JPH01134977A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH01134977A JPH01134977A JP62292839A JP29283987A JPH01134977A JP H01134977 A JPH01134977 A JP H01134977A JP 62292839 A JP62292839 A JP 62292839A JP 29283987 A JP29283987 A JP 29283987A JP H01134977 A JPH01134977 A JP H01134977A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、光導電膜を用いたイメージセンサに関する。
従来技術とその問題点
ファクシミリ等には、光導電膜を用いたイメージセンサ
が使われている。
が使われている。
従来、光導電膜の材料としては、原稿寸法とほぼ同程度
まで大面積化が可能なアモルファスシリコン、Cd5−
CdSe等が用いられて゛おり、これらの光導電膜は、
完全密着型イメージセンサあるいは正立等倍レンズ使用
型イメージセンサ等の密着型イメージセンサに使用され
る。
まで大面積化が可能なアモルファスシリコン、Cd5−
CdSe等が用いられて゛おり、これらの光導電膜は、
完全密着型イメージセンサあるいは正立等倍レンズ使用
型イメージセンサ等の密着型イメージセンサに使用され
る。
しかし、これらの光導電膜材料には、以下のような問題
点がある。
点がある。
アモルファスシリコン光導電膜は、PIF、NIN、N
I等のような多層構造となるため生産性が低い。 また
、プラズマCVD法により成膜するためコストが高く、
しかも、多数の大型基板(A4、B4サイズ等)に均一
な成膜を行なうことが困難である。 さらに、プラズマ
CVD法ではフレークが生じ易く、欠陥のない膜を得る
ことが困難である。
I等のような多層構造となるため生産性が低い。 また
、プラズマCVD法により成膜するためコストが高く、
しかも、多数の大型基板(A4、B4サイズ等)に均一
な成膜を行なうことが困難である。 さらに、プラズマ
CVD法ではフレークが生じ易く、欠陥のない膜を得る
ことが困難である。
また、o、 、H20等の表面吸着により、膜が不安定
となり易い。
となり易い。
Cd5−CdSe光導電膜は、光応答速度が8〜10m
5ecと遅いため、高速タイプのファクシミリやカラー
の読み取りが困難である。 また、変換効率の一定な膜
が得難く、歩留が悪い。
5ecと遅いため、高速タイプのファクシミリやカラー
の読み取りが困難である。 また、変換効率の一定な膜
が得難く、歩留が悪い。
II 発明の目的
本発明の目的は、上記のような問題点を解決し、応答速
度が速く、特性が安定であり、しかも、製造が容易でコ
ストが低いイメージセンサを提供することにある。
度が速く、特性が安定であり、しかも、製造が容易でコ
ストが低いイメージセンサを提供することにある。
II+ 発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち、本発明は、光の入射により導電率が変化する
光導電膜を有するイメージセンサであって、前記光導電
膜が(TlBr)x(TlI)1x (Tll) 1−
X(ただし、0.4≦x≦0.7)から形成された厚膜
であることを特徴とするイメージセンナである。
光導電膜を有するイメージセンサであって、前記光導電
膜が(TlBr)x(TlI)1x (Tll) 1−
X(ただし、0.4≦x≦0.7)から形成された厚膜
であることを特徴とするイメージセンナである。
なお、本発明者等は、特開昭62−73677号にて、
ハロゲン化タリウム、例えばTlBr、TlC1を光導
電素子として用いる旨を提案している。
ハロゲン化タリウム、例えばTlBr、TlC1を光導
電素子として用いる旨を提案している。
これらのうち、本発明と同様にTlBrとTII とか
らなり、緑色感光性を有するKRS−5(塩基製作所製
)は単結晶板であるため、イメージセンサに適用するに
際して、薄板とすることが困難であり、また、大面積の
ものが得難いため、密着型イメージセンサに適用するこ
とが困難である。
らなり、緑色感光性を有するKRS−5(塩基製作所製
)は単結晶板であるため、イメージセンサに適用するに
際して、薄板とすることが困難であり、また、大面積の
ものが得難いため、密着型イメージセンサに適用するこ
とが困難である。
本発明では、特に緑色発光LEDに高感度をもつ(Tl
Br)x(TlI)1 −(TII) 1−1lを厚膜
法により光導電膜とする旨を提案するものである。
