JPH01136973A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法Info
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- JPH01136973A JPH01136973A JP29548787A JP29548787A JPH01136973A JP H01136973 A JPH01136973 A JP H01136973A JP 29548787 A JP29548787 A JP 29548787A JP 29548787 A JP29548787 A JP 29548787A JP H01136973 A JPH01136973 A JP H01136973A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路の試作品における誤配線の修
正などに用いて好適な成膜方法に関する。
正などに用いて好適な成膜方法に関する。
（従来技術と発明が解決しようとする問題点）集積回路
製造の試作段階で発生する誤配線を修正する技術として
レーザＣＶＤによるオンチップの直播レーザＣＶＤが利
用されつつある。この技術は、修正を要する未結線部の
あるチップをＣｖＤ原料ガス雰囲気に入れ、レーザ光を
結線すべき配線の１部に照射して原料ガスを基板加熱に
よる熱分Ｍ、もしくは光化学分解により分解して金属膜
を堆積させながら基板を移動させて結線すべき配線まで
金属線を描画するものである。このような配線修正の方
法としては、結線すべき配線を覆う保護膜に穴をあけ、
その後、直播レーザＣＶＤで結線する方法が第３４回応
用物理学会関係連合講演会の講演予稿集４８４ページ（
１９８７）に発表されている。しかし、結線すべき配線
の間にこれらの配線とは絶縁すべき配線が存在するよう
な修正の場合には、その配線のみを絶縁するための処置
が直播レーザＣＶＤとは別に必要になる。
製造の試作段階で発生する誤配線を修正する技術として
レーザＣＶＤによるオンチップの直播レーザＣＶＤが利
用されつつある。この技術は、修正を要する未結線部の
あるチップをＣｖＤ原料ガス雰囲気に入れ、レーザ光を
結線すべき配線の１部に照射して原料ガスを基板加熱に
よる熱分Ｍ、もしくは光化学分解により分解して金属膜
を堆積させながら基板を移動させて結線すべき配線まで
金属線を描画するものである。このような配線修正の方
法としては、結線すべき配線を覆う保護膜に穴をあけ、
その後、直播レーザＣＶＤで結線する方法が第３４回応
用物理学会関係連合講演会の講演予稿集４８４ページ（
１９８７）に発表されている。しかし、結線すべき配線
の間にこれらの配線とは絶縁すべき配線が存在するよう
な修正の場合には、その配線のみを絶縁するための処置
が直播レーザＣＶＤとは別に必要になる。
このような配線修正の方法としては、はじめに配線全体
を覆う絶縁膜を基板全体に形成した後、結線すべき配線
の上部の絶縁膜に穴をあけて結線することが考えられる
。しかしこの方法では直播レーザＣＶＤの他に絶縁膜形
成工程、穴開は工程が必要となるから工数は多くなる。
を覆う絶縁膜を基板全体に形成した後、結線すべき配線
の上部の絶縁膜に穴をあけて結線することが考えられる
。しかしこの方法では直播レーザＣＶＤの他に絶縁膜形
成工程、穴開は工程が必要となるから工数は多くなる。
これよりも工数を簡略化する方法としては、絶縁すべき
配線と修正用の配線とが重なる面積だけにパターン転写
レーザＣＶＤにより絶縁膜の局所選択ＣＶＤを施し、そ
の後金属の直播レーザＣＶＤにより結線を行う方法が第
３１回半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集８
５ページ（１９８６）に提案きれている。この技術では
穴開は工程がない分だけ工程は短縮きれるが、転写では
成膜速度が直播に比べて低いから、絶縁所望箇所で基板
を長い時間停止しなくてはならず、直播だけの場合に比
べて時間がかかる。また光学系も直播と転写の２種類が
必要であり、光学系が複雑かつ高価となり、光学系用に
広いスペースを必要とする０本発明の目的は、このよう
な従来技術の問題点を解決し、工程が簡単で、小形で簡
単な装置を用いて局所絶縁も含めた配線修正が短時間に
行える方法の提供にある。
配線と修正用の配線とが重なる面積だけにパターン転写
レーザＣＶＤにより絶縁膜の局所選択ＣＶＤを施し、そ
の後金属の直播レーザＣＶＤにより結線を行う方法が第
