JPH01139255A - 分子配向性薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （３−１）産業上の利用分野 本発明はエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分
野において、非線形光学デバイス、クロミズムデバイス
、光電変換デバイスなどに使用される分子配向性薄膜に
関する。

（３−２）従来の技術 ジアセチレン化合物は、熱、光あるいはγ線などにより
結晶性ポリマーを生成する極めて特異な物質として知ら
れ、導電性材料、クロミズム材料。

光電変換材料、非線形光学材料等として期待されている
。例えば、非線形光学効果によりＩＱ−１２秒程度の超
高速スウインチ現象が予測され、今後の光情報処理シス
テムにおいて、有望視されている。

特開昭５９−６２６０８には、ジアセチレン化合物の溶
液又は懸濁液から基板上へのスプレー法又はスピンナー
法あるいはジアセチレン化合物の基板上への真空蒸着法
で作成したジアセチレンモノマー薄膜を重合させること
により薄膜を製造する方法が記載されている。

しかし、通常、ジアセチレン化合物をこれ等の方法によ
って得た薄膜の結晶性は極めて悪い。例えば、クラック
、ドメイン構造、スクッキング不良、平面の平坦性の悪
さなど欠陥が多い。特にポリジアセチレン分子の配向性
が悪゛い。

単結晶薄膜を作成する方法力側ａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌ
ｅｓ。

■、２３４１−２３４４　（１９８５）に報告されてい
る。ジアセチレン化合物を融点以上に加熱し、剪断力を
印加することにより配向させ結晶化させる方法である。

しかし、ジアセチレン化合物は昇温することによって熱
重合が生じ易く、結晶性が向上せず、分子配向性も充分
でない。また、面積も１　ｃｒｌ程度であり大面積の薄
膜は得られていない。

一方、疎水基と親水基とを有するジアセチレン化合物を
ラングミアーブロジェット法にて累積し、薄膜を形成す
る方法も多数報告されている。しかし、かかる方法によ
って得られる薄膜もドメイン構造を有するなどの欠点が
あり結晶性は良好でない。

また、透明性基板上のポリジアセチレンキャスト膜をラ
ビング処理して主鎖を配向させ、薄膜を形成する方法が
Ｄｉｅ　Ｍａｋｒｏｍｏｌｅｋｕｌａｒｅ　Ｃｈｅｍｉ
ｅ　：Ｒａｐｉｄ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ、　
　５．７７−８１（１９８４）に報告されている。しか
し、かかる方法は、可溶性ポリジアセチレンに限定され
ること、非常に薄い膜厚のみ可能で、膜厚に限界がある
ことなどの欠点を有し、結晶性も向上しない。

本発明者らは、基板上にポリジアセチレン薄膜を作製し
、次にシリコンクロス等でのラビング処理、ジアセチレ
ンモノマーの蒸着、及び重合のプロセスを行うことによ
りポリジアセチレン主鎖を特定の方向に、二色性定数が
約１０程度に配向結晶化させ得ることを見出してなされ
たものである。

さらに本発明は、特定の分子構造を有するポリジアセチ
レンを用いることにより、二色性定数が約３０にも達し
、結晶性も良好で大きな面積を有する分子配向膜を見出
したものである。

（３−３）発明の目的 本発明は、特定の分子構造を有するポリジアセチレンの
主鎖を特定方向に優先的に配向化し、非線形光学デバイ
ス等のエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス分野
°のデバイスに適するポリジアセチレン系分子配向性薄
膜を提供することを目的とする。

（３−４）発明の概要 本発明者らは鋭意技術的検討を行った結果、基板上に積
層形成され、二色性定数が３以上に分子配向し、５０Å
以上８００μｌ以下の膜厚を有する高結晶ポリジアセチ
レン薄膜からなる分子配向性薄膜を開発したものである
。また、一般式％式％ （ただしＲ＝　ＣｎＬｎ＋＋＋ｎは１以上、２０以下の
整数、Ｒは同一であっても、異なっていてもよい）で示
される特定の分子構造を有するジアセチレンモノマーは
、基板上への真空蒸着法による薄膜形成能、及びその薄
膜の重合性が極めて良好であること、ポリジアセチレン
主鎖を大きな面積にわたって特定の方向に配向させた分
子配向性薄膜の形成能が極めて優れていること、即ち二
色性定数が約３０にも達することを見出し、本発明に到
達した。

