JPH01146301A - 正特性サーミスタの製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタの製造方法Info
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- JPH01146301A JPH01146301A JP30626987A JP30626987A JPH01146301A JP H01146301 A JPH01146301 A JP H01146301A JP 30626987 A JP30626987 A JP 30626987A JP 30626987 A JP30626987 A JP 30626987A JP H01146301 A JPH01146301 A JP H01146301A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り策上五■月金1
本発明は、正特性サーミスタの製造方法に関する。
従来技術とその問題点
従来、チップ型の正特性サーミスタとしては第4a図、
第4b図、第5a図、第5b図に示すものが種々提供さ
れている。これらは、正特性サーミスタ素体10の両端
に電極11.11としてNi上にAgを設けている。N
iは無電解メッキにて設けられるが、安定化のために空
気中で約300°C以上の熱処理を行なうと酸化して半
田付は性が悪化する。そこで、NiをさらにAgで被覆
することとしている。
第4b図、第5a図、第5b図に示すものが種々提供さ
れている。これらは、正特性サーミスタ素体10の両端
に電極11.11としてNi上にAgを設けている。N
iは無電解メッキにて設けられるが、安定化のために空
気中で約300°C以上の熱処理を行なうと酸化して半
田付は性が悪化する。そこで、NiをさらにAgで被覆
することとしている。
しかしながら、Agを使用することにより以下の問題点
を有している。
を有している。
(1)Agは周囲環境の影響を受は易く、酸化物。
硫化物、塩化物を形成することにより半田付は性が劣化
する。
する。
(2) Agは基板への半田付は時に半田くわれを生じ
て半田付は強度が弱化し、取り扱い中にチップが脱落す
ることがある。
て半田付は強度が弱化し、取り扱い中にチップが脱落す
ることがある。
(3)第4a図、第4b図の如<NiをAgで完全に被
覆すると、通電時に酸化銀として析出しくマイグレーシ
ョン)、電極11.11が短絡するおそれを有する。
覆すると、通電時に酸化銀として析出しくマイグレーシ
ョン)、電極11.11が短絡するおそれを有する。
(4) Agは高価であり、コスト高となる。
なお、第6a図、第6b図に示す様に、下地電極として
Ag−Gaを使用したものも提供きれているが、前記(
1)〜(4)の問題点を有することは同様である。
Ag−Gaを使用したものも提供きれているが、前記(
1)〜(4)の問題点を有することは同様である。
発明の構成と作用
以上の問題点を解決するため、本発明に係る正特性サー
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体に電極とし
てのNiをメッキにて設けた後、酸素濃度約0.1〜5
%の雰囲気中で約300〜600℃の温度で熱処理を行
なうことを特徴とする。
ミスタの製造方法は、正特性サーミスタ素体に電極とし
てのNiをメッキにて設けた後、酸素濃度約0.1〜5
%の雰囲気中で約300〜600℃の温度で熱処理を行
なうことを特徴とする。
即ち、弱い酸化雰囲気中でNiを熱処理することにより
、Ni面の酸化を抑え、Agでさらに被覆することなく
Ni単独での半田付けが可能となる。Agを使用しない
ことにより、環境の悪影響で半田付は性が劣化したり、
半田くわれ、マイグレーシヨンを生じることが防止され
る。
、Ni面の酸化を抑え、Agでさらに被覆することなく
Ni単独での半田付けが可能となる。Agを使用しない
ことにより、環境の悪影響で半田付は性が劣化したり、
半田くわれ、マイグレーシヨンを生じることが防止され
る。
ところで、酸素濃度約0.1〜5%の弱酸化雰囲気は、
例えば、空気二N、ガスを1:3〜200の体積比とす
ることで得ることができる。この場合、酸素濃度が約0
.1%以下であると、O3が少なくなり過ぎて熱処理中
に正特性サーミスタ素体中の酸素が飛散し、特性の劣化
を生ずる。また、酸素濃度が約5%以上であると、Ni
面が酸化して半田付は性が劣化する。一方、熱処理温度
が約300°C以下ではNiの正特性サーミスタ素体に
対するオーミック性接触が不安定となり、安定した特性
を得ることができない。また、熱処理温度が約600″
C以上では、雰囲気の影響を受は易く、酸素濃度が低い
と素体が還元されて特性が劣化し、酸素濃度が高いとN
iの酸化が顕著となって半田付は性が劣化することとな
る。
例えば、空気二N、ガスを1:3〜200の体積比とす
ることで得ることができる。この場合、酸素濃度が約0
.1%以下であると、O3が少なくなり過ぎて熱処理中
に正特性サーミスタ素体中の酸素が飛散し、特性の劣化
