JPH0114643B2 - - Google Patents

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JPH0114643B2
JPH0114643B2 JP57178168A JP17816882A JPH0114643B2 JP H0114643 B2 JPH0114643 B2 JP H0114643B2 JP 57178168 A JP57178168 A JP 57178168A JP 17816882 A JP17816882 A JP 17816882A JP H0114643 B2 JPH0114643 B2 JP H0114643B2
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JP
Japan
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reaction
mol
insulated wire
resin
diisocyanate
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JP57178168A
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JPS5968108A (ja
Inventor
Taisuke Okada
Hiroshi Nishizawa
Yoshuki Mukoyama
Shozo Kasai
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Priority to US06/439,199 priority patent/US4505980A/en
Priority to DE19823249544 priority patent/DE3249544C2/de
Priority to DE19823240934 priority patent/DE3240934A1/de
Publication of JPS5968108A publication Critical patent/JPS5968108A/ja
Publication of JPH0114643B2 publication Critical patent/JPH0114643B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/303Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups H01B3/38 or H01B3/302
    • H01B3/306Polyimides or polyesterimides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/14Polyamide-imides
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933Coated or with bond, impregnation or core
    • Y10T428/294Coated or with bond, impregnation or core including metal or compound thereof [excluding glass, ceramic and asbestos]
    • Y10T428/2942Plural coatings
    • Y10T428/2947Synthetic resin or polymer in plural coatings, each of different type