（３−５）発明の詳細な説明 以下、ジアセチレンモノマー、分子配向性薄膜作製のプ
ロセス、配向性評価の方法について、順を追って述べる
。

（３−５−１シア・セチレンモノマー〕本発明に用いる
ジアセチレンモノマーは、カルボン酸、スルホン酸など
の酸類の残基及びこれらのエステル、アミド、又は塩類
の残基、あるいはアルコール類の残基及びこれらのカル
ボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、イソシアン酸又は
カルバミン酸等とのエステル類の残基、炭化水素基。

複素環化合物基、フェニル基を側鎖に有するジアセチレ
ンモノマーの重合体である。例えば一般式が次のように
表されるジアセチレンモノマーの重合体を用いることが
できる。

また、一般式Ｒ−Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−ＲにおいてＲが次式
で表されるジアセチレンモノマーの重合体を用いること
ができる。

Ｒ＝　−（ＣＩｌｚ）　ｆｌｏＣＯＮＨＣＨｚＣＯＯＣ
Ｊｑ　　　ｎ　＝　３．４Ｒ＝　−ＣＩｈＯＳＯ□（）
ｃＨ３ Ｒ＝　　（ＣＨ２）　ａＯｃＯＮｔｌｃＪｓＲ＝　　（
ＣＨｇ）４０ｃＯＮＨｃＨｚ（ＣＨｓ）ｚＲ＝　−（Ｃ
Ｈｚ）＊０ＣＯＮＨ−１，◇特に、一般式 ％式％ で示されるアルキルウレタン結合を有する化合物が好ま
しい。

好ましくは、−ＣｎＨｚｎ＋＋が直鎮のアルキル基であ
る。さらに好ましくは、ｎが３以上の直鎖アルキル基で
ある。より好ましくは、ｎが３以上１０以下の直鎖アル
キル基である。

これらジアセチレンモノマーは、５，７−ドデカジイン
−１，１２−ジオールを用いて、以下のように合成する
ことができる。

（ｉ）ｎ＝１〜１１の場合 ５．７−ドデカジイン−１，１２−ジオール（ＩＸＩＯ
−”モル；１．９４ｇｒ）をＴＨＰ　（３０ｍ　ｌ　）
に溶解する。

ホスゲン（約２倍；　５ｍ　ｌ　）をθ℃〜５℃にて、
３０分間反応させ５　、７−゛ドデカジインー１．１２
−ジクロロカルボナートを得る。減圧蒸留にてＴＩＰと
ホスゲンを除去した後、ＴＨＦ　（３０ｍ　ｌ！　）に
溶解する。

次に、アルキルアミン（４倍モル）のＴＨＦ　（ａＱｍ
　１　）溶液を、１５℃にて、滴下し３０分間反応させ
、５゜７−ドデカジイン−１，１２−ジオール−ビス（
アルキルウレタン）を得る。塩酸洗浄にて中性にし、Ｅ
ｔＯＥｔ／ＩＩ□ｏ系より抽出する。アセトン溶液にし
、Ｎａ、ＳＯ，にて乾燥する。アセトン使用活性アルミ
ナカラムにて精製する。

（ｉｉ）ｎ−１２〜２０の場合 （ｉ）と同様な反応により、５，７−ドデカジイン−１
，１２−ジクロロカルボナートを得てＴＨＦ（３０ｍ　
ｌ　）に溶解する。アルキルアミン（２倍モル）とトリ
エチルアミン（２倍モル）のＴＨＦ　（５０ｍ　ｌ　）
溶液を１５℃にて滴下し、３０分間反応させ、５．７−
ドデカジイン−１，１２−ジオール−ビス（アルキルウ
レタン）を得る。塩酸洗浄にて中性にし、ＥｔＯＥｔ／
Ｈ！Ｏ系より抽出する。クロロホルム溶液にし、Ｎａ、
ＳＯ，にて乾燥する。クロロホルム使用の活性アルミナ
カラムにて精製する。

