライプの両側において複素屈折率は異なってい
る。注入電流は、　ｐ”　−Ｚｎ拡散領域４０により狭
窄されるが、第５図において右側は左側よりもキャリア
の広がりが大きくなる。また、屈折率については、Ｚｎ
の拡散領域では屈折率が低下するため、活性層内におい
て左側の屈折率が最も小さく、次いで右側が小さく、電
極ストライプ真下が最も大きくなっている。このため、
光の電界強度分布は、そのピークが右側寄りになり、か
つ右側にブロードに広がる。また、共振面での位相は、
右側が利得導波性が強いので、波面が曲がるため右側に
おいては遅れ、結果としてその出射光は斜出どなる。第
５図に示したＺｎ拡散型レーザーについては左右のＺｎ
の拡散深さを調整することによってその導波機構が制御
できるので斜出角制御ができる。

第６図は本発明の第３の実施例を示す模式断面図である
。これは、電流注入ストライプの左右において典型的に
屈折率導波性と利得導波性とが高くなっている半導体レ
ーザーである。この作製のために、まず第１図（ａ）の
実施例と同様にエピタキシャル成長させた後、埋込み層
０４″−ＡＩ、・Ｇａ、−、・Ａｓ５１が形成される領
域をＲＩＢＥにより除去する。

その後、再成長により高抵抗の埋込み層ｎ”−Ａｌｙ・
Ｇａ、−、・Ａｓ　５１を成膜し、上面を平坦にした後
、さらに、誘電体膜１２を成膜して電流注入ストライプ
窓を形成する。さらに、　ｎ−−ＧａＡｓ基板２０の下
面、上面にそれぞれＡｕ／（：ｒ、　Ａｕ−Ｇｅ／＾Ｕ
を蒸着し、ｐ型電極１１、ｎ型電極２１を形成する。埋
込み層ｎ”−ＡＩ、−Ｇａ＋−、−Ａｓ　５１は、活性
層Ａｌ、Ｇａ、−、Ａｓ１６に比べて屈折率の低い組成
である。この構造では電極ストライプの直下の活性層の
左側の方が実屈折率は小さく虚屈折率（吸収）が大きく
、その右側は実屈折率は大きく虚屈折率は小さい。注入
電流は活性層の水平方向で右側に広がり、光の電界強度
分布も右側にひかれてともにブロードに広がる。さらに
、波面も右側で大きく曲がって遅れることになる。よっ
て出射光は斜出する。第６図のストライプ状活性領域の
右側に屈折率導波性を加えるためには、たとえば、第７
図に示す構造にする。第７図の半導体レーザーの断面図
は、上部クラッド層ｐ−−ＡＩＸＧａ、−、Ａｓ　１４
の下に電流狭窄層ｎ”−ＡｌｙｎＧａｌ−ｙｎＡｓ　６
１　（ｙ　＞ｙ’≧Ｘ）を形成した例である。作製のた
め、まず上部光閉じ込め層ＡＩ。

Ｇａ、−、Ａｓ　１５を成膜後に電流狭窄層ｎ”　−Ａ
Ｉ、−Ｇａ１−ｙｎＡｓ　６１を成膜する。電流性入部
形成のためにホトリソ工程の後にエツチングを行なった
後、さらに、再成長で上部クラッド層ｐ−−＾ｌＸＧａ
、−、Ａｓ１４、キャップ層ｐ′″−〇ａＡｓ　１３を
形成する。その後ＲＩ［ｌＨにより埋込み層ｎ”−ＡＩ
、−Ｇａ、−、−Ａｓ５１部に相当する部分をエツチン
グし、次いで再成長で埋込み層ｎ”−ＡＩ、−Ｇａ＋−
、−Ａｓ　５１を成膜する。このように、電流の狭窄及
び実屈折率の小さい層を右側に加え、その膜厚、組成を
調整することによって、注入キャリア密度分布の非対称
性、光電異強度分布の非対称性を任意に制御することが
でき、所望の斜出角を実現しつつ、低特性の劣化を最小
限におさえた最適な半導体レーザーが得られる。本発明
はストライプ状活性領域の両側において複素屈折率を異
ならせることを特徴とし、キャリア分布はそれに伴なっ
て非対称になろうが、対称であろうが、いずれでもよい
。

第８図は活性領域で両側に広がる電流を完全に狭窄した
場合の、本発明の第４の実施例を示す模式断面図である
。第１図（ａ）の実施例と同様にエピタキシャル成長さ
せたウェハーを使って、埋込み層ｎ”　−ＡＩｙｌＧａ
ｌ−ｙｌ　Ａｓ　７１に相応する部分をＲＴＢＥでエツ
チングし、その後再成長で埋込み層ｎ”　−ＡＩＶＩＧ
ａｌ−ｙｌ　Ａｓ　７１（複素屈折率ｎＭ２を成長させ
同様にして埋込み層ｎ４″−Ａ１ｙ２Ｇａｌ−ｙ２　Ａ
ｓ　７２（複素屈折率ｎｚ）を再成長させたものである
。上記の構成により、複素屈折率ｎ　ｌ　＋　ｎ　２の
差、及び損失の差により光は偏向し、斜出する。

