JPH01160023A - 縦型ｃｖｄ装置のウエハ治具 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置のウエハ治具Info
- Publication number
- JPH01160023A JPH01160023A JP31739587A JP31739587A JPH01160023A JP H01160023 A JPH01160023 A JP H01160023A JP 31739587 A JP31739587 A JP 31739587A JP 31739587 A JP31739587 A JP 31739587A JP H01160023 A JPH01160023 A JP H01160023A
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- barrier ring
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に係り、特にガス供給律速
状態で用いる縦型減圧ＣＶＤ装置のウェハ治具に関する
ものである。
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置に係り、特にガス供給律速
状態で用いる縦型減圧ＣＶＤ装置のウェハ治具に関する
ものである。
（従来の技術）
従来、この種のＣＶＤ装置、特にガス供給律速反応条件
で成膜するＳｉｎｇ、ＰＳＧ 、５ｉＪａ膜等の薄膜形
成ＣＶＤ装置においては、ウェハ固定治具によるウェハ
表面での反応ガスの流れが不均一になるため、ウェハ面
内に膜厚の面内分布が発生する。
で成膜するＳｉｎｇ、ＰＳＧ 、５ｉＪａ膜等の薄膜形
成ＣＶＤ装置においては、ウェハ固定治具によるウェハ
表面での反応ガスの流れが不均一になるため、ウェハ面
内に膜厚の面内分布が発生する。
第６図に従来の横型の５ｉＨ４１０゜原料ガスにおける
ウェハ面内の膜厚分布を示す。ここで、１はウェハ、２
はそのウェハが支持される部分、３は干渉色を示してい
る。
ウェハ面内の膜厚分布を示す。ここで、１はウェハ、２
はそのウェハが支持される部分、３は干渉色を示してい
る。
第７図は上記のウェハ面内の膜厚分布の均一化を図るた
めに工夫された横型減圧ＣＶＤ装置の構成図である。図
中、４は炉芯管、５は石英ボード、６は石英ウェハ支持
板、７はストッパ、８はＳｉウェハである。
めに工夫された横型減圧ＣＶＤ装置の構成図である。図
中、４は炉芯管、５は石英ボード、６は石英ウェハ支持
板、７はストッパ、８はＳｉウェハである。
このように、石英ボード５でもってＳｉウェハ８を直接
受けることな（、ストッパ６付き石英ウェハ支持板６で
もって、Ｓｉウェハ８を受け、石英ウェハ支持板６を石
英ボード５で受けるようにしている。
受けることな（、ストッパ６付き石英ウェハ支持板６で
もって、Ｓｉウェハ８を受け、石英ウェハ支持板６を石
英ボード５で受けるようにしている。
しかし、このように改良したとしても、干渉は発生し、
更に、横型ではスペースを必要とするので、縦型が主流
となりつつある。
更に、横型ではスペースを必要とするので、縦型が主流
となりつつある。
（発明が解決しようとする問題点）
上記したように、縦型減圧ＣＶＤ装置が主流になってき
ているが、このような反応ガス供給律速で用いる縦型減
圧ＣＶＤにおいても、ウェハ治具による反応ガスの流れ
の不均一さのために、例えば、ウェハ面内膜厚分布が発
生する。第８図に示すように、ウェハ１０は石英ボード
１１で受けられ、ウェハ１０には接触支持部１２．１３
．１４・・・などが生じるため、第９図に示すように、
該接触支持部で干渉色が発生する。
ているが、このような反応ガス供給律速で用いる縦型減
圧ＣＶＤにおいても、ウェハ治具による反応ガスの流れ
の不均一さのために、例えば、ウェハ面内膜厚分布が発
生する。第８図に示すように、ウェハ１０は石英ボード
１１で受けられ、ウェハ１０には接触支持部１２．１３
．１４・・・などが生じるため、第９図に示すように、
該接触支持部で干渉色が発生する。
本発明は、上記問題点を除去するために、縦型ＣＶＤ用
石英ウェハ治具を改良し、ウェハ内膜厚分布が改良され
た縦型ＣＶＤ装置のウェハ治具を提供することを目的と
する。
石英ウェハ治具を改良し、ウェハ内膜厚分布が改良され
た縦型ＣＶＤ装置のウェハ治具を提供することを目的と
する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、ガス供給律速
状態で用いる縦型ＣＶＤ装置のウェハ治具において、中
心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウェハの収
納溝を有するウェハ支持盤と、該ウェハ支持盤を受ける
固定柱と、該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記
ウェハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設
けるようにしたものである。
状態で用いる縦型ＣＶＤ装置のウェハ治具において、中
心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウェハの収