３１回半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集８
５ページ（１９８６）に提案きれている。この技術では
穴開は工程がない分だけ工程は短縮きれるが、転写では
成膜速度が直播に比べて低いから、絶縁所望箇所で基板
を長い時間停止しなくてはならず、直播だけの場合に比
べて時間がかかる。また光学系も直播と転写の２種類が
必要であり、光学系が複雑かつ高価となり、光学系用に
広いスペースを必要とする０本発明の目的は、このよう
な従来技術の問題点を解決し、工程が簡単で、小形で簡
単な装置を用いて局所絶縁も含めた配線修正が短時間に
行える方法の提供にある。
（問題点を解決するための手段）
本発明は上記の従来技術の問題点を解決するために、レ
ーザ光を基板に集光させ、その基板上における前記レー
ザ光の集光点に原料ガスを吹き付けると共に、前記基板
を前記集光点に対して走査することによって線状の成膜
を行う直描成膜方法において、絶縁すべき配線上では２
回以上のビーム走査を繰り返し、そのビーム走査のうち
の始めの１回目または数回の走査では絶縁膜形成用のガ
スを吹き付けて、その後の走査では導電性膜形成用のガ
スを吹き付けてレーザＣＶＤ直播を行うという手段をと
った。
ーザ光を基板に集光させ、その基板上における前記レー
ザ光の集光点に原料ガスを吹き付けると共に、前記基板
を前記集光点に対して走査することによって線状の成膜
を行う直描成膜方法において、絶縁すべき配線上では２
回以上のビーム走査を繰り返し、そのビーム走査のうち
の始めの１回目または数回の走査では絶縁膜形成用のガ
スを吹き付けて、その後の走査では導電性膜形成用のガ
スを吹き付けてレーザＣＶＤ直播を行うという手段をと
った。
（作用）
原料ガス雰囲気でレーザを基板に集光照射して、原料ガ
スを基板加熱により熱分解、あるいは光化学分解しなか
らレーザ光、或は基板を走査する直播ＣＶＤ技術におい
て、走査を止めることなく原料ガスのみを同じレーザ光
で熱分解、或は光化学分解する別の原料ガスに入れ換え
れば、異種の物質からなる線で連続したパターンを描画
することができる。本発明は、このことを利用して、結
線すべき配線と配線の間にこれらとは絶縁すべき配線が
あるような誤配線を直播レーザＣＶＤにより修正する場
合、絶縁すべき配線にレーザ光が許しかかると同時に原
料ガスを金属膜用原料ガスから絶縁膜用原料ガスに切り
替えて、絶縁すべき配線上に絶縁膜を描画し、その後、
絶縁膜用原料ガスに切り替えた点までレーザ集光点をも
どして、再び原料ガスを金属膜用原料ガスに替えて金属
線の直播ＣＶＤを、既に直播した絶縁膜の上を通って結
線すべき配線まで行うことによって、所望の配線のみの
結線を行うものである。本発明においては直播の前工程
として絶縁膜を全面形成することも局所選択形成するこ
とも必要でなく、そのための工程がかからない。また穴
開けの工程も必要ない、また光学系も１つでよいので装
置のスペースが少なくてすむ。
スを基板加熱により熱分解、あるいは光化学分解しなか
らレーザ光、或は基板を走査する直播ＣＶＤ技術におい
て、走査を止めることなく原料ガスのみを同じレーザ光
で熱分解、或は光化学分解する別の原料ガスに入れ換え
れば、異種の物質からなる線で連続したパターンを描画
することができる。本発明は、このことを利用して、結
線すべき配線と配線の間にこれらとは絶縁すべき配線が
あるような誤配線を直播レーザＣＶＤにより修正する場
合、絶縁すべき配線にレーザ光が許しかかると同時に原
料ガスを金属膜用原料ガスから絶縁膜用原料ガスに切り
替えて、絶縁すべき配線上に絶縁膜を描画し、その後、
絶縁膜用原料ガスに切り替えた点までレーザ集光点をも
どして、再び原料ガスを金属膜用原料ガスに替えて金属
線の直播ＣＶＤを、既に直播した絶縁膜の上を通って結
線すべき配線まで行うことによって、所望の配線のみの
結線を行うものである。本発明においては直播の前工程
として絶縁膜を全面形成することも局所選択形成するこ
とも必要でなく、そのための工程がかからない。また穴
開けの工程も必要ない、また光学系も１つでよいので装
置のスペースが少なくてすむ。
（実施例）
以下、本発明を、結線すべき２つの配線とこれらの間に
あってこれらとは絶縁すべき１つの配線とが同一の絶縁
膜上に存在する集積回路をレーザによる直播ＣＶＤによ
って修正する工程に本発明を適用した実施例を図面を参
照して詳細に行う。
あってこれらとは絶縁すべき１つの配線とが同一の絶縁