本発明は、以上説明した実施例の他にも種々の応用が可
能である。例えば、半導体レーザーを構成する材料とし
て、実施例のＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系に限らず、Ｉｎ
Ｐ／ＩｎＧａＡｓＰ系などを用いることも出来る。

また、ストライプ部の構造もリッジ型、電極ストライプ
型に限らず、Ｚｎ拡散などによる埋込みＭＱＷ構造、溝
付基板型等の種々の構造を利用でき、さらに、それらを
組み合わせたものも利用することができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、ストライプ状活性領域の両側にお
ける複素屈折率を異なるものとした本発明の半導体レー
ザーによれば、その出射レーザー光は利得導波領域にひ
かれて共振面の法線とある有限な角度をもって出射する
ことができ、そればかりか従来と違って、ストライプ状
活性領域の長手方向と共振面の法線とのなす角度を０°
に保つことができる。そのため、ストライプ状活性領域
の長平方向が共振面の法線と有限の角度を有する場合に
比べて端面による散乱損失の軽減や、横モードの不安定
性の抑制が可能であり、閾電流の上昇、効率の低下も抑
制できるという効果がある。また、共振器の一部におい
て活性層両側の複素屈折率を異なるものとした本発明は
、特性の劣化を抑え斜出光を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の半導体レーザーをリッジ導波路
型レーザーに応用した場合の断面図、第１図（ｂ）　、
　（ｃ）　、　（ｄ）はそれぞれ第１図（ａ）の半導体
レーザーの注入キャリア密度分布、光強度分布、共振面
における光の電界の位相を示すグラフ、第２図（ａ）〜
第２図（ｄ）、第２図（ｅ）〜第２図（ｈ）、第２図（
ｉ）〜第２図（１）はそれぞれ第１図（ａ）のリッジ形
状の作製方法の第１例、第２例、第３例を示す断面図、
第３図（ａ）は第１図（ａ）の半導体レーザーを応用し
たアレイレーザの模式上面図、第３図（ｂ）は第３図（
ａ）の活性層の上面と上部クラッド層の上面との距離の
特性を示　。 すグラフ、第４図（ａ）は本発明の半導体レーザーを共
振器の一部に応用した場合の模式上面図、第４図（ｂ）
　、　（Ｃ）　、　（ｄ）は第４図（ａ）の活性層の上
面と上部クラッド層の上面との距離を示すグラフ、第４
図（ｅ）は第３図（ｄ）の変形例のグラフ、第５図、第
６図、第７図、第８図はそれぞれ本発明の第２、第３、
第４、第５の実施例を示す模式断面図、第９図は従来例
の模式断面図である。 ＋ａ、ｌｂ、ＩＣ−下部クラット層、 ２ａり２ｂ、２ｃ・・・活性層、 ３ａ、：ｌｂ、３ｃｍ上部クラッド層、４ａ、４ｂ、４
ｃｍレジスト膜、 ５・・・レジストマスク、　　　７−・・マスク、１１
・・・ｐ側電極、 １２−・・誘電体層、 ＋　３−・・キャップ層ｐ′″−ＧａＡｓ、＋　４−・
・上部クラッド層ｐ−−ＡＩ、Ｇａ、−ＸＡｓ、１５−
・・上部光閉じ込め層ＡｌｙＧａ＋−ｙ　Ａｓ、１６−
・・活性層ＡＩ、Ｇａ、−，Ａｓ、１７・・・下部光閉
じ込め層ＡＩ、Ｇａ、−ッ八Ｓ、＋　へ−・・下部クラ
ッド層ｎ”　−ＡＩＸＧａ＋−、八ｓ、１９−・・バッ
ファ層ｎ−−ＧａＡｓ　。 ２０−・・基板ｎ−−ＧａＡｓ　。 ２ｌ−−−ｎ側電極、 ３１ａ、　３１ｂ・・・リッジ、 ３２、３３・・・共振面、 ３４−・・共振器、 ３５、３６・・・出射、 ３５ａ、　３５ｂ、　：］６ａ、　３６ｂ−−−出射方
向、３７ａ、　３７ｂ、　３８ａ、　３８ｂ−共振面の
法線方向、３９・・・電極分離、 ４０・−ｐ”−Ｚｎ拡散領域、 ４１−・・キ’ｒツブ層０−−Ｇａ八ｓ、４２−・・バ
ッファ層ｐ”　、−ＧａＡｓ　。 ４３−・・基板ｐ”　−ＧａＡｓ　。 ５１−・・埋込み層ｎ”−ＡＩ、・Ｇａ、−、−Ａｓ、
６１−・・電流狭窄層ｎ”−ＡＩ、＋＋Ｇａ、−、ｕ八
５１７１−・へ埋込み層ロ１−へｌ、、　Ｇａ１−ｙｌ
　Ａｓ、７２−・・埋込み層ｎ”−ＡＩ、２Ｇａｌ−ｙ
２　Ａｓ、特許出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 両端に共振面が形成されたストライプ状のレーザー活性
   領域を有する半導体レーザーにおいて、前記共振面間の
   全長あるいは一部で前記活性領域の両側の複素屈折率が
   異なり非対称であることを特徴とする半導体レーザー。