JPH01149356A - Platen mechanism for ion implanter - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To enlarge the range of a tilt angle so as to elevate free degree in selection of the tilt angle by providing the rotation center of a platen at 8 position which is separated by an optional distance, on the plane, from the center of a wafer and separated by an optional distance rearward from the center of the wafer. CONSTITUTION:A rotation supporting part 42 perpendicular to an installation part 41 is provided at the lower end separated by an optional distance D1, on the plane, from the center line L of a wafer 2 at the installation part in which the wafer 2 is installed, and a rotation axis 6 is installed in a position which is separated by a fixed distance D2 rearward from the center line L of the wafer 2 in the installation part 41. The rotation axis 6 is provided in a position which is separated by a fixed distance D1 downward from the center line L of the wafer 2 to a platen 4 and separated by the distance D2 rearward from the center line. Hereby, the free degree of a tilt angle is enlarged and ions can be implanted at an optional implantation angle.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ この発明は、ウェーハにイオン注入を行うイオン注入装
置において、ウェーハに傾斜角（チルト角）を設定する
プラテン機構に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a platen mechanism that sets a tilt angle to a wafer in an ion implanter that implants ions into a wafer.

〔従来の技術］ イオン注入装置では、第５図に示すように、イオン注入
を行うウェーハ２の中心線り上のプラテン４に対して回
転軸６を設けてウェーハ２のチルト角θを設定すれば、
チルト角θを何度に設定しても、Ｙ方向のイオンビーム
走査角Ｖからウェーハ２が外れることがないので、ウェ
ーハ２の全面にイオン注入を行うことができる。Ｐは、
イオンビーム走査角■のスキャニングポイントを表す。[Prior Art] In an ion implantation apparatus, as shown in FIG. 5, a rotation shaft 6 is provided with respect to a platen 4 on the center line of a wafer 2 into which ions are to be implanted, and a tilt angle θ of the wafer 2 is set. Ba,
No matter how many times the tilt angle θ is set, the wafer 2 will not deviate from the ion beam scanning angle V in the Y direction, so ions can be implanted into the entire surface of the wafer 2. P is
Represents the scanning point of the ion beam scanning angle ■.

しかしながら、イオン注入装置のプラテン機構は、第６
図に示すように、設計上、プラテン４にウェーハ２の中
心線りから特定の距離Ｄ１だけ離間した位置に回転軸６
が設けられている。However, the platen mechanism of the ion implanter is
As shown in the figure, due to the design, a rotating shaft 6 is placed on the platen 4 at a specific distance D1 from the center line of the wafer 2.
is provided.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

このように、ウェーハ２の中心線りとほぼ同一平面上の
位置に回転軸６を設置したプラテン機構では、イオンビ
ーム走査角Ｖ内でウェーハ２を回転させるチルト角θに
限界が生じ、チルト角θが大きくなると、ウェーハ２が
イオンビーム走査角■から外れ、ウェーハ２の全面にイ
オン注入することが困難になり、ウェーハ２に未注入部
分が生じる。In this way, in the platen mechanism in which the rotation axis 6 is installed at a position substantially on the same plane as the center line of the wafer 2, there is a limit to the tilt angle θ for rotating the wafer 2 within the ion beam scanning angle V, and the tilt angle When θ becomes large, the wafer 2 deviates from the ion beam scanning angle ■, making it difficult to implant ions over the entire surface of the wafer 2, resulting in unimplanted portions of the wafer 2.

そこで、この発明は、このようにウェーハの中心線から
離間した位置に回転中心を持つプラテン機構において、
チルト角の範囲を拡大し、チルト角の選択の自由度を高
めたものである。Therefore, the present invention provides a platen mechanism having a rotation center at a position spaced apart from the center line of the wafer.
This expands the range of tilt angles and increases the degree of freedom in selecting tilt angles.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明のイオン注入装置のプラテン機構は、ウェーハ
２を設置するプラテン４に、ウェーハ２の中心（中心線
Ｌ）からその平面上の任意の距離（Ｄｌ）だけ離間しか
つウェーハ２の中心から後方に任意の距離（Ｄ２）だけ
離間した位置にプラテン４の回転中心ｍを設けたもので
ある。The platen mechanism of the ion implantation apparatus of the present invention is arranged such that the platen 4 on which the wafer 2 is placed is spaced from the center of the wafer 2 (center line L) by an arbitrary distance (Dl) on the plane and rearward from the center of the wafer 2. The center of rotation m of the platen 4 is provided at a position spaced apart by an arbitrary distance (D2).