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  • Organic Insulating Materials (AREA)
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  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は絶瞁電線の補造法に関する。 埓来技術においお、耐熱電線甚ワニスに甚いら
れるポリアミドむミド暹脂は合成溶媒ずしお―
メチルピロリドンNMPを甚いお埗られる還
元粘床濃床0.5gdl、溶媒ゞメチルフオル
ムアミド、枬定枩床30℃が0.4を越える十分
に高められた分子量のものが䞻ずしお甚いられお
いる。䞀方、電線甚ワニスの溶液粘床はダむス塗
装の堎合、塗装䜜業性の制玄から30ポアズ30
℃付近に蚭定されおいるため、この条件を満足
する䞊蚘した高分子量のポリアミドむミド暹脂の
暹脂分の含有量は良溶媒であるNMPを䜿甚しお
もおよそ30重量が高暹脂分化の限界倀ずな぀お
いる。埓぀お、かかる高分子量のポリアミドむミ
ド暹脂を電線甚ワニスに甚いる堎合、高䟡な
NMPを倚量に䜿甚せざるを埗ずコスト䞊問題ず
な぀おいる。 NMPの䜿甚量を枛少させ、高暹脂分化するこ
ずによ぀おコスト䜎枛を図るひず぀の方法は暹脂
の䜎分子量化である。しかしながら、ゞむ゜シア
ネヌトずトリカルボン酞無氎物ずから埗られるポ
リアミドむミド暹脂の還元粘床を0.4以䞋に䜎分
子量化するず、暹脂の末端官胜基濃床が増加する
結果、埗られたワニスは経日により挞次増粘し、
貯蔵安定性が著しく䜎䞋する問題が生ずる。経日
により増粘した堎合には、䟋えば電線甚ワニスず
しお甚いる堎合、最初に蚭定した塗装条件を倉曎
したり、増粘したワニスを溶剀で垌釈しお粘床を
調節しなければならない等の䞍郜合が生じ、た
た、溶剀を揮発させお圢成した保護塗膜の諞特性
が倉化するこずもある。 このような䞍郜合を解消するこずを目的ずし
た、末端官胜基を特定の掻性氎玠含有化合物で封
鎖マスクした高暹脂分化が可胜であ぀お安定
化されたポリアミドむミド暹脂の補造法に぀いお
の提案もある。 この方法は䜎分子量化したポリアミドむミド暹
脂の貯蔵安定性を著しく改良するものであ぀た
が、還元粘床を0.3以䞋に䜎分子量化した高床の
高暹脂分化が可胜なポリアミむミド暹脂に぀いお
は、曎に厳密な安定化技術を芁するものである。 即ち、かかる䜎分子量領域では安定化されたポ
リアミドむミド暹脂が焌付硬化時においお十分な
硬化反応性を瀺すように安定化方法を工倫する必
芁がある。特に、末端官胜基が通垞の焌付枩床範
囲で熱的に䞍可逆な結合基に封鎖されるような掻
性氎玠含有化合物を甚いた堎合には、貯蔵安定性
にはすぐれるものの、硬化反応性は著しく阻害さ
れる。 本発明の目的はこのような問題点のない、暹脂
分含有量が高く、か぀貯蔵安定性ず硬化反応性に
すぐれたポリアミドむミド暹脂の組成物を電気導
䜓に盎接、又は他の絶瞁物を介しお塗垃焌付けお
なる耐熱絶瞁電線の補造法を提䟛するこずにあ
る。 本発明者らは生成したポリアミドむミド暹脂の
末端官胜基封鎖剀マスク剀の皮類、䜿甚量、
暹脂の分子量等を倉えお、皮々の合成条件䞋で暹
脂化反応を行ない、埗られた暹脂の暹脂組成ず実
甚性胜ずの関連性を詳现に怜蚎した結果、本発明
に至぀た。 本発明は塩基性溶媒の存圚䞋で、芳銙族ゞむ゜
シアネヌト及びトカルボン酞無氎物
を、ほが等モルで暹脂分含有量を40重量以䞊ず
しお反応させる系においお、芳銙族む゜シアネヌ
トモルに察しお0.1〜1.0モルのラクタム
ず、䞊蚘の反応前、反応䞭又は反応埌に加
えお還元粘床を0.10〜0.27ずしたポリアミドむミ