上記のジアセチレンモノマーの特徴は、基板上への真空
蒸着法等による薄膜形成能、及び、その薄膜の重合性が
極めて良好であること−さらに、ラビング処理等の特殊
な方法を用いることにより、ポリジアセチレン主鎖を特
定の方向に配向させた分子配向性薄膜の形成能が極めて
優れていることである。

〔３−５〜２分子配向性薄膜の作製〕 本発明における分子配向性薄膜は、前述のジアセチレン
モノマーを用い、例えば次の４段階のプロセスにより作
製される。必ずしも本性に限定されるものではない。

（第１段階） 第１段階のプロセスは、基板上にポリジアセチレン薄膜
を作製する基板としては、ガラス、セラミックス、プラ
スチック、金属、単結晶等が用いられる。

基板上にポリジアセチレン薄膜を作製する方法として２
種類ある。第１には基板上にジアセチレンモノマー薄膜
を作製し重合する方法、第２にはポリジアセチレンを基
板上に薄膜化する方法である。

第１の方法は、抵抗加熱真空蒸着法、ホットウオール法
、レーザー蒸着法１分子緑薫着法、イオン同時照射蒸着
法、スパッタリング法、イオンビーム薄着法、イオンブ
レーティング法、クラスタイオンビーム法等のドライプ
ロセスによるものと、ジアセチレンモノマーの溶液又は
懸濁液を用いたデイツプ法、スプレー法、スピンナー法
、キャスト法等のウェットプロセスによるものが使用で
きる。

ジアセチレンモノマー薄膜を重合する方法としては、紫
外線、Ｘ線、γ線等の照射及び加熱、加圧等がある。

基板上にポリジアセチレン薄膜を作製する第２の方法と
して、ポリジアセチレンの溶液、又は懸濁液を用いたデ
イツプ法、スプレー法、スピンナー法、キャスト法等の
ウェットプロセスが使用できる。ポリジアセチレンの溶
液を用いる場合は、クロロホルム、２−メチルテトラヒ
ドロフラン。

１．２−ジクロロエタン等の溶媒が好適である。

これらの方法により基板上に作製されるポリジアセチレ
ン薄膜の膜厚は、２０Å以上５０００Å以下。

好ましくは５０Å以上３０００Å以下である。

（第２段階） 第２段階のプロセスは第１段階のプロセスで作製された
ポリジアセチレン薄膜にラビング処理を施す。ラビング
処理とは、布などにより、基板上の素材の表面を一方向
に摩擦することである。ラビングする布としては、シリ
コン繊維、テフロン繊維、木綿糸等で作製されたものを
使用できるが、好ましくはシリコン繊維製の布（シリコ
ンクロス）であり、かかる布を用いて、基板表、面を一
方向のみに、特に、一方にのみ摩擦するのがよい。

（第３段階） 第２段階のプロセスで得られたラビング処理済みのポリ
ジアセチレン薄膜の上に新たにジアセチレンモノマーを
積層する。積層化は、第１段階で既に述べたドライプロ
セスを特に用いる。ラビング処理後にポリジアセチレン
薄膜の上にポリジアセチレン層を形成するためには、ジ
アセチレンモノマーを該薄膜の上に蒸着させることが好
ましい。

この時に、使用するジアセチレンモノマーは、第１段階
で使用したジアセチレンモノマーに限うない。膜厚は、
２０Å以上５０μｍ以下、好ましくは１００Å以上５μ
ｍ以下である。

