JPH01143202A - 中高温用ｐｔｃサーミスタ - Google Patents
中高温用ｐｔｃサーミスタInfo
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- JPH01143202A JPH01143202A JP62298919A JP29891987A JPH01143202A JP H01143202 A JPH01143202 A JP H01143202A JP 62298919 A JP62298919 A JP 62298919A JP 29891987 A JP29891987 A JP 29891987A JP H01143202 A JPH01143202 A JP H01143202A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は中１Ａｉｔ域（３５０〜４５０℃）で良好なス
イッチング特性を示すチタン酸バリウム鉛系半導体の定
温発熱体に関するものである。
イッチング特性を示すチタン酸バリウム鉛系半導体の定
温発熱体に関するものである。
チタン酸バリウム鉛系の半導体［３（ＰＴＣサーミスタ
）は正温度係数、即ち温度が上がると抵抗値が増加する
性質（ＰＴＣＲ）特性を有し、その特性を利用して限流
素子、定温発熱体、モーターの起動装置、テレビの自動
消磁装置等各種の幅広い用途がある。
）は正温度係数、即ち温度が上がると抵抗値が増加する
性質（ＰＴＣＲ）特性を有し、その特性を利用して限流
素子、定温発熱体、モーターの起動装置、テレビの自動
消磁装置等各種の幅広い用途がある。
（従来の技術）
一般にチタン酸バリウム鉛系は高温ＰＴＣサーミスタと
して使用され酸化チタンと炭酸バリウムおよび酸化鉛を
原料としこれにＬａ、 Ｃｅ、 Ｙ等の希土類元素Ｓｂ
ｚ ０ｆＳＮｂなどの３価の金属を微量添加し正の抵抗
温度特性を改善させたセラミックスが得られることが知
られている。
して使用され酸化チタンと炭酸バリウムおよび酸化鉛を
原料としこれにＬａ、 Ｃｅ、 Ｙ等の希土類元素Ｓｂ
ｚ ０ｆＳＮｂなどの３価の金属を微量添加し正の抵抗
温度特性を改善させたセラミックスが得られることが知
られている。
しかしながら、これらのセラミックスは１０００℃以上
の高温で焼結されるため、出発原料中の酸化鉛が揮散し
易く、元素組成にずれが生じ安定した磁器が得られない
。特にｐｂ含有量が多くなるにつれて半導体磁器表面に
多数の空孔が生じ実用性に欠けるという問題点を有して
いた。
の高温で焼結されるため、出発原料中の酸化鉛が揮散し
易く、元素組成にずれが生じ安定した磁器が得られない
。特にｐｂ含有量が多くなるにつれて半導体磁器表面に
多数の空孔が生じ実用性に欠けるという問題点を有して
いた。
これらの欠点を改良するために従来より種々の方法が提
案され、例えば特開昭５６−５９６７５号公報にはそれ
ぞれの原料を湿式混合し、乾燥、仮焼、粉砕、加圧成型
して得た成型体を同一組成のカバーリングパウダーで覆
い焼成する方法が示されている。
案され、例えば特開昭５６−５９６７５号公報にはそれ
ぞれの原料を湿式混合し、乾燥、仮焼、粉砕、加圧成型
して得た成型体を同一組成のカバーリングパウダーで覆
い焼成する方法が示されている。
また添加物については、特開昭５０−３３４９０号公報
には、Ｎｂを添加して焼成することで鉛の揮散を防止す
る方法が示され、特開昭６０−２５８９０１号公報にお
いては出発原料の鉛成分を有機酸金属塩を用いることで
鉛の揮散を抑制し、実用的な高鉛含有磁器を製造するこ
とが開示されている。
には、Ｎｂを添加して焼成することで鉛の揮散を防止す
る方法が示され、特開昭６０−２５８９０１号公報にお
いては出発原料の鉛成分を有機酸金属塩を用いることで
