JPH01147067A - カーボン硬質膜の被覆方法 - Google Patents
カーボン硬質膜の被覆方法Info
- Publication number
- JPH01147067A JPH01147067A JP30381187A JP30381187A JPH01147067A JP H01147067 A JPH01147067 A JP H01147067A JP 30381187 A JP30381187 A JP 30381187A JP 30381187 A JP30381187 A JP 30381187A JP H01147067 A JPH01147067 A JP H01147067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- carbon film
- hard carbon
- plasma
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims abstract description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 150000002291 germanium compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- -1 cyclopentadienyl metal compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種基材の表面及び内壁に、プラズマ−ＣＶＤ
法によりカーボン硬質膜を３次元的に被覆形成するため
のクロムを主体とする中間層の形成法に関する。
法によりカーボン硬質膜を３次元的に被覆形成するため
のクロムを主体とする中間層の形成法に関する。
ガラス、プラスチック、−ステンレスなど各種基材へ直
接カーボン硬質膜を被覆形成することは困難で、密着不
良から剥離が生ずる。このため、基材とカーボン硬質膜
との規着を取ることをねらい、クロムを主体とする下層
とシリコンまたはゲルマニウムからなる２層構造の中間
層を導入することが提案されている。（特願昭６０−２
５６４２６号）。クロムを主体とする下層の形成方法と
して。
接カーボン硬質膜を被覆形成することは困難で、密着不
良から剥離が生ずる。このため、基材とカーボン硬質膜
との規着を取ることをねらい、クロムを主体とする下層
とシリコンまたはゲルマニウムからなる２層構造の中間
層を導入することが提案されている。（特願昭６０−２
５６４２６号）。クロムを主体とする下層の形成方法と
して。
イオンビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、真空蒸着法などの物理的（ＰＶＤ）法があ
る。シリコンまたはゲルマニウムを主体とする上層の形
成手法としては上記手法の他にも、プラズマ−ＣＶＤ法
がある。このプラズマ−ＣＶＤ法によるシリコンまたは
ゲルマニウムを主体とする中間層の形成法は公知であり
、内部が中空となっている基材（例えば、ノズル、ダイ
ス、シリンダー、パイプなど）の場合でも内壁への被覆
形成が可能である。しカルクロムを主体とする層の形成
法はＰ Ｖ’Ｄ法であり、プラズマ−ＣＶＤ法が確立し
ていないため、基材の砲壁に対してまわり込みに劣りク
ロム層が形成できない。そこでこのような基材に対して
は、シリコンまたはゲルマニウムを主体とする中間層だ
けを形成し、カーボン硬質膜を形成する手法を用いてい
た。
ティング法、真空蒸着法などの物理的（ＰＶＤ）法があ
る。シリコンまたはゲルマニウムを主体とする上層の形
成手法としては上記手法の他にも、プラズマ−ＣＶＤ法
がある。このプラズマ−ＣＶＤ法によるシリコンまたは
ゲルマニウムを主体とする中間層の形成法は公知であり
、内部が中空となっている基材（例えば、ノズル、ダイ
ス、シリンダー、パイプなど）の場合でも内壁への被覆
形成が可能である。しカルクロムを主体とする層の形成
法はＰ Ｖ’Ｄ法であり、プラズマ−ＣＶＤ法が確立し
ていないため、基材の砲壁に対してまわり込みに劣りク
ロム層が形成できない。そこでこのような基材に対して
は、シリコンまたはゲルマニウムを主体とする中間層だ
けを形成し、カーボン硬質膜を形成する手法を用いてい
た。
しかし基材とシリコンまたはゲルマニウムを主体とする
中間層の密着性が悪い場合や、基材とシリコンまたはゲ
ルマニウムが（相互あるいは一方からの）拡散により合
金あるいは金属間化合物を形成する場合など基材にシリ
コンまたはゲルマニウムを主体とする中間層を形成でき
ない場合には、カーボン硬質膜が形成できなかった。
中間層の密着性が悪い場合や、基材とシリコンまたはゲ
ルマニウムが（相互あるいは一方からの）拡散により合
金あるいは金属間化合物を形成する場合など基材にシリ
コンまたはゲルマニウムを主体とする中間層を形成でき
ない場合には、カーボン硬質膜が形成できなかった。
本発明の目的は、内部に中空状態を有する基材の表面及
び内壁などにカーボン硬質膜を密着性良く被覆すること
である。