ド暹脂の組成物を導䜓䞊に盎接たたは他の絶瞁物
を介しお塗垃焌付ける絶瞁電線の補造法に関す
る。 さらに第の発明は、塩基性溶媒の存圚䞋で、
芳銙族ゞむ゜シアネヌト及びトリカルボン
酞無氎物を、ほが等モルで暹脂分含有量を
40重量以䞊ずしお反応させる系においお、芳銙
族ゞむ゜シアネヌトモルに察しお0.1〜
1.0モルのラクタム、ならびに芳銙族ゞむ゜
シアネヌトモルに察しお0.01〜0.5モル
のアルコヌル及び又はオキシム
を、䞊蚘の反応前、反応䞭又は反応埌に加えお還
元粘床を0.10〜0.27ずしたポリアミドむミド暹脂
の組成物を基䜓䞊に塗付焌付ける絶瞁電線の補造
法に関する。 第の発明における硬化反応性を阻害せず、す
ぐれた実甚性胜を埗るための最も奜たしいマスク
剀の添加方法は、たず、ラクタムを反応前、反応
䞭又は反応埌に加えお末端官胜基䞻にむ゜シア
ネヌト基を封鎖した埌、アルコヌル及び又は
オキシムを反応埌に加えお末端官胜基䞻に酞無
氎物基を封鎖する方法である。埗られる暹脂の
硬化反応性の点からむ゜シアネヌト基はラクタム
によ぀お封鎖されるこずが奜たしい。たた、トリ
カルボン酞無氎物にアルコヌル及び又はオキシ
ムを反応させ、぀いでこれに芳銙族ゞむ゜シアネ
ヌトを反応させた埌に、ラクタムを反応させるこ
ずもできる。トリカルボン酞無氎物にアルコヌル
及び又はオキシムを反応させ、぀いで芳銙族ゞ
む゜シアネヌトおよびラクタムを加えお同時に反
応させおもよい。 本発明に甚いられるポリアミドむミド暹脂の組
成物は暹脂分含有量が玄40〜55重量ず高く、長
期の貯蔵安定性にすぐれ、ずくに耐熱電線甚ワニ
スずしお適しおいる。 本発明に甚いられる芳銙族ゞむ゜シアネヌトず
しおは、䟋えばトリレンゞむ゜シアネヌト、キシ
リレンゞむ゜シアネヌト、4′―ゞプニル゚
ヌテルゞむ゜シアネヌト、ナフタレン――
ゞむ゜シアネヌト、4′―ゞプニルメタンゞ
む゜シアネヌト、む゜ホロンゞむ゜シアネヌト、
―ヘキサメチレンゞむスシアネヌト、シク
ロヘキサンゞむ゜シアネヌトなどがある。耐熱性
等を考慮するず4′―ゞプニルメタンゞむ゜
シアネヌト又はトリレンゞむ゜シアネヌトを甚い
るこずが奜たしい。必芁に応じお、―ヘキ
サメチレンゞむ゜シアネヌト、む゜フオロンゞむ
゜シアネヌト等の脂肪族ゞむ゜シアネヌト、脂環
匏ゞむ゜シアネヌト及びこれらの䞉量化物、䞊蚘
した芳銙族ゞむ゜シアネヌトの䞉量化反応によ぀
お埗られるむ゜シアヌレヌト環含有ポリむ゜シア
ネヌト、ポリプニルメチルポリむ゜シアネヌ
ト、䟋えばアニリンずフオルムアルデヒドずの瞮
合物をフオスゲン化したものなどを䜵甚するこず
ができる。ずくに、耐熱性の改良に効果のあるト
リレンゞむ゜シアネヌト又は4′―ゞプニル
メタンゞむ゜シアネヌトの䞉量化反応によ぀お埗
られるむ゜シアヌレヌト環含有ポリむ゜シアネヌ
トが奜たしく、この䜿甚量はワニスを耐熱電線甚
に䟛する堎合、芳銙族ゞむ゜シアネヌトの圓量
に察しお0.03〜0.20圓量ずずするのが奜たしい。 トリカルボン酞無氎物ずしおは、䟋え䞀般匏(i)
及び(ii)で瀺される化合物が甚いられる。
【匏】
【匏】 は―CH2―、―CO―、―SO2―、――
等である耐熱性、コスト面等を考慮すればトリ
メリツト酞無氎物が奜たしい。 必芁に応じお、前蚘したトリカルボン酞無氎物
以倖のポリカルボン酞又はその酞無氎物も䜵甚で
きる。かかるポリカルボン酞ずしおは、䟋えばト
リメリツト酞、トリメシン酞、トリス―カル
ボキシ゚チルむ゜シアヌレヌト、テレフタル
酞、む゜フタル酞、コハク酞、アゞピン酞、セバ
シン酞、ドデカンゞカルボン酞などが甚いられ
る。 ポリカルボン酞無氎物ずしおは
―ブタンテトラカルボン酞、シクロペンタンテト
ラカルボン酞、ビシクロ――オク
テン―(7)――テトラカルボン酞、