膜上に存在する集積回路をレーザによる直播ＣＶＤによ
って修正する工程に本発明を適用した実施例を図面を参
照して詳細に行う。
第１図は、本発明を適用した配線修正を行う装置の模式
図である。基板１はＣＶＤチャンバ２内に固定し、アル
ゴンレーザ６からの出射光をビームスプリッタ５．ビー
ムスプリッタ１７．レンズ４、窓３を通して基板１上に
垂直に集光照射する。アルゴンレーザ６よりビーム径の
大きいヘリウムネオンレーザ１６の光軸をアルゴンレー
ザ６の光軸に合わせてビームスプリッタ１７によって基
板１に照射し、基板１からのヘリウムネオンレーザ１６
の反射光は、ビームスプリッタ５により入射光と分離し
て、フォトディテクタ７によってその強度をモニタする
。ＣＶＤチャンバ２はＸＹステージ８の上に固定しＸＹ
方向にステージを動かすことによって、アルゴンレーザ
６の集光点を所望の箇所に走査きせることが出来る。金
属膜形成用の原料ガスとしてはジボランとシランの混合
ガスを用い、金属膜形成用原料ガス吹き出しのノズル９
からこれを基板１上のレーザ光の集光点に向かって吹き
付ける。また絶縁膜形成用原料ガスとしては酸素とシラ
ンの混合ガスを用い絶縁膜形成用原料ガス吹き出し用の
ノズル１０からやはり基板１のレーザ光の集光点にむか
って吹き付ける。各ガスのエアバルブの開閉で、原料ガ
スを適宜、速やかに交換して基板１に吹き付けることが
可能である。またこれらのノズル９．ノズル１０とＣＶ
Ｄチャンバ２とはフレキシブルなテフロン製の蛇腹ホー
ス１１で連結しているので、ＣＶＤチャンバ２がＸＹス
テージ８によって移動させられても、ノズル９，１０は
ＣＶＤチャンバ２と一緒に移動することはなく、ガスの
吹き出す方向ば常にレーザ光の集光点に向かっている。
図である。基板１はＣＶＤチャンバ２内に固定し、アル
ゴンレーザ６からの出射光をビームスプリッタ５．ビー
ムスプリッタ１７．レンズ４、窓３を通して基板１上に
垂直に集光照射する。アルゴンレーザ６よりビーム径の
大きいヘリウムネオンレーザ１６の光軸をアルゴンレー
ザ６の光軸に合わせてビームスプリッタ１７によって基
板１に照射し、基板１からのヘリウムネオンレーザ１６
の反射光は、ビームスプリッタ５により入射光と分離し
て、フォトディテクタ７によってその強度をモニタする
。ＣＶＤチャンバ２はＸＹステージ８の上に固定しＸＹ
方向にステージを動かすことによって、アルゴンレーザ
６の集光点を所望の箇所に走査きせることが出来る。金
属膜形成用の原料ガスとしてはジボランとシランの混合
ガスを用い、金属膜形成用原料ガス吹き出しのノズル９
からこれを基板１上のレーザ光の集光点に向かって吹き
付ける。また絶縁膜形成用原料ガスとしては酸素とシラ
ンの混合ガスを用い絶縁膜形成用原料ガス吹き出し用の
ノズル１０からやはり基板１のレーザ光の集光点にむか
って吹き付ける。各ガスのエアバルブの開閉で、原料ガ
スを適宜、速やかに交換して基板１に吹き付けることが
可能である。またこれらのノズル９．ノズル１０とＣＶ
Ｄチャンバ２とはフレキシブルなテフロン製の蛇腹ホー
ス１１で連結しているので、ＣＶＤチャンバ２がＸＹス
テージ８によって移動させられても、ノズル９，１０は
ＣＶＤチャンバ２と一緒に移動することはなく、ガスの
吹き出す方向ば常にレーザ光の集光点に向かっている。
ＣＶＤチャンバ２内の排気はロータリーポンプ１２によ
って行う。
って行う。
配線修正を実際に行う手順を以下に述べる。ノズル９か
らジボランとシランの混合ガスを基板１に吹き付けて配
置ａ１３上にレーザ光を集光しこれらの原料ガスをレー
ザ光照射による基板加熱の効果で分解しボロンドープシ
リコンを形成する。ヘリウムネオンレーザ１６の反射光
をフォトディテクタ７でモニタしなからレーザ集光点が
配線１４に向かうようにＸＹステージ８で基板１を動か
してボロンドープシリコン膜の直播を行う。集光点が配
線１４にさしかかると反射光の強度が急激に上がるので
、この位置からは原料ガスを酸素とシランの混合ガスに
かえてノズル１０から基板１上に吹き付ける。引き続い
て反射光をモニタしながら、やはり基板加熱効果を利用
してシリコン酸化膜の直播を行い、反射光の強度が配線
１４にきしかかる前の強度にまで下がった時点でステー
ジをこれまでと逆の方向、すなわち配線１３が集光点に
向かう方向に移動移せ、集光点が既に直播きれたボロン
ドープシリコンにさしかかって反射光の強度が再び上が
った時点で、原料ガスをジボランとシランの混合ガスに
替え、配！１１５までボロンドープシリコンの直播を行
