JPH01116530A - Optical switching element and optical switching matrix comprising the same - Google Patents
Optical switching element and optical switching matrix comprising the sameInfo
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- JPH01116530A JPH01116530A JP63247266A JP24726688A JPH01116530A JP H01116530 A JPH01116530 A JP H01116530A JP 63247266 A JP63247266 A JP 63247266A JP 24726688 A JP24726688 A JP 24726688A JP H01116530 A JPH01116530 A JP H01116530A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 66
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018885 Pt—Au Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical group [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 241001481828 Glyptocephalus cynoglossus Species 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N gold platinum titanium Chemical compound [Ti][Pt][Au] FHUGMWWUMCDXBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、対向壁が結合間隔と称す小距離だけ離間して
結合長と称す長さＤに亘って平行に延在する２個の光ガ
イドを具え、これら光ガイドの各々を第１の小屈折率ｎ
０を有する材料の半導体基板上に形成された第２の屈折
率ｎ、＞ｎｏを有する半導体材料の直線ストリップＧ□
及び１（ＩＩで構成し、これらガイドの寸法を各々が単
一モード波を導波するように定め、且つ一方のガイドか
ら他方のガイドへの光のスイッチング動作をこれらガイ
ドに設けられた電極システム８口及びＭに印加される電
位又は電流の作用により生じさせるようにした光スイツ
チング素子に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention comprises two light guides whose opposing walls extend parallel to each other over a length D, called the coupling length, separated by a small distance, called the coupling spacing. each with the first small refractive index n
A straight strip of semiconductor material G□ with a second refractive index n, > no formed on a semiconductor substrate of material with 0
and 1 (II), each of these guides being dimensioned to guide a single mode wave, and an electrode system provided on these guides to effect the switching action of light from one guide to the other. This invention relates to an optical switching element which is generated by the action of a potential or current applied to an 8-port and M.
本発明は更に、ｎｘｍ個のこれらスイッチング素子から
成る光スイツチングマトリクスに関するものである。The invention furthermore relates to an optical switching matrix consisting of nxm of these switching elements.
本発明は上記のスイッチング素子及びマトリクスの製造
方法にも関するものである。The present invention also relates to a method of manufacturing the above-mentioned switching element and matrix.
本発明は、光ファイバにより伝送される光信号のスイッ
チングに使用され、例えば多数の光フアイバ間のスイッ
チングを可能にしてファイバにより伝送される光信号を
種々の加入者間の切換処理中に電気信号に変換する必要
がないようにする必要がある電気通信の分野に使用され
る。The present invention is used for switching optical signals transmitted by optical fibers, for example to enable switching between a large number of optical fibers, to convert optical signals transmitted by fibers into electrical signals during the switching process between various subscribers. Used in the field of telecommunications where there is no need to convert.
上述した種類のスイッチングマトリクスを構成するのに
好適な光スイツチング素子はｒｓｅｃｏｎｄＥｕｒｏｐ
ｅａｎ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａ
ｔｅｄ ０ｐｔｉｃｓ」（１９８３年１０月１７−１８
日、イタリア フロ、−レンス開催）において発表さ
れたジェイ・ブラントン。Optical switching elements suitable for constructing switching matrices of the type described above are rsecondEurope
ean Conference on Integra
ted 0ptics” (October 17-18, 1983)
Jay Blanton announced at the Flo, Lens, Italy).
エイ・カレンコ等の論文：
ｒＤｏｕｂｌｅ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ＧａＡｓ−Ａ１． Ｇａ＋−ｘ ＡｓＲｉｂ Ｗａｖｅ
Ｇｕｉｄｅ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ｃｏｕｐｌｅ
ｒ ５ｗ１ｔｃｈ Ｊから既知である。Paper by A. Kalenko et al.: rDouble Heterostructure
GaAs-A1. Ga+-x AsRib Wave
Guide Directional Couple
It is known from r 5wltch J.
この論文には砒化ガリウム（ＧａＡｓ）のストリップか
ら成る２個の光ガイドで構成されたスイッチング素子が
記載されている。これらのストリップは平行であって、
砒化ガリウム（ＧａＡｓ）の平坦な基板上にあって光ガ
イド内に光を閉じ込める層として作用する砒化ガリウム
アルミニウム（ＧａＡＩＡｓ）の層の表面に並べて形成
される。別の砒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡＩＡｓ
）の層により光ガイドを形成するストリップの各々を覆
う。各ストリップは出発層をエツチングして基板上に浮
彫形成される。最後にショットキ型の電極が各光ガイド
の表面に形成されると共に基板の反対側表面にオーム接
点を形成する層が設けられる。This article describes a switching element consisting of two light guides made of gallium arsenide (GaAs) strips. These strips are parallel and
It is formed on a flat substrate of gallium arsenide (GaAs) juxtaposed with a layer of gallium aluminum arsenide (GaAIAs) which acts as a layer to confine light within the light guide. Another gallium aluminum arsenide (GaAIAs)
) covering each of the strips forming the light guide. Each strip is embossed onto the substrate by etching the starting layer. Finally, a Schottky-type electrode is formed on the surface of each light guide and a layer forming an ohmic contact is provided on the opposite surface of the substrate.
各光ガイドは単一モード波を伝搬し、これら光ガイドの
小さい横方向離間距離のために一方又は他方の光ガイド
に与える分極によって２個の単一モードガイドの結合を
変化させて所望のスイッチングを得ることかできる。Each light guide propagates a single mode wave, and due to the small lateral separation of these light guides, the coupling of the two single mode guides can be varied by polarization imparted to one or the other light guide to achieve the desired switching. Can you get it?
しかし、結合長、即ち、光を一方のガイドから他方のガ
イドへ移すために必要な長さは結合間隔、即ちガイドの
横方向離間距離と、ガイドの構造とに依存する。上述の
論文から既知のガイドの構造は「外部ストリップ」タイ
プのものである。このタイプのものは２つのガイド間の
結合が小さく、従って結合長が大きくなり、代表的には
５〜８ｍｍである。However, the coupling length, ie, the length required to transfer light from one guide to another, depends on the coupling spacing, ie, the lateral separation of the guides, and the structure of the guides. The structure of the guide known from the above-mentioned article is of the "external strip" type. This type has a small bond between the two guides and therefore a large bond length, typically 5-8 mm.
斯る距離は集積スイッチグマトリクスを形成する場合に
大きな問題となる。実際上、マドリスクはガイドの長さ
方向に縦続配置されたｎ個のこのような結合素子を具え
、集積に適さない表面積を必要とする。Such distances pose a major problem when forming integrated switch matrices. In practice, a Madrisk comprises n such coupling elements arranged in cascade along the length of the guide, requiring a surface area that is not suitable for integration.
他方、斯るスイッチングマトリクスを得るためには、１
つの光路を周期的に偏向させる必要がある。これはｒＪ
ｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ
ＪＶａｔ。On the other hand, in order to obtain such a switching matrix, 1
It is necessary to periodically deflect two optical paths. This is rJ
Internal of Applied Physics
JVat.
４５、 Ｎ（１１１，１９７４年１１月、ｐｐ４９９
７−４９９９のエフ・オウラチャ及びエッチ・エッチ・
ウィッチの論文：ｒＮｅｗ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ
Ｃｏｕｐｌｅｒ ｏｆ Ｉｎｔｅｇｒａａｔｅｄ ０ｐ
ｔｉｃｓ Ｊに示されているように、１つのスイッチン
グ素子のガイドの１つを他のスイッチング素子のガイド
の１つに湾曲ガイド部により接合することにより得るこ
とができる。しかし、小さな損失を達成するこめにはこ
の湾曲ガイド部を大きな曲率半径（代表的には１０ミリ
メートル） にして９０°の方向変化中に１ｄＢ以下の
損失が得られるようにする必要がある。これがためマト
リクスにより占められる面積が一層大きくなり集積に適
さなくなる。45, N (111, November 1974, pp499
7-4999 F Ouracha and Ecchi Ecchi
Witch Paper: rNew Directional
Coupler of Integrated 0p
tics J, by joining one of the guides of one switching element to one of the guides of another switching element by means of a curved guide part. However, in order to achieve low losses, this curved guide section must have a large radius of curvature (typically 10 millimeters) to provide less than 1 dB loss during a 90° change in direction. This makes the area occupied by the matrix larger and less suitable for integration.
上述の論文は斯るスイッチング素子の欠点を２個の光ガ
イドを重畳層により得ることにより解決することを提案
している。しかし、この構造は他方のガイドに対する一
方のガイドのアラインメントに必要なマスクを高精度に
形成する必要があるため製造効率が低くなりすぎて安価
な集積回路用に適さないこと明らかである。これがため
、この論文は更に、２個の光ガイドを自発結合を避ける
に十分な距離だけ離して並置すると共にこれらガイドを
別の層で被覆して両ガイドから誘電体層で分離され且つ
両ガイドをまたぐ第３の光ガイドを形成した構造を提案
している。この論文はこのようにすると結合が改善され
ることを示している。The above-mentioned paper proposes to overcome the drawbacks of such switching elements by obtaining two light guides by superimposed layers. However, it is clear that this structure is not suitable for low-cost integrated circuits because the mask required for alignment of one guide with respect to the other guide must be formed with high precision, resulting in too low manufacturing efficiency. For this reason, this paper further proposes that two light guides be juxtaposed at a distance sufficient to avoid spontaneous coupling, and that these guides be coated with another layer, separated from both guides by a dielectric layer, and that both guides be separated by a dielectric layer. We have proposed a structure in which a third light guide is formed that straddles the area. This paper shows that this improves the coupling.
しかし、この構造は重畳光ガイドの上述のアラインメン
トによる欠点に加えて、３個の光ガイドを必要とするた
めに一層複雑になる問題がある。また、この論文には個
別素子以外の装置については記載がなく、完全なスイッ
チングマトリクスをどのようにして得るかについては記
載されていない。However, in addition to the drawbacks due to the above-mentioned alignment of the superimposed light guides, this structure suffers from the added complexity of requiring three light guides. Furthermore, this paper does not describe any device other than individual elements, nor does it describe how to obtain a complete switching matrix.