鉛の揮散を抑制し、実用的な高鉛含有磁器を製造するこ
とが開示されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前記の特開昭５６−５９６７５号公報の
方法においては、鉛の置換量は高々４０％であり、スイ
ッチング温度も３００℃以下と低く、この方法によって
再現性よくスイッチング温度を３００℃以上とすること
はできないものである。
方法においては、鉛の置換量は高々４０％であり、スイ
ッチング温度も３００℃以下と低く、この方法によって
再現性よくスイッチング温度を３００℃以上とすること
はできないものである。
一方、特開昭５０−３３４９０号公報記載の方法におい
ては、鉛の置換量８０％にて、スイッチング温度的４２
０℃の例が示されているが、室温での比抵抗は５．ＯＸ
１０’Ω、Ｃｌ１１と高くまた、そのＰＴＣ効果の大
きさも２桁弱と小さく実用性に乏しいものである。また
、特開昭６０−２５８９０１号公報記載の方法において
はある程度のＰＴＣ効果は期待できるものの繰り返し通
電による劣化が認められる。
ては、鉛の置換量８０％にて、スイッチング温度的４２
０℃の例が示されているが、室温での比抵抗は５．ＯＸ
１０’Ω、Ｃｌ１１と高くまた、そのＰＴＣ効果の大
きさも２桁弱と小さく実用性に乏しいものである。また
、特開昭６０−２５８９０１号公報記載の方法において
はある程度のＰＴＣ効果は期待できるものの繰り返し通
電による劣化が認められる。
本発明は、鉛置換チタン酸バリウム系半導体磁器の製造
において鉛の揮散を抑制し、スイッチング温度３５０〜
４５０℃の中高温用ＰＴＣサーミスタ材料として諸電気
物性の優れた実用的な高鉛置換サーミスタを工業的に製
造することを目的とするものである。
において鉛の揮散を抑制し、スイッチング温度３５０〜
４５０℃の中高温用ＰＴＣサーミスタ材料として諸電気
物性の優れた実用的な高鉛置換サーミスタを工業的に製
造することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
かかる目的を達成するため本発明者らは、鉛置換チタン
酸バリウムの焼成時の鉛の挙動について鋭意検討した結
果、飴原料として鉛含有有機酸金属塩と添加剤を用いた
場合には、焼結時において酸化鉛が単独で存在すること
がなく、鉛の揮散を防止し得ることを見い出し本発明に
到達した。すなわち本発明は、一般式（Ｂａ＋ −ｘ−
ｙＳｂｙＰｂｘ） Ｔｉ０３ （ｘ≦０．９、）’
””０．００１〜０．１ ）で示される鉛置換チタン
酸バリウム系ＰＴＣサーミスタにおいて、少なくとも鉛
源として鉛含有有機酸金属塩と、ＢａＣＯ３、Ｔｉ０２
、Ｓｉ０２およびＢＮの少なくとも１種以上を用いる
ことを特徴とするものである。
酸バリウムの焼成時の鉛の挙動について鋭意検討した結
果、飴原料として鉛含有有機酸金属塩と添加剤を用いた
場合には、焼結時において酸化鉛が単独で存在すること
がなく、鉛の揮散を防止し得ることを見い出し本発明に
到達した。すなわち本発明は、一般式（Ｂａ＋ −ｘ−
ｙＳｂｙＰｂｘ） Ｔｉ０３ （ｘ≦０．９、）’
””０．００１〜０．１ ）で示される鉛置換チタン
酸バリウム系ＰＴＣサーミスタにおいて、少なくとも鉛
源として鉛含有有機酸金属塩と、ＢａＣＯ３、Ｔｉ０２
、Ｓｉ０２およびＢＮの少なくとも１種以上を用いる
ことを特徴とするものである。
本発明において用いる鉛含有有機酸塩としてはＰｂＴｉ
０（Ｃ２０４） ２ ・４Ｈｚ ０１（Ｂａｌ −ｘＰ
ｂｘ ）ＴｉＯ（ＣｚＯ＜）ｚ ・４Ｈ２０等が挙げ
られ、単独あるいは、所定の本発明組成となるようにＢ
ａＴｉ０ （Ｃ２０４） ２ ・４１１ｚ ０１Ｓ
ｂｚ ０３およびＢａＣＯ３、Ｔｉ０２ 、Ｓｉ０２お