〔作　　用〕[For production]

このようにすれば、ウェーハ２の中心から後方に一定の
距離（Ｄ２）だけ離間した位置にプラテン４の回転中心
ｍが設定され、イオンビーム走査角Ｖ内での傾斜角範囲
が拡大されるのである。In this way, the rotation center m of the platen 4 is set at a position spaced a certain distance (D2) backward from the center of the wafer 2, and the tilt angle range within the ion beam scanning angle V is expanded. be.

〔実　施　例〕〔Example〕

第１図は、この発明のイオン注入装置のプラテン機構の
実施例を示す。FIG. 1 shows an embodiment of the platen mechanism of the ion implantation apparatus of the present invention.

このプラテン機構では、ウェーハ２を設置する設置部４
１のウェーハ２の中心線りからその平面上の任意の距離
Ｄ１だけ離間した下端に設置部４１と直交する回転支持
部４２を設け、設置部４１におけるウェーハ２の中心線
りから後方に一定の距離Ｄ２だけ離間した位置に回転軸
６を設置している。回転軸６は、第６図に示したプラテ
ン４に対して、ウェーハ２の中心線りから下方に一定の
距離り、だけ離間し、かつ、その中心線りから後方に距
離Ｄ２だけ離間した位置に設けられている。In this platen mechanism, the installation part 4 where the wafer 2 is placed is
A rotary support part 42 that is perpendicular to the installation part 41 is provided at the lower end spaced apart from the center line of the wafer 2 by an arbitrary distance D1 on the plane. The rotating shaft 6 is installed at a position separated by a distance D2. The rotating shaft 6 is located at a position spaced a certain distance downward from the center line of the wafer 2 and a distance D2 backward from the center line with respect to the platen 4 shown in FIG. It is set in.

このようにすれば、第２図に示すように、回転軸６を中
心にしてプラテン４を回転させると、ウェーハ２の下縁
２ａが回転軸６を中心にして円弧を描くが、その円弧が
イオンビーム走査角Ｖを脱するまでの角度は、（θ１＋
θｔ）となる。すなわち、θ、は回転中心ｍを通る軸Ｍ
に対して左側の回転角度、θ２は軸Ｍに対して右側の回
転角度を表す。回転中心ｍを、ウェーハ２の中心から一
定の距離り、だけ離間し、かつ、距離Ｄ２だけ後方にず
らしたことによって、イオンビーム走査角Ｖ内で大きな
回転角度（θ１＋θ２）が得られるのである。In this way, as shown in FIG. 2, when the platen 4 is rotated around the rotation axis 6, the lower edge 2a of the wafer 2 draws an arc around the rotation axis 6; The angle until the ion beam leaves the scanning angle V is (θ1+
θt). That is, θ is the axis M passing through the rotation center m
θ2 represents the rotation angle to the right with respect to the axis M. By separating the rotation center m by a certain distance from the center of the wafer 2 and shifting it backward by a distance D2, a large rotation angle (θ1+θ2) within the ion beam scanning angle V can be obtained.