従って、この回路の設計者は個別素子の形成から複雑な
回路の形成へと推移させることが極めて困難であること
を認識しているものである。Designers of these circuits therefore recognize that it is extremely difficult to move from forming individual elements to forming complex circuits.
最後に、欧州特許出願第２０９１９０号から、光ガイド
に鏡を設けて光ビームを偏向させることが既知である。Finally, it is known from European Patent Application No. 209190 to provide a light guide with mirrors to deflect the light beam.
しかし、これに示されている構造は、２個の重畳光ガイ
ドで構成され、この構造は上述の理由から避ける必要が
あるものである。更に、上側光ガイド上に鏡をエツチン
グにより形成する際、極めて臨界的なマスク工程を用い
て下側の光ガイドのエツチングを避ける必要があるため
、この構造の形成はかなり難しいものとなる。従って、
斯る装置の製造効率はかなり低いものとなる。However, the structure shown here consists of two overlapping light guides, which should be avoided for the reasons mentioned above. Furthermore, when etching the mirror onto the upper light guide, very critical masking steps must be used to avoid etching of the lower light guide, making the formation of this structure quite difficult. Therefore,
The manufacturing efficiency of such devices is quite low.
今日、前述した電気通信の分野では著しく高い性能を有
し、著しく小形化され、著しく安価、即ち高い製造効率
で容易に実現し得る電気光学回路が必要とされている。Today, in the above-mentioned field of telecommunications, there is a need for electro-optical circuits which have significantly higher performance, are significantly more compact, are significantly cheaper, ie can be easily realized with high manufacturing efficiency.
本発明の目的は上述した問題を解決することにあり、こ
の目的のために本発明は頭書に記載した種類のスイッチ
ング素子において、
主光ガイドと称す第１光ガイドＧｉｌの一端を当該光ス
イツチング素子の入力端に接続すると共に該ガイドの他
端を当該スイッチング素子の直行出力端に接続し、
副光ガイドと称す第２光ガイドＨ１１には前記電極シス
テムＢ目の区域を越えた位置に、該ガイドの光軸に対し
４５°をなす平坦側面から成る鏡Ｍｌｌを設け、
前記副光ガイドｌ（ｔ＋を、該ガイドの光軸に対し９０
°に配置され前記鏡により反射された光を受光する副光
ガイドＨ′８．と称す光ガイド部分に接続し、
前記副光ガイドＨ’ １１を、前記主光ガイドＧｉｉと
交差して前記副光ガイドＨ１ｔと平行に延在し、他端が
当該スイッチング素子の横方向出力端に接続さ−れた横
方向主光ガイドＧ’ １１に間隔ｄで結合し、
前記副光ガイドＨ’ １１及び前記横方向主光ガイドＧ
’ １１には電位又は電流の印加によりこれらのガイド
の一方から他方への光のスイッチングを生じさせる電極
システムＩｌｉ’ ｉｔを設け、前記全ての光ガイドと
基板をこれら光ガイドの屈折率より低い第３の屈折率ｎ
２を有する半導体材料のプレーナ層（２）で覆い、この
プレーナ層の平坦表面上に前記電極システム６ｉ１及び
Ｂ’ ｉｉを配置すると共にこのプレーナ層には前記鏡
Ｍｉ１の周囲の光ガイドの構造を基板まで露出させる開
口Ｑｉｉを設けたことを特徴とする。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and for this purpose, the present invention provides a switching element of the type described in the header, in which one end of the first light guide Gil, called the main light guide, is connected to the switching element. and the other end of the guide is connected to the orthogonal output end of the switching element, and a second light guide H11, referred to as a sub-light guide, has a second light guide H11, which is connected to the input end of the electrode system B, and the other end of the guide is connected to the orthogonal output end of the switching element. A mirror Mll is provided with a flat side surface at an angle of 45° to the optical axis of the guide, and the sub-light guide l(t+ is 90° to the optical axis of the guide)
A sub-light guide H'8. The auxiliary light guide H' 11 is connected to a light guide portion called ``Gii'' and extends parallel to the auxiliary light guide H1t, intersecting the main light guide Gii, and the other end thereof is connected to a lateral output end of the switching element. coupled to the lateral main light guide G' 11 connected to the lateral main light guide G' 11 at a distance d, and the sub light guide H' 11 and the lateral main light guide G
' 11 is provided with an electrode system Ili' it which causes the switching of light from one of these guides to the other by the application of an electric potential or current, and all said light guides and the substrate are arranged in a matrix with a refractive index lower than that of said light guides. refractive index n of 3
2, on the planar surface of which the electrode systems 6i1 and B' ii are arranged, and in which the structure of the light guide around the mirror Mi1 is provided. It is characterized by providing an opening Qii that exposes the substrate.
図面につき本発明を説明する。The invention will be explained with reference to the drawings.
第１図に示すように、本発明の光スイツチング素子は小
屈折率ｎ０を有する単結晶基板１上に形成された高い屈
折率ｎ、＞ｎｏを有する２個の半導体ストリップＧ２１
及びＨ２＋ を具える。As shown in FIG. 1, the optical switching device of the present invention consists of two semiconductor strips G21 having a high refractive index n,>no formed on a single crystal substrate 1 having a small refractive index n0.
and H2+.
第１図に示すこれらのストリップは矩形断面を有してい
る。これらのストリップは直線であり、距離ｄだけ互い
に離間され、この距離ｄを結合間隔と称している。これ
らのストリップはそれらの光軸に対し距離りに亘って平
行に延在し、この距離りを結合長と称している。These strips shown in FIG. 1 have a rectangular cross section. These strips are straight and are spaced apart from each other by a distance d, which is referred to as the coupling spacing. These strips extend parallel to their optical axis over a distance, which is called the coupling length.
これらのストリップはプレーナ構造が得られるように小
屈折率ｎ２＜ｎ、を有する層２内に埋置する。These strips are embedded in a layer 2 with a small refractive index n2<n, so that a planar structure is obtained.
光ガイドＧ、ｌ は第１図に示す素子の全長に亘って延
在して光ガイドＧ２□に融合する。この光ガイドＧ２１
は点２１において、ガイドＧｘｔ及びＨ２＋ と同一
の構造を有する光ガイドＧ′２１と直角に交差する。The light guide G,l extends over the entire length of the element shown in FIG. 1 and merges into the light guide G2□. This light guide G21
intersects at a right angle at point 21 the light guide G'21, which has the same structure as the guides Gxt and H2+.
これに対し、光ガイドＨ２＋ には基板１の平面に垂直
をなすと共にこの光ガイドＨ２１の光軸に対し４５°を
なす鏡面を有する鏡Ｍ２＋を設ける。この鏡はガイドＨ
２１からの波をこれと直角をなす同一の構造のガイドＨ
′２１へと反射させる。On the other hand, the light guide H2+ is provided with a mirror M2+ having a mirror surface perpendicular to the plane of the substrate 1 and at an angle of 45° to the optical axis of the light guide H21. This mirror is Guide H
A guide H of the same structure makes a wave from 21 at right angles to this.
'21.
ガイドＨ′２．及びＧ′２１は、上述した結合間隔ｄだ
けを互いに離間させると共に上述の結合長りに亘って互
いに平行に配置する。Guide H'2. and G'21 are spaced from each other by the above-mentioned coupling distance d and are arranged parallel to each other over the above-mentioned coupling length.
プレーナ層２にはガイドＧ２□＋６’２１の交差区域２
１及びガイドＨ２＋ に設けた鏡Ｍ２１ の区域を露出
させる窓Ｑ２１ を設ける。In the planar layer 2, there is an intersection area 2 of the guide G2□+6'21.
1 and a window Q21 exposing the area of the mirror M21 provided on the guide H2+.
この窓９２．の寸法は結合長りより小さくするが、この
ことは本発明の構造を略図的に示し一定の倍率で示して
ない第１図からは明らかでない。This window 92. is smaller than the bond length, but this is not apparent from FIG. 1, which schematically shows the structure of the invention and is not shown to scale.
本発明のスイッチング素子は更に４個の電極から成る第
１電極システムを具え、ガイド０２１及び８２１上のこ
れら電極の位置をＥ、ｌで示しである。The switching element of the invention further comprises a first electrode system consisting of four electrodes, the positions of which on the guides 021 and 821 are designated E, l.
この電極システムは、ガイドＧ、ｌ上にその先軸に平行
に配置され且つ短絡しないように互いに小距離だけ離間
させた２個の表面電極と、ガイドＨ２１上に配置された
２個の同一の表面電極とで構成される。これらの電極は
プレーナ層２０表面に形成され、これら電極の製造方法
については後述する。This electrode system consists of two surface electrodes placed on the guides G,l parallel to their tip axes and spaced a short distance apart from each other to avoid short circuits, and two identical surface electrodes placed on the guide H21. It consists of a surface electrode. These electrodes are formed on the surface of the planar layer 20, and a method for manufacturing these electrodes will be described later.
これら電極は電位又は電流を印加することにより動作さ
せることができる。そして電気光学効果、或いは電荷の
空乏化又は電荷の注入を生ずる電界を発生させて光信号
を変調することができる。These electrodes can be operated by applying a potential or current. The optical signal can then be modulated by generating an electro-optic effect or an electric field that causes charge depletion or charge injection.
本発明のスイッチング素子は更に、ガイドＧ′２１及び
Ｈ′２１上に第１電極システムと同一の４個の電極の第
２電極システムを具え、これら電極の位置を８ ’ ２
１で示しである。The switching element of the invention further comprises a second electrode system of four electrodes identical to the first electrode system on the guides G'21 and H'21, the positions of these electrodes being 8' 2
It is indicated by 1.
４Ｘ４個のこれらのスイッチング素子で構成されたスイ
ッチングマトリクスを第２図に平面図で線図的に示す。A switching matrix made up of 4.times.4 of these switching elements is diagrammatically shown in a plan view in FIG.
このマトリクスは基板１上に４×４個の第１図に示す種
類のスイッチング素子構造を縦続に配置して得られる。This matrix is obtained by cascading 4.times.4 switching element structures of the type shown in FIG. 1 on a substrate 1.