び内壁などにカーボン硬質膜を密着性良く被覆すること
である。
上記目的のため、本発明においては基材をカソード電位
と同レベルに保ち、プラズマ−ＣＶＤ法により（Ｃ５’
Ｈ！１ ）２ Ｃｒを昇華させ気化したガス雰囲気中
でクロムを主体とする下層を形成し、さらにシリコン化
合物またはゲルマニウム化合物を含むガス雰囲気中でシ
リコンまたはゲルマニウムを主体とする上層を形成し、
次に炭化水素ガスを含むガス雰囲気中でカーボン硬質膜
を形成するようにした。
と同レベルに保ち、プラズマ−ＣＶＤ法により（Ｃ５’
Ｈ！１ ）２ Ｃｒを昇華させ気化したガス雰囲気中
でクロムを主体とする下層を形成し、さらにシリコン化
合物またはゲルマニウム化合物を含むガス雰囲気中でシ
リコンまたはゲルマニウムを主体とする上層を形成し、
次に炭化水素ガスを含むガス雰囲気中でカーボン硬質膜
を形成するようにした。
常温ではクロムを含むガスがほとんど存在しないため、
クロムを含む固体や液体、例えば、ＣｒＭ２．ＣｒＭ３
．ＣｒＭ、、Ｃｒｙ、Ｍ２、（ＭはＦＳＣｌ％Ｂｒなど
のハロゲン）や、Ｃｒｙｓ 、Ｃｒ２Ｏ５、Ｃｒ （Ｃ
Ｏ）ａなどを気化させてＣＶＤ反応を起こす技術が提案
されている。しかしこれらの物質は人体に有害であるた
め、取り扱いに注意を要するなどの問題点も多く、まだ
−膜化していない。
クロムを含む固体や液体、例えば、ＣｒＭ２．ＣｒＭ３
．ＣｒＭ、、Ｃｒｙ、Ｍ２、（ＭはＦＳＣｌ％Ｂｒなど
のハロゲン）や、Ｃｒｙｓ 、Ｃｒ２Ｏ５、Ｃｒ （Ｃ
Ｏ）ａなどを気化させてＣＶＤ反応を起こす技術が提案
されている。しかしこれらの物質は人体に有害であるた
め、取り扱いに注意を要するなどの問題点も多く、まだ
−膜化していない。
本発明ではＣｒを含む化合物中では、人体に無害で常温
の固体の（Ｃｓ Ｈ５）２ Ｃ’を昇華させ気化させた
ものを生成源とし、プラズマ−ＣＶＤ法によるクロム膜
形成法を確立した。
の固体の（Ｃｓ Ｈ５）２ Ｃ’を昇華させ気化させた
ものを生成源とし、プラズマ−ＣＶＤ法によるクロム膜
形成法を確立した。
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図はカーボン硬質膜を形成するプラズマ−ＣＶＤ装
置の一例である。
置の一例である。
金属からなる真空槽１内には、マツチングボックスを介
して高周波電源と電気的に結合されているカソード電極
２が配置され、真空槽１は接地電位を保っておりアノー
ド電極として機能するような装置構成である。
して高周波電源と電気的に結合されているカソード電極
２が配置され、真空槽１は接地電位を保っておりアノー
ド電極として機能するような装置構成である。
基材６はカソード電極２から吊してもよいし、カソード
電極２上に置いてもよい。図面中では基材３は１つしか
示されていないが、多数の基材をカソード電極２から吊
してもよいし、置いてもよく、個数の制約はない。真空
槽１内を真空排気した後、ガス導入口４より（ＣａＨａ
）ｚｃｒ を昇華させて気化したガスを０．ＩＴｏｒｒ
導入し１３、５６ ＭＨｚの高周波電力を５００Ｗ程度
印加μプラズマーＣＶＤ法によりＣｒを主体とする膜を
厚さ約０．５μｍ形成する。次いでＳｉＨ４をガス導入
口４より０．ＩＴｏｒｒ導入し、１３．５６ ＭＨｚの
高周波電力を３００Ｗ程度印加し、プラズマ−ＣＶＤ法
によりシリコンを主体とする膜を膜厚約０．５μｍ形成
する。この場合ＳｉＨ４のがわりに、Ｓ １２Ｈａ 、
Ｓ ｉ、Ｈａ 、Ｓ ｉＦ４．５ｉ）（２ｃ１２、Ｓ
１Ｈｃｌ８．Ｓ ｉｃｌ、、Ｓ １２Ｃ１２、Ｓ １２
Ｃ１６、Ｓ ｒ Ｈｓ Ｆ、 Ｇｅ）（、、ＧｅＣｌ
＜などを用いてシリコンあるいはゲルマニウムを形成し
てもよい。このようにして形成した２層構造の中間層は
基材とカーボン硬質膜の間の密着強度を向上させるうえ
で重要である。
電極２上に置いてもよい。図面中では基材３は１つしか
示されていないが、多数の基材をカソード電極２から吊
してもよいし、置いてもよく、個数の制約はない。真空
槽１内を真空排気した後、ガス導入口４より（ＣａＨａ
）ｚｃｒ を昇華させて気化したガスを０．ＩＴｏｒｒ
導入し１３、５６ ＭＨｚの高周波電力を５００Ｗ程度
印加μプラズマーＣＶＤ法によりＣｒを主体とする膜を
厚さ約０．５μｍ形成する。次いでＳｉＨ４をガス導入
口４より０．ＩＴｏｒｒ導入し、１３．５６ ＭＨｚの
高周波電力を３００Ｗ程度印加し、プラズマ−ＣＶＤ法
によりシリコンを主体とする膜を膜厚約０．５μｍ形成
する。この場合ＳｉＨ４のがわりに、Ｓ １２Ｈａ 、
Ｓ ｉ、Ｈａ 、Ｓ ｉＦ４．５ｉ）（２ｃ１２、Ｓ
１Ｈｃｌ８．Ｓ ｉｃｌ、、Ｓ １２Ｃ１２、Ｓ １２
Ｃ１６、Ｓ ｒ Ｈｓ Ｆ、 Ｇｅ）（、、ＧｅＣｌ
＜などを用いてシリコンあるいはゲルマニウムを形成し
てもよい。このようにして形成した２層構造の中間層は
基材とカーボン硬質膜の間の密着強度を向上させるうえ
で重要である。
次に炭化水素を含むガス、例えばＣＨ，を０． ＩＴｏ
ｒｒ導入し、１３．５６ ＭＨｚの高周波電力を３００
Ｗ程度印加し、プラズマ−ＣＶＤ法によりカーボン硬質
膜を形成させる。ＣＨ，のかゎりにＣ２Ｈ６、Ｃ５Ｈｓ
、Ｃ４ＨＩＯ％Ｃ２Ｈ４、Ｃ５Ｈａ、Ｃｔ Ｈ２、Ｃ