この発明に係るプラテン機構を、従来のプラテン機構と
比較すると、ウェーハ２の直径ｌを１００閣、等しいイ
オンビーム■を設定し、スキャニングポイン）Ｐから回
転中心ｍまでの距離り、を１８００Ｍ、ウェーハ２の中
心線りからの距離Ｄ４を１５０　ｍｍとし、中心線りか
ら回転中心ｍまでの距離Ｄ２を４０ｍｍとした場合、第
３図に示すこの発明に係るプラテン機構では、イオンビ
ーム走査角■の下縁とウェーハ２の下縁２ａとが接する
までのチルト角θが約６１°となり、約６１°の角度範
囲でウェーハ２の全面的なイオン注入が行なえるのに対
し、第４図に示す従来のプラテン機構では、チルト角θ
が約３１’を越えると、イオンビーム走査角■からウェ
ーハ２が外れ、全面的なイオン注入は約３１°に限定さ
れる。すなわち、イオンビーム走査角■の軸方向におい
て、回転中心ｍをウェーハ２の中心線りから４０ｍｍ程
度後方に移動させただけで、約２倍のチルト角が得られ
たのである。したがって、チルト角の自由度が拡大し、
任意の注入角度を以てイオン注入を実現することができ
る。Comparing the platen mechanism according to the present invention with the conventional platen mechanism, the diameter l of the wafer 2 is set to 100 mm, the ion beam is set to be equal to When the distance D4 from the center line of 2 is 150 mm, and the distance D2 from the center line to the rotation center m is 40 mm, in the platen mechanism according to the present invention shown in FIG. The tilt angle θ until the lower edge touches the lower edge 2a of the wafer 2 is approximately 61°, and ion implantation can be performed over the entire surface of the wafer 2 within an angle range of approximately 61°, whereas the angle shown in FIG. In the conventional platen mechanism, the tilt angle θ
When the angle exceeds about 31', the wafer 2 deviates from the ion beam scanning angle {circle around (2)}, and the overall ion implantation is limited to about 31 degrees. That is, in the axial direction of the ion beam scanning angle {circle around (2)}, by simply moving the rotation center m approximately 40 mm backward from the center line of the wafer 2, a tilt angle approximately twice as large was obtained. Therefore, the degree of freedom of the tilt angle is expanded,
Ion implantation can be achieved with any implantation angle.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、この発明によれば、ウェーハを設
置するプラテンに、ウェーハの中心からその平面上の任
意の距離だけ離間しかつウェーハの中心から後方に任意
の距離だけ離間した位置にプラテンの回転中心を設けた
ので、イオンビーム内における全面的なイオン注入可能
な傾斜角の自由度を拡大することができる。As explained above, according to the present invention, the platen on which the wafer is placed is spaced an arbitrary distance from the center of the wafer on its plane, and is spaced an arbitrary distance backward from the center of the wafer. Since the center of rotation is provided, it is possible to expand the degree of freedom of the tilt angle at which ions can be implanted over the entire surface within the ion beam.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図はこの発明のイオン注入装置のプラテン機構の実
施例を示す図、第２図は第１図に示したイオン注入装置
のプラテン機構の構成を示す図、第３図および第４図は
イオン注入装置のプラテン機構の角度範囲を示す図、第
５図はイオン注入装置のプラテン機構の原理を示す図、
第６図は従来のイオン注入装置のプラテン機構を示す図
である。 ２・・・ウェーハ ４・・・プラテン ６・・・回転軸 り、・・・距離 Ｄ２　・・・距離 Ｌ・・・中心線 ■・・・イオンビーム走査角 第　　１　図 第２図 第４図 ｒ 第５図 第６図FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the platen mechanism of the ion implanter of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the platen mechanism of the ion implanter shown in FIG. 1, and FIGS. FIG. 5 is a diagram showing the angular range of the platen mechanism of the ion implantation device; FIG. 5 is a diagram showing the principle of the platen mechanism of the ion implantation device;
FIG. 6 is a diagram showing a platen mechanism of a conventional ion implanter. 2... Wafer 4... Platen 6... Rotation axis... Distance D2... Distance L... Center line ■... Ion beam scanning angle No. 1 Figure 2 Figure 4 r Figure 5 Figure 6

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 　ウェーハを設置するプラテンに、前記ウェーハの中心
からその平面上に任意の距離だけ離間しかつ前記ウェー
ハの中心から後方に任意の距離だけ離間した位置に前記
プラテンの回転中心を設けたイオン注入装置のプラテン
機構。An ion implanter in which a rotation center of the platen is provided on a platen on which a wafer is placed, and the center of rotation of the platen is located at a position spaced an arbitrary distance from the center of the wafer on its plane and spaced an arbitrary distance backward from the center of the wafer. platen mechanism.