このマトリクスは次のように動作する。例えば光信号φ
がマトリクスの入力端ＩＮ、においてガイドＧｌｌ に
注入されるものとする。電極システムＬｌに印加される
適切な電位又は適切な電流の作用によって光ビームを、
・結合間隔ｄによる自発結合によりガイド）Ｉｌｌへ移
すことなくガイドＧｌ＋内に保持することができ（第６
ａ図参照）、或いは
・ガイド）Ｉｌｌへ完全に移すことができる（第６ｂ図
参照）。This matrix works as follows. For example, optical signal φ
is injected into the guide Gll at the input end IN of the matrix. By the action of a suitable potential applied to the electrode system Ll or a suitable current, the light beam can be held in the guide Gl+ without being transferred to Ill (by spontaneous coupling with the coupling spacing d).
(see figure a) or can be completely transferred to the guide (see figure 6b).
後者の場合、ビームは鏡Ｍ１１ によりガイドＨ’ １
１へ反射され、適切な電位又は盾切な電流を電極システ
ムＥ′１．に供給することによりビームをガイドＨ’
１１からガイドＧ′１１へ移すことができる。ガイド１
Ｅｔｔ及びＧ／ｉ□を「主ガイド」と称す。主ガイドＧ
’ １１はガイドＧ’ ２１．−−− Ｇ’ ４１で延
長され、光ビームを出力端゛０．で受信することができ
る（第２図）。In the latter case, the beam is guided by mirror M11 H' 1
1, the appropriate potential or shielding current is reflected to the electrode system E'1.1. Guide the beam by supplying H'
11 to guide G'11. Guide 1
Ett and G/i□ are referred to as "main guides". Main guide G
'11 is guide G'21. --- G' 41 is extended and the light beam is output to the output end '0. (Figure 2).
これに対し、ビームが主ガイドＧｌｌ内に保持されてい
る場合には、電極Ｂ１２＋−−−６１，に印加する電位
の作用によってビームを直交出力端１／１又は横方向出
力端０□、−同一〇、の１つに導くことができる。On the other hand, when the beam is held within the main guide Gll, the beam is directed to the orthogonal output end 1/1 or the lateral output end 0□, - by the action of the potential applied to the electrodes B12+---61, It can lead to one of the same 〇.
スイッチングマトリクスは本発明のｎｘｎ個のスイッチ
ング素子により構成することができる。The switching matrix can be constituted by nxn switching elements of the present invention.
この場合このマ） ＩＪクスはｎ個の入力端ＩＮ、、−
−−ＩＮ、、 −−−ＩＮ 、を有し、これら入力端の
１つ、例えばＩＮｉに注入された光信号を横方向主ガイ
ドの出力端０．、−０．、−−−０．にスイッチするこ
とができ、また主ガイドの直交出力端１／ｉ に直接導
くことができる。斯るマトリクスは意図する用途に応じ
て本発明のｌＸｎ個のスイッチング素子又はｎｘｍ個の
スイッチング素子を具えるものとすることもできる。In this case, the IJ box has n input terminals IN, -
--IN, , ---IN, and transmits the optical signal injected into one of these input ends, for example INi, to the output end 0. of the lateral main guide. , -0. , ---0. can be switched directly to the orthogonal output 1/i of the main guide. Depending on the intended application, such a matrix may also comprise lXn switching elements or nxm switching elements of the invention.
本発明のスイッチング素子の構造は特に有利な製造方法
の使用を可能にする。The structure of the switching element according to the invention allows the use of particularly advantageous manufacturing methods.
本発明スイッチング素子の一例の製造方法は第３図に示
す以下の工程を具える。A method for manufacturing an example of the switching element of the present invention includes the following steps shown in FIG.
（ａ）結晶面に沿い平坦表面を有する単結晶基板ｌを形
成する。この基板は装置で使用する所定の波長λに対し
低ｔ１屈折率ｎ。を有するｎ゛導電型の２光材料Ａ、Ｂ
Ｖで形成する（第３ａ図）（ｂ） 光ガイドを構成す
るために、基板１の表面に波長λに対し屈折率ｎ、＞ｎ
ｏを有するロー導電型の材料、例えば４元材料（Ａ、Ｘ
、ＢＹ、ＹＶ）の平坦エピタキシャル層３を形成する（
第３ｂ図）。(a) A single crystal substrate l having a flat surface along the crystal plane is formed. This substrate has a low t1 refractive index n for a given wavelength λ used in the device. Two optical materials A and B of n conductivity type having
(Fig. 3a) (b) In order to constitute a light guide, a refractive index n, >n is formed on the surface of the substrate 1 for the wavelength λ.
A material of low conductivity type with o, for example a quaternary material (A,
, BY, YV) is formed (
Figure 3b).
（Ｃ） 層３を例えば反応イオンエツチング（ＲＩＥ
）方法によりエツチングし、このエツチングを基板１が
０．５μｍを超えない深さｅ ｔ、例えば０．１〜０．
５μｍの深さに亘ってエツチングされるまで行う（第３
Ｃ図）。このエツチングは第３ｄ図に平面図で示すマス
クＭＫ、を用いて行い、エツチング後に基板上に、
・直交主ガイド及び横方向主ガイドＧｉｉ及びＧ’ ｉ
ｉを形成するストリップと、
・副ガイド１ｌｔｔ及びＨ’ ｉｆと鏡Ｍｉｌを形成す
るストリップと、
を残存させる。(C) Layer 3 is etched by reactive ion etching (RIE), for example.
) method, and the substrate 1 is etched to a depth et of not exceeding 0.5 μm, for example 0.1 to 0.5 μm.
Repeat until etching is done to a depth of 5 μm (3rd step)
Figure C). This etching is carried out using a mask MK shown in plan view in FIG. 3d, and after etching, on the substrate:
The strips forming the sub-guides 1ltt and H'if and the mirror Mil are left.
ＲＩＥ方法はエツチングエツジがエツチングすべき表面
に垂直に得られる利点壬有しく第３Ｃ図参照）、このこ
とは鏡Ｍｉｉの形成に重要である。The RIE method has the advantage that the etching edge is perpendicular to the surface to be etched (see Figure 3C), which is important for the formation of mirror Mii.
本発明の方法によれば、光ガイドと鏡が単一のマスクを
用いていわゆるセルフアラインメント技術によリー工程
で形成される。According to the method of the invention, the light guide and the mirror are formed in a Lee process using a single mask and using a so-called self-alignment technique.
基板１と光ガイドの相対屈折率は光がガイド内に閉じ込
められるように選択する。しかし、特に４元及び２元材
料層の組成により、光導波を得ることができる。The relative refractive indices of the substrate 1 and the light guide are chosen such that the light is confined within the guide. However, especially due to the composition of the quaternary and binary material layers, optical waveguiding can be obtained.
（６）ｎ２＜ｎ、のような低屈折率ｎ２を有するｎ−導
電型の２元材料（Ａ［Ｂｙ）の層２をエピタキシャル成
長により形成する（第３ｅ図）。(6) A layer 2 of an n-conductivity type binary material (A[By) having a low refractive index n2 such that n2<n is formed by epitaxial growth (FIG. 3e).
この工程はブレーナ装置を得るためのものである。従っ
て、このエピタキシャル成長は、この目的のために、ガ
イドの表面でこの層が平面となるような成長条件の下で
気相から又は液相から行う。ガイド上方のプレーナ層２
の厚さはｅ′である。This process is for obtaining a brainer device. The epitaxial growth is therefore carried out for this purpose either from the gas phase or from the liquid phase under growth conditions such that the layer is planar at the surface of the guide. Planar layer 2 above the guide
The thickness of is e'.
前述したように前記カレンコの論文による５部ストリッ
プ」型の既知の装置は小さな結合係数を有し、従って大
きな結合長を必要すとる。As mentioned above, the known device of the "5-part strip" type according to Kalenko's paper has a small coupling coefficient and therefore requires a large coupling length.
これに対し、本発明によれば光ガイドは僅かに異なる屈
折率を有するプレーナ層２内に埋置される。この状態で
は結合係数が従来既知の装置の結合係数の約４倍になる
。これがため結合長を著しく短くすることができる。従
って本発明の装置は小形になり、その寸法が集積回路の
形成に適するものとなる。In contrast, according to the invention the light guide is embedded in a planar layer 2 with a slightly different index of refraction. In this state, the coupling coefficient is approximately four times that of the conventionally known device. This allows the bond length to be significantly shortened. The device of the invention is therefore compact and its dimensions are suitable for forming integrated circuits.
更に、使用する材料ＡＩＩＢＶ及び使用するエピタキシ
ャル成長及び反応イオンエツチング技術は本発明の電気
光学装置に隣接する集積回路の形成と完全に共通する。Furthermore, the material AIIBV used and the epitaxial growth and reactive ion etching techniques used are completely compatible with the formation of integrated circuits adjacent to the electro-optical device of the present invention.
更に、プレーナ層２のエピタキシャル成長中に主ガイド
Ｇｉｌ及びＧ’ ｉｔの交差区域及び鏡Ｍｔｉの区域に
対応する略々方形の区域Ｑ（ｉをマスクＭに２によりマ
スクしてこの区域を層２の成長から保護する点に注意さ
れたい。Furthermore, during the epitaxial growth of the planar layer 2, an approximately rectangular area Q (i is masked by mask M with 2 to form this area of the layer 2) corresponds to the area of intersection of the main guides Gil and G' it and the area of the mirror Mti. Note the protection from growth.
実際上、鏡Ｍｌｌはこれら鏡の区域にふける光ガイドの
外部媒体が空気の場合にのみ全反射にすることができ、
このことは層２の開口Ｑｉｉによって得ることができる
°（第３ｅ図にガイドを断面図で示してあり、第３ｆ図
にマスクＭＫ２を平面図で示しである）。In practice, mirrors Mll can only be totally internally reflective if the external medium of the light guide immersed in the area of these mirrors is air;
This can be obtained by means of the openings Qii in layer 2 (FIG. 3e shows the guide in cross-section and FIG. 3f shows the mask MK2 in plan).
有利な例では、光ガイドを厚さ６＞ｌ μＩ及び巾Ｗシ
２μｍ （第３ｅ図参照）の寸法に形成すると共に間隔
ｄ−ｋ１．５μｌで互いに離間させ、プレーナ層２をガ
イドより上の厚さｅ′が約１μｍとなるように形成、す
る。In an advantageous example, the light guides are formed with dimensions of thickness 6>l .mu.I and width W 2 .mu.m (see FIG. 3e) and are spaced apart from each other by a distance d-k 1.5 .mu.l, with the planar layer 2 above the guide. It is formed so that the thickness e' is about 1 μm.