４Ｈ６を用いてもよい。
ｒｒ導入し、１３．５６ ＭＨｚの高周波電力を３００
Ｗ程度印加し、プラズマ−ＣＶＤ法によりカーボン硬質
膜を形成させる。ＣＨ，のかゎりにＣ２Ｈ６、Ｃ５Ｈｓ
、Ｃ４ＨＩＯ％Ｃ２Ｈ４、Ｃ５Ｈａ、Ｃｔ Ｈ２、Ｃ
４Ｈ６を用いてもよい。
本発明ではＣｒを含む化合物中では人体にほとんど無害
である（Ｃ５Ｈ５）２Ｃ’ をＣＶＤ反応の生成源に
選んだ。シクロペンタジェニル金属化合物である（Ｃｓ
Ｈａ）２Ｃｒ はプラズマで励起させることにより、容
易に（ｃａＨｓ） とＣｒの結合が切れ、クロム膜が
得られるという利点がある。内部に中空状態な有しシリ
コンまたはゲルマニウムと密着が悪かった基材の内壁に
も、プラズマ−ＣＶＤ法を採用したことによりクロム膜
が形成できるようになり、カーボン硬質膜の被覆形成が
可能となった。
である（Ｃ５Ｈ５）２Ｃ’ をＣＶＤ反応の生成源に
選んだ。シクロペンタジェニル金属化合物である（Ｃｓ
Ｈａ）２Ｃｒ はプラズマで励起させることにより、容
易に（ｃａＨｓ） とＣｒの結合が切れ、クロム膜が
得られるという利点がある。内部に中空状態な有しシリ
コンまたはゲルマニウムと密着が悪かった基材の内壁に
も、プラズマ−ＣＶＤ法を採用したことによりクロム膜
が形成できるようになり、カーボン硬質膜の被覆形成が
可能となった。
第１図は本発明の実施例における基材の表面や内部に中
空を有する基材の内壁に、カーボン硬質膜を被覆形成す
るための装置を示す模式図である。 １・・・・・・真空槽、 ２・・・・・・カソード電極、 第１＠
空を有する基材の内壁に、カーボン硬質膜を被覆形成す
るための装置を示す模式図である。 １・・・・・・真空槽、 ２・・・・・・カソード電極、 第１＠
Claims (1)
- カソード電極と電気的に接続された状態で保持されてお
り、内部に中空状態を有する多数の基材を接地電位にあ
る金属製の真空槽内に配置し、（Ｃ＿５Ｈ＿５）＿２Ｃ
ｒを昇華させ気化させたガス雰囲気中で、プラズマ−Ｃ
ＶＤ法によりクロムを主体とする層を形成し、次にシリ
コン化合物またはゲルマニウム化合物を含むガス雰囲気
中で、プラズマ−ＣＶＤ法によりシリコンまたはゲルマ
ニウムを主体とする層を形成し、しかるのちに、これら
の２層構造からなる中間層上に炭化水素を含むガス雰囲
気中で、プラズマ−ＣＶＤ法によりカーボン硬質膜を被
覆形成することを特徴とするカーボン硬質膜の被覆方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30381187A JPH01147067A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | カーボン硬質膜の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30381187A JPH01147067A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | カーボン硬質膜の被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147067A true JPH01147067A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17925587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30381187A Pending JPH01147067A (ja) | 1987-12-01 | 1987-12-01 | カーボン硬質膜の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147067A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5425983A (en) * | 1992-08-10 | 1995-06-20 | Santa Barbara Research Center | Infrared window protected by multilayer antireflective coating |
| US5455081A (en) * | 1990-09-25 | 1995-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip |
| US5527596A (en) * | 1990-09-27 | 1996-06-18 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5593719A (en) * | 1994-03-29 | 1997-01-14 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce frictional wear between components made of ultra-high molecular weight polyethylene and metal alloys |