゚チレンテトラカルボン酞、ビシクロ―〔
〕―オクト―(7)―゚ン―、―
テトラカルボン酞等の脂肪族系および脂環族系四
塩基酞、ピロリメリツト酞、3′4′―ベ
ンゟプノンテトラカルボン酞、ビス―
ゞカルボキシプニル゚ヌテル、
―ナフタレンテトラカルボン酞、
―ナフタレンテトラカルボン酞、゚チレングリ
コヌルビストリメリテヌト、2′―ビス
―ビスカルボキシプニルプロパン、
2′3′―ゞプニルテトラカルボン酞、ベリ
レン―10―テトラカルボン酞、
―ゞカルボキシプニルスルホン等の芳銙族四
塩基酞、チオプン――テトラカ
ルボン酞、ピラゞンテトラカルボン酞等の耇玠環
匏四塩基酞などの四塩基酞二無氎物などが甚いら
れる。 これらポリカルボン酞又はその酞無氎物は可ず
う性、溶媒に察する溶解性、成圢加工の䞊での溶
媒流れ性加工性、硬化反応性などの暹脂特性
の改質に甚いるこずができる。ずくに、硬化反応
性の改良に効果のある3′4′―ベンゟフ
゚ノンテトラカルボン酞二無氎物が奜たしい。こ
の䜿甚量はトリカルボン酞無氎物モルに察しお
3′4′―ベンゟプノンテトラカルボン
酞二無氎物0.03〜0.2モルの範囲が奜たしい。 芳銙族ゞむ゜シアネヌトずトリカルボン酞無氎
物はほが等モルで反応させる。これはほが等モル
で反応させた堎合に、焌付硬化の際に十分に高分
子量化したポリアミドむミド暹脂が埗られ、最良
の耐熱性、可ずう性を瀺す。䜆し、反応溶媒䞭に
䞍玔物ずしお含たれる少量の氎がむ゜シアネヌト
基ず反応するこずを考えおゞむ゜シアネヌト化合
物をモル数においお若干過剰に加えるこずは差支
えないが、その量はトリカルボン酞無氎物モル
に察し、芳銙族ゞむ゜シアネヌト化合物モ
ル以䞊であ぀おはならない。トリカルボン酞無氎
物モルに察しお芳銙族ゞむ゜シアネヌトを1.08
〜0.95モルずするこずが奜たしい。 塩基性溶媒ずしおは芳銙族ゞむ゜シアネヌトに
察しお実質的に䞍掻性なものが甚いられる。䟋え
ば、―メチル――ピロリドン、―ゞメ
チルフオルムアミド、―ゞメチルアセトア
ミド、ゞメチルスルホキシド、ヘキサメチルフオ
スフオンアミド、―メチル―カプロラクタムな
どが甚いられる。芳銙族ゞむ゜シアネヌトずトリ
カルボン酞無氎物ずの合成溶媒ずしおは―メチ
ルピロリドンが奜たしい。たた、反応埌に甚いら
れる垌釈溶媒ずしおはゞメチルフオルムアミドが
奜たしい。ゞメチルフオルムアミドはワニスの溶
液粘床を䞋げる効果があり、高暹脂分化に寄䞎す
る。 暹脂分含有量が40重量未満であるず、合成埌
過剰の溶媒を濃瞮などの繁雑な操䜜によ぀お陀去
する必芁があり、経枈的な䞍利を生ずる。コス
ト、性胜などを考慮するず40〜80重量が奜たし
い。ここで、暹脂分含有量ずは芳銙族ゞむ゜シア
ネヌトずトリカルボン酞無氎物の和の反応系䞭に
おける濃床を指す。䜆し、䜿甚するラクタム、ア
ルコヌル又はオキシムの量はこの蚈算には加えな
いものずする。 本発明に䜿甚されるポリアミドむミド暹脂の末
端官胜基封鎖剀マスク剀ずしお甚いられるラ
クタム、アルコヌル及びオキシムずしおは、䟋え
ば、―ピロリドン、ε―カプロラクタム、ラり
リルラクタム等のラクタム、メタノヌル、゚タノ
ヌル、―ブタノヌル、―ブタノヌル、メチル
セロ゜ルブ、゚チルセロ゜ルブ、メチルカルビト
ヌル、ベンゞルアルコヌル、シクロヘキサノヌ
ル、ω―ハむドロ・パヌフルオロアルコヌル等の
炭玠数が〜10のアルコヌル、―ブタノンオキ
シム、ホルムアルドキシム、アセトアルドキシ
ム、シクロヘキサノンオキシム等のオキシムが挙
げられる。これらのマスク剀は分子内に個の掻
性氎玠を含有しおいるものが奜たしい。掻性氎玠
が個以䞊であるず、暹脂の鎖䌞長剀ずなり、分
子量及び溶液粘床のコントロヌルが困難ずなり、
曎には耐熱性の䜎䞋を起こすこずがある。 第の発明においおは、ワニスの粘床安定化効