Br)x(TlI)1 −(TII) 1−1lを厚膜
法により光導電膜とする旨を提案するものである。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成を、詳細に説明する。
本発明のイメージセンサの好適実施例を、第1°図およ
び第2図に示す。
び第2図に示す。
第1図および第2図に示される本発明のイメージセンサ
1は、基板3上に、導光窓10を有する透明導電膜6、
共通電極4、光導電膜2および個別電極5を順次有し、
基板3の光導電膜2の反対側に、光源7と正立等倍レン
ズアレイ8とを有する。
1は、基板3上に、導光窓10を有する透明導電膜6、
共通電極4、光導電膜2および個別電極5を順次有し、
基板3の光導電膜2の反対側に、光源7と正立等倍レン
ズアレイ8とを有する。
イメージセンサ1は、光源7から照射され原稿9の表面
上で反射された光を、正立等倍レンズアレイ8により導
光窓10内の光導電膜2に導いて光導電膜2の導電率を
変化させ、この光導電膜2を介して対向する導光窓10
内の透明導電膜6と個別電極5との間に生じる電流の変
化を読み取り、原8%9表面の濃度分布による反射率の
強弱を電流の強弱に変換するものである。
上で反射された光を、正立等倍レンズアレイ8により導
光窓10内の光導電膜2に導いて光導電膜2の導電率を
変化させ、この光導電膜2を介して対向する導光窓10
内の透明導電膜6と個別電極5との間に生じる電流の変
化を読み取り、原8%9表面の濃度分布による反射率の
強弱を電流の強弱に変換するものである。
本発明では、光導電膜2を
(TlBr)x(TlI)1x (Tll) r−xか
ら形成する。 ただし、0.4≦x≦0.7である。
ら形成する。 ただし、0.4≦x≦0.7である。
Xが上記範囲外となると、緑色発光LEDに対し、感度
が低下する。
が低下する。
この場合、TIIおよびTlBrは、化学量論組成であ
ることが好ましいが、これから多少偶奇していてもよい
。
ることが好ましいが、これから多少偶奇していてもよい
。
また、光導電膜2は、TIIおよびTlBrのみから形
成されることが好ましいが、不純物としてBr% In
、S等が全体の5wt%以下含有されていてもよい。
成されることが好ましいが、不純物としてBr% In
、S等が全体の5wt%以下含有されていてもよい。
このような光導電膜は、通常、(TlBr)x(TlI
)1。
)1。
(TII) l−xの多結晶膜である。
また、光導電膜2の膜厚は、一般に0.2〜200μm
1特に1〜20μm程度とされる。
1特に1〜20μm程度とされる。
(TlBr)x(TlI)1−(Tll) 1−Xから
なる本発明の光導電膜は、スクリーン印刷法等の厚膜法
による厚膜として成膜する。
なる本発明の光導電膜は、スクリーン印刷法等の厚膜法
による厚膜として成膜する。
このため、本発明のイメージセンサは、製造が容易で量
産性が高く、コストが低いものである。
産性が高く、コストが低いものである。
また、きわめて良好な光導電性を示す。
これに対し、(TlBr)x(TlI)1、1(TII
) r−xの形成に薄膜法を用い、例えば真空蒸着を行
うときには、低い光感度しかえられない。 この場合、
成膜後に熱処理を施せば光感度は向上するが、工程増を
招き生産性が低下する。
) r−xの形成に薄膜法を用い、例えば真空蒸着を行
うときには、低い光感度しかえられない。 この場合、
成膜後に熱処理を施せば光感度は向上するが、工程増を
招き生産性が低下する。
また、スパッタリングでは(TlBr)x(TlI)1
。
。
(TII) 、−の分解を生じ、低い光感度しかえられ
ない。
ない。
印刷法により成膜する場合、TllおよびTlBrを、
あらかじめ公知の方法により混晶化して(TlBr)x
(TlI)1x (TII) r −とし、これを、エ
チ)Lt −tyルロース等のバインダと、テルピネオ
ール、ブチルカルピトール等の溶剤を用いてペースト化
してスクリーン印刷を行い、その後、焼成する。
あらかじめ公知の方法により混晶化して(TlBr)x
(TlI)1x (TII) r −とし、これを、エ
チ)Lt −tyルロース等のバインダと、テルピネオ
ール、ブチルカルピトール等の溶剤を用いてペースト化
してスクリーン印刷を行い、その後、焼成する。
ペーストに用いる(TlBr)x(TlI)1、 (T
ll) r−は、平均粒径0.1〜2μm程度とすれば
よい。
ll) r−は、平均粒径0.1〜2μm程度とすれば
よい。
また、ペースト中に20〜70wt%含有させればよい
。
。
焼成条件としては、真空または常圧中で200〜500
℃、より好ましくは真空中で250〜350℃にて0.