（第４段階） 第３段階で得られたジアセチレンモノマーヲ固相重合す
る。重合法は、第１段階で用いた方法と同様の方法を用
いることができる。

第１段階のプロセスの後、第２．３．４段階のプロセス
を少なくとも１回又は２回以上繰り返すことによりポリ
ジアセチレン系分子配向性薄膜を得ることができる。即
ち、基板上にポリジアセチレン薄膜を一層作製したのち
に、シリコンクロス等でのラビング処理、ジアセチレン
モノマーの蒸着２重合のプロセスを少なくとも一回以上
行うことによりポリジアセチレン主鎖を特定の方向に配
向させることができる。

最終的な膜厚は５０Å以上８００μｍ以下、好ましくは
１００Å以上５００μｍ以下、特に好ましくは０．１〜
４００μｍである。

ラビング処理の際、ポリジアセチレン自身が配向剤とし
ての役割を果たし、重ねて蒸着されたジアセチレンモノ
マーがエピタキシャル的に成長。

重合することにより主鎖が特定方向に配向し、かつ、結
晶性が高い薄膜が得られる。また、上記方法によると４
ｃｄ、好ましくは１０ｃｎ！、より好ましくは１５ｃｒ
Ａ以上の面積で、配向性、結晶性ともに高い薄膜が得ら
れる。この時、ポリジアセチレンの主鎖は、薄膜全体に
わたり、ラビング方向と同一の方向に均一に配向する。

さらに、本発明は、配向性、結晶性を保持しつつ積層す
ることにより膜厚を制御することができる。

なお、本発明によるポリジアセチレン系分子配向性薄膜
には、未重合ジアセチレンモノマー、或いは光増悪剤１
色素等をドーパントとして含有させることも可能である
。

（３−５−３配向性評価〕 本発明における分子配向性薄膜の配向性評価は以下に述
べる二色性定数により評価する。

二色性定数Ｒｄは、τ３を吸収軸透過率、τｔを透過軸
透過率として次式により定義する。

Ｒｄ＝ｌｏｇ（１／　ｒ、　）　　／ｌｏｇ（１／τ、
）即ち、吸収軸と透過軸における光学密度の比をとる。

ただし、吸収軸とはポリジアセチレン主鎖の配向した方
向であり、ラビング処理方向と一致し、基板に平行であ
る。透過軸とは、吸収軸と垂直の方向、即ち、ラビング
処理方向と垂直の方向であり、基板に平行である。

測定は、直線偏光を薄膜に垂直入射して行う。

偏光方向を吸収軸に一致させ吸収軸透過率τ１を得、透
過軸に一致させ透過軸透過率τ１を得る。

本発明におけるポリジアセチレン系分子配向性薄膜では
、その可視光領域吸収スペクトルにおいて、特徴的な吸
収ピークが２つ存在する。即ち、アセチレン型と呼ばれ
る青色のポリジアセチレンに関しては１．９ｅＶ付近及
び２．１ｅＶ付近に存在するもので、それぞれポリジア
セチレン主鎖のπ−πネ励起子およびそのフォノンサイ
ドバンドに由来する。

ブタトリエン型と呼ばれる赤色のポリジアセチレンに関
しては、２．３ｅＶ付近及び２．５ｅＶ付近に存在する
もので、アセチレン型と同様、それぞれ、ポリジアセチ
レン主鎖のπ−π１励起子及びそのフォノンサイドバン
ドに由来する。

本発明では、π−π９励起子に由来するアセチレン型に
関しては１　、９ｅＶ付近、ブタトリエン型に関しては
２．３ｅＶ付近の吸収ピーク位置での吸収軸透過率τ１
．透過軸透過率τ１を用い、二色性定数１？、ｄを求め
、配向性の評価を行う。

本発明におけるポリジアセチレン系分子配向性薄膜では
、二色性定数は３以上、好ましくは５以上である。より
好ましくは１０以上、さらに好ましくは２０以上である
。

Ｌ虹大隻斑 （３−６−１）実施例１ （Ａ）合成 （３−５−１）の（ｉ）に記述した方法にて、５，７−
ドデカジイン−１，１２−ジオール−ビス（ノルマル−
ブチルウレタン”）（ｎ＝４）を合成した。