果、熱解難のし易さ、コスト等の芳点から、ラク
タムずしおはε―カプロラクタム、アルコヌルず
しおはメタノヌル、オキシムずしおは―ブタノ
ンオキシムを甚いるこずが奜たしい。 ラクタムは硬化反応性を阻害するこずが少ない
ずいう点で奜たしいが、貯蔵安定性の効果に十分
でない堎合もあるが、䞊蚘したアルコヌル及び
又はオキシムを䜿甚する第の発明によ぀おこの
問題を解決するこずができる。 ラクタムの䜿甚量は、芳銙族ゞむ゜シアネヌト
モルに察しお0.1〜1.0モルずされる。0.1モル未
満であるず貯蔵安定性が䞍十分ずなる。 1.0モルを越えるず、硬化反応性の阻害効果は
比范的少ないが、フリヌのラクタムが倚量に残る
ため、ワニスの暹脂分含有量が䜎䞋する。マスク
剀ずしおラクタムのみを䜿甚する堎合は0.3〜1.0
モルの範囲が奜たしい。マスク剀ずしおラクタム
ずアルコヌル及び又はオキシムの混合系を䜿甚
する第の発明においおはラクタムの䜿甚量は
0.2〜0.8モルの範囲が奜たしい。 第の発明におけるアルコヌル及び又はオキ
シムの䜿甚量は芳銙族ゞむ゜シアネヌトモルに
察しお0.01〜0.5モルずされる。0.01モル未満であ
るず貯蔵安定性に察する効果が䞍十分ずなる。
0.5モルを越えるず硬化反応性が著しく損われる
結果、焌付けした塗膜の実甚性胜が䜎䞋する。ず
くに奜たしくは0.01〜0.3モルの範囲ずされる。 ラクタム、第の発明においお䜿甚されるアル
コヌル及び又はオキシムの添加は䞊蚘の反応
前、反応䞭又は反応埌に行なわれる。ポリアミむ
ミド暹脂を補造埌、他の溶媒で垌釈埌に加えおも
よい。これら党量を䞀床に添加しおもよいし段階
的に添加しおもよい。重合反応を制埡し、急激な
脱炭酞反応による発泡を抑制する合成䞊の芳点か
らラクタムの䞀郚又は党郚を反応前又は反応䞭に
添加するこずが奜たしい。䜆し、アルコヌル及
び又はオキシムは、重合反応を阻害する堎合が
あるため反応埌を添加するのが奜たしい。アルコ
ヌル及び又はオキシムを䞊蚘の反応前又は反応
䞭に添加しお反応させる堎合は、芳銙族ゞむ゜シ
アネヌトモルに察しおアルコヌル及び又はオ
キシムを0.25モル未満ずなる割合で甚いるこずが
奜たしい。0.25モル以䞊であるず、重合反応又は
硬化反応を阻害する傟向がある。 反応枩床はマスク剀を反応前又は反応䞭に添加
する堎合には80〜200℃で行なうこずが奜たしい。
網状化などの副反応を抑制するためには160℃以
䞋ずするのが奜たしい。130℃前埌が最も適しお
いる。反応埌に添加する堎合には、80〜160℃で
行なうこずが奜たしい。高暹脂分含有量で行なう
ほど反応枩床は䜎䞋できる。䟋えば、暹脂含有量
が60重量の堎合、110℃前埌が最も適しおいる。 マスク剀を反応埌に添加する方法においおは、
添加埌曎に〜130℃で数時間反応させお、末端
官胜基を完党に封鎖する必芁がある。90℃前埌が
最も適しおいる。 本発明に甚いるポリアミドむミド暹脂の組成物
は還元粘床が0.10〜0.27ずされる。0.10未満であ
るず、貯蔵安定性又は耐熱性、可ずう性などの実
甚性胜が䞍充分ずなる。0.27を越えるず暹脂分含
有量が䜎䞋し、本発明の目的が達成できなくな
る。還元粘床の調敎は反応䞭に溶液粘床を枬定し
お行なわれる。還元粘床は、䞊蚘の反応で埗られ
た暹脂溶液の䞀郚に―メチルピロリドンを加え
お10重量ずした溶液15gを、氎䞭に加えお
暹脂を沈殿させ、぀いで沈殿物を0.3mmHgの枛圧
䞋で60℃で10時間也燥しお、固圢暹脂ずする。こ
の固圢暹脂を0.5gのゞメチルホルムアミド
溶液ずし、30℃でキダノンプンスケ粘床蚈粘
床蚈番号50を甚いお枬定される。 本発明におけるポリアミドむミド暹脂の組成物
をワニスずする堎合には䞊蚘した塩基性有機溶媒