2〜3時間、より好ましくは0.5〜1時間とすること
が好ましい。
℃、より好ましくは真空中で250〜350℃にて0.
2〜3時間、より好ましくは0.5〜1時間とすること
が好ましい。
なお、あらかじめ混晶とせずに、TIIおよびTlBr
の粉末と上記バインダおよび溶剤とを混合してペースト
化してスクリーン印刷を行ない、上記の焼成によって(
TlBr)x(TlI)1 −(TI I) l−ノ混
晶とすることもできる。
の粉末と上記バインダおよび溶剤とを混合してペースト
化してスクリーン印刷を行ない、上記の焼成によって(
TlBr)x(TlI)1 −(TI I) l−ノ混
晶とすることもできる。
光源、特に緑色発光LEDの光は、光導電膜の表層にて
吸収されて光導電性を示す。 このため、厚膜法にて成
膜して膜厚がバラついたとしてもイメージセンサ特性に
はバラつきは生じず、容易でしかも安価な製法にて特性
の良好なイメージセンサが実現する。
吸収されて光導電性を示す。 このため、厚膜法にて成
膜して膜厚がバラついたとしてもイメージセンサ特性に
はバラつきは生じず、容易でしかも安価な製法にて特性
の良好なイメージセンサが実現する。
基板3は、光源7から照射される光の透過率が高いもの
であれば特に制限はないが、通常、板ガラスや石英、各
種樹脂等で形成される。
であれば特に制限はないが、通常、板ガラスや石英、各
種樹脂等で形成される。
基板3の厚さは、通常0.5〜3mm程度である。
共通電極4は、原稿9からの反射光を個別電極5に導く
ために導光窓10を有し、かつ迷光を防ぎ高い分解能を
得るために不透明材質で形成され遮光板の機能を有する
。
ために導光窓10を有し、かつ迷光を防ぎ高い分解能を
得るために不透明材質で形成され遮光板の機能を有する
。
導光窓10の寸法は、個別電極5の寸法に対応するが、
通常50X50μm〜200×200μm程度である。
通常50X50μm〜200×200μm程度である。
なお、後述する透明導電膜を共通電極として用い、上記
の機能を有する遮光板を別に設けてもよい。 この場合
、遮光板の材質としては、Cr、Mo等の金属あるいは
St等の非導電物質であってもよい。
の機能を有する遮光板を別に設けてもよい。 この場合
、遮光板の材質としては、Cr、Mo等の金属あるいは
St等の非導電物質であってもよい。
また、共通電極4の材質としては、Cu、Cr、Ni、
Pt等を用いればよい。
Pt等を用いればよい。
個別電極5の配設密度は、画素数に対応し、通常、6〜
16個/ m m程度である。
16個/ m m程度である。
個別電極5の材質としては、Cu、Ni、Cr%pt等
を用いればよい。
を用いればよい。
共通電極4および個別電極5の間には所定の電圧が印加
され、光導電膜2の導電率変化に応じた電流が両電極間
を流れる。
され、光導電膜2の導電率変化に応じた電流が両電極間
を流れる。
透明導電膜6は、共通電極4と接触して設けられ、光導
電膜2の光受光部分を介して個別電極5と対向している
ため、光導電膜2の導電率変化に応じた電流は、主とし
て透明導電膜6および個別電極5間を流れる。
電膜2の光受光部分を介して個別電極5と対向している
ため、光導電膜2の導電率変化に応じた電流は、主とし
て透明導電膜6および個別電極5間を流れる。
透明導電膜6の材質としては、ITOlNESA等を用
いればよい。
いればよい。
光源7としては、省スペース、低消費電流であることな
どから、LEDを用いることが好ましい。
どから、LEDを用いることが好ましい。
本発明では、光導電1lL2の材質に(TlBr)x(
TlI)1x(TII) I−X (ただし、0.4
≦x≦0.7)を用いるので、感光性の点で、緑色発光
LEDを用いることが好ましく、特に発光スペクトルの
波長が555nm程度の波長の緑色発光LEDを用いる
ことが好ましい。
TlI)1x(TII) I−X (ただし、0.4
≦x≦0.7)を用いるので、感光性の点で、緑色発光
LEDを用いることが好ましく、特に発光スペクトルの
波長が555nm程度の波長の緑色発光LEDを用いる
ことが好ましい。
正立等倍レンズアレイ8は公知のものを用いればよく、
また、これに替え、ファイバレンズアレイ等を用いても
よい。
また、これに替え、ファイバレンズアレイ等を用いても
よい。
第3図および第4図に、本発明のイメージセンサの他の
好適実施例を示す。
好適実施例を示す。
これらの図に示されるイメージセンサ1は、基板3上に
光導電膜2を有し、この光導電膜2を挟んで共通電極4
および個別電極5が基板3上に設けられる。
光導電膜2を有し、この光導電膜2を挟んで共通電極4