い配線１４を絶縁した状態で配線１３と配線１５とを結
線する。
らジボランとシランの混合ガスを基板１に吹き付けて配
置ａ１３上にレーザ光を集光しこれらの原料ガスをレー
ザ光照射による基板加熱の効果で分解しボロンドープシ
リコンを形成する。ヘリウムネオンレーザ１６の反射光
をフォトディテクタ７でモニタしなからレーザ集光点が
配線１４に向かうようにＸＹステージ８で基板１を動か
してボロンドープシリコン膜の直播を行う。集光点が配
線１４にさしかかると反射光の強度が急激に上がるので
、この位置からは原料ガスを酸素とシランの混合ガスに
かえてノズル１０から基板１上に吹き付ける。引き続い
て反射光をモニタしながら、やはり基板加熱効果を利用
してシリコン酸化膜の直播を行い、反射光の強度が配線
１４にきしかかる前の強度にまで下がった時点でステー
ジをこれまでと逆の方向、すなわち配線１３が集光点に
向かう方向に移動移せ、集光点が既に直播きれたボロン
ドープシリコンにさしかかって反射光の強度が再び上が
った時点で、原料ガスをジボランとシランの混合ガスに
替え、配！１１５までボロンドープシリコンの直播を行
い配線１４を絶縁した状態で配線１３と配線１５とを結
線する。
本発明においては、適宜原料ガスを切り替えてレーザＣ
ＶＤの直播配線の工程だけで必要箇所を絶縁しながら配
線を修正できるので、全面、或は局所に絶縁膜を形成し
たり、また絶縁膜に六開けを施したりする工程を経るこ
となく、わずか１工程で配線修正ができた。
ＶＤの直播配線の工程だけで必要箇所を絶縁しながら配
線を修正できるので、全面、或は局所に絶縁膜を形成し
たり、また絶縁膜に六開けを施したりする工程を経るこ
となく、わずか１工程で配線修正ができた。
なお本発明においては原料ガスの切り替えに要する時間
は０．１秒以下で、この間にステージが移動する距離は
集光径に対して十分小さいので断線は生じなかった。ま
た、原料ガスの切り替えの際に２つのガスが若干混ざり
合うが堆積に必要な原料ガスは集光点に吹き付けて供給
するので、他方の原料ガスのよどみの影響はデバイスの
電気特性に支障をきたさない程度であった。
は０．１秒以下で、この間にステージが移動する距離は
集光径に対して十分小さいので断線は生じなかった。ま
た、原料ガスの切り替えの際に２つのガスが若干混ざり
合うが堆積に必要な原料ガスは集光点に吹き付けて供給
するので、他方の原料ガスのよどみの影響はデバイスの
電気特性に支障をきたさない程度であった。
本発明の実施例ではレーザ光照射による基板加熱の効果
で原料ガスを分解して成膜する場合についてのみ述べた
が、必ずしも熱的な分解である必要はなく、原料ガスと
して、金属用にジシランとボロンの混合ガス、絶縁膜用
にジシランと酸素を用い、光源としてＡｒＦレーザ（１
９３ｎｍ）を用いれば、光化学分解を利用した配線修正
も可能である。
で原料ガスを分解して成膜する場合についてのみ述べた
が、必ずしも熱的な分解である必要はなく、原料ガスと
して、金属用にジシランとボロンの混合ガス、絶縁膜用
にジシランと酸素を用い、光源としてＡｒＦレーザ（１
９３ｎｍ）を用いれば、光化学分解を利用した配線修正
も可能である。
また本実施例では結線すべき配線と配線の間に絶縁すべ
き配線が一本しかない場合についてのみ説明したが、絶
縁すべき配線が２本以上ある場合でも全く同様の修正が
可能である。
き配線が一本しかない場合についてのみ説明したが、絶
縁すべき配線が２本以上ある場合でも全く同様の修正が
可能である。
（発明の効果）
以上に説明したように、本発明の方法によれば、レーザ
による直播ＣＶＤの際に原料ガスを替えることによって
必要箇所を絶縁できるから、他の工程を設けることなく
直播ＣＶＤだけで配線を修正できる。また必要な光学系
は１種類だけなので、装置も小形化できる。このように
、本発明によれば、小形で＠車な装置を用いて局所絶縁
も含めた配線修正が簡単な工程で短時間に行える成膜方
法を提供できる。
による直播ＣＶＤの際に原料ガスを替えることによって
必要箇所を絶縁できるから、他の工程を設けることなく
直播ＣＶＤだけで配線を修正できる。また必要な光学系
は１種類だけなので、装置も小形化できる。このように
、本発明によれば、小形で＠車な装置を用いて局所絶縁
も含めた配線修正が簡単な工程で短時間に行える成膜方
法を提供できる。
第１図は、本発明の一実施例の方法を適用した装置を示
す模式図である。 １・・・基板、２・・・ＣＶＤチャンバ、３・・・窓、
４・・・レンズ、５．１７・・・ビームスプリッタ、６