よびＢＮの１種以上を添加混合し、仮焼成をおこなう。
０（Ｃ２０４） ２ ・４Ｈｚ ０１（Ｂａｌ −ｘＰ
ｂｘ ）ＴｉＯ（ＣｚＯ＜）ｚ ・４Ｈ２０等が挙げ
られ、単独あるいは、所定の本発明組成となるようにＢ
ａＴｉ０ （Ｃ２０４） ２ ・４１１ｚ ０１Ｓ
ｂｚ ０３およびＢａＣＯ３、Ｔｉ０２ 、Ｓｉ０２お
よびＢＮの１種以上を添加混合し、仮焼成をおこなう。
仮焼成の温度は５００〜９００℃が好ましく、焼成時の
雰囲気は大気下で可能であるが、有機酸塩は急激な分解
燃焼をおこすことがあり、適度な酸素雰囲気下でおこな
うことが好ましい。焼成温度は５００°Ｃ以下では、有
機酸塩の分解が完全ではなく、以後の所定の形状への成
型および本焼結させたあとの焼結体のクラック発生や密
度の低下等の原因となり、避けるべきである。また、
９００°Ｃ以上では部分的に焼結した状態となり成型時
に粉末のすべりが悪くなる。また、部分的な粒成長の原
因となり好ましくない。かかる仮焼成により、 （Ｂａ
１−ｘ−ｙＳｂｙＰｂｘ） ＴｉＯ３（ｘ≦０．９、ｙ
＝ ０．００１〜０．１）に少なくとも１種以上のＢ
ａＣ０：＋ 、Ｔｔｏ ２ 、Ｓｉ０２およびＢＮを含
有する均質な微細組織が形成される。このようにして得
た粉体を少量のバインダーを用いるか、あるいは使用せ
ずに所定の形状にプレス成型し、空気中または酸化雰囲
気中で１０００〜１２００℃、３０分〜２時間焼結をお
こなう。焼結にあたっては本発明の仮焼成した粉末は、
異常粒成長が起りにくいものであるが、急加熱や不均一
な加熱を避け、異常粒成長による緻密化がおこらないよ
うに注意する必要がある。
雰囲気は大気下で可能であるが、有機酸塩は急激な分解
燃焼をおこすことがあり、適度な酸素雰囲気下でおこな
うことが好ましい。焼成温度は５００°Ｃ以下では、有
機酸塩の分解が完全ではなく、以後の所定の形状への成
型および本焼結させたあとの焼結体のクラック発生や密
度の低下等の原因となり、避けるべきである。また、
９００°Ｃ以上では部分的に焼結した状態となり成型時
に粉末のすべりが悪くなる。また、部分的な粒成長の原
因となり好ましくない。かかる仮焼成により、 （Ｂａ
１−ｘ−ｙＳｂｙＰｂｘ） ＴｉＯ３（ｘ≦０．９、ｙ
＝ ０．００１〜０．１）に少なくとも１種以上のＢ
ａＣ０：＋ 、Ｔｔｏ ２ 、Ｓｉ０２およびＢＮを含
有する均質な微細組織が形成される。このようにして得
た粉体を少量のバインダーを用いるか、あるいは使用せ
ずに所定の形状にプレス成型し、空気中または酸化雰囲
気中で１０００〜１２００℃、３０分〜２時間焼結をお
こなう。焼結にあたっては本発明の仮焼成した粉末は、
異常粒成長が起りにくいものであるが、急加熱や不均一
な加熱を避け、異常粒成長による緻密化がおこらないよ
うに注意する必要がある。
なお、主原料に添加する添加物としては炭酸バリウム酸
化ケイ素、窒化ホウ素および酸化チタンであるが、これ
らは主原料に対しＢａＣＯ３０，０１〜１．０原子％、
Ｓｉ０２０．０１〜２．０原子％、８Ｎ０．０１〜４．
０原子％、ＴｉＯｚ ０．０１〜１．０原子％の範囲で
添加する。
化ケイ素、窒化ホウ素および酸化チタンであるが、これ
らは主原料に対しＢａＣＯ３０，０１〜１．０原子％、
Ｓｉ０２０．０１〜２．０原子％、８Ｎ０．０１〜４．
０原子％、ＴｉＯｚ ０．０１〜１．０原子％の範囲で
添加する。
即ち、ＢａＣ０：＋は基本組成のＰｂ６０％以上の高鉛
含有物においてはその焼結時鉛の揮散防止剤とし、かつ
基本組成のモル比バランスを保つためにＡ ５ｉｔｅ補
償用として添加するものであって、上記範囲を越えると
酸化鉛が焼結体内に存在し脆い焼結体となる。
含有物においてはその焼結時鉛の揮散防止剤とし、かつ
基本組成のモル比バランスを保つためにＡ ５ｉｔｅ補
償用として添加するものであって、上記範囲を越えると