融点１２５．５℃〜１２６．０℃であった。元素分析の
結果：　Ｃｚｚｌ１３ｈＮｚＯ４の計算値（Ｃ＝６７．
３４χ、　ｎ＝９．１８！、　−Ｎ　＝７．１４２　）
　ニ対し、実測値（Ｃ＝６７．５４Ｘ　；ｎ＝９．０７
２．　　Ｎ　＝７．２０！　）とよく一致した。赤外線
スペクトルＣＫＢｒベレット）において、３３００ｃｍ
−’（Ｎ−１１伸縮）、　２９２０　＋２８５０ロー’
　（Ｃ−）１伸縮）、　１６８０ｃｍ　−’　（Ｃ＝　
０）　、　１５３０ｃ１１１−　’　（Ｎ−Ｈ変角）＋
　１２６０　ｃｍ−’（Ｃ−０−Ｃ伸縮）が認められた
。

（Ｂ）薄膜作製 モノマーを洗浄したガラス基板上に真空蒸着法にて蒸着
し、厚さ５００人のジアセチレンモノマー薄膜を作製し
た。その後超高圧水銀灯（２００Ｗ）から発生する紫外
線を照射し、固相重合させポリマー薄膜を得た。

シリコンクロスを用いて、得られたポリマー薄膜の表面
を、一方向に、かつ一方に繰り返し摩擦することによっ
てラビング処理を行った後、その上にモノマーを真空蒸
着法により４５００人積層した。

再び超高圧水銀灯から発生する紫外線にて固相重合をさ
せポリマーの薄膜を得た。薄膜の面積は３６ｃｔであり
、膜厚は４８００人であった。

第１図にポリマー薄膜の直線偏光を用いた吸収スペクト
ルを示す。図中のＥは直線偏光方向を表し、Ｒはラビン
グ処理方向を表す。従って、Ｅ／Ｒはラビング処理方向
に平行な直線偏光を薄膜に垂直に入射することを意味し
、Ｅ土Ｒはラビング処理方向に垂直な直線偏光を薄膜に
垂直に入射することを意味する。

この図より、ポリマー主鎖の配向方向はラビング処理の
方向と一致することが判明した。また、この偏光特性に
は薄膜内の位置依存性が見られないことから、薄膜全体
にわたり、同一方向に主鎖が配向していることが判明し
た。１．９ｅＶ及び２．１ｅＶ付近の吸収（Ａ　、　Ａ
　’　”）は、ポリマー主鎖のπ−πネ励起子及びその
フォノンサイドバンドに由来するものであるが、特に吸
収ピークの幅が狭く、ピークの分離もよ＜結晶性が高い
ことが判明した。

さらに、π−π中励起子に由来する１、９ｅＶ付近の吸
収ピーク位置における二色性定数は３０．５であること
が判明した。

（３−６−２）実施例２ （Ａ）合成 （３−５−１）の（ｉ）に記述した方法にて、５，７−
ドデカジイン−１，１２−ジオール−ビス（ノルマル−
ヘプチルウレタン）（ｎ＝７）を合成した。

融点１１２．０℃〜１１２．５℃であった。元素分析の
結果：　ＣｚｓＨａｓＮｚＯａの計算値（Ｃ＝７０．５
８χ；　ｎ＝１０．０８χ、　　Ｎ　＝５．８８χ）に
対し、実測値（Ｃ＝７０．６４χ；Ｈ＝　１０．１８χ
、　　Ｎ＝５．６３χ）とよく一致した。赤外線スペク
トルは実施例１と同様であった。

（Ｂ）薄膜作製 モノマーを洗浄したガラス基板上に真空蒸着法にて蒸着
し、厚さ５００人のジアセチレンモノマー薄膜を作製し
た。その後超高圧水銀灯（２００Ｗ）から発生する紫外
線を照射し、固相重合させポリマー薄膜を得た。