を生ずる。また、酸素濃度が約5%以上であると、Ni
面が酸化して半田付は性が劣化する。一方、熱処理温度
が約300°C以下ではNiの正特性サーミスタ素体に
対するオーミック性接触が不安定となり、安定した特性
を得ることができない。また、熱処理温度が約600″
C以上では、雰囲気の影響を受は易く、酸素濃度が低い
と素体が還元されて特性が劣化し、酸素濃度が高いとN
iの酸化が顕著となって半田付は性が劣化することとな
る。
火蓋忽
第1図は、本発明に係る製造方法の一実施例を示し、ま
ず、図中(a)に示す正特性サーミスタ素体1の表裏面
の幅方向中央部に、図中(b)で斜線を付して示す様に
メッキレジストインキ2を塗布し、乾燥させる。
ず、図中(a)に示す正特性サーミスタ素体1の表裏面
の幅方向中央部に、図中(b)で斜線を付して示す様に
メッキレジストインキ2を塗布し、乾燥させる。
その後、素体1にNiの無寛解メッキを施す。これにて
メッキレジストインキ2が塗布されていない表裏面両側
部及び両端面に電極としてのNi膜が形成される。
メッキレジストインキ2が塗布されていない表裏面両側
部及び両端面に電極としてのNi膜が形成される。
次に、メッキレジストインキ2を除去する。これは、ト
リクロルエタン液中で超音波を与えることにより行なわ
れる。
リクロルエタン液中で超音波を与えることにより行なわ
れる。
次に、酸素濃度0.5%(空気: Nx−1: 39)
の雰囲気とした電気炉内で400℃に加熱する。これに
て、Niが素体1にオーミックに接触し、安定化する。
の雰囲気とした電気炉内で400℃に加熱する。これに
て、Niが素体1にオーミックに接触し、安定化する。
次に、第1図中(c)に示す様に、Ni電極3が形成き
れた素体1を一点鎖線で示す位置でカットし、チップと
する。
れた素体1を一点鎖線で示す位置でカットし、チップと
する。
さらに、フラックスを塗布して250℃の溶融錫半田中
に浸漬し、第1図中(d)に示す様に、Ni電極3上を
半田4で被覆する。
に浸漬し、第1図中(d)に示す様に、Ni電極3上を
半田4で被覆する。
以上の工程で製造された本発明品であるチップ型正特性
サーミスタと第4a図、第4b図に示した従来品である
チップ型正特性サーミスタの緒特性について以下の様に
して比較実験を行なった。
サーミスタと第4a図、第4b図に示した従来品である
チップ型正特性サーミスタの緒特性について以下の様に
して比較実験を行なった。
なお、両チップ共長さ2.0mm、幅1.25mm、高
さ0.8mmとした。
さ0.8mmとした。
(1)半田付は性テスト
従来品9本発明品共に試料を80°Cの恒温槽内に24
0時間放置した後、230℃の溶融半田(Sn :Pb
= 60 : 40)中に2秒間浸漬した。フラックス
はロジン系フラックス(メタノール溶液)を用いた。
0時間放置した後、230℃の溶融半田(Sn :Pb
= 60 : 40)中に2秒間浸漬した。フラックス
はロジン系フラックス(メタノール溶液)を用いた。
半田で覆われている面積を比較すると、従来品が70〜
80%であったのに対し、本発明品では85〜95%で
あった。
80%であったのに対し、本発明品では85〜95%で
あった。
(2)半田くわれ性テスト
従来品1本発明品共に試料を250℃の噴流半田(Sn
: Pb=60 : 40)中に10秒間浸漬した。
: Pb=60 : 40)中に10秒間浸漬した。
フラックスは前記同様ロジン系フラックス(メタノール
溶液)である、従来品はAgが消失し半田くわれが顕著
であったのに対し、本発明品では半田くわれは認められ
なかった。
溶液)である、従来品はAgが消失し半田くわれが顕著
であったのに対し、本発明品では半田くわれは認められ
なかった。
(3)マイグレーションテスト
従来品1本発明品共に試料に対して40°C190〜9
5%RHの環境下で3vの直流電圧を5ooo時間連続
的に印加した。それぞれ50個の試料に対して従来品で
は5個にマイグレーションの跡が確認され、本発明品で
はマイグレーションの跡は認められなかった。
5%RHの環境下で3vの直流電圧を5ooo時間連続
的に印加した。それぞれ50個の試料に対して従来品で
は5個にマイグレーションの跡が確認され、本発明品で
はマイグレーションの跡は認められなかった。
ところで、以上の如き本発明品に特有の効果は、Ni電
極の熱処理において炉内雰囲気の酸素濃度が約0.1〜
5%、温度が約300〜600℃の範囲内で広く確認き
れている。
極の熱処理において炉内雰囲気の酸素濃度が約0.1〜
5%、温度が約300〜600℃の範囲内で広く確認き
れている。
なお、本発明に係る正特性サーミスタの製造方法は前記
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更可能である。
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変更可能である。
例えば、第2図に示す様に、正特性サーミスタ素体1を
まずチップ型にカットし、電極形成部以外の中央部分に