酸化鉛が焼結体内に存在し脆い焼結体となる。
Ｓｉ０２およびＢＮは長期劣化防止のために添加するも
のであるかＳ＋０２の２．０原子％、ＢＮの４．０原子
％以上の添加では内部に酸化鉛が生成し組織の不均一化
を招きマイクロクランクが発生し脆くなる。
のであるかＳ＋０２の２．０原子％、ＢＮの４．０原子
％以上の添加では内部に酸化鉛が生成し組織の不均一化
を招きマイクロクランクが発生し脆くなる。
首０２は少量の添加では室温抵抗が他の添加剤に比べて
低（なるが、１．０原子％以上ではキュリー点が低温側
に移動する。
低（なるが、１．０原子％以上ではキュリー点が低温側
に移動する。
いずれにしてもこれら添加剤は焼結時間の短縮、相対密
度（ＳＤ）として好適な範囲である８０〜９０％内での
コントロールに加えＰＴＣＲ特性特に長期劣化実験（通
電、繰り返し通電テスト等）の実用化向上に寄与するも
のである。
度（ＳＤ）として好適な範囲である８０〜９０％内での
コントロールに加えＰＴＣＲ特性特に長期劣化実験（通
電、繰り返し通電テスト等）の実用化向上に寄与するも
のである。
以下、本発明を実施例により説明するが、これらによっ
て限定されるものではない。
て限定されるものではない。
実施例１
蓚酸塩法により製造した粒径１μｍ以下純度９９．９％
のＢａＴｉ０ （Ｃ２０４） ２ ・４Ｈ２０、Ｐ
ｂＴｉ０（ＣｚＯ＜）２ ・４ＨｚＯとＳｂｚ ０３を
主原料とし基本組成が（Ｂａ ｏ、ｔｓｓ Ｓｂ ｏ
、ｏｏｔ Ｐｂ Ｏ，７）ＴｉＯ３ ＋０．６原子％
ＢａＣ０ａ ＋ ０．１２７原子％ＳｉＯ２となるよう
に調整車ボールミルを用いて６時間湿式混合後、脱水乾
燥し６００℃で２時間仮焼成した。ついでこの粉体に２
重量％のバインダーを加えて造粒しこの造粒粉を用いて
１０鶴φ×２ｍｔの円板をｉｔ／ｃｄの圧力で成形し電
気炉中１１５０℃で３０分間焼結し焼結体を得た。
のＢａＴｉ０ （Ｃ２０４） ２ ・４Ｈ２０、Ｐ
ｂＴｉ０（ＣｚＯ＜）２ ・４ＨｚＯとＳｂｚ ０３を
主原料とし基本組成が（Ｂａ ｏ、ｔｓｓ Ｓｂ ｏ
、ｏｏｔ Ｐｂ Ｏ，７）ＴｉＯ３ ＋０．６原子％
ＢａＣ０ａ ＋ ０．１２７原子％ＳｉＯ２となるよう
に調整車ボールミルを用いて６時間湿式混合後、脱水乾
燥し６００℃で２時間仮焼成した。ついでこの粉体に２
重量％のバインダーを加えて造粒しこの造粒粉を用いて
１０鶴φ×２ｍｔの円板をｉｔ／ｃｄの圧力で成形し電
気炉中１１５０℃で３０分間焼結し焼結体を得た。
これら焼結体のＰＴＣＲ特性および繰り返し通電試験特
性を測定し、その結果を第１図および第２図に示す。
性を測定し、その結果を第１図および第２図に示す。
実施例２
実施例１と同様な蓚酸塩の原料を用いて、組成が（Ｂａ
ｏ、ｚｓｓ Ｓｂｏ、ｏｏｔ ｂＰｂ６，７ ） Ｔ
ｉ０３＋ ０．６原子％ＢａＣＯ３＋０．１２７原子％
Ｓｉ０２ ＋０．１４５原子％Ｔｉ０ｚ ＋ ０．６原
子％ＢＮとなるように調整し実施例１と同様の条件で焼
結体を得た。
ｏ、ｚｓｓ Ｓｂｏ、ｏｏｔ ｂＰｂ６，７ ） Ｔ
ｉ０３＋ ０．６原子％ＢａＣＯ３＋０．１２７原子％
Ｓｉ０２ ＋０．１４５原子％Ｔｉ０ｚ ＋ ０．６原
子％ＢＮとなるように調整し実施例１と同様の条件で焼
結体を得た。
これら焼結体のＰＴＣＲ特性および繰り返し通電試験特
性を測定しその結果を第１．２図に示す。なお、第４図
は焼結温度差による特性を示したものである。
性を測定しその結果を第１．２図に示す。なお、第４図
は焼結温度差による特性を示したものである。
比較例ｌ
ＢａＴｉ０ （Ｃｚ Ｓ＜ ） ２ ・４Ｈｚ ０
１ＰｂＴｉＯ（Ｃ２０４）？ ・４Ｈ２０Ｘ５ｂ２０
］の原料を組成が（Ｂａｏ、ｔｓｓ Ｓｂｏ、ｏｏｔ
Ｐｂｏ、７） ＴｉＯ３となるように調整し、以下実施