納溝を有するウェハ支持盤と、該ウェハ支持盤を受ける
固定柱と、該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記
ウェハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設
けるようにしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記のように構成することにより、ガ
スは第５図に示されるガス障壁リングの側部から噴出さ
れ、この時ガス障壁リング２４に衝突した反応ガスはウ
ェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する。また
、ガス障壁リング２４からウェハ２０までの間隔を離し
であるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英
製支持円盤２１に成膜され、ウェハ面上においては均一
な膜厚分布で成膜することができる。
スは第５図に示されるガス障壁リングの側部から噴出さ
れ、この時ガス障壁リング２４に衝突した反応ガスはウ
ェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する。また
、ガス障壁リング２４からウェハ２０までの間隔を離し
であるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英
製支持円盤２１に成膜され、ウェハ面上においては均一
な膜厚分布で成膜することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す縦型減圧ＣＶＤにおける
ウェハ支持円盤の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図である。
ウェハ支持円盤の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図である。
第１図に示すように、中心部にウェハ装着溝２２を有す
る、例えば、石英製支持円盤２１を設ける。
る、例えば、石英製支持円盤２１を設ける。
そのウェハ装着溝２２はウェハ直径より３〜４顛程度大
きく、また、その深さはウェハの厚みと同じ程度とする
。ＣＶＤ膜形成時においてはウェハ２０はこのウェハ装
着溝２２にこの治具外周部と段差がない状態で装着され
る。なお、ここでは、ウェハ装着溝２２はウェハ直径よ
り３〜４ｍｍ程度大きくなるようにしているが、これは
ウェハの搬送を容易にするためであり、ウェハ直径より
１〜２鶴程度大きくしてもよいし、更には余裕はなくて
もよい。
きく、また、その深さはウェハの厚みと同じ程度とする
。ＣＶＤ膜形成時においてはウェハ２０はこのウェハ装
着溝２２にこの治具外周部と段差がない状態で装着され
る。なお、ここでは、ウェハ装着溝２２はウェハ直径よ
り３〜４ｍｍ程度大きくなるようにしているが、これは
ウェハの搬送を容易にするためであり、ウェハ直径より
１〜２鶴程度大きくしてもよいし、更には余裕はなくて
もよい。
更に、石英製支持円盤２１の円周縁部の幅１はウェハが
３インチ（３Ｘ２．５４ｃｍ）の場合、Ｉ ＴｏｒｒＯ
時４〜５鶴、０．６ Ｔｏｒｒの時２〜３ｍｌとする。
３インチ（３Ｘ２．５４ｃｍ）の場合、Ｉ ＴｏｒｒＯ
時４〜５鶴、０．６ Ｔｏｒｒの時２〜３ｍｌとする。
第３図は第１図のウェハ支持円盤をＣＶＤ反応炉中に固
定する石英ボードの側面図、第４図は第３図のＣ−Ｃ線
断面図、第５図は第４図の第Ｄ−Ｄ線断面図である。
定する石英ボードの側面図、第４図は第３図のＣ−Ｃ線
断面図、第５図は第４図の第Ｄ−Ｄ線断面図である。
この石英ボードは石英製支持円盤２１の固定柱２３の石
英製支持円盤２１の装着位置にガス障壁リング２４を具
備している。このガス障壁リング２４は石英製支持円盤
２１より３〜４龍程度高くなるように予め固定柱２３に
固定されている。
英製支持円盤２１の装着位置にガス障壁リング２４を具
備している。このガス障壁リング２４は石英製支持円盤
２１より３〜４龍程度高くなるように予め固定柱２３に
固定されている。
ＣＶＤ膜形成時においては、ウェハ２０は第１図に示す
石英製支持円盤２１と共に、第５図に示すようにセント
される。即ち、この実施例においては、ガス障壁リング
２４からウェハ２０までの間隔を離すように構成されて
いるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英製
支持円盤２１に成膜され、ウェハ面上においては均一な
膜厚分布で成膜することができる。
石英製支持円盤２１と共に、第５図に示すようにセント
される。即ち、この実施例においては、ガス障壁リング
２４からウェハ２０までの間隔を離すように構成されて
いるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英製
支持円盤２１に成膜され、ウェハ面上においては均一な
膜厚分布で成膜することができる。
この点について、更に詳細に説明すると、反応ガスは第
５図に示すガス障壁リング２４の側部から噴出されるこ
とになる。この時ガス障壁リング２４に衝突した反応ガ
スはウェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する
。
５図に示すガス障壁リング２４の側部から噴出されるこ
とになる。この時ガス障壁リング２４に衝突した反応ガ
スはウェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ガス障
壁リングを設け、更に、ガス障壁リングとウェハの間隔
を離すことにより、ウェハ面上を流れ゛るガスの流れを
均一にするようにしたので、ガス供給律速で使用される
全ての縦型ＣＶＤのウェハ面内膜厚分布の向上を図るこ
とができる。
壁リングを設け、更に、ガス障壁リングとウェハの間隔
を離すことにより、ウェハ面上を流れ゛るガスの流れを
均一にするようにしたので、ガス供給律速で使用される
全ての縦型ＣＶＤのウェハ面内膜厚分布の向上を図るこ
とができる。
第１図は本発明の実施例を示す縦型減圧ＣＶＤにおける
ウェハ支持円盤の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図、第３図は第１図のウェハ支持円盤をＣＶＯ反応炉
中に固定する石英ボードの側面図、第４図は第３図のＣ
−Ｃ線断面図、第５図は第４図のＤ−Ｂ線断面図、第６
図は従来の横型減圧ＣＶＯにおけるウェハ面内の膜厚分
布を示す図、第７図は従来の横型減圧ＣＶＤ装置の構成
図、第８図は従来の縦型減圧ＣＶＤにおけるウェハの支
持状態を示す図、第９図は従来の縦型減圧ＣＶＩ）にお
けるウェハ面内の膜厚分布を示す図である。 ２０・・・ウェハ、２１・・・石英製支持円盤、２２・
・・ウェハ装着溝、２３・・・固定柱、２４・・・ガス
障壁リング。 特許出願人 沖電気工業株式会社
ウェハ支持円盤の平面図、第２図は第１図のＢ−Ｂ線断
面図、第３図は第１図のウェハ支持円盤をＣＶＯ反応炉
中に固定する石英ボードの側面図、第４図は第３図のＣ
−Ｃ線断面図、第５図は第４図のＤ−Ｂ線断面図、第６
図は従来の横型減圧ＣＶＯにおけるウェハ面内の膜厚分
布を示す図、第７図は従来の横型減圧ＣＶＤ装置の構成
図、第８図は従来の縦型減圧ＣＶＤにおけるウェハの支
持状態を示す図、第９図は従来の縦型減圧ＣＶＩ）にお
けるウェハ面内の膜厚分布を示す図である。 ２０・・・ウェハ、２１・・・石英製支持円盤、２２・
・・ウェハ装着溝、２３・・・固定柱、２４・・・ガス
障壁リング。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガス供給律速状態で用いる縦型ＣＶＤ装置のウェハ治
具において、 （ａ）中心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウ
ェハの収納溝を有するウェハ支持盤と、（ｂ）該ウェハ
支持盤を受ける固定柱と、 （ｃ）該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記ウェ
ハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設ける
ようにしたことを特徴とする縦型ＣＶＤ装置のウェハ治
具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31739587A JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型ｃｖｄ装置のウエハ治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31739587A JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型ｃｖｄ装置のウエハ治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01160023A true JPH01160023A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18087770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31739587A Pending JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型ｃｖｄ装置のウエハ治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01160023A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5743967A (en) * | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP31739587A patent/JPH01160023A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5743967A (en) * | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
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