メッキレジストインキ2を塗布してNiメッキを施し、
メンキレジストインキ2を除去した後、本発明の特徴と
する熱処理を加えてもよい。また、この工程によれば第
3図に示す様に、断面円形のチップ型正特性サーミスタ
を得ることも可能である。さらに、チップ型のみならず
、Ni電極にリード線を接続したタイプの正特性サーミ
スタとしてもよい。
まずチップ型にカットし、電極形成部以外の中央部分に
メッキレジストインキ2を塗布してNiメッキを施し、
メンキレジストインキ2を除去した後、本発明の特徴と
する熱処理を加えてもよい。また、この工程によれば第
3図に示す様に、断面円形のチップ型正特性サーミスタ
を得ることも可能である。さらに、チップ型のみならず
、Ni電極にリード線を接続したタイプの正特性サーミ
スタとしてもよい。
発明の効果
以上の説明で明らかな様に、本発明によれば、正特性サ
ーミスタ素体にNiをメッキした後に、醸素濃度約0.
1〜5%の雰囲気中で約300〜600℃の温度で熱処
理を行なう様にしたため、従来の如くNi上にさらにA
gで被覆することな(、Ni面に直接半田付けすること
が可能となり、周囲環境に影響されることなく半田付は
性が良好であり、半田くわれやマイグレーションが発生
することはなく、製造コストも大幅に低下する。
ーミスタ素体にNiをメッキした後に、醸素濃度約0.
1〜5%の雰囲気中で約300〜600℃の温度で熱処
理を行なう様にしたため、従来の如くNi上にさらにA
gで被覆することな(、Ni面に直接半田付けすること
が可能となり、周囲環境に影響されることなく半田付は
性が良好であり、半田くわれやマイグレーションが発生
することはなく、製造コストも大幅に低下する。
第1図は本発明の一実施例としての製造工程説明図であ
る。第2図、第3図はそれぞれ本発明の他の実施例での
中間製品を示す斜視図である。第 −4a図は従
来の製造方法による正特性サーミスタの平面図、第4b
図はその正面図である。第5a図、第5b図及び第6a
図、第6b図はそれぞれ従来の製造方法による正特性サ
ーミスタの平面図。 正面図である。 1・・・正特性サーミスタ素体、2・・・メッキレジス
トインキ、3・・・Ni電極。 特許出願人 株式会社村田製作所
る。第2図、第3図はそれぞれ本発明の他の実施例での
中間製品を示す斜視図である。第 −4a図は従
来の製造方法による正特性サーミスタの平面図、第4b
図はその正面図である。第5a図、第5b図及び第6a
図、第6b図はそれぞれ従来の製造方法による正特性サ
ーミスタの平面図。 正面図である。 1・・・正特性サーミスタ素体、2・・・メッキレジス
トインキ、3・・・Ni電極。 特許出願人 株式会社村田製作所
Claims (1)
- (1)正特性サーミスタ素体に電極としてのNiをメッ
キにて設けた後、酸素濃度約0.1〜5%の雰囲気中で
約300〜600℃の温度で熱処理を行なうことを特徴
とする正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30626987A JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30626987A JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01146301A true JPH01146301A (ja) | 1989-06-08 |
Family
ID=17955049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30626987A Pending JPH01146301A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 正特性サーミスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01146301A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
US7341679B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-11 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP30626987A patent/JPH01146301A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496450B1 (ko) * | 2002-11-19 | 2005-06-20 | 엘에스전선 주식회사 | 인쇄회로기판의 표면실장형 전기장치 및 이를 제조하는 방법 |
US7341679B2 (en) * | 2003-06-24 | 2008-03-11 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
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