JPH01160023A - 縦型cvd装置のウエハ治具 - Google Patents
縦型cvd装置のウエハ治具Info
- Publication number
- JPH01160023A JPH01160023A JP31739587A JP31739587A JPH01160023A JP H01160023 A JPH01160023 A JP H01160023A JP 31739587 A JP31739587 A JP 31739587A JP 31739587 A JP31739587 A JP 31739587A JP H01160023 A JPH01160023 A JP H01160023A
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、CVD (Chemical Vapor
Deposition)装置に係り、特にガス供給律速
状態で用いる縦型減圧CVD装置のウェハ治具に関する
ものである。
Deposition)装置に係り、特にガス供給律速
状態で用いる縦型減圧CVD装置のウェハ治具に関する
ものである。
(従来の技術)
従来、この種のCVD装置、特にガス供給律速反応条件
で成膜するSing、PSG 、5iJa膜等の薄膜形
成CVD装置においては、ウェハ固定治具によるウェハ
表面での反応ガスの流れが不均一になるため、ウェハ面
内に膜厚の面内分布が発生する。
で成膜するSing、PSG 、5iJa膜等の薄膜形
成CVD装置においては、ウェハ固定治具によるウェハ
表面での反応ガスの流れが不均一になるため、ウェハ面
内に膜厚の面内分布が発生する。
第6図に従来の横型の5iH410゜原料ガスにおける
ウェハ面内の膜厚分布を示す。ここで、1はウェハ、2
はそのウェハが支持される部分、3は干渉色を示してい
る。
ウェハ面内の膜厚分布を示す。ここで、1はウェハ、2
はそのウェハが支持される部分、3は干渉色を示してい
る。
第7図は上記のウェハ面内の膜厚分布の均一化を図るた
めに工夫された横型減圧CVD装置の構成図である。図
中、4は炉芯管、5は石英ボード、6は石英ウェハ支持
板、7はストッパ、8はSiウェハである。
めに工夫された横型減圧CVD装置の構成図である。図
中、4は炉芯管、5は石英ボード、6は石英ウェハ支持
板、7はストッパ、8はSiウェハである。
このように、石英ボード5でもってSiウェハ8を直接
受けることな(、ストッパ6付き石英ウェハ支持板6で
もって、Siウェハ8を受け、石英ウェハ支持板6を石
英ボード5で受けるようにしている。
受けることな(、ストッパ6付き石英ウェハ支持板6で
もって、Siウェハ8を受け、石英ウェハ支持板6を石
英ボード5で受けるようにしている。
しかし、このように改良したとしても、干渉は発生し、
更に、横型ではスペースを必要とするので、縦型が主流
となりつつある。
更に、横型ではスペースを必要とするので、縦型が主流
となりつつある。
(発明が解決しようとする問題点)
上記したように、縦型減圧CVD装置が主流になってき
ているが、このような反応ガス供給律速で用いる縦型減
圧CVDにおいても、ウェハ治具による反応ガスの流れ
の不均一さのために、例えば、ウェハ面内膜厚分布が発
生する。第8図に示すように、ウェハ10は石英ボード
11で受けられ、ウェハ10には接触支持部12.13
.14・・・などが生じるため、第9図に示すように、
該接触支持部で干渉色が発生する。
ているが、このような反応ガス供給律速で用いる縦型減
圧CVDにおいても、ウェハ治具による反応ガスの流れ
の不均一さのために、例えば、ウェハ面内膜厚分布が発
生する。第8図に示すように、ウェハ10は石英ボード
11で受けられ、ウェハ10には接触支持部12.13
.14・・・などが生じるため、第9図に示すように、
該接触支持部で干渉色が発生する。
本発明は、上記問題点を除去するために、縦型CVD用
石英ウェハ治具を改良し、ウェハ内膜厚分布が改良され
た縦型CVD装置のウェハ治具を提供することを目的と
する。
石英ウェハ治具を改良し、ウェハ内膜厚分布が改良され
た縦型CVD装置のウェハ治具を提供することを目的と
する。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、ガス供給律速
状態で用いる縦型CVD装置のウェハ治具において、中
心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウェハの収
納溝を有するウェハ支持盤と、該ウェハ支持盤を受ける
固定柱と、該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記
ウェハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設
けるようにしたものである。
状態で用いる縦型CVD装置のウェハ治具において、中
心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウェハの収
