JPH01142078A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH01142078A JPH01142078A JP62300824A JP30082487A JPH01142078A JP H01142078 A JPH01142078 A JP H01142078A JP 62300824 A JP62300824 A JP 62300824A JP 30082487 A JP30082487 A JP 30082487A JP H01142078 A JPH01142078 A JP H01142078A
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- Japan
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- target
- rare earth
- transition metal
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- Granted
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高密度、大容量記録を可能とした光ディスク
の中で、書きかえ可能な光磁気ディスク作製に用いられ
る希土類・遷移金属を主成分とするスパッタリングター
ゲットに関するものである。
の中で、書きかえ可能な光磁気ディスク作製に用いられ
る希土類・遷移金属を主成分とするスパッタリングター
ゲットに関するものである。
従来の技術
スパッタリング法とは、膜の材料物質をターゲットとし
て、加速された止イオンがターゲット表面に衝突するこ
とにより、運動量の交換によってターゲットを構成する
粒子が空間に放出され、る現象を利用して、空間に放出
された粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術で
ある。希土類・遷移金属系の媒体を記録媒体とする光磁
気ディスクでは、スパッタリング方法としては、希土類
金属ターゲットと、遷移金属ターゲットという様に、成
分元素の数に応じて複数枚のターゲットを用いてそれぞ
れ、放電パワーなど放電条件の調整を行いながら成膜す
る、いわゆるマルチターゲツト法と、−枚のターゲット
に成分元素をすべて含む、いわゆる合金ターゲットを用
いる方法がある。マルチターゲツト法は、組成変更が用
意であることにより、研究段階でよ（用いられている方
法であるが、ターゲットの数に応じて電極が必要である
ために、量産に際しては合金ターゲツト法が主に利用さ
れる。希土類・遷移金属系の合金ターゲットには、成分
元素の純金属の粉末を混合し、ＨＩＰなどの方法により
圧縮プレスしたターゲットや、或は成分元素の金属をす
べて溶融した後粉砕しＨＩＰなどの方法により圧縮プレ
スしたターゲットがある。純金属の粉末を混合し圧縮プ
レスしたタイプの合金ターゲットには金属間化合物は含
まれておらず、また成分元素の金属をすべて溶融した後
粉砕した圧縮プレスしたタイプの合金ターゲット中ト、
組成的に可能な金属間化合物が含まれ、組成的に金属間
化合物とならない成分が純金属或は合金として存在する
。
て、加速された止イオンがターゲット表面に衝突するこ
とにより、運動量の交換によってターゲットを構成する
粒子が空間に放出され、る現象を利用して、空間に放出
された粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術で
ある。希土類・遷移金属系の媒体を記録媒体とする光磁
気ディスクでは、スパッタリング方法としては、希土類
金属ターゲットと、遷移金属ターゲットという様に、成
分元素の数に応じて複数枚のターゲットを用いてそれぞ
れ、放電パワーなど放電条件の調整を行いながら成膜す
る、いわゆるマルチターゲツト法と、−枚のターゲット
に成分元素をすべて含む、いわゆる合金ターゲットを用
いる方法がある。マルチターゲツト法は、組成変更が用
意であることにより、研究段階でよ（用いられている方
法であるが、ターゲットの数に応じて電極が必要である
ために、量産に際しては合金ターゲツト法が主に利用さ
れる。希土類・遷移金属系の合金ターゲットには、成分
元素の純金属の粉末を混合し、ＨＩＰなどの方法により
圧縮プレスしたターゲットや、或は成分元素の金属をす
べて溶融した後粉砕しＨＩＰなどの方法により圧縮プレ
スしたターゲットがある。純金属の粉末を混合し圧縮プ
レスしたタイプの合金ターゲットには金属間化合物は含
まれておらず、また成分元素の金属をすべて溶融した後
粉砕した圧縮プレスしたタイプの合金ターゲット中ト、
組成的に可能な金属間化合物が含まれ、組成的に金属間
化合物とならない成分が純金属或は合金として存在する
。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら以上のような従来のターゲットでは、金属
元素により、或は金属間化合物２合金。
元素により、或は金属間化合物２合金。
純金属によりスパッタの際、粒子の飛び出す向きに分布
があり基板上特性或は組成の均一性が得られないという
問題があった。本発明はががる点に鑑みてなされたもの
で、基板上、組成或は特性の均一性の良好な記録膜を得
るためのものである。
があり基板上特性或は組成の均一性が得られないという
問題があった。本発明はががる点に鑑みてなされたもの
で、基板上、組成或は特性の均一性の良好な記録膜を得
るためのものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、ターゲットの組成中、純金属成分と、金属間化
合物の含有量を調節することにより、基板上、特性の均
一性の良い膜が得られるものである。
もので、ターゲットの組成中、純金属成分と、金属間化
合物の含有量を調節することにより、基板上、特性の均
一性の良い膜が得られるものである。
作 用
上記のようにターゲットの組成中、純金属成分と、金属
間化合物の含有量を調整することにより、ターゲット中
での成分元素の種類、或は存在形体によって、スパッタ
の際に粒子の飛び出す向きに分布があることを利用して
基板上に特性或は組成の均一な膜が形成される。
間化合物の含有量を調整することにより、ターゲット中
での成分元素の種類、或は存在形体によって、スパッタ
の際に粒子の飛び出す向きに分布があることを利用して
基板上に特性或は組成の均一な膜が形成される。
実施例
第１図に、本発明の一実施例である、金属間化合物と純
金属が適度に存在しているターゲットの組織図を示す。
金属が適度に存在しているターゲットの組織図を示す。
例えば、希土類・遷移金属系合金のうちＴ ｂ−Ｆ ｅ
、Ｃｏを例にとると、遷移金属粒子の周囲にＴｂＦｅ
或はＴｂＣｏの金属間化合物が形成されている。このよ
うな組織を有するターゲットは、成分元素の純金属を混
合した後、ＨＩＰなどの方法により圧縮プレス、しなか
、ら、或は圧縮プレスした後に熱などのエネルギーをか
けることにより金属間化合物を形成する。エネルギー量
により金属間化合物の量や粒径を調整するのである。又
は、先にＴ ｂ Ｆ ｅ 、 Ｔ’ ｂ Ｃｏなとの金
属間化合物粉を作っておき、純金属粉と混合し、圧縮プ
レスしても良い。例えばＴｂは、ターゲット中純金属と
して存在する場合は、第２図ａに示すように、比較的、
角度をもってターゲットから飛び出すためにターゲット
の直上に基板が位置する場合基板・の中心部は低濃度に
なり、外になるに従って多く存在するようになるが、第
２図すに示すようにＦｅ、Ｃｏなどは逆にターゲットの
直上に飛び出すために基板の中心部の濃度が高くなり外
になるに従って低濃度になる。光磁気媒体の場合、この
濃度差は保磁力の分布として表れる。基−５＝ 板上で前記のような組成分布があると、保磁力は例えば
第３図に示すような分布になる。第３図の分布は、膜組
成が、基板面上、遷移金属リッチ側にあるような場合の
例である。しかしながら、例えばＴｂは、ターゲット中
、金属間化合物として存在す４場合は、スパッタの際、
ターゲットの直上により多く飛び出すようになり、逆に
ＦｅやＣｏは角度をもって飛び出すようになる。このこ
とを利用して、ターゲット成分中、純金属で存在する粒
子と金属間化合物として存在する粒子数を適度にするこ
とにより、第４図に示すように基板上、組成分布を小さ
くおさえることが可能となる。例えば純金属を混合し、
圧縮プレスした後に例えば熱を加えて金属間化合物を形
成する場合は、例えば１００μｍ程度にすれば良い。
、Ｃｏを例にとると、遷移金属粒子の周囲にＴｂＦｅ
或はＴｂＣｏの金属間化合物が形成されている。このよ
うな組織を有するターゲットは、成分元素の純金属を混
合した後、ＨＩＰなどの方法により圧縮プレス、しなか
、ら、或は圧縮プレスした後に熱などのエネルギーをか
けることにより金属間化合物を形成する。エネルギー量
により金属間化合物の量や粒径を調整するのである。又
は、先にＴ ｂ Ｆ ｅ 、 Ｔ’ ｂ Ｃｏなとの金
属間化合物粉を作っておき、純金属粉と混合し、圧縮プ
レスしても良い。例えばＴｂは、ターゲット中純金属と
して存在する場合は、第２図ａに示すように、比較的、
角度をもってターゲットから飛び出すためにターゲット
の直上に基板が位置する場合基板・の中心部は低濃度に
なり、外になるに従って多く存在するようになるが、第
２図すに示すようにＦｅ、Ｃｏなどは逆にターゲットの
直上に飛び出すために基板の中心部の濃度が高くなり外
になるに従って低濃度になる。光磁気媒体の場合、この
濃度差は保磁力の分布として表れる。基−５＝ 板上で前記のような組成分布があると、保磁力は例えば
第３図に示すような分布になる。第３図の分布は、膜組
成が、基板面上、遷移金属リッチ側にあるような場合の
例である。しかしながら、例えばＴｂは、ターゲット中
、金属間化合物として存在す４場合は、スパッタの際、
ターゲットの直上により多く飛び出すようになり、逆に
ＦｅやＣｏは角度をもって飛び出すようになる。このこ
とを利用して、ターゲット成分中、純金属で存在する粒
子と金属間化合物として存在する粒子数を適度にするこ
とにより、第４図に示すように基板上、組成分布を小さ
くおさえることが可能となる。例えば純金属を混合し、
圧縮プレスした後に例えば熱を加えて金属間化合物を形
成する場合は、例えば１００μｍ程度にすれば良い。
発明の効果
以上述べて来たように、ターゲット中での各成分元素の
存在形体を選ぶことにより、基板上、組成分布が小さく
、特性の均一性の良好な膜を形成することが出来、実用
的に極めて有効である。
存在形体を選ぶことにより、基板上、組成分布が小さく
、特性の均一性の良好な膜を形成することが出来、実用
的に極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例であるターゲット組織の模式
図、第２図ａは純金属として存在するＴｂ粒子がスパッ
タの際に飛び出す飛行方向分布を示す模式図、第２図す
は純金属として存在するＦｅ粒子がスパッタの際に飛び
出す飛行方向分布を示す模式図、第３図は金属間化合物