例１と同様の条件で焼結体を得た。
１ＰｂＴｉＯ（Ｃ２０４）？ ・４Ｈ２０Ｘ５ｂ２０
］の原料を組成が（Ｂａｏ、ｔｓｓ Ｓｂｏ、ｏｏｔ
Ｐｂｏ、７） ＴｉＯ３となるように調整し、以下実施
例１と同様の条件で焼結体を得た。
これら焼結体のＰＴＣ特性を第１図に示した。
第１図および第２図から判るように本来、原料に蓚酸塩
を用い、添加物を入れなかった場合は比較例１のように
室温抵抗高＜ ＰＴＣＲ特性もほとんど出ないものがで
きる。これにＢａＣＯ３−５ｉＯｚ系添加物を加えると
、室温抵抗が下がり、Ｔｃ以上での抵抗増加も３．５桁
と良好な特性が得られる（実施例１）。
を用い、添加物を入れなかった場合は比較例１のように
室温抵抗高＜ ＰＴＣＲ特性もほとんど出ないものがで
きる。これにＢａＣＯ３−５ｉＯｚ系添加物を加えると
、室温抵抗が下がり、Ｔｃ以上での抵抗増加も３．５桁
と良好な特性が得られる（実施例１）。
また添加物としてＢａＣＯｘ 、Ｓｉ０２ 、ＴｉＯ２
、ＢＮを加えることにより、室温抵抗はさらに１桁程度
下がり、室温とＴｃとの抵抗変化があまりなく、立ち上
がり急峻な特性が得られる。
、ＢＮを加えることにより、室温抵抗はさらに１桁程度
下がり、室温とＴｃとの抵抗変化があまりなく、立ち上
がり急峻な特性が得られる。
さらに実施例１，２について繰り返し通電試験を行なっ
た。試験方法は素子に３０Ｖの電圧を５分間流し、３分
間電圧をかけないという、８分間で１サイクルという方
法を取った。
た。試験方法は素子に３０Ｖの電圧を５分間流し、３分
間電圧をかけないという、８分間で１サイクルという方
法を取った。
これによると、ＢａＣＯｘ−３ｉ０２系では測定開始よ
り発熱温度の低下があるがＢａＣＯ３−５ｉＯｚ −Ｔ
ｉ０２−ＢＮ系ではその測定開始より少しの温度低下は
あるものの、特性は安定しており、９０時間測定後でも
素子には全く変化は認められず、長時間の通電試験に耐
久性のある素子であることが判る。（第２図参照） 実施例３ 実施例１で使用した基本組成（Ｂａ０，２．、 Ｓｂ０
．。。。
り発熱温度の低下があるがＢａＣＯ３−５ｉＯｚ −Ｔ
ｉ０２−ＢＮ系ではその測定開始より少しの温度低下は
あるものの、特性は安定しており、９０時間測定後でも
素子には全く変化は認められず、長時間の通電試験に耐
久性のある素子であることが判る。（第２図参照） 実施例３ 実施例１で使用した基本組成（Ｂａ０，２．、 Ｓｂ０
．。。。
ｐｂｏ、、 ） Ｔｉ０３に対し各種添加剤の変量を添
加した焼結体について、その添加量とＰＴＣＲ特性の関
係を測定した。その結果を第１表および第３図に示す。
加した焼結体について、その添加量とＰＴＣＲ特性の関
係を測定した。その結果を第１表および第３図に示す。
第３図において無添加−−−Ｉ ５ＢａＣＯ３０，６原
子％添加・−・・・２、Ｓｉ０２０．６ ｊｊ［子％添
加−一・−３、ＢＮ Ｏ，６原子％添加−−−−・・４
、ＴｉＯｚ ０．２原子％添加−−−−−５、（ＢａＣ
Ｏ３０，６原子％＋ＳｉＯ２０，１２７原子％＋Ｔｉ０
ｚ Ｏ，１４５原子％＋ＢＮＯ０６原子％添加−〜−−
−・６ （実施例２の組成に相当）〕を示すものである
。
子％添加・−・・・２、Ｓｉ０２０．６ ｊｊ［子％添
加−一・−３、ＢＮ Ｏ，６原子％添加−−−−・・４
、ＴｉＯｚ ０．２原子％添加−−−−−５、（ＢａＣ
Ｏ３０，６原子％＋ＳｉＯ２０，１２７原子％＋Ｔｉ０
ｚ Ｏ，１４５原子％＋ＢＮＯ０６原子％添加−〜−−
−・６ （実施例２の組成に相当）〕を示すものである
。
（以下余白）
第１表
第１表および第３図から判るように無添加系では（第３
図−１）、室温では絶縁体化しておりパターンもＮＴＣ
のようになっている。
図−１）、室温では絶縁体化しておりパターンもＮＴＣ
のようになっている。