納溝を有するウェハ支持盤と、該ウェハ支持盤を受ける
固定柱と、該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記
ウェハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設
けるようにしたものである。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成することにより、ガ
スは第5図に示されるガス障壁リングの側部から噴出さ
れ、この時ガス障壁リング24に衝突した反応ガスはウ
ェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する。また
、ガス障壁リング24からウェハ20までの間隔を離し
であるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英
製支持円盤21に成膜され、ウェハ面上においては均一
な膜厚分布で成膜することができる。
スは第5図に示されるガス障壁リングの側部から噴出さ
れ、この時ガス障壁リング24に衝突した反応ガスはウ
ェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する。また
、ガス障壁リング24からウェハ20までの間隔を離し
であるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英
製支持円盤21に成膜され、ウェハ面上においては均一
な膜厚分布で成膜することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明の実施例を示す縦型減圧CVDにおける
ウェハ支持円盤の平面図、第2図は第1図のB−B線断
面図である。
ウェハ支持円盤の平面図、第2図は第1図のB−B線断
面図である。
第1図に示すように、中心部にウェハ装着溝22を有す
る、例えば、石英製支持円盤21を設ける。
る、例えば、石英製支持円盤21を設ける。
そのウェハ装着溝22はウェハ直径より3〜4顛程度大
きく、また、その深さはウェハの厚みと同じ程度とする
。CVD膜形成時においてはウェハ20はこのウェハ装
着溝22にこの治具外周部と段差がない状態で装着され
る。なお、ここでは、ウェハ装着溝22はウェハ直径よ
り3〜4mm程度大きくなるようにしているが、これは
ウェハの搬送を容易にするためであり、ウェハ直径より
1〜2鶴程度大きくしてもよいし、更には余裕はなくて
もよい。
きく、また、その深さはウェハの厚みと同じ程度とする
。CVD膜形成時においてはウェハ20はこのウェハ装
着溝22にこの治具外周部と段差がない状態で装着され
る。なお、ここでは、ウェハ装着溝22はウェハ直径よ
り3〜4mm程度大きくなるようにしているが、これは
ウェハの搬送を容易にするためであり、ウェハ直径より
1〜2鶴程度大きくしてもよいし、更には余裕はなくて
もよい。
更に、石英製支持円盤21の円周縁部の幅1はウェハが
3インチ(3X2.54cm)の場合、I TorrO
時4〜5鶴、0.6 Torrの時2〜3mlとする。
3インチ(3X2.54cm)の場合、I TorrO
時4〜5鶴、0.6 Torrの時2〜3mlとする。
第3図は第1図のウェハ支持円盤をCVD反応炉中に固
定する石英ボードの側面図、第4図は第3図のC−C線
断面図、第5図は第4図の第D−D線断面図である。
定する石英ボードの側面図、第4図は第3図のC−C線
断面図、第5図は第4図の第D−D線断面図である。
この石英ボードは石英製支持円盤21の固定柱23の石
英製支持円盤21の装着位置にガス障壁リング24を具
備している。このガス障壁リング24は石英製支持円盤
21より3〜4龍程度高くなるように予め固定柱23に
固定されている。
英製支持円盤21の装着位置にガス障壁リング24を具
備している。このガス障壁リング24は石英製支持円盤
21より3〜4龍程度高くなるように予め固定柱23に
固定されている。
CVD膜形成時においては、ウェハ20は第1図に示す
石英製支持円盤21と共に、第5図に示すようにセント
される。即ち、この実施例においては、ガス障壁リング
24からウェハ20までの間隔を離すように構成されて
いるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英製
支持円盤21に成膜され、ウェハ面上においては均一な
膜厚分布で成膜することができる。
石英製支持円盤21と共に、第5図に示すようにセント
される。即ち、この実施例においては、ガス障壁リング
24からウェハ20までの間隔を離すように構成されて
いるので、膜厚分布の悪いガス障壁リング近傍は石英製
支持円盤21に成膜され、ウェハ面上においては均一な
膜厚分布で成膜することができる。
この点について、更に詳細に説明すると、反応ガスは第
5図に示すガス障壁リング24の側部から噴出されるこ
とになる。この時ガス障壁リング24に衝突した反応ガ
スはウェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する
。
5図に示すガス障壁リング24の側部から噴出されるこ
とになる。この時ガス障壁リング24に衝突した反応ガ
スはウェハ上にて渦巻状になりウェハに均一に接触する
。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ガス障
壁リングを設け、更に、ガス障壁リングとウェハの間隔
を離すことにより、ウェハ面上を流れ゛るガスの流れを
均一にするようにしたので、ガス供給律速で使用される
全ての縦型CVDのウェハ面内膜厚分布の向上を図るこ
とができる。
壁リングを設け、更に、ガス障壁リングとウェハの間隔
を離すことにより、ウェハ面上を流れ゛るガスの流れを
均一にするようにしたので、ガス供給律速で使用される
全ての縦型CVDのウェハ面内膜厚分布の向上を図るこ
とができる。
第1図は本発明の実施例を示す縦型減圧CVDにおける
ウェハ支持円盤の平面図、第2図は第1図のB−B線断
面図、第3図は第1図のウェハ支持円盤をCVO反応炉
中に固定する石英ボードの側面図、第4図は第3図のC
−C線断面図、第5図は第4図のD−B線断面図、第6
図は従来の横型減圧CVOにおけるウェハ面内の膜厚分
布を示す図、第7図は従来の横型減圧CVD装置の構成
図、第8図は従来の縦型減圧CVDにおけるウェハの支
持状態を示す図、第9図は従来の縦型減圧CVI)にお
けるウェハ面内の膜厚分布を示す図である。 20・・・ウェハ、21・・・石英製支持円盤、22・
・・ウェハ装着溝、23・・・固定柱、24・・・ガス
障壁リング。 特許出願人 沖電気工業株式会社
ウェハ支持円盤の平面図、第2図は第1図のB−B線断
面図、第3図は第1図のウェハ支持円盤をCVO反応炉
中に固定する石英ボードの側面図、第4図は第3図のC
−C線断面図、第5図は第4図のD−B線断面図、第6
図は従来の横型減圧CVOにおけるウェハ面内の膜厚分
布を示す図、第7図は従来の横型減圧CVD装置の構成
図、第8図は従来の縦型減圧CVDにおけるウェハの支
持状態を示す図、第9図は従来の縦型減圧CVI)にお
けるウェハ面内の膜厚分布を示す図である。 20・・・ウェハ、21・・・石英製支持円盤、22・
・・ウェハ装着溝、23・・・固定柱、24・・・ガス
障壁リング。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガス供給律速状態で用いる縦型CVD装置のウェハ治
具において、 (a)中心部にウェハと同じ高さ寸法の深さを有するウ
ェハの収納溝を有するウェハ支持盤と、(b)該ウェハ
支持盤を受ける固定柱と、 (c)該固定柱の外側に取り付けられ、かつ、前記ウェ
ハ支持盤の周辺に配設されるガス障壁リングとを設ける
ようにしたことを特徴とする縦型CVD装置のウェハ治
具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31739587A JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型cvd装置のウエハ治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31739587A JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型cvd装置のウエハ治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01160023A true JPH01160023A (ja) | 1989-06-22 |
Family
ID=18087770
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31739587A Pending JPH01160023A (ja) | 1987-12-17 | 1987-12-17 | 縦型cvd装置のウエハ治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01160023A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5743967A (en) * | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
-
1987
- 1987-12-17 JP JP31739587A patent/JPH01160023A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5743967A (en) * | 1995-07-13 | 1998-04-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Low pressure CVD apparatus |
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