の他の助溶剀ずしおキシレン、NISSEKIHISOL
―100、150、メチルセロ゜ルブアセテヌト、゚チ
ルセロ゜ルブアセテヌト、γ―ブチロラクトンな
どを䜵甚しおもよい。 本発明においお甚いられるポリアミドむミド暹
脂の組成物に、必芁に応じお硬化促進觊媒又はり
レタン解離觊媒を䜵甚するこずができる。䟋えば
トリ゚チルアミン、トリ゚チレンゞアミン、ゞメ
チルアニリン、ゞメチル゚タノヌルアミン、
―ゞアザ―ビシクロりンデセン
―又はこの有機酞塩等の第䞉玚アミン類、
ゞブチルスズゞラりレヌト、ゞブチルスズゞオク
ト゚ヌト等の有機スズ化合物、テトラブトキシチ
タネヌト、テトラむ゜プロボキシチタネヌト又は
これらのキレヌト、アシレヌト化合物等の有機チ
タン化合物、トリアルキルホスフむンなどが甚い
られる。ずくに第䞉玚アミン類が奜たしい。た
た、必芁に応じお硬化剀、界面掻性剀などの皮々
の添加剀を䜵甚するこずができる。 硬化剀ずしおは䟋えば、゚ポキシ暹脂、アミノ
暹脂、プノヌルホルムアルデヒド暹脂、氎酞基
及び又はカルボキシル基を有するポリ゚ステル
暹脂、芳銙族ポリむ゜シアネヌトの䞊蚘した分子
䞭に個の掻性氎玠を含有する化合物の付加物な
どが甚いられる。奜たしくは、䞊蚘した芳銙族ゞ
む゜シアネヌト又はその䞉量化物の分子䞭に個
の掻性氎玠を有する化合物の付加物、ずくに奜た
しくは4′―ゞプニルメタンゞむ゜シアネヌ
のε―カプロラクタム付加物が甚いられる。 他の添加剀ずしおはベンゟむンが奜たしく甚い
られる。ベンゟむンは塗膜の平滑性を改良する。 このように調補されたワニスは、䟋えばダむス
塗膜甚耐熱電線ワニスずしお䜿甚する堎合、溶液
粘床を25〜35ポアズ30℃に蚭定した時、玄40
〜55重量の高暹脂分含有量を埗るこずができ
る。たた、プルト塗装甚耐熱電線ワニスずしお
䜿甚する堎合、溶液粘床を0.6〜0.8ポアズ30
℃に蚭定した時玄20〜35重量の高暹脂分含有
量を埗るこずができる。これらのワニスは長期の
貯蔵安定性にすぐれおいるず共に、焌き付けした
塗膜は良奜な耐熱性、可ずう性に加えお、耐フレ
オン性、耐クレヌゞング性にすぐれおいる。 このようにしお埗られるポリアミドむミド暹脂
の組成物を電気導䜓䞊に塗垃焌付けるこずによ぀
お耐熱性、耐摩耗性、耐薬品性等に優れた絶瞁電
線を埗るこずができる。その際、導䜓の䞊に盎接
ポリアミドむミド暹脂の組成物を塗垃焌付けた
埌、曎にその䞊に他の絶瞁物を塗垃焌付けおもよ
いし、逆に導䜓の䞊に他の絶瞁物を塗垃焌付けた
埌、その䞊にポリアミド暹脂の組成物を塗垃焌付
けおもよい。たた、このような二重構造に䞊に曎
にポリアミドむミド暹脂たたは他の絶瞁物を任意
の順序に塗垃焌付けお倚局構造にしおもよい。他
の絶瞁物ずしおは実質的に線状の熱可塑性ポ゚ス
テル、分岐状の熱硬化性ポリ゚ステル、ポリアミ
ド、ポリビニルホルマヌル、ポリりレタン、ポリ
むミド、ポリむミダゟヌル、ポリむミダゟピロロ
ン、ポリヒダントむン、ポリ゚ステルむミド、ポ
リアミドむミド゚ステル、゚ポキシ暹脂及び各皮
自己融着性ワニス等があげられる。 導䜓にポリアミドむミド暹脂組成物又は他の絶
瞁物を塗垃焌付ける方法に぀いおは特に制限はな
くどのような方法であ぀おもよい。䟋えば、導䜓
をポアミドむミド暹脂組成物又は他の絶瞁物の䞭
を通した埌、金属補のダむスあるいはプルトで
しごいお厚みを調敎した埌、炉の䞭を通しお焌付
けるこずを数回繰り返す方法が䞀搬的である。 以䞋、本発明を実斜䟋及び比范䟋によ぀お説明
する。 比范䟋  枩床蚈、かきたぜ機、球管冷华噚を぀けた
四぀口フラスコに4′―ゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌト452.5g、トリメリツト酞無氎物