ところがＢａＣＯ３を加えることにより（第３図−２）
室温抵抗は低く、立ち上がり急峻で３，３桁も出る特性
が得られた。またＳｉＯ２を加えることにより室温抵抗
は少し上がるものの、その他の特性ではＢａＣＯ３とほ
ぼ同様の特性が得られた。
室温抵抗は低く、立ち上がり急峻で３，３桁も出る特性
が得られた。またＳｉＯ２を加えることにより室温抵抗
は少し上がるものの、その他の特性ではＢａＣＯ３とほ
ぼ同様の特性が得られた。
ＳｉＯ２を加えることにより室温抵抗は２．１〜３．５
でＳＤは８５〜９０％と高くなり、かつ立ち上がり特性
が急峻となることが判った。また焼結温度を変えてもあ
る程度の特性は出ることが判る。
でＳＤは８５〜９０％と高くなり、かつ立ち上がり特性
が急峻となることが判った。また焼結温度を変えてもあ
る程度の特性は出ることが判る。
次にＢＮを加えると室温抵抗は、第３図−２，３よりも
低くなり、立ち上がり特性も急峻となることが判る（第
３図−４）。
低くなり、立ち上がり特性も急峻となることが判る（第
３図−４）。
ただし、Ｔｃ以上での傾きは高温になるにつれてなだら
かとなり、抵抗増加の終点が（５００℃まで測定しても
）見えない。室温抵抗は２〜２．５程度となり、ＳＯも
ＳｉＯｚ添加物よりも低く８０〜８７％程度となること
が判明した。またＢＮに関しては他の添加物に比べて添
加量幅が大きいことが特徴である。
かとなり、抵抗増加の終点が（５００℃まで測定しても
）見えない。室温抵抗は２〜２．５程度となり、ＳＯも
ＳｉＯｚ添加物よりも低く８０〜８７％程度となること
が判明した。またＢＮに関しては他の添加物に比べて添
加量幅が大きいことが特徴である。
次にＴｔＯ２を添加すると室温抵抗が他の添加物に比べ
て低くなり、立ち上がりは急で、５００℃測定において
、その抵抗増加の終点まで見えることが判る（第３図−
５）。ただし、ＴｊＯｚの添加量が増加するにつれてキ
ュリー点も低温側へスライドする傾向があることが判る
。
て低くなり、立ち上がりは急で、５００℃測定において
、その抵抗増加の終点まで見えることが判る（第３図−
５）。ただし、ＴｊＯｚの添加量が増加するにつれてキ
ュリー点も低温側へスライドする傾向があることが判る
。
（発明の効果）
一般に３００℃以上の高いスイッチング温度を有するＰ
ＴＣサーミスタは（Ｂａ１−ｘ−ｙＳｂｙＰｂｘ）Ｔｉ
ＯのＸ値を０．６以上とすることで得られることは周知
であるが、従来法ではいずれもＰｂｏ２揮敗により十分
な電気特性が得られなかったり、反復使用による物性の
劣化が認められるが、本発明のように蓚酸塩からのチタ
ン酸バリウム鉛系化合物にＢａＣＯ３、Ｔｉ０２ 、Ｓ
ｉ０２およびＢＮの少なくとも１種以上の添加による中
高温用Ｐ ＴＣサーミスタは耐電圧特性、寿命特性、ス
イノチング特性を著しく向上させ、すぐれた効果を有す
るものになる。
ＴＣサーミスタは（Ｂａ１−ｘ−ｙＳｂｙＰｂｘ）Ｔｉ
ＯのＸ値を０．６以上とすることで得られることは周知
であるが、従来法ではいずれもＰｂｏ２揮敗により十分
な電気特性が得られなかったり、反復使用による物性の
劣化が認められるが、本発明のように蓚酸塩からのチタ
ン酸バリウム鉛系化合物にＢａＣＯ３、Ｔｉ０２ 、Ｓ
ｉ０２およびＢＮの少なくとも１種以上の添加による中
高温用Ｐ ＴＣサーミスタは耐電圧特性、寿命特性、ス
イノチング特性を著しく向上させ、すぐれた効果を有す
るものになる。
第１図は実施例および比較例で得た焼結体の室温から５
００℃までの各温度における比抵抗値、第２図は実施例
における焼結体の繰り返し通電試験における結果を、第
３図は添加剤とＰＴＣＲ特性を、第４図は焼結温度とＰ
ＴＣＲ特性との関係を示すグラフである。 第１図 湿度（°Ｃ） 時間（時） 第３図 温度（°Ｃ） 第４図 湿度（°Ｃ） 手続補正書 昭和６３年２り／タ日