プレーナ層２はガイド内の光損失を低減する他の利点も
もたらす。実際上、ガイドの長手側壁及び土壁はエツチ
ングにより得られるため、これらの壁は粗面になり、そ
の外部媒体が空気の場合には散乱により大きな損失をも
たらす。The planar layer 2 also provides the other advantage of reducing optical losses within the guide. In practice, the longitudinal side walls of the guide and the earthen walls are obtained by etching, so that these walls have a rough surface and lead to high losses due to scattering when the external medium is air.
ガイドはガイドの屈折率（ｎ、）にかなり近い屈折率ｎ
２を有する媒体内に埋置されるため、これらの損失は屈
折率の差ｎ、−ｎ２を小さくするほど小さくなる。この
効果は屈折率ｎ１を有する媒体内の先導波を発生する光
閉じ込め効果とは異なるものであるが、この先導波のた
めには小さな屈折率の差ｎ、−ｎ、で十分であり、また
単一モード動作のためにも小さな屈折率の差が必要とさ
れる。The guide has a refractive index n that is quite close to the refractive index of the guide (n, )
2, these losses become smaller as the refractive index difference n, -n2 becomes smaller. This effect is different from the optical confinement effect that generates a leading wave in a medium with a refractive index n1, but a small difference in refractive index n, -n is sufficient for this leading wave, and A small refractive index difference is also required for single mode operation.
しかし、層２内の開口Ｑｉｔにおいてガイド内にある程
度の損失が生ずる。しかし、これらの開口を小寸法、好
ましくは最大で口′Ｘ口′さ１０μｍ×１０μｍにして
これらの損失を制限することができる。他方、損失を制
限するために、開口Ｑｉｌの区域内のガイドＨｔｔ及び
Ｈ’ ｉｆの幅Ｗを第４ｆ図に示すように突部１４及び
１５によって増大させることができる。実際上、埋込み
ガイド内を伝搬する波Ａは第３Ｊ図に示す波形を有する
が、空気で囲まれたガイド内を伝搬する波Ａは第３に図
に示す波形を有する。これがため、突部１４及び１５で
拡大されたガイド部分は第３１図に断面図で示すように
損失を低減することができる。However, some loss occurs in the guide at the opening Qit in layer 2. However, these losses can be limited by making these apertures small in size, preferably at most 10 .mu.m x 10 .mu.m wide. On the other hand, in order to limit losses, the width W of the guides Htt and H'if in the area of the opening Qil can be increased by protrusions 14 and 15, as shown in FIG. 4f. In practice, a wave A propagating in an embedded guide has the waveform shown in Figure 3J, whereas a wave A propagating in an air-enclosed guide has the waveform shown in Figure 3. Therefore, the guide portion enlarged by the protrusions 14 and 15 can reduce the loss as shown in the cross-sectional view in FIG. 31.
最後に、プレーナ層２はガイド上の電極の形成に特に好
適な上側表面を提供する利点をもたらす。Finally, the planar layer 2 has the advantage of providing a particularly suitable upper surface for the formation of electrodes on the guide.
（ｅ） 電極システムＥ目及びＥ’ １１を構成する
ために、プレーナ層２のガイドの上方位置に、例えばイ
オン注入によりｐ゛゛電型の領域４を形成する（第３ｈ
図）。こうしてガイドＧｉｉの上方に２個の領域Ｆ１及
びＦ２を形成すると共にガイドＧ’ ｉｆの上方に２個
の領域Ｆ３及びＦ４を形成する。(e) To form the electrode systems E and E' 11, regions 4 of the p type are formed in the planar layer 2 above the guides by, for example, ion implantation (3 h).
figure). In this way, two regions F1 and F2 are formed above the guide Gii, and two regions F3 and F4 are formed above the guide G'if.
イオン注入は第３ｇ図に示すＭＫ、の開口を経て一工程
で行うことができる。これらのｐ゛型領領域イオンの拡
散により形成することもできる。Ion implantation can be performed in one step through the opening of MK shown in FIG. 3g. It can also be formed by diffusion of these p' type region ions.
結合長りはｌ ｍｍより僅かに短い長さであるが、開口
０１１の寸法Ｄ′は上述したように１０μｍ程度である
。Although the coupling length is slightly shorter than 1 mm, the dimension D' of the opening 011 is about 10 μm, as described above.
（ｆ） 電極システムＢａｔ及びε ｉｆの形成のた
めに、ｐ゛゛電型の領域４の表面に従来既知の任意の方
法により金属層５、例えばチタン−プラチナ−金（Ｔｉ
−Ｐｔ−Ａｕ）の多重層を形成する（第３１図）。(f) For the formation of the electrode systems Bat and ε if, a metal layer 5, for example titanium-platinum-gold (Ti
-Pt-Au) (FIG. 31).
マスクＭＫ３の位置決めは２つの理由から問題を生じな
い。第１の理由は構造がプレーナ構造であるからである
。これがため、フォトリトグラフ方法を容易に行うこと
ができる。第２の理由は、マスクＭＫ、の配置によって
ガイドが見えなくなるが、開口の位置を基準として用い
てマスクＭに、をセンタリングすると共に開口を整列さ
せることができるからである。このことは本発明装置の
構造の追加の利点をもたらす。Positioning of mask MK3 presents no problems for two reasons. The first reason is that the structure is a planar structure. Therefore, the photolithography method can be easily performed. The second reason is that although the guide is hidden from view by the arrangement of the mask MK, the position of the aperture can be used as a reference to center the mask M and align the apertures. This provides an additional advantage of the construction of the device according to the invention.
更に、工程（Ｃ）において基板内までエツチングして基
板を深さｅ′に亘って僅かに掘り下げる反応イオンエツ
チングは本発明装置に利点をもたらす点に注意されたい
。第１に、エツチング処理を基板の上側表面のレベルで
正確に停止させるよりも基板を僅かにエツチングするま
で続ける方が容易である。これがため、この手段は技術
的な容易さをもたらす。更に、この基板の僅かな掘り下
げは電界と光学的な場との相互作用を増大させて本発明
装置の電気光学効果を最大にすることを可とする。これ
がため、光ガイドを第３１図に示すように一層満足に分
離する（第３１図には電気力線Ｈを示しである）。Furthermore, it should be noted that reactive ion etching, which etches into the substrate in step (C) and slightly excavates the substrate to a depth e', provides advantages in the apparatus of the present invention. First, it is easier to continue the etching process until it has slightly etched the substrate than to stop it precisely at the level of the upper surface of the substrate. This measure therefore provides technical ease. Moreover, this slight recess of the substrate allows to increase the interaction between the electric and optical fields and to maximize the electro-optic effect of the device of the invention. This results in a more satisfactory separation of the light guides as shown in FIG. 31 (the electric field lines H are shown in FIG. 31).
本発明の装置の変形例においては、基板をｎ゛゛電型に
しない。これを半絶縁性にする。この変更はダイオード
や電界効果トランジスタを含む検出器や増幅器等のよう
な電子集積回路をスイッチングマトリクスと関連させて
同一の基板上に形成する必要がある場合に有利である。In a variant of the device of the invention, the substrate is not of the n-type. Make this semi-insulating. This modification is advantageous when electronic integrated circuits such as detectors, amplifiers, etc., including diodes and field effect transistors, need to be formed on the same substrate in conjunction with the switching matrix.
この場合には、上述の製造方法の工程（ａ）、 （ｂ）
。In this case, steps (a) and (b) of the above-mentioned manufacturing method
.
（Ｃ）を第４図に示す順次の工程と置換する。(C) is replaced with the sequential steps shown in FIG.
（ａ）′結晶面に沿う平坦表面を有する単結晶基板ｌＯ
を形成する。この基板は波長λに対し小さな屈折率ｎ１
０を有する半絶縁性の２光材料ＡｆｆＩＢｖで造る（第
４ａ図）。(a) Single-crystal substrate lO with a flat surface along the crystal plane
form. This substrate has a small refractive index n1 for the wavelength λ.
0 (FIG. 4a).
（ｂ’υ基板１０の表面にｎ＋導電型の２光材料Ａｒｆ
ｉＢＶの平坦エピタキシャル層１′を形成する。この層
の厚さは０．５μｍとするのが好ましい。この層の屈折
率は波長λに対し小さい値ｎ １０−００に選択する（
第４ｂ図）。(On the surface of the b'υ substrate 10 is an n+ conductivity type diopter material Arf.
A flat epitaxial layer 1' of iBV is formed. The thickness of this layer is preferably 0.5 μm. The refractive index of this layer is selected to be a small value n 10-00 for the wavelength λ (
Figure 4b).
（ｂ’ ２） 層１′の表面に、波長λに対し屈折率
ｎ、＞ ｎｏ、 ｎ’。を有するｎ−導電型の材料、例
えば４元材料（ＡＩＸＩＩＩＢｖＹＶ）の約０．５〜１
μｍの厚さの平坦エピタキシャル層３を形成する（第４
Ｃ図）。(b' 2) On the surface of layer 1', refractive index n, > no, n' for wavelength λ. about 0.5 to 1 of a material of n-conductivity type, such as a quaternary material (AIXIIIBvYV)
A flat epitaxial layer 3 with a thickness of μm is formed (fourth
Figure C).
（ｅ′）層３及び１′を例えば反応イオンエツチング（
ＲＩＥ）方法により、下側の基板１０が０゜５μｍを超
えない深さｅ′に亘ってエツチングされるまでエツチン
グする（第４ｄ図）。このエツチング工程はマスクＭＫ
’ 、を用いて行う。マスクＭＫ’は第４ｆ図に示すよ
うに光ガイドを限界すると共に層１′及び３の一部分を
残存させて「ブリッジ」、即ち全てのガイドを電気的に
相互接続するｎ°導電型の層１′の相互接続部を形成す
ることができる。実際上、マス接点Ｍはｎ゛層上形成さ
れ、形成すべきマス接点が多くなりすぎないようにする
必要がある場合にはガイド下部のｎ゛層部分を第４ｅ図
に示すように簡単に相互接続するのが有利である（第４
ｅ図は装置の平面図を示す第４ｆ図のＩ−Ｉ線上の断面
図である）。(e') Layers 3 and 1' are removed by, for example, reactive ion etching (
RIE) until the lower substrate 10 is etched to a depth e' not exceeding 0.5 μm (FIG. 4d). This etching process is a mask MK.