および個別電極5が基板3上に設けられる。
この場合の各部材の構成および作用は、第1図および第
2図の説明にて前述したこととほぼ同様である。
2図の説明にて前述したこととほぼ同様である。
第5図および第6図に、本発明のイメージセンサのさら
に他の好適実施例を示す。
に他の好適実施例を示す。
これらの図に示されるイメージセンサ1は、いわゆる完
全密着型のものであり、正立等倍レンズアレイ等の光学
系を用いないものである。
全密着型のものであり、正立等倍レンズアレイ等の光学
系を用いないものである。
イメージセンサ1は、基板3の上側に光源7を有し、基
板3の下面に共通電極4、光導電膜2、透明導電膜6お
よび個別室fi5を順次有し、さらにこの個別電極5の
下面に透明保護層11を有する。
板3の下面に共通電極4、光導電膜2、透明導電膜6お
よび個別室fi5を順次有し、さらにこの個別電極5の
下面に透明保護層11を有する。
共通電極4、光導電@2および透明導電膜6には、光源
7から照射された光を原稿9に導くための導光窓10が
設けられる。
7から照射された光を原稿9に導くための導光窓10が
設けられる。
光源7から照射された光は、導光窓10を通って原稿9
の表面で反射して光導電膜2に達する。 この後は、前
述した実施例と同様にして、原稿9表面の濃度分布を電
流の強弱に変換するものである。
の表面で反射して光導電膜2に達する。 この後は、前
述した実施例と同様にして、原稿9表面の濃度分布を電
流の強弱に変換するものである。
この実施例において、透明保護層11は、各部材を原稿
9の接触から保護するために設けられ、その厚さは3〜
15μm程度であることが好ましく、その材質としては
、5in2 、A1203、Si3 N4.5iCxO
y Nz、5iBx O,N!、5iBxO,、,5i
A1.01−8、Ta205等を用いればよい。
9の接触から保護するために設けられ、その厚さは3〜
15μm程度であることが好ましく、その材質としては
、5in2 、A1203、Si3 N4.5iCxO
y Nz、5iBx O,N!、5iBxO,、,5i
A1.01−8、Ta205等を用いればよい。
■ 発明の具体的効果
本発明のイメージセンサは、(r l B r) x(
Tll) l−xからなる厚膜である光導電膜を有する
。
Tll) l−xからなる厚膜である光導電膜を有する
。
このため、応答速度が速く、高速ファクシミリ等に好適
に用いることができる。
に用いることができる。
また、光導電膜が単層構造であるため製造が容易であり
、スクリーン印刷法等の厚膜法により成膜するので製造
コストを低く抑えることができる。
、スクリーン印刷法等の厚膜法により成膜するので製造
コストを低く抑えることができる。
さらに、(TlBr)x(TlI)1 −(TII)
I−からなる光導電膜は特性が良好かつ安定であり、ま
た、均一な特性が得られ易く、製造歩留が高いものであ
る。
I−からなる光導電膜は特性が良好かつ安定であり、ま
た、均一な特性が得られ易く、製造歩留が高いものであ
る。
このような効果を有する本発明のイメージセンサは、フ
ァクシミリ等に好適に用いることができ、特にその感光
性から、緑色発光LEDと組合わせて好適に使用するこ
とができる。
ァクシミリ等に好適に用いることができ、特にその感光
性から、緑色発光LEDと組合わせて好適に使用するこ
とができる。
本発明者等は、本発明の効果を確認するため、以下に示
す実験を行なった。
す実験を行なった。
[実験例1]
平均粒径5μmのTlBrとTIIを6対4の比で混合
した溶質1重量部と、エチルセルロース0.5重量部と
テルピネオール0.5重量部とを混合し、ペーストを作
製した。
した溶質1重量部と、エチルセルロース0.5重量部と
テルピネオール0.5重量部とを混合し、ペーストを作
製した。
このペーストをスクリーン印刷により
ガラス基板上に印刷し、真空中(IXIO−3Torr
)で300℃にて30分間焼成し、光導電膜を成膜した
。
)で300℃にて30分間焼成し、光導電膜を成膜した
。
焼成後の膜厚は、20μmであった。
この光導電膜を、第4図に示すように対向するCu製電
極で挟んで光電変換素子を形成し、光波長に対する相対
感度を測定した。
極で挟んで光電変換素子を形成し、光波長に対する相対
感度を測定した。
なお、Cu製電極は蒸着法により1.5μm厚に形成し
、ウェットエツチングにより所定のパターンとした。
エッチャントには、20%H,So4.10%Crys
水溶ン夜を用いた。
、ウェットエツチングにより所定のパターンとした。
エッチャントには、20%H,So4.10%Crys