シリコンクロスを用いて、得られたポリマー薄膜の表面
を、一方向に、かつ一方に繰り返し摩擦することによっ
てラビング処理を行った後、その上にモノマーを真空蒸
着法により５０００人積層した。

再び超高圧水銀灯から発生する紫外線にて固相重合をさ
せポリマーの薄膜を得た。薄膜の面積は４゜ｄであり、
膜厚は５４００人であった。

第２図にポリマー薄膜の直線偏光を用いた吸収スペクト
ルを示す。

この図より、ポリマー主鎖の配向方向はラビング処理の
方向と一致することが判明した。また、この偏光特性に
は薄膜内の位置依存性が見られないことから、薄膜全体
にわたり、同一方向に主鎖が配向していることが判明し
た。１　、９ｅＶ及び２．１ｅＶ付近の吸収（Ａ　、　
Ａ　’　”）は、ポリマー主鎖のπ−π９励起子及びそ
のフォノンサイドバンドに由来するものであるが、特に
吸収ピークの幅が狭く、ピークの分離もよく結晶性が高
いことが判明した。

さらに、π−π“励起子に由来する１　、　９ｅＶ付近
の吸収ピーク位置における二色性定数は２５．８である
ことが判明した。

（３−６−３）実施例３ ５．７−ドデカジイン−１，１２−ジオール−（Ａ）合
成 （３−５−１）の（ｉｉ　）に記述した方法にて、５．
７−ドデカジイン−１，１２−ジオール−ビス（ノルマ
ル−ペンタデシルウレタン）　　（ｎ−１５）を合成し
た。融点１１５．０℃〜１１５．５℃であった。元素分
析の結果：　Ｃ＊Ｊａ。Ｎ、０４の計算値（Ｃ＝７５．
４２χｉ　　ｎ＝１１．４２χ、　　Ｎ＝４．００χ）
に対し、実測値（Ｃ＝７５．６２χ　、　　ｎ＝１１．
３３″ｔ、　　Ｎ＝４．０５χ）とよく一致した。

赤外線スペクトルは実施例１と同様であった。

（Ｂ）薄膜作製 七ツマ−を洗浄したガラス基板上に真空蒸着法にて蒸着
し、厚さ６００人のジアセチレンモノマー薄膜を作製し
た。その後超高圧水銀灯（２０ＯＮ）から発生する紫外
線を照射し、固相重合させポリマー薄膜を得た。

シリコンクロスを用いて、得られたポリマー薄膜の表面
を、一方向に、かつ一方に繰り返し摩擦することによっ
てラビング処理を行った後、その上に七ツマ−を真空蒸
着法により６５００人積層した。

再び超高圧水銀灯から発生する紫外線にて固相重合をさ
せポリマーの薄膜を得た。薄膜の面積は４゜Ｃｒｌであ
り、膜厚は７０００人であった。

ポリマー薄膜の直線偏光を用いた吸収スペクトルを測定
したところ、ポリマー主鎖の配向方向はラビング処理の
方向と一致することが判明した。

また、この偏光特性には薄膜内の位置依存性が見られな
いことから、薄膜全体にわたり、同一方向に主鎖が配向
していることが判明し、た。

特に吸収ピークの幅が狭く、ピークの分離もよく結晶性
が高いことが判明した。さらに、π−π９励起子に由来
する１　、　９ｅＶ付近の吸収ピーク位置における二色
性定数は１５．０であることが判明した。。

（３−６−４）実施例４ ジアセチレンモノマーとして次式で表されるものを用い
た（以下４８ＣＭＵと略す）。

Ｒ−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ−Ｒ ただしＲ＝　（ＣＬ）　＊ＯＣＯＮＨＣＨｚＣＯＯＣＪ
ｑ４ＢＣＭＵモノマーを洗浄したガラス基板上に真空蒸
着法にて蒸着し、厚さ５００人のジアセチレンモノマー
薄膜を作製した。その後超高圧水銀灯（２０〇−）から
発生する紫外線を照射し、固相重合させ４ＢＣＭＵのポ
リマー薄膜を得た。