', is used. The mask MK' delimits the light guide and leaves parts of layers 1' and 3 to form a "bridge", i.e. layer 1 of n° conductivity type, which electrically interconnects all the guides, as shown in Figure 4f. ' interconnects can be formed. In practice, the mass contacts M are formed on n layers, and if it is necessary to avoid too many mass contacts to be formed, the n layers at the bottom of the guide can be simply removed as shown in Figure 4e. It is advantageous to interconnect (fourth
Fig. e is a sectional view taken along the line I--I of Fig. 4f, which shows a plan view of the device.
一方のガイドと他方のガイドを電気的に接続するブリッ
ジの形成は臨界的でなく、これらのブリッジではどのガ
イドまたはガイド部分も絶縁分離しない場合には装置内
の任意の位置に位置させることができる。他方、これら
のブリッジの存在はこれらのブリッジが例えばガイドの
幅Ｗに等しい小さな横方向寸法であればガイド内の波の
伝搬を妨げないことが知られている。本発明装置の一例
又は変形例の製造方法は次の工程で続けられる。The formation of bridges electrically connecting one guide to the other is not critical and these bridges can be located at any location within the device provided that no guide or guide portion is isolated. . On the other hand, it is known that the presence of these bridges does not impede the propagation of waves within the guide if these bridges have small lateral dimensions, for example equal to the width W of the guide. The method of manufacturing an example or variant of the device according to the invention continues with the following steps.
（（至） ｎ゛導電型の層１又は１′の表面にマス接点
Ｍの電極６を形成する（第３１図）。この目的のために
、装置が存在しない区域において上側層を層１，１′の
一部分が露出するまでエツチングし、オーム接点型の金
属層、例えば金−ゲルマニウム−ニッケル（Ａｕ−Ｇｅ
−Ｎｉ）’の多重層を堆積する。用途に応じて、これら
のマス接点電極は装置の一方の表面又は他方の表面に形
成することができる。実際上、基板がｎ゛型の場合には
マス接点は装置の背面上又は上側層をエツチング除去し
た前面上のどちらにも形成することができる。基板が半
絶縁性の場合にはマス接点は層２及び３をエツチング除
去して前面に形成する。((to) Form the electrode 6 of the mass contact M on the surface of the layer 1 or 1' of conductivity type n (FIG. 31). For this purpose, in the area where no device is present, the upper layer is replaced with layer 1, Etch until a portion of 1' is exposed and add an ohmic contact type metal layer, e.g.
Depositing multiple layers of -Ni)'. Depending on the application, these mass contact electrodes can be formed on one surface or the other surface of the device. In practice, if the substrate is n'-type, the mass contacts can be formed either on the back side of the device or on the front side with the upper layer etched away. If the substrate is semi-insulating, the mass contacts are formed on the front side by etching away layers 2 and 3.
本発明装置の用途は特に電気通信の分野にある。The device of the invention finds particular application in the field of telecommunications.
この目的のために、ガイドで伝送される光信号の波長は λ。＝１．３μｍ ２１１１．５５μｍ とすることができる。For this purpose, the wavelength of the optical signal transmitted in the guide is λ. =1.3μm 2111.55μm It can be done.
これらの条件では、基板を構成する２元化合物Ａｌ１１
ＢｖはＡｌｌ１をインジウム（Ｉｎ）とし、ＢＶを燐（
Ｐ）として燐化インジウム（ＩｎＰ） とするのが有
利である。Under these conditions, the binary compound Al11 constituting the substrate
For Bv, All1 is indium (In), and BV is phosphorus (
Indium phosphide (InP) is advantageously used as P).
この基板は鉄（Ｆｅ）を１０１８ ａｍ ３の濃度でド
ーピングすることにより半絶縁性にすることができる。This substrate can be made semi-insulating by doping with iron (Fe) at a concentration of 1018 am3.
化合物ＩｎＰはＳ原子を２・１０”ｃｍ□３程度の濃度
でドーピングすることによりｎ＋導電型にすることもで
きる。The compound InP can also be made to have n+ conductivity type by doping with S atoms at a concentration of about 2.10''cm□3.
この場合屈折率は、
ｎｏ ′：＝ｔ３．１９９４ （λさ１．３２μｍにお
いて）になる。In this case, the refractive index is no':=t3.1994 (at a λ length of 1.32 μm).
ガイドを構成するのに好適な層３を形成する４元化合物
は化学式Ａｌｘ１ＩＩＢｖＹＶを有し、ここにＡはイン
ジウム（Ｉ ｎ）、Ｘはガリウム（Ｇａ）、Ｂは燐（Ｐ
）及びＹは砒素（Ａｓ）である。この場合、その組成は
＜Ｇａｘ Ｉｎ、−ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙ）で表わされ、
ここで、ｙユ０．１及びＸさ０．４６ｙシ０．０４６で
ある。A quaternary compound forming layer 3 suitable for constructing the guide has the chemical formula Alx1IIBvYV, where A is indium (In), X is gallium (Ga) and B is phosphorus (P).
) and Y are arsenic (As). In this case, its composition is expressed as <Gax In, -x AsyP+-y),
Here, y is 0.1, x is 0.46, and y is 0.046.
この化合物はλ＝１．３２ μｍにおいて屈折率ｎ。This compound has a refractive index n at λ=1.32 μm.
＝ ３．２０４９ ＞ ｎｏを有する。ＧａＩｎＡｓＰ
のギャップ波長は０．９７ μｍである。= 3.2049 > has no. GaInAsP
The gap wavelength of is 0.97 μm.
この４元化合物（ＧａｌｎＡｓＰ） は故意のドーピン
グをしなければｎ−導電型を有することもできる。This quaternary compound (GalnAsP) can also have n-conductivity type without intentional doping.
ブレーナ層２は上述したようにｎ−導電型の２元化合物
ＡよりＶ、即ち例えば故意にドーピングされてなく且つ
ｎ２ユ３．２０４９ （λさ１．３２において）の屈折
率を有する燐化インジウム（ＩｎＰ）で形成することが
できる。As mentioned above, the Brenna layer 2 is made of V from the binary compound A of n-conductivity type, that is, for example, indium phosphide which is not intentionally doped and has a refractive index of n2 u3.2049 (at λ of 1.32). (InP).
本発明の変形例では、ブレーナ層２はｎ−導電型、即ち
故意にドーピングされてなく、且つ（Ｇａ、 Ｉｎ＋−
ｘ ＡｓｙＰ＋−ｙ）で表わされ、Ｘ ＝ ０．４６ｙ
でｙ＝０．０３〜０．０５であるような４元化合物（Ａ
ＭＸＩＩＢｖＹ、、）で形成することもできる。In a variant of the invention, the brainer layer 2 is of n-conductivity type, ie not intentionally doped and (Ga, In+-
x AsyP+-y), X = 0.46y
A quaternary compound (A
MXIIBvY, , ).
ｐ゛導電型の領域は公知の技術により例えばＺｎ又は８
ｅ又はＣｄのイオンを１０′８〜１０Ｉ１０ｌ９ａの濃
度で注入又は拡散することにより得ることができる。The p conductivity type region is formed using known techniques such as Zn or 8
It can be obtained by implanting or diffusing e or Cd ions at a concentration of 10'8 to 1011019a.
このようにして実現すると、４Ｘ４スイツチング素子の
マトリクスの寸法は４Ｘ４ｍｍ２程度になり、１つのス
イッチング素子の寸法は主として結合長りにより決まる
ｌＸ１ｍｍ２程度になる。When realized in this way, the dimensions of the matrix of 4×4 switching elements will be approximately 4×4 mm 2 , and the dimensions of one switching element will be approximately 1×1 mm 2 , which is determined mainly by the coupling length.
上述したように、本発明のマトリクスを形成する技術は
検出器りのような集積回路の形成と共通する。As mentioned above, the techniques for forming the matrix of the present invention are common with the formation of integrated circuits such as detectors.
これら検出器は主出力ガイドＩ’ ｔｉ又は０目の表面
に形成した例えばダイオード［ｌｔｔとすることができ
る（斯る装置の平面図を示す第５ａ図及びその■−■線
上の断面図を示す第５ａ図参照）。検出器Ｄｉ１の領域
に右いて、ガイドＧ’ ｉｔの幅Ｗを増大させる点に注
意されたい。These detectors can be, for example, diodes [ltt] formed on the surface of the main output guide I'ti or 0 (FIG. 5a shows a plan view of such a device and its sectional view along the line (see Figure 5a). Note that right in the area of the detector Di1, the width W of the guide G' it is increased.
基板がＩｎＰのような２元半導体材料Ａ ｍ Ｂ ｖか
ら成る上述の実施例にふいてはこれらのダイオードはガ
イドの層３の表面に形成された吸収層３０を具えるもの
とすることができる。この吸収層は約１μｍの厚さを有
するｎ−導電型のＧａ１ｎＡｓのような３元材料の層と
するのが好ましい。この吸収層３０は装置の主直行ガイ
ド及び主横方向ガイドの出力端部を除いた部分を覆うマ
スクＭＫＳの開口内に形成する。この層は例えば気相又
は液層エピタキシャル成長により得られる。次に、この
マスクＭＫ、を除去して工程（Ｃ）を実行し得るように
する。In the embodiments described above, in which the substrate is made of a binary semiconductor material A m B v, such as InP, these diodes can be provided with an absorption layer 30 formed on the surface of the layer 3 of the guide. . This absorption layer is preferably a layer of a ternary material such as Ga1nAs of n-conductivity type with a thickness of approximately 1 μm. This absorption layer 30 is formed in an opening in a mask MKS that covers the main orthogonal guide and the main lateral guide of the device except for the output ends. This layer is obtained, for example, by vapor phase or liquid phase epitaxial growth. Next, this mask MK is removed so that step (C) can be performed.