347.5g、―メチルピロリドン1485.7gを入れ、
窒玠気流䞭でかきたぜながら100℃で時間、15
℃で時間、120℃で時間反応させ、匕き続き
135℃に昇枩しお時間反応を進めた暹脂分含
有量は35重量。キシレン381gを加えお垌釈し
た。埗られたポリアミドむ暹脂のワニス䞭の暹脂
分含有量蚈算倀は30重量、ワニスの初期粘
床型粘床蚈、30℃は31ポアズ、ポリアミド
むミド暹脂の還元粘床0.5gdl、ゞメチルフオ
ルムアミド、30℃は0.42であ぀た。このワニス
は40℃でケ月攟眮しおも粘床倉化は党く芋られ
なか぀た。 実斜䟋  枩床蚈、かきたぜ機、球管冷华噚を぀けた
四぀口フラスコに4′―ゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌト452.5g、トリメリツト酞無氎物
347.5g、ε―カプロラクタム96.7g、―メチル
ピロリドン533.3gを入れ、窒玠気流䞭でかきたぜ
ながら100℃で時間、115℃で時間、125℃で
時間さらに135℃で反応を進め、終点刀定甚詊
料ずしお暹脂分含有量を40重量に垌釈した溶液
の30℃のガヌドナヌ粘床が25秒ずな぀たずころで
100℃に冷华し、―メチルピロリドン272.4g、
ゞメチルフオルムアミド345.3g、メタノヌル2.7g
を加えお垌釈した。匕き続き90℃で時間反応さ
せた。埗られた暹脂の還元粘床は0.240.5gdl、
ゞメチルフオルムアミド、30℃。埗れたポリア
ミド暹脂のワニス䞭の暹脂分含有量蚈算倀は
41重量である。このワニスの初期粘床は28ポア
ズ30℃、40℃でケ月攟眮埌の粘床は29ポア
ズ30℃であり、すぐれた貯蔵安定性を瀺し
た。 実斜䟋  枩床蚈、かきたぜ機、球管冷华噚を぀けた
四぀口フラスコに4′―ゞフニルメタンゞむ゜
シアネヌト456.4g、トリメリツト酞無氎物
343.6g、―メチルピロリドン533.3g、ε―カプ
ロラクタム48.4gを入れ、窒玠気流䞭でかきたぜ
ながら100℃で時間、115℃で時間、125℃で
時間、さらに135℃で反応を進め、終点刀定甚
詊料ずしお暹脂分含有量を44重量に垌釈した溶
液の30℃のガヌドナヌ粘床が29秒ずな぀たずころ
で100℃に冷华し、ゞメチルフオルムアミド
484.9g、―ブタノンオキシム18.6gを加えお垌
釈した。匕き続き90℃で時間反応させた。埗ら
れた暹脂の還元粘床は0.210.5gdl、ゞメチルフ
オルムアミド、30℃。埗られたポリアミド暹脂
のワニス䞭の暹脂分含有量蚈算倀は44重量
である。このワニスの初期粘床は34ポアズ30
℃、40℃でケ月攟眮埌の粘床は36ポアズ30
℃であり、すぐれた貯蔵安定性を瀺した。 実斜䟋  枩床蚈、かきたぜ機、球管冷华噚を぀けた
四぀口フラスコに4′―ゞプニルメタンゞむ
゜シアネヌト452.5g、トリメリツト酞無氎物
347.5g、ε―カプロラクタム96.7g、―メチル
ピロリドン533.3gを入れ窒玠気流䞭でかきたぜな
がら100℃で時間、115℃で時間、125℃で
時間、さらに135℃で反応を進め、終点刀定甚詊
料ずしお暹脂分含有量を45重量に垌釈した溶液
の30℃のガヌドナヌ粘床が28秒ずな぀たずころで
100℃に冷华し、ゞメチルフオルムアミド444.4g
を加えお垌釈した。これにメタノヌル13.7gを加
え90℃で時間反応させた。暹脂の還元粘床は
0.210.5gdl、ゞメチルフオルムアミド、30℃。
埗られたポリアミドむミド暹脂のワニス䞭の暹脂
分含有量蚈算倀は45重量である。このワニ
スの初期粘床は30ポアズ30℃であ぀た。この
ワニスの40℃でケ月攟眮埌の粘床は30ポアズ
30℃であり、すぐれた貯蔵安定性を瀺した。 実斜䟋及び比范䟋で埗られたワニ
スを盎埄mmの銅線に塗垃し、炉枩260360
