JPH01104050U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01104050U JPH01104050U JP19764387U JP19764387U JPH01104050U JP H01104050 U JPH01104050 U JP H01104050U JP 19764387 U JP19764387 U JP 19764387U JP 19764387 U JP19764387 U JP 19764387U JP H01104050 U JPH01104050 U JP H01104050U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low concentration
- metal electrode
- concentration region
- region
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の断面図、第２図は
従来のＣＭＯＳインバータ回路の断面図、第３〜
７図はそれぞれ本考案の実施例図である。 〈符号の説明〉、１……低濃度半導体領域、２
……第２の低濃度半導体領域、３……高濃度半導
体基板、４……ウエル領域、５……ウエル・コン
タクト領域、６……ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソース及
びドレイン領域、７……ｎ型ＭＯＳＦＥＴのソー
ス及びドレイン領域、８……ゲート酸化膜、９…
…基板電極。
従来のＣＭＯＳインバータ回路の断面図、第３〜
７図はそれぞれ本考案の実施例図である。 〈符号の説明〉、１……低濃度半導体領域、２
……第２の低濃度半導体領域、３……高濃度半導
体基板、４……ウエル領域、５……ウエル・コン
タクト領域、６……ｐ型ＭＯＳＦＥＴのソース及
びドレイン領域、７……ｎ型ＭＯＳＦＥＴのソー
ス及びドレイン領域、８……ゲート酸化膜、９…
…基板電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタ
において、電源端子または接地端子となる金属電
極と接触する部分の半導体領域を低濃度領域とし
、上記金属電極と上記低濃度領域とでシヨツトキ
ー・ダイオードを形成したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764387U JPH01104050U (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19764387U JPH01104050U (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01104050U true JPH01104050U (ja) | 1989-07-13 |
Family
ID=31488187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19764387U Pending JPH01104050U (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01104050U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014064344A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Denso Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-28 JP JP19764387U patent/JPH01104050U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014064344A (ja) * | 2012-09-20 | 2014-04-10 | Denso Corp | 半導体装置 |