水溶ン夜を用いた。
また、エツチングレートは2μm/minであった。
結果を第7図に示す。
第7図に示される結果から、(TlBr)x(TlI)
1。6(Tll)。4からなる光導電膜は、緑色部に最
大感度を有し、緑色発光LEDを用いたイメージセンサ
に好適に適用可能であることがわかる。
1。6(Tll)。4からなる光導電膜は、緑色部に最
大感度を有し、緑色発光LEDを用いたイメージセンサ
に好適に適用可能であることがわかる。
なお、比較のために、上記と同組成の光導電膜を蒸着法
により1μm厚に形成し、上記と同様にして光電変換素
子を作製した。 このものも上記本発明の光電変換素子
と同波長に最大感度を有していたが、その最大感度は、
本発明のものの30%であった。
により1μm厚に形成し、上記と同様にして光電変換素
子を作製した。 このものも上記本発明の光電変換素子
と同波長に最大感度を有していたが、その最大感度は、
本発明のものの30%であった。
[実験例2]
実験例1で作製した光電変換素子を用いて、光源として
波長555nmの純緑色発光LEDを用い、光強度に対
する光電流を測定した。
波長555nmの純緑色発光LEDを用い、光強度に対
する光電流を測定した。
結果を第8図に示す。
第8図に示されるように、(T I B r)。6(T
ll)。4からなる光導電膜は、光強度に対して光電流
がほぼ直線的に増加し、イメージセンサに好適に用い得
ることが明らかである。
ll)。4からなる光導電膜は、光強度に対して光電流
がほぼ直線的に増加し、イメージセンサに好適に用い得
ることが明らかである。
[実験例3]
発色波長555nmのG a P L E Dを用い
、TIIとTlBrとの比を変化させて相対感度を測定
した。
、TIIとTlBrとの比を変化させて相対感度を測定
した。
結果を第9図に示す。 なお、第9図において、横軸は
Tll /TlBrであり、(TlBr)x(TlI)
1。
Tll /TlBrであり、(TlBr)x(TlI)
1。
(TII) r−8において、0.4≦x≦0.7のと
き0.43≦TII / TlBr ≦1,5である
。
き0.43≦TII / TlBr ≦1,5である
。
第9図に示される結果から、本発明のイメージセンサに
用いる光導電膜は、緑色光に対し、高い感度を示すこと
がわかる。
用いる光導電膜は、緑色光に対し、高い感度を示すこと
がわかる。
[実験例4コ
上記の光電変換素子を用いて、光照射に対する応答速度
(立ち上がりおよび立ち下がり)を測定した。
(立ち上がりおよび立ち下がり)を測定した。
光源として、発光波長555nmのGaP−LEDを用
いた。
いた。
立ち上がり時間は150μsec以下、立ち下がり時間
は300μsec以下であった。
は300μsec以下であった。
この結果、本発明のイメージセンサに用いる光導電膜は
光応答速度が速く、高速ファクシミリ等に好適に通、用
し得ることがわかる。
光応答速度が速く、高速ファクシミリ等に好適に通、用
し得ることがわかる。
[実験例5]
上記実験例1に準じて第4図に示す構成のイメージセン
サを作製し、特性を測定した。
サを作製し、特性を測定した。
このイメージセンサの細目および特性を、下記表1に示
す。
す。
表 1
素子数 1728画素
素子密度 8画素/ m m
光感度 0.3μA / 1 x分光感度
555nm SN比 10:1以上 素子間ばらつき ±10%以下 光応答速度 1m5ec以下 上記表1において、光感度は、印加電圧1゜Vで光源と
して緑色発光LED (波長555nm)を使用した場
合のものであり、分光感度は、ピーク波長を示す。 ま
た、S/N比は白黒2値のものであり、光応答速度はピ
ーク照度100ルクスのときのものである。
555nm SN比 10:1以上 素子間ばらつき ±10%以下 光応答速度 1m5ec以下 上記表1において、光感度は、印加電圧1゜Vで光源と
して緑色発光LED (波長555nm)を使用した場
合のものであり、分光感度は、ピーク波長を示す。 ま
た、S/N比は白黒2値のものであり、光応答速度はピ
ーク照度100ルクスのときのものである。
表1に示される結果から、本発明のイメージセンサは、
特性が良好であることがわかる。
特性が良好であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第3図は、本発明のイメージセンサの好適
実施例の平面図であり、第2図および第4図は、それぞ
れ第1図および第3図に示すイメージセンサのIf −
If線およびIV−IV線断面図である。 第5図は、本発明のイメージセンサの他の実施例の縦断