・・・アルゴンレーザ、７・・・フォトディテクタ、８
・・・ＸＹステージ、９．１０・・・ノズル、１１・・
・蛇腹ホース、１２・・・ロータリーポンプ、１３，１
４．１５・・・配線、１６・・・ヘリウムネオンレーザ
。
す模式図である。 １・・・基板、２・・・ＣＶＤチャンバ、３・・・窓、
４・・・レンズ、５．１７・・・ビームスプリッタ、６
・・・アルゴンレーザ、７・・・フォトディテクタ、８
・・・ＸＹステージ、９．１０・・・ノズル、１１・・
・蛇腹ホース、１２・・・ロータリーポンプ、１３，１
４．１５・・・配線、１６・・・ヘリウムネオンレーザ
。
Claims (1)
- レーザ光を基板に集光させ、その基板上における前記
レーザ光の集光点に原料ガスを吹き付けると共に、前記
基板を前記集光点に対して走査することによって線状の
成膜を行う直描成膜方法において、絶縁すべき配線上で
は２回以上のビーム走査を繰り返し、そのビーム走査の
うちの始めの１回目または数回の走査では絶縁膜形成用
のガスを吹き付けて、その後の走査では導電性膜形成用
のガスを吹き付けてレーザＣＶＤ直描を行うことを特徴
とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29548787A JPH01136973A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29548787A JPH01136973A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01136973A true JPH01136973A (ja) | 1989-05-30 |
Family
ID=17821245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29548787A Pending JPH01136973A (ja) | 1987-11-24 | 1987-11-24 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01136973A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111246A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Nec Corp | レーザｃｖｄ装置 |
| US5708252A (en) * | 1986-09-26 | 1998-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Excimer laser scanning system |
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US6261856B1 (en) | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| JP2010514927A (ja) * | 2006-12-26 | 2010-05-06 | コーウィン ディーエスティー カンパニー リミテッド | 薄膜蒸着装置の原料ガス供給装置及び残留ガス処理処置及びその方法 |
| CN102828166A (zh) * | 2012-08-24 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 化学气相沉积维修设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59140366A (ja) * | 1983-12-27 | 1984-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPS60211076A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-23 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 多層導電膜パタ−ンの形成方法 |
-
1987
- 1987-11-24 JP JP29548787A patent/JPH01136973A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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