JPH0115157Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は複合部品に関し、特に混成集積回路基
板として有用なコンデンサおよびインダクタンス
素子内蔵型のLC複合部品に関する。

LC複合部品の基板を例えば混成集積回路の基
板として利用する場合には、コンデンサおよびイ
ンダクタンス素子は内蔵型に形成される。このよ
うな素子内蔵型のLC複合部品は、一般には、誘
電体層とコンデンサ電極用導電パターンとを交互
に積層した積層コンデンサと、磁性体層と所定の
導電パターンとを交互に積層した積層インダクタ
とを積層し、焼成して一体化したものより構成さ
れている。この場合、各内蔵コンデンサおよびイ
ンダクタンス素子の電極の端部が積層体の端面に
露出され、これら露出電極端部に適当な導電ペイ
ントを被着し、電極引出端子を形成している。通
常、コンデンサの電極引出端子は積層体の対向す
る端面に形成されており、従つて比較的大容量の
コンデンサと小容量のコンデンサの引出端子が積
層体の同じ端面に引出され、引出端子の位置の設
計が煩雑となる欠点があつた。

本考案は上記欠点を除去するためになされたも
ので、小容量のコンデンサの引出端子と比較的大
容量のコンデンサの引出端子とを90゜角度の異な
る位置に成形したLC複合部品を提供するもので
ある。

以下、本考案の一実施例につき、添付図面を参
照して詳細に説明する。

第１図は低誘電率の誘電体を使用して任意の製
造方法、例えば誘電体層とコンデンサ電極用導電
パターンとを交互に積層する方法、により製造さ
れた低容量の３つのコンデンサC₁〜C₃を内蔵す
る第１のコンデンサ基板１を示す。このコンデン
サ基板１を製造するに当り、各内蔵コンデンサ
C₁〜C₃の電極端部C_Eを、図示するように、コン
デンサ基板１の例えば図において上下方向の対向
する端面に露出するようにする。また、図示する
ように、コンデンサ基板１の右下角部に方向性指
示マーク２を付けておく。勿論、方向性指示マー
ク２の位置は右下角部に限定されるものではな
い。

第２図は高誘電率の誘電体を使用すて任意の製
造方法、例えば上記した積層方法、により製造さ
れた比較的高容量の３つのコンデンサC₄〜C₆を
内蔵する第２のコンデンサ基板３を示す。この第
２のコンデンサ基板３を製造するに当り、各内蔵
コンデンサC₄〜C₆の電極端部C_Bは、図示するよ
うに、第１のコンデンサ基板１とは90度角度の異
なる図において左右方向の対向する端面に露出さ
せる。また、第１のコンデンサ基板１と同じ位置
に方向性指示マーク２を付けておく。第１および
第２のコンデンサ基板１および３は同じ形状、寸
法を有することはいうまでもない。

第３図は任意の製造方法、例えば磁性体層とコ
イル用導電パターンとを交互に積層する方法、に
より製造された２つのインダクタンス素子L₁お
よびL₂を内蔵するインダクタンス基板４を示す。
これらインダクタンス素子L₁およびL₂の電極端
部L_Eは図示の例では上側端面および右側端面に
露出されているが、これは実際の回路構成によつ
て変更し得るものである。勿論、これら露出電極
端部L_EはコンデンサC₁〜C₆の露出電極端部C_Eと
は同じ端面でも異なる位置にある。特定のLC回
路を構成する場合には、同じ位置に露出させるこ
ともある。インダクタンス基板４は同じ形状、寸
法を有し、また同じ位置に方向性指示マーク２を
有する。

次に、第４図および第５図に示すように、コン
デンサ基板１，３およびインダクタンス基板４と
同じ形状、寸法の適当な誘電率の誘電体よりなる
第１および第２の中間材５および６を用意し、第
１の中間材５を第１および第２のコンデンサ基板
間に介在させ、また第２の中間材６を第２のコン
デンサ基板３とインダクタンス基板４との間に介
在させて、各基板の方向性指示マーク２を合わせ
て第６図に示すように積層し、焼成炉に入れ、誘
電体および磁性体の所要の温度および時間で処理
し、一体化されたLC複合部品を得る。場合によ
つては、中間材５および６の一方あるいは両方を
使用しなくてもよい。

このようにして得られたLC複合部品は、内蔵
された低容量のコンデンサC₁〜C₃の電極端部と
比較的高容量のコンデンサC₄〜C₆の電極端部と
が90度角度の異なる基板の端面に導出されている
から、低容量コンデンサおよび高容量コンデンサ
は互いに相手のコンデンサの引出端子の位置を考
慮する必要なく独立に引出端子の位置を設計でき
るから、作業性が一段と向上する。また、低容量
コンデンサと高容量コンデンサとを別々に製造す
るものであるから製造効率が良い等の利点もあ
る。