堆積層、本例では３０．３及び１′をエツチングする工
程（Ｃ）を前述した方法で行う。次いで、工程（Ｃ）と
工程（６）との間に、誘電体保護層を検出領域上に堆積
する工程を介挿して検出領域をプレーナ層２の堆積から
保護する。この保護層は保護マスクＭＫ２と同一の層で
形成することができ、この保護層ＭＫ２をブレーナ工程
（イ）の終了後に除去する。次いでｐ゛イオン注入領域
４を限界するマスクＭに３に検出領域に対応する開口を
設け、工程（ｅ）及び（ｆ）を上述の方法で続ける。こ
うするとｐ″″導電型の領域４０が各検出領域内に形成
され、その上に電気接点５０が形成される（第５ａ図）
。Step (C) of etching the deposited layers, in this example 30.3 and 1', is carried out in the manner described above. Then, between step (C) and step (6), a step of depositing a dielectric protective layer on the detection area is inserted to protect the detection area from the deposition of the planar layer 2. This protective layer can be formed of the same layer as the protective mask MK2, and this protective layer MK2 is removed after the brainer step (a) is completed. The mask M delimiting the p-ion implantation region 4 is then provided with an opening 3 corresponding to the detection region and steps (e) and (f) are continued in the manner described above. A region 40 of p'''' conductivity type is then formed in each detection region, on which an electrical contact 50 is formed (FIG. 5a).
.
本発明の実施に当っては他の材料を用いることもでき、
また他の寸法を用いることもできる。これらの条件に応
じて伝送される波は異なる波長になり、電気通信以外の
用途にも使用することができる。Other materials may be used in the practice of the present invention;
Other dimensions may also be used. Depending on these conditions, the transmitted waves will have different wavelengths and can be used for applications other than telecommunications.
その製造方法も他のエツチング技術や堆積技術を用いる
ことができる。Other etching techniques and deposition techniques can also be used for the manufacturing method.
第１図は本発明の光スイツチング素子を線図的に示す斜
視図、
第２図は本発明の４×４個の光スイツチング素子から成
る光スイッチングマトリククスを線図的に示す平面図、
第３ａ〜３Ｉ１図は本発明の光スイツチング素子の一例
の製造方法を示す図、
第４ａ〜４ｆ図は本発明の光スイッチング素子め変形例
の製造方法を示す図、
第５ａ及び５ｂ図は本発明の光スイツチングマドグリス
の光ガイドの出力端の光検出器の製造方法を示す図、
第６ａ及び６ｂ図は本発明の光スイツチング素子内の光
ビームの進路を示す図である。
１・・・基板 ２・・・プレーナ層３・・
・光ガイドストリップ
Ｇｉｔ（Ｇ□１．６２２）・・・主直行光ガイドＧ’
Ｉｆ（Ｇ’ ■＋ ６’ ２１）・・・主構方向光ガイ
ドＨ目、” ｔｔ（Ｈａｔ、 Ｈ’ ２１）・・・副光
ガイドＢｉｔ＋ Ｂ’ ｔｔ（Ｅ２＋、 Ｂ’ ２１）
・・・電極システムＬｔ（Ｌ＋）・・・鏡 Ｑｉ
ｉ（Ｑ２１）・・・開口ＩＮ＋−−−ＩＮ４・・・入力
端
１／ ｌ−＋−１／、・・・直行出力端０＋−−−０４
・・・横方向出力端
Ｄｉｉ・・・検出器 Ｍ・・・マス電極４・・
・ｐ゛型接点領域 ５，６・・・金属層ｌＯ・・・半
絶縁性基板
１′・・・ｎ＋導電型エピタキシャル層３０・・・吸収
層 ４０・・・ｐ＋型接点領域５０・・・金
属層
ＭＫ、、 Ｍに′５１Ｍに＊、 ＭＫｓ、 ＭＫｓ・・
・マスク特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フ
ルーイランペンファブリケン
ＦＩＧ、 ２
ＦＩＧ、 ３ ｔ
η ず１FIG. 1 is a perspective view diagrammatically showing an optical switching element of the present invention; FIG. 2 is a plan view diagrammatically showing an optical switching matrix consisting of 4×4 optical switching elements of the present invention; 3a to 3I1 are diagrams showing a manufacturing method of an example of the optical switching device of the present invention, FIGS. 4a to 4f are diagrams showing a manufacturing method of a modified example of the optical switching device of the present invention, and FIGS. 5a and 5b are diagrams showing a manufacturing method of an example of the optical switching device of the present invention. Figures 6a and 6b are diagrams illustrating the path of a light beam within the optical switching element of the present invention. 1...Substrate 2...Planar layer 3...
・Light guide strip Git (G□1.622)...Main orthogonal light guide G'
If (G' ■+ 6' 21)...Main direction light guide H' tt (Hat, H' 21)...Sub light guide Bit+ B' tt (E2+, B' 21)
... Electrode system Lt (L+) ... Mirror Qi
i(Q21)...Opening IN+----IN4...Input end 1/l-+-1/,...Direct output end 0+----04
... Lateral output end Dii... Detector M... Mass electrode 4...
- P type contact regions 5, 6...Metal layer lO...Semi-insulating substrate 1'...N+ conductivity type epitaxial layer 30...Absorption layer 40...P+ type contact region 50... Metal layer MK,, M'51M*, MKs, MKs...
・Mask patent applicant N.B.Philips Fluiranpenfabriken FIG, 2 FIG, 3 t η zu 1
Claims (1)
と称す長さＤに亘って平行に延在する２個の光ガイドを
具え、これら光ガイドの各々を第１の小屈折率ｎ＿０を
有する材料の半導体基板上に形成された第２の屈折率ｎ
＿１＞ｎ＿０を有する半導体材料の直線ストリップＧ＿
ｉ＿ｉ及びＨ＿ｉ＿ｉで構成し、これらガイドの寸法を
各々が単一モード波を導波するように定め、且つ一方の
ガイドから他方のガイドへの光のスイッチング動作をこ
れらガイドに設けられた電極システムＥ＿ｉ＿ｉ及びＭ
に印加される電位又は電流の作用により生じさせるよう
にした光スイッチング素子において、 主光ガイドと称す第１光ガイドＧ＿ｉ＿ｉの一端を当該
光スイッチング素子の入力端に接続すると共に該ガイド
の他端を当該スイッチング素子の直行出力端に接続し、 副光ガイドと称す第２光ガイドＨ＿ｉ＿ｉには前記電極
システムＥ＿ｉ＿ｉの区域を越えた位置に、該ガイドの
光軸に対し４５゜をなす平坦側面から成る鏡Ｍ＿ｉ＿ｉ
を設け、 前記副光ガイドＨ＿ｉ＿ｉを、該ガイドの光軸に対し９
０°に配置され前記鏡により反射された光を受光する副
光ガイドＨ′＿ｉ＿ｉと称す光ガイド部分に接続し、 前記副光ガイドＨ′＿ｉ＿ｉを、前記主光ガイドＧ＿ｉ
＿ｉと交差して前記副光ガイドＨ＿ｉ＿ｉと平行に延在
し、他端が当該スイッチング素子の横方向出力端に接続
された横方向主光ガイドＧ′＿ｉ＿ｉに間隔ｄで結合し
、 前記副光ガイドＨ′＿ｉ＿ｉ及び前記横方向主光ガイド
Ｇ′＿ｉ＿ｉには電位又は電流の印加によりこれらのガ
イドの一方から他方への光のスイッチングを生じさせる
電極システムＥ′＿ｉ＿ｉを設け、 前記全ての光ガイドと基板をこれら光ガイ ドの屈折率より低い第３の屈折率ｎ＿２を有する半導体
材料のプレーナ層（２）で覆い、このプレーナ層の平坦
表面上に前記電極システム Ｅ＿ｉ＿ｉ及びＥ′＿ｉ＿ｉを配置すると共にこのプレ
ーナ層には前記鏡Ｍ＿ｉ＿ｉの周囲の光ガイドの構造を
基板まで露出させる開口Ｑ＿ｉ＿ｉを設けたことを特徴
とする光スイッチング素子。 ２、前記光ガイドの断面は矩形であることを特徴とする
請求項１記載の光スイッチング素子。 ３、前記基板（１）はｎ＾＋導電型の２元材料Ａ＿III
Ｂ＿Ｖで構成し、前記光ガイドを形成するストリップ（
３）はｎ＾−導電型の４元材料（Ａ＿IIIＸ＿IIIＢ＿Ｖ
Ｙ＿Ｖ）で構成し、前記プレーナ層（２）はｎ＾−導電
型の２元材料（Ａ＿IIIＢ＿Ｖ）及び４元材料（Ａ＿II
IＸ＿IIIＢ＿ＶＹ＿Ｖ）の中から選んだ材料で構成した
ことを特徴とする請求項２記載の光スイッチング素子。 ４、前記基板（１０）は半絶縁性の２元材料（Ａ＿III
Ｂ＿Ｖ）で構成し、前記光ガイドを形成するストリップ
はｎ＾＋導電型の２元材料 （Ａ＿IIIＢ＿Ｖ）の層（１′）とｎ＾−導電型の４元
材料（Ａ＿IIIＸ＿IIIＢ＿ＶＹ＿Ｖ）の層（３）の多重
層で構成し、前記プレーナ層（２）はｎ＾−導電型の２
元材料（Ａ＿IIIＢ＿Ｖ）及び４元材料 （Ａ＿IIIＸ＿IIIＢ＿ＶＹ＿Ｖ）の中から選んだ材料で
構成し、且つ前記光ガイドの下側層を形成するｎ＾＋導
電型の層（１′）は部分的に電気的に相互接続してある
ことを特徴とする請求項２記載の光スイッチング素子。 ５、前記電極システムは前記ｎ＾＋導電型の材料の層（
１又は１′）とオーム接点を形成する金属層から成るマ
ス電極Ｍ（６）と、主光ガイド及び副光ガイド上にそれ
ぞれ２個づつ互いに整列させて対称に配置されたそれぞ
れ４個の電極Ｆ＿１、Ｆ＿２、Ｆ＿３及びＦ′＿１、Ｆ
′＿２、Ｆ′＿３、−Ｆ′＿４の電極群Ｅ＿ｉ＿ｉ及び
Ｅ′＿ｉ＿ｉとで構成し、これら電極の各々は光ガイド
の上方のプレーナ層（２）内に形成したｐ＾＋導電型の
領域（４）とこの領域とオーム接点を形成する金属層（
５）とで形成したことを特徴とする請求項３又は４記載
の光スイッチング素子。 ６、前記材料の元素Ａはインジウム（Ｉｎ）、元素Ｂは
燐（Ｐ）、元素Ｘはガリウム（Ｇａ）及び元素Ｙは砒素
（Ａｓ）であることを特徴とする請求項３〜５の何れか
に記載の光スイッチング素子。 ７、前記ｎ＾＋型の層（１、１′）上のオーム接点はＡ
ｕ−Ｇｅ−Ｎｉの多重層で構成し、前記ｐ＾＋型領域（