００℃までの各温度における比抵抗値、第２図は実施例
における焼結体の繰り返し通電試験における結果を、第
３図は添加剤とＰＴＣＲ特性を、第４図は焼結温度とＰ
ＴＣＲ特性との関係を示すグラフである。 第１図 湿度（°Ｃ） 時間（時） 第３図 温度（°Ｃ） 第４図 湿度（°Ｃ） 手続補正書 昭和６３年２り／タ日
Claims (2)
- （１）一般式（Ｂａ＿１＿−＿ｘ＿−＿ｙＳｂ＿ｙＰｂ
＿ｘ）ＴｉＯ＿３但しｘ≦０．９、ｙ＝０．００１〜０
．１で示されるチタン酸バリウム鉛系化合物に対し、添
加剤としてＢａＣＯ＿３、ＴｉＯ＿２、ＳｉＯ＿２およ
びＢＮの少なくとも１種以上を添加混合したのち、焼成
することを特徴とする中高温用ＰＴＣサーミスタ。 - （２）上記一般式で示されるチタン酸バリウム鉛系化合
物が蓚酸チタン酸バリウム、蓚酸チタン酸鉛から得た特
許請求の範囲第１項記載の中高温用ＰＴＣサーミスタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298919A JPH01143202A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 中高温用ｐｔｃサーミスタ |
| US07/273,811 US4960551A (en) | 1987-11-28 | 1988-11-21 | Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as PTC thermistor |
| GB8827632A GB2214177B (en) | 1987-11-28 | 1988-11-25 | Method of producing modified lead barium titanate ceramic useful as ptc thermistor |
| FR888815458A FR2623795B1 (fr) | 1987-11-28 | 1988-11-25 | Procede de production d'une ceramique de titanate de plomb-baryum modifie utile comme thermistance a coefficient positif de temperature |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62298919A JPH01143202A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 中高温用ｐｔｃサーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01143202A true JPH01143202A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17865875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62298919A Pending JPH01143202A (ja) | 1987-11-28 | 1987-11-28 | 中高温用ｐｔｃサーミスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4960551A (ja) |
| JP (1) | JPH01143202A (ja) |
| FR (1) | FR2623795B1 (ja) |
| GB (1) | GB2214177B (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2188492A (en) * | 1985-05-07 | 1987-09-30 | Robert Latimer Glover | Replacement aerial |