シリコンクロスを用いて、得られたポリマー薄膜の表面
を、一方向に、かつ一方に繰り返し摩擦することによっ
てラビング処理を行った後、その上に４８ＣＭＵモノマ
ーを真空蒸着法により５０００人積層レム。再び超高圧
水銀灯から発生する紫外線にて固相重合をさせ４ＢＣＭ
Ｕポリマーの薄膜を得た。

薄膜の面積は４０ｃｄであり、膜厚は５４００人であっ
た。

第３図にポリマー薄膜の直線偏光を用いた吸収スペクト
ルを示す。

この図より、４ＢＣＭＵポリマー主鎖の配向方向はラビ
ング処理の方向と一致することが判明した。

また、この偏光特性には薄膜内の位置依存性が見られな
いことから、薄膜全体にわたり、同一方向に主鎖が配向
していることが判明した。１．９ｅＶ及び２．１ｅＶ付
近の吸収（Ａ　、　Ａ　’　）は、４ＢＣＭＵポリマー
主鎖のπ−π申励起子及びそのフォノンサイドバンドに
由来するものであるが、特に吸収ピークの幅が狭く、ピ
ークの分離もよく結晶性が高いことが判明した。さらに
、π−π中励起子に由来するＢｅＶ付近の吸収ピーク位
置における二色性定数は６．５であることが判明した。

（３−６−５）実施例５ ジアセチレンモノマーとして次式で表さ九るものを用い
た（以下（１２，８）と略す）。

Ｒ，−Ｃ≡Ｃ−Ｒ１ ただしＲ＋　≡ＣＨｚ（ＣＨｚ）　＋　＋Ｒｘ　＝　（
ＣＩり　５ｃＯＯＨ 実施例１と同様に真空蒸着法にて（１２，８）モノマー
をガラス基板上に蒸着し、厚さ６００人のジアセチレン
モノマー薄膜を作製した。紫外線を照射し、固相重合さ
せ（１２，８）ポリマー薄膜を得た。

実施例１と同様にシリコンクロスを用いラビング処理を
行った瑳、その上に（１２，８）モノマーを真空蒸着法
により６０００人積層レム。再び紫外線を照射し、固相
重合により（１２，８）ポリマーの薄膜を得た。薄膜の
面積は４０ｃｎ！であり、膜厚は６５００人であった。

第４図に（１２，８）ポリマー薄膜の直線偏光を用いた
吸収スペクトルを示す。図中のＩＥ、ＩＲは第１図と同
様の意味である。この図より、主鎖の配向方向はラビン
グ処理の方向と一致することが判明した。また、偏光特
性に薄膜内の位置依存性がないことから、薄膜全体にわ
たり、同一方向に主鎖が配向していることが判明した。

１．９ｅＶ及び２．２ｅＶ付近の吸収（Ａ　、　Ａ　’
　）は（１２，８）ポリマー主鎖のπ−π中励起子及び
そのフォノンサイドバンドに由来するものであるが、吸
収ピークの幅が狭く、ピークの分離もよく結晶性が高い
ことが判明した。

さらに、π−π亭励起子に由来する１、９ｅＶ付近の吸
収ピーク位置における二色性定数は３であることが判明
した。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図はそれぞれ実施例１．
実施例２．実施例４．実施例５で得られた吸収スペクト
ル図を示す。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に積層形成され、二色性定数が３以上に分
   子配向し、５０Å以上８００μｍ以下の膜厚を有する高
   結晶ポリジアセチレン薄膜からなることを特徴とする分
   子配向性薄膜。
2. （２）ポリジアセチレンが、次式で示されるジアセチレ
   ンモノマーの重合体である特許請求の範囲第１項記載の
   分子配向性薄膜。 Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ Ｒは、−（ＣＨ＿２）＿４ＯＣＯＮＨ−ＣｎＨ＿２＿ｎ
   ＿＋１を示し（ｎは１〜２０の整数）、夫々のＲは同一
   であっても異なっていてもよい。