４）上のオーム接点はＴｉ−Ｐｔ−Ａｕの多重層で構成
したことを特徴とする請求項３〜６の何れかに記載の光
スイッチング素子。 ８、ｎ個の入力端子ＩＮ＿１、ＩＮ＿２‐‐‐ＩＮ＿ｎ
と、ｎ個の直行出力端子Ｉ′＿１、Ｉ′＿２‐‐‐Ｉ′
＿ｎとｍ個の横方向出力端子Ｏ＿１、Ｏ＿２、‐‐‐Ｏ
＿ｍとを具え、これら入出力端子間でスイッチング動作
を行う光スイッチングマトリクスにおいて、当該マトリ
クスは請求項１〜７の何れかに記載のｎ×ｍ個の光スイ
ッチング素子を各素子の主光ガイドと副光ガイドがそれ
ぞれ互いの延長部となるように２方向に並べて構成した
ことを特徴とする光スイッチングマトリクス。 ９、各主直行出力ガイド又は横方向出力ガイドにはその
上面に光信号の検出器Ｄを直接設け、この検出器は光ガ
イドの屈折率より大きい屈折率ｎ＿３を有する波長λの
吸収層（３０）で構成し、この吸収層内にｐ＾＋型領域
（４０）を形成し、その表面にオーム接点（５０）を形
成したことを特徴とする請求項８記載の光スイッチング
マトリクス。 １０、前記吸収層（３０）は３元材料（Ａ＿IIIＸ＿II
IＢ＿Ｖ）で構成したことを特徴とする請求項９記載の
光スイッチングマトリクス。 １１、前記検出器のオーム接点（５０）はＴｉ−Ｐｔ−
Ａｕの多重層で構成したことを特徴とする請求項９記載
の光スイッチングマトリクス。 １２、請求項１記載の光スイッチング素子を製造するに
当り、少なくとも （ａ）装置の動作波長に対し小さい屈折率ｎ＿０を有す
るｎ＾＋導電型の２元材料Ａ＿IIIＢ＿Ｖから成る、結
晶面に沿う平坦表面を有する単結晶基板（１）を形成す
る工程と、 （ｂ）前記基板の表面に、波長λに対し屈折率ｎ＿１＞
ｎ＿０を有するｎ＾−導電型の４元材料Ａ＿IIIＸ＿II
IＢ＿ＶＹ＿Ｖの平坦エピタキシャル層（３）を形成す
る工程と、 （ｃ）前記４元材料層（３）を反応イオンエッチング（
ＲＩＥ）方法により基板（１）が小さな深さに亘ってエ
ッチングされるまで行い、このエッチングはマスク（Ｍ
Ｋ＿１）を用いて行い、このエッチング工程後に、 ・直行及び横方向主光ガイドＧ＿ｉ＿ｉ及びＧ′＿ｉ＿
ｉを形成するストリップと、 ・副光ガイドＨ＿ｉ＿ｉ及びＨ′＿ｉ＿ｉとこれらガイ
ドの光軸に対し４５゜をなす基板の表面に垂直な鏡Ｍ＿
ｉ＿ｉとを形成するストリップを基板上に残存させる工
程と、 を具えることを特徴とする光スイッチング素子の製造方
法。 １３、請求項第１、第２又は第４項に記載の光スイッチ
ング素子を製造するに当り、 （ａ′）長λに対し小さな屈折率ｎ′＿０を有する２元
材料Ａ＿IIIＢ＿Ｖからなる、結晶面に沿う平坦表面を
有する半絶縁性の単結晶基板（１０）を形成する工程と
、 （ｂ′＿１）前記基板の表面に、波長λに対し小さな屈
折率ｎ＿０≒ｎ′＿０を有するｎ＾＋導電型の２元材料
Ａ＿IIIＢ＿Ｖの平坦エピタキシャル層（１′）を形成
する工程と、 （ｂ′＿２）前記ｎ＾＋層（１′）の表面に、波長λに
対し屈折率ｎ＿１＞ｎ＿０、ｎ′＿０を有するｎ＾−導
電型の平坦エピタキシャル層（３）を形成する工程と、 （Ｃ′）前記層（３）及び（１′）を例えば反応イオン
エッチング（ＲＩＥ）方法により、下側の基板（１０）
が小さな深さに亘ってエッチングされるまでエッチング
し、このエッチングは、光ガイドと、光ガイドの光軸に
対し４５゜をなす基板に垂直な鏡Ｍ＿ｉ＿ｉとを限界す
ると共に前記ｎ＾＋層（１′）内に光ガイドの種々の部
分間を相互接続する部分を残存させるマスク（ＭＫ′＿
１）を用いて行う工程とを具えることを特徴とする光ス
イッチング素子の製造方法。 １４、工程（ｂ′＿２）及び（Ｃ′）間に、（Ｃ＿０）
光ガイドＧ＿ｉ＿ｉ及び／又はＧ′＿ｉ＿ｉの出力端部
を除いた全面を覆うマスク（ＭＫ＿５）を形成し、これ
ら光ガイドの端部の表面に動作波長の吸収層（３０）を
形成し、次いでこのマスク（ＭＫ＿５）を除去する工程
を介挿することを特徴とする請求項１３記載の方法。 １５、（ｄ）ｎ＿２＜ｎ＿１のような小さな屈折率ｎ＿
２を有するｎ＾−導電型の２元材料Ａ＿IIIＢ＿Ｖのプ
レーナ層（２）をエピタキシャル成長し、このエピタキ
シャル成長中マスク（ＭＫ＿２）によって鏡Ｍ＿ｉ＿ｉ
の区域と、もしあれば吸収領域（３０）とをマスクする
工程と、 （ｅ）マスク（ＭＫ＿３）の開口を介してイオン注入又
は拡散により、もしあれば吸収領域（３０）の表面ｐ＾
＋導電型の領域（４０）を形成すると共に、光ガイドの
上方のプレーナ層部分の表面にｐ＾＋導電型の領域（４
）を形成して光ガイドＧ＿ｉ＿ｉ及びＦ＿ｉ＿ｉの上方
にそれぞれ２個の接点領域（Ｆ＿１、Ｆ＿２及びＦ＿３
、Ｆ＿４）を形成すると共に光ガイドＧ′＿ｉ＿ｉ及び
Ｆ′＿ｉ＿ｉの上方にそれぞれ２個の接点領域（Ｆ′＿
１、Ｆ′＿２及びＦ′＿３、Ｆ′＿４）を形成する工程
と、 （ｆ）これらｐ＾＋導電型の領域（４及び４０）の表面
に金属接点（５及び５０）を形成してオーム接点を形成
する工程と、 （ｇ）ｎ＾＋導電型の層（１）又は（１′）の表面に金
属層（６）を形成してマス接点（Ｍ）を形成する工程と
を更に具えることを特徴とする請求項１２、１３又は１
４記載の方法。[Scope of Claims] 1. Opposing walls are provided with two light guides extending in parallel over a length D, called the coupling length, separated by a small distance called the coupling spacing, each of these light guides A second refractive index n formed on a semiconductor substrate of a material having a first small refractive index n_0
Straight strip G of semiconductor material with _1>n_0
i_i and H_i_i, the dimensions of these guides are such that each guides a single mode wave, and the switching action of light from one guide to the other is effected by an electrode system E_i_i provided on these guides. and M
In an optical switching element, one end of a first light guide G_i_i, called the main light guide, is connected to the input end of the optical switching element, and the other end of the guide is connected to the input end of the optical switching element. A second light guide H_i_i, connected to the orthogonal output of the switching element and designated as auxiliary light guide, comprises, beyond the area of the electrode system E_i_i, a flat side surface at an angle of 45° to the optical axis of the guide. Mirror M_i_i
and the auxiliary light guide H_i_i is arranged at an angle of 9 with respect to the optical axis of the guide.
connected to a light guide section called a sub light guide H'_i_i which is arranged at 0° and receives the light reflected by the mirror, and connects the sub light guide H'_i_i to the main light guide G_i.
the secondary light guide H_i_i intersects with the auxiliary light guide H_i_i, and is coupled at a distance d to a lateral main light guide G'_i_i whose other end is connected to the lateral output end of the switching element; The guide H'_i_i and said lateral main light guide G'_i_i are provided with an electrode system E'_i_i which causes the switching of light from one of these guides to the other by the application of a potential or current, and all said light guides and the substrate with a planar layer (2) of a semiconductor material having a third refractive index n_2 lower than the refractive index of these light guides, and arranging said electrode systems E_i_i and E′_i_i on the planar surface of this planar layer, and An optical switching element characterized in that this planar layer is provided with an opening Q_i_i that exposes the structure of the light guide around the mirror M_i_i to the substrate. 2. The optical switching element according to claim 1, wherein the light guide has a rectangular cross section. 3. The substrate (1) is n^+ conductivity type binary material A_III
A strip consisting of B_V and forming the light guide (
3) is an n^- conductivity type quaternary material (A_IIIX_IIIB_V
The planar layer (2) is composed of an n^- conductivity type binary material (A_IIIB_V) and a quaternary material (A_II
3. The optical switching element according to claim 2, wherein the optical switching element is made of a material selected from the group consisting of IX_IIIB_VY_V. 4. The substrate (10) is a semi-insulating binary material (A_III
B_V), and the strip forming said light guide comprises a layer (1') of binary material of n^+ conductivity type (A_IIIB_V) and a layer (3) of quaternary material of n^- conductivity type (A_IIIX_IIIB_VY_V). The planar layer (2) is of n^-conductivity type 2.