| US5188993A (en) * | 1991-01-23 | 1993-02-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
| US5688732A (en) * | 1994-11-16 | 1997-11-18 | Electronics & Telecommunications Research Inst. | Dielectric ceramic compositions for microwave |
| DE19817481C2 (de) * | 1998-04-20 | 2000-05-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung eines Kaltleiterwerkstoffes |
| CN104844196B (zh) * | 2015-04-10 | 2017-05-03 | 江苏大学 | 一种高居里温度ptc热敏陶瓷材料 |
| WO2017151966A1 (en) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | Watlow Electric Manufacturing Company | System and method for axial zoning of heating power |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5331555B2 (ja) * | 1973-07-30 | 1978-09-02 | ||
| US4558021A (en) * | 1982-06-18 | 1985-12-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ceramic high dielectric composition |
| JPS60258901A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | セントラル硝子株式会社 | 高温ｐｔｃサ−ミスタの製造方法 |
-
1987
- 1987-11-28 JP JP62298919A patent/JPH01143202A/ja active Pending
-
1988
- 1988-11-21 US US07/273,811 patent/US4960551A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-25 FR FR888815458A patent/FR2623795B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-25 GB GB8827632A patent/GB2214177B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB8827632D0 (en) | 1988-12-29 |
| FR2623795B1 (fr) | 1993-03-05 |
| FR2623795A1 (fr) | 1989-06-02 |
| GB2214177A (en) | 1989-08-31 |
| US4960551A (en) | 1990-10-02 |
| GB2214177B (en) | 1991-11-27 |
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