の含有量が適当でないターゲットで成膜した膜の基板面
上の保磁力分布のグラフ、第４図は適度に調整された金
属間化合物を含有するターゲットで成膜された膜の基板
上での保磁力の分布のグラフである。 １・・・・・・Ｆｅ粒子、２・・・・・・金属間化合物
、３・・・・・・Ｔｂ粒子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名４．０
訳註
区 −へ 派 塚
図、第２図ａは純金属として存在するＴｂ粒子がスパッ
タの際に飛び出す飛行方向分布を示す模式図、第２図す
は純金属として存在するＦｅ粒子がスパッタの際に飛び
出す飛行方向分布を示す模式図、第３図は金属間化合物
の含有量が適当でないターゲットで成膜した膜の基板面
上の保磁力分布のグラフ、第４図は適度に調整された金
属間化合物を含有するターゲットで成膜された膜の基板
上での保磁力の分布のグラフである。 １・・・・・・Ｆｅ粒子、２・・・・・・金属間化合物
、３・・・・・・Ｔｂ粒子。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名４．０
訳註
区 −へ 派 塚
Claims (3)
- （１）希土類金属と遷移金属を主成分とし、少なくとも
希土類金属粒子と遷移金属粒子と、希土類金属と遷移金
属との金属間化合物粒子を含むことを特徴とするスパッ
タリングターゲット。 - （２）金属間化合物の質量又は重量が、スパッタリング
ターゲット物質の質量又は重量の２０％以内であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタリン
グターゲット。 - （３）金属間化合物の厚み又は粒径が、希土類金属粒子
又は遷移金属粒子の平均粒径の５％以上５０％以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記
載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300824A JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62300824A JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01142078A true JPH01142078A (ja) | 1989-06-02 |
| JP2744991B2 JP2744991B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17889547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62300824A Expired - Lifetime JP2744991B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2744991B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422906A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Hitachi Cable Ltd | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
| US9579921B2 (en) | 2005-08-19 | 2017-02-28 | Giesecke & Devrient Gmbh | Card-shaped data carrier |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199640A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | Mitsubishi Metal Corp | 複合タ−ゲツト材の製造方法 |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62300824A patent/JP2744991B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199640A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-17 | Mitsubishi Metal Corp | 複合タ−ゲツト材の製造方法 |
| JPS61119648A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結複合タ−ゲツト材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0422906A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Hitachi Cable Ltd | 希土類元素添加導波路の製造方法 |
| US9579921B2 (en) | 2005-08-19 | 2017-02-28 | Giesecke & Devrient Gmbh | Card-shaped data carrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2744991B2 (ja) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 10 |