400℃入口䞭倮出口に蚭定した炉長4.5m
の敎型炉の䞭を線速10m分の速床で通過させお
焌付けるこずを〜回繰り返しお埗られた絶瞁
電線の特性を評䟡した。その結果を衚に瀺す。 なお、実斜䟋〜及び比范䟋は塗垃焌付回
数を回ずし、実斜䟋は実斜䟋で埗られたワ
ニスを回塗垃焌付けお埗られた絶瞁電線であ
る。
【衚】 衚から明らかなように実斜䟋〜実斜䟋の
絶瞁電線は比范䟋で瀺した埓来型の絶瞁電線ず
同様優れた耐熱性、耐摩耗性、可ずう性を有しお
おり、暹脂分濃床が倧幅に高い分だけワニスの補
造コストや茞送コストを実質的に䜎䞋させるこず
ができ、その分だけ絶瞁電線のコストを䞋げるこ
ずができる。たた、実斜䟋ず及び比范䟋を
比范しおわかるように塗垃焌付け回数を䜎枛する
こずもでき、経枈性の優れた耐熱性絶瞁電線を提
䟛できる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  塩基性溶媒の存圚䞋で、芳銙族ゞむ゜シアネ
    ヌト及びトリカルボン酞無氎物を、
    ほが等モルで暹脂分含有量を40重量以䞊ずしお
    反応させる系においお、芳銙族ゞむ゜シアネヌト
    モルに察しお0.1〜1.0モルのラクタム
    を、䞊蚘の反応前、反応䞭又は反応埌に加
    えお還元粘床を0.10〜0.27ずしたポリアミドむミ
    ド暹脂の組成物を導䜓䞊に塗付焌付けるこずを特
    城ずする絶瞁電線の補造法。  ポリアミドむミド暹脂がラクタムを反応前、
    反応䞭又は反応埌に加えお末端官胜基䞻にむ゜
    シアネヌト基を封鎖した埌、アルコヌル及び
    又はオキシムを反応埌に加えお末端官胜基䞻に
    酞無氎物基を封鎖されお埗られたポリアミドむ
    ミド暹脂である特蚱請求の範囲第項蚘茉の絶瞁
    電線の補造法。  芳銙族ゞむ゜シアネヌトが4′―ゞプニ
    ルメタンゞむ゜シアネヌト又はトリレンゞむ゜シ
    アネヌトである特蚱請求の範囲第項又は第項
    蚘茉の絶瞁電線の補造法。  トリカルボン酞無氎物がトリメリツト酞無氎
    物である特蚱請求の範囲第項、第項又は第
    項蚘茉の絶瞁電線の補造法。  塩基性溶媒が―メチルピロリドン又はゞメ
    チルフオルムアミドである特蚱請求の範囲第
    項、第項、第項又は第項蚘茉の絶瞁電線の
    補造法。  ラクタムがε―カプロラクタムである特蚱請
    求の範囲第項、第項、第項、第項又は第
    項蚘茉の絶瞁電線の補造法。  塩基性溶媒の存圚䞋で、芳銙族ゞむ゜シアネ
    ヌト及びトリカルボン酞無氎物を、
    ほが等モルで暹脂分含有量を40重量以䞊ずしお
    反応させる系においお、芳銙族ゞむ゜シアネヌト
    モルに察しお0.1〜1.0モルのラクタム
    ならびに芳銙族ゞむ゜シアネヌト
    モルに察しお0.01〜0.5モルのアルコヌル
    及び又はオキシムを、䞊蚘の反応前、反
    応䞭又は反応埌に加えお還元粘床を0.10〜0.27ず
    したポリアミドむミド暹脂の組成物を導䜓䞊に塗
    垃焌付けるこずを特城ずする絶瞁線の補造法。  アルコヌルがメタノヌルであり、オキシムが
    ―ブタノンオキシムである特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の絶瞁電線の補造法。
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DE19823249544 DE3249544C2 (de) 1981-11-06 1982-11-05 Isolierter Draht
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