| US5605714A (en) * | 1994-03-29 | 1997-02-25 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce thrombogeneticity in heart valves made from titanium and its alloys |
| US5637353A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-10 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5643423A (en) * | 1990-09-27 | 1997-07-01 | Monsanto Company | Method for producing an abrasion resistant coated substrate product |
| US5725573A (en) * | 1994-03-29 | 1998-03-10 | Southwest Research Institute | Medical implants made of metal alloys bearing cohesive diamond like carbon coatings |
| US5731045A (en) * | 1996-01-26 | 1998-03-24 | Southwest Research Institute | Application of diamond-like carbon coatings to cobalt-cemented tungsten carbide components |
| US5780119A (en) * | 1996-03-20 | 1998-07-14 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce friction and wear on metal alloy components |
-
1987
- 1987-12-01 JP JP30381187A patent/JPH01147067A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455081A (en) * | 1990-09-25 | 1995-10-03 | Nippon Steel Corporation | Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip |
| US5527596A (en) * | 1990-09-27 | 1996-06-18 | Diamonex, Incorporated | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5635245A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-03 | Monsanto Company | Process of making abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5637353A (en) * | 1990-09-27 | 1997-06-10 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5643423A (en) * | 1990-09-27 | 1997-07-01 | Monsanto Company | Method for producing an abrasion resistant coated substrate product |
| US5844225A (en) * | 1990-09-27 | 1998-12-01 | Monsanto Company | Abrasion wear resistant coated substrate product |
| US5425983A (en) * | 1992-08-10 | 1995-06-20 | Santa Barbara Research Center | Infrared window protected by multilayer antireflective coating |
| US5593719A (en) * | 1994-03-29 | 1997-01-14 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce frictional wear between components made of ultra-high molecular weight polyethylene and metal alloys |
| US5605714A (en) * | 1994-03-29 | 1997-02-25 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce thrombogeneticity in heart valves made from titanium and its alloys |