The layer (1') of n^+ conductivity type, which is made of a material selected from the source material (A_IIIB_V) and the quaternary material (A_IIIX_IIIB_VY_V) and forms the lower layer of the light guide, is partially electrically conductive. 3. The optical switching element according to claim 2, wherein the optical switching element is interconnected with the optical switching element. 5. The electrode system comprises a layer of material of the n^+ conductivity type (
1 or 1') and a metal layer forming an ohmic contact, and four electrodes each arranged symmetrically and aligned with each other, two each on the main light guide and the sub light guide. F_1, F_2, F_3 and F'_1, F
'_2, F'_3, -F'_4 electrode groups E_i_i and E'_i_i, each of which is a region of p^+ conductivity type formed in the planar layer (2) above the light guide. (4) and a metal layer forming an ohmic contact with this region (
5). The optical switching element according to claim 3 or 4, characterized in that it is formed by: 6. Any one of claims 3 to 5, wherein the element A of the material is indium (In), the element B is phosphorus (P), the element X is gallium (Ga), and the element Y is arsenic (As). The optical switching element described in Crab. 7. The ohmic contact on the n^+ type layer (1, 1') is A
The p^+ type region (
4) The optical switching device according to any one of claims 3 to 6, wherein the upper ohmic contact is composed of a Ti-Pt-Au multilayer. 8, n input terminals IN_1, IN_2--IN_n
and n orthogonal output terminals I'_1, I'_2--I'
_n and m horizontal output terminals O_1, O_2, ---O
In an optical switching matrix that performs a switching operation between these input and output terminals, the matrix includes n×m optical switching elements according to any one of claims 1 to 7 as a main light guide of each element. An optical switching matrix characterized in that the sub light guides are arranged in two directions so as to be extensions of each other. 9. Each main orthogonal output guide or lateral output guide is directly provided with a detector D of the optical signal on its upper surface, which detector consists of an absorbing layer (30 ), a p^+ type region (40) is formed in the absorption layer, and an ohmic contact (50) is formed on the surface of the p^+ type region (40). 10. The absorption layer (30) is made of ternary material (A_IIIX_II
10. The optical switching matrix according to claim 9, characterized in that the optical switching matrix is constructed of IB_V). 11. The ohmic contact (50) of the detector is Ti-Pt-
10. The optical switching matrix according to claim 9, wherein the optical switching matrix is composed of multiple layers of Au. 12. In manufacturing the optical switching device according to claim 1, at least (a) a flat material along a crystal plane made of a binary material A_IIIB_V of n^+ conductivity type having a refractive index n_0 small with respect to the operating wavelength of the device; (b) forming a single crystal substrate (1) having a surface with a refractive index n_1> for wavelength λ on the surface of the substrate;
Quaternary material of n^-conductivity type with n_0 A_IIIX_II
(c) forming a flat epitaxial layer (3) of IB_VY_V; (c) reactive ion etching (
RIE) until the substrate (1) is etched to a small depth, and this etching is carried out using a mask (M
K_1), and after this etching process: ・orthogonal and lateral main light guides G_i_i and G'_i_
- a strip forming the sub-light guides H_i_i and H′_i_i and a mirror M_ perpendicular to the surface of the substrate at an angle of 45° to the optical axis of these guides;
A method for manufacturing an optical switching element, comprising the steps of: leaving a strip forming an i_i on a substrate; 13. In manufacturing the optical switching device according to claim 1, 2 or 4, (a') a crystal plane made of binary material A_IIIB_V having a small refractive index n'_0 with respect to the length λ; (b'_1) forming a semi-insulating single crystal substrate (10) having a flat surface along the wavelength λ; (b'_2) forming a flat epitaxial layer (1') of conductivity type binary material A_IIIB_V, and (b'_2) a layer with a refractive index n_1>n_0, n (C') forming a flat epitaxial layer (3) of n^-conductivity type having a conductivity of Substrate (10)
is etched to a small depth, this etching delimits the light guide and the mirror M_i_i perpendicular to the substrate at 45° to the optical axis of the light guide and the n^+ layer ( 1′) leaving interconnecting parts between different parts of the light guide (MK′_
1) A method for manufacturing an optical switching element, comprising the steps of: 14. Between steps (b'_2) and (C'), (C_0)
A mask (MK_5) is formed to cover the entire surface of the light guides G_i_i and/or G'_i_i except for the output ends, and an absorption layer (30) for the operating wavelength is formed on the surfaces of the ends of these light guides. 14. The method according to claim 13, characterized in that a step of removing the mask (MK_5) is inserted. 15, (d) small refractive index n_ such that n_2<n_1
A planar layer (2) of a binary material A_IIIB_V of n^-conductivity type having 2 is epitaxially grown, and during this epitaxial growth a mask (MK_2) is used to form a mirror M_i_i
(e) masking the surface p^ of the absorbing region (30), if any, by ion implantation or diffusion through the opening of the mask (MK_3);
A region (40) of + conductivity type is formed, and a region (40) of p^+ conductivity type is formed on the surface of the planar layer portion above the light guide.
) to form two contact areas (F_1, F_2 and F_3) above the light guides G_i_i and F_i_i, respectively.
, F_4) and two contact areas (F'_i_i) above the light guides G'_i_i and F'_i_i, respectively.
(f) forming metal contacts (5 and 50) on the surfaces of these p^+ conductivity type regions (4 and 40); and (g) forming a metal layer (6) on the surface of the n^+ conductivity type layer (1) or (1') to form a mass contact (M). Claim 12, 13 or 1, characterized in that
The method described in 4.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8713645A FR2621401B1 (en) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | OPTICAL SWITCHING ELEMENT INCLUDING TWO PARALLEL LIGHT GUIDES AND SWITCHING MATRIX CONSISTING OF SUCH ELEMENTS |
| FR8713645 | 1987-10-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01116530A true JPH01116530A (en) | 1989-05-09 |
Family
ID=9355463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63247266A Pending JPH01116530A (en) | 1987-10-02 | 1988-09-30 | Optical switching element and optical switching matrix comprising the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4925264A (en) |
| EP (1) | EP0310184B1 (en) |
| JP (1) | JPH01116530A (en) |
| KR (1) | KR890007098A (en) |
| DE (1) | DE3881138T2 (en) |
| FR (1) | FR2621401B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197925A (en) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical matrix switch |
| JP2007148455A (en) * | 2002-09-20 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Optical waveguide |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0634839A (en) * | 1992-07-14 | 1994-02-10 | Fuji Xerox Co Ltd | Mutliterminal star coupler capable of making mutual connection |
| US5581643A (en) * | 1994-12-08 | 1996-12-03 | Northern Telecom Limited | Optical waveguide cross-point switch |
| US6463190B1 (en) * | 1998-10-16 | 2002-10-08 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Optical switch and method of making the same |
| GB9907407D0 (en) | 1999-03-31 | 1999-05-26 | Univ Bristol | An optical crosspoint switch using vertically coupled waveguide structure |
| US6356679B1 (en) | 2000-03-30 | 2002-03-12 | K2 Optronics, Inc. | Optical routing element for use in fiber optic systems |
| GB0021512D0 (en) * | 2000-09-01 | 2000-10-18 | Univ Bristol | Integrated optical router and wavelength converter matrix and method of fabricating the same |
| US6463192B1 (en) | 2001-02-26 | 2002-10-08 | K2 Optronics, Inc. | Non-blocking micro-optic switch matrix for use in fiber optic systems |
| US6748132B1 (en) | 2001-02-26 | 2004-06-08 | K2 Optronics, Inc. | Wavelength add drop element for configurable add drop multiplexing |
| US7356215B2 (en) * | 2003-08-23 | 2008-04-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Methods and apparatus for selectively coupling optical paths |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144353A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical path switch |
| JPS6214121A (en) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | アルカテル アルストム ルシェルシェ ソシエテ アノニム | Optical switching element |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4153329A (en) * | 1977-07-25 | 1979-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical crosspoint switch having mode-conversion facilities |
| NL185118C (en) * | 1979-06-07 | 1990-01-16 | Philips Nv | SEMICONDUCTOR SWITCHING DEVICE FOR CONDUCTING AND AMPLIFYING RADIATION. |
| FR2570839B1 (en) * | 1984-09-25 | 1986-12-05 | Labo Electronique Physique | COUPLING DEVICE BETWEEN WAVEGUIDES, MONOLITHICALLY INTEGRATED THEREON ONTO A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| FR2584825B1 (en) * | 1985-07-11 | 1987-10-09 | Labo Electronique Physique | SEPARATING STRUCTURE, OPTICAL SWITCHING ELEMENT INCLUDING SUCH STRUCTURES, AND OPTICAL SWITCHING MATRIX FORMED FROM SUCH SWITCHING ELEMENTS |
-
1987
- 1987-10-02 FR FR8713645A patent/FR2621401B1/en not_active Expired
-
1988
- 1988-09-26 EP EP88202084A patent/EP0310184B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-09-26 DE DE8888202084T patent/DE3881138T2/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-29 US US07/251,635 patent/US4925264A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-09-30 JP JP63247266A patent/JPH01116530A/en active Pending
- 1988-09-30 KR KR1019880012711A patent/KR890007098A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144353A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical path switch |
| JPS6214121A (en) * | 1985-07-11 | 1987-01-22 | アルカテル アルストム ルシェルシェ ソシエテ アノニム | Optical switching element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0197925A (en) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical matrix switch |
| JP2007148455A (en) * | 2002-09-20 | 2007-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Optical waveguide |
| JP4501949B2 (en) * | 2002-09-20 | 2010-07-14 | 凸版印刷株式会社 | Manufacturing method of optical waveguide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4925264A (en) | 1990-05-15 |
| EP0310184A1 (en) | 1989-04-05 |
| FR2621401A1 (en) | 1989-04-07 |
| FR2621401B1 (en) | 1989-12-29 |
| DE3881138D1 (en) | 1993-06-24 |
| EP0310184B1 (en) | 1993-05-19 |
| DE3881138T2 (en) | 1993-09-02 |
| KR890007098A (en) | 1989-06-17 |
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