面図であり、第6図は、第5図に示すイメージセンサの
底面図である。 第7図は、光の波長と相対感度との関係を表わすグラフ
、第8図は、光強度と電流量との関係を表わすグラフ、
第9図は、TII / TlBrと相対感度との関係を
表わすグラフである。 符号の説明 1・・・イメージセンサ、 2・・・光導電膜、 3・・・基板、 4共通電極、 5・・・個別電極、 6・・・透明導電膜、 7・・・光源、 8・・・光学系、 9・・・原稿、 10・・・導光窓、 11・・・透明保護層 FIG、1 F I G、 2 FIG、3 FIG、4 ′ 9 Fl(3,5 Fl(3,5 F l(3,7 浪 長(nm) F I G、 8 光強度(1x)
実施例の平面図であり、第2図および第4図は、それぞ
れ第1図および第3図に示すイメージセンサのIf −
If線およびIV−IV線断面図である。 第5図は、本発明のイメージセンサの他の実施例の縦断
面図であり、第6図は、第5図に示すイメージセンサの
底面図である。 第7図は、光の波長と相対感度との関係を表わすグラフ
、第8図は、光強度と電流量との関係を表わすグラフ、
第9図は、TII / TlBrと相対感度との関係を
表わすグラフである。 符号の説明 1・・・イメージセンサ、 2・・・光導電膜、 3・・・基板、 4共通電極、 5・・・個別電極、 6・・・透明導電膜、 7・・・光源、 8・・・光学系、 9・・・原稿、 10・・・導光窓、 11・・・透明保護層 FIG、1 F I G、 2 FIG、3 FIG、4 ′ 9 Fl(3,5 Fl(3,5 F l(3,7 浪 長(nm) F I G、 8 光強度(1x)
Claims (2)
- (1)光の入射により導電率が変化する光導電膜を有す
るイメージセンサであって、 前記光導電膜が(TlBr)_x(TlI)_1_−_
x(ただし、0.4≦x≦0.7)から形成された厚膜
であることを特徴とするイメージセンサ。 - (2)前記光が、緑色発光LEDから照射されるもので
ある特許請求の範囲第1項に記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62292839A JPH01134977A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62292839A JPH01134977A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | イメージセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01134977A true JPH01134977A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17787027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62292839A Pending JPH01134977A (ja) | 1987-11-19 | 1987-11-19 | イメージセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01134977A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998047325A1 (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Infimed, Inc. | Phototimer for radiology imaging |
US11909263B1 (en) | 2016-10-19 | 2024-02-20 | Waymo Llc | Planar rotary transformer |
-
1987
- 1987-11-19 JP JP62292839A patent/JPH01134977A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998047325A1 (en) * | 1997-04-16 | 1998-10-22 | Infimed, Inc. | Phototimer for radiology imaging |
US11909263B1 (en) | 2016-10-19 | 2024-02-20 | Waymo Llc | Planar rotary transformer |
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