上記LC複合部品の基板を例えば混成集積回路
の基板として利用する場合には、第７図に示すよ
うに焼成後の複合部品の基板７の表面にガラス被
覆８を施こし、第８図に示すように各コンデンサ
C₁〜C₆および各インダクタンス素子L₁，L₂の電
極端部から基板平面部にかけて例えばAg−Pdペ
ーストのような導電ペイントを被着して引出端子
９Ｃおよび９Ｌを形成する。なお、混成集積回路
の基板として利用しない場合でも、少なくとも引
出端子９Ｃ，９Ｌは形成する必要がある。ガラス
被覆８はなくてもよいが、回路パターンを形成す
るとこの回路パターンと内部電極の間に寄生容量
が生じるので、この寄生容量を減少させるためガ
ラス被覆６はある方が好ましい。引出端子９Ｃ，
９Ｌは図示の例では電極端部が露出されていない
部分にも形成されているが、これは作業を簡単に
するためであり、不必要な部分には引出端子を形
成しなくてもよい。

次に、第９図に示すように、ガラス被覆８上に
所定の回路パターン１０を形成し、さらに所定の
電子部品、例えば抵抗ＲおよびトランジスタＴを
搭載する。かくして、LC複合部品の基板７に抵
抗ＲおよびトランジスタＴを塔載した混成集積回
路が形成される。第１０図はこのようにして形成
された混成集積回路の一具体例の記録増巾器を示
す回路図である。

このように構成すると、複雑な回路構成であつ
ても、所定位置に内蔵コンデンサおよびインダク
タンス素子の電極引出端子を形成することによつ
てプリント回路パターンに絶縁交差させるべき個
所が非常に少なくなり、従つて最小限のジヤンパ
ーの使用で足りることになり、回路設計が容易
で、小型化できる等の利点がある。

なお、ガラス被覆８を施こす場合に、方向性指
示マーク２が隠れないようにすることが好まし
い。また、第９図に示す回路パターン１０、なら
びに抵抗ＲおよびトランジスタＴの塔載位置、接
続関係は単に例示にすぎず、実際の回路を示すも
のではない。塔載する電子部品の種類、個数は実
際の回路によつて異なるものであり、抵抗、トラ
ンジスタ以外の部品が塔載されることもある。ま
た、コンデンサ基板およびインダクタンス基板の
形状、寸法あるいは内蔵されるコンデンサおよび
インダクタンス素子の個数、容量、インダクタン
ス等も必要に応じて種々に変更されるものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案による複合部品の第１のコンデ
ンサ基板を示す平面図、第２図は本考案による複
合部品の第２のコンデンサ基板を示す平面図、第
３図は本考案による複合部品のインダクタンス基
板を示す平面図、第４図および第５図は本考案に
使用される中間材の平面図、第６図は本考案によ
る複合部品の焼成前の状態を示す側面図、第７図
ないし第９図は本考案による複合部品の基板を使
用して混成集積回路を製造する際の製造工程の一
例を示すそれぞれ概略平面図、第１０図は混成集
積回路の一具体例を示す回路接続図である。 １：第１のコンデンサ基板、２：方向性指示マ
ーク、３：第２のコンデンサ基板、４：インダク
タンス基板、７：複合部品の基板、８：ガラス被
覆、９Ｃ，９Ｌ：引出端子、１０：回路パター
ン、C₁〜C₃：低容量コンデンサ、C₄〜C₆：高容
量コンデンサ、L₁，L₂：インダクタンス素子。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 低誘電率の誘電体とコンデンサ電極用導電パ
   ターンとにより形成された少なくとも１つの低
   容量のコンデンサを内蔵する第１のコンデンサ
   基板と、高誘電率の誘電体とコンデンサ電極用
   導電パターンとにより形成された少なくとも１
   つの比較的高容量のコンデンサを内蔵する第２
   のコンデンサ基板と、磁性体と所定の導電パタ
   ーンとにより形成された少なくとも１つのイン
   ダクタンス素子を内蔵するインダクタンス基板
   とを積層し、焼成して一体化してなる複合部品
   において、 前記低容量コンデンサの電極引出端子と前記
   高容量コンデンサの電極引出端子とを互いに90
   度角度の異なる位置に形成したことを特徴とす
   る複合部品。 (2) 前記複合部品上にトランジスタあるいは抵抗
   を搭載したことを特徴とする実用新案登録請求
   の範囲第１項記載の複合部品。 (3) 前記第１および第２のコンデンサ基板、およ
   び前記インダクタンス基板の一隅には方向指示
   マークが取り付けられていることを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第１項記載の複合部
   品。