| US5725573A (en) * | 1994-03-29 | 1998-03-10 | Southwest Research Institute | Medical implants made of metal alloys bearing cohesive diamond like carbon coatings |
| US5731045A (en) * | 1996-01-26 | 1998-03-24 | Southwest Research Institute | Application of diamond-like carbon coatings to cobalt-cemented tungsten carbide components |
| US5780119A (en) * | 1996-03-20 | 1998-07-14 | Southwest Research Institute | Treatments to reduce friction and wear on metal alloy components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6764714B2 (en) | Method for depositing coatings on the interior surfaces of tubular walls | |
| JP3660866B2 (ja) | 硬質炭素膜の形成方法並びにその装置 | |
| US7052736B2 (en) | Method for depositing coatings on the interior surfaces of tubular structures | |
| JPH049757B2 (ja) | ||
| JP2748213B2 (ja) | プラズマ製膜装置 | |
| JPH01147067A (ja) | カーボン硬質膜の被覆方法 | |
| US3368914A (en) | Process for adherently depositing a metal carbide on a metal substrate | |
| JPH05504374A (ja) | 鋼防蝕のための低温プラズマ技術 | |
| Abeln et al. | Approaches to nanofabrication on Si (100) surfaces: Selective area chemical vapor deposition of metals and selective chemisorption of organic molecules | |
| US7351480B2 (en) | Tubular structures with coated interior surfaces | |
| JPH02175142A (ja) | シャーシ，ボディーまたは部品およびその作製方法 | |
| EP0349044A3 (en) | Process for the production of a protective film on a magnesium-based substrate, application to the protection of magnesium alloys, substrates thus obtained | |
| JPS62138395A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPH059735A (ja) | ダイヤモンドの気相合成方法 | |
| JP2616797B2 (ja) | プラズマ重合膜の形成法 | |
| US20030000826A1 (en) | Method for the production of gas- and liquid-impermeable layers on a substrate | |
| EP0763144B1 (en) | Production of carbon-coated barrier films with increased concentration of carbon with tetrahedral coordination | |
| JP2978023B2 (ja) | 合成ダイヤモンドフィルムの製造方法 | |
| JPS588640B2 (ja) | スピ−カ−シンドウバンノセイゾウホウ | |
| JPH0215161A (ja) | イオンビームスパッタ法による炭化チタン膜形成方法 | |
| JPS5915983B2 (ja) | ホウ素被膜の形成方法 | |
| JPH04103777A (ja) | カーボン硬質膜を形成した基材 | |
| JPH02228475A (ja) | 炭化ケイ素被膜の製造方法 | |
| JPS62116767A (ja) | カ−ボン硬質膜を被覆した金属部材 | |
| JPH0361372A (ja) | 薄膜形成装置 |