JPH01101335A - 二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフイルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルム
に関し、更に詳しく特定の球状シリカ粒子を含有し、表
面が平坦で滑り性、走行耐久性。

絶縁特性等に優れ、かつ耐熱性に優れた二軸前、向ポリ
エーテルエーテルケトンフィルムに関する。

し従来技術］ 従来から、二軸配向ポリエチレンテレフタレートフィル
ムは、その機械的性質、を気的性臂、＃＃熱性、＃＃薬
品性等に優れていることから、工業用途に広く用いられ
ている。

しかしながら、近年、用途によってはフィルムの要求特
性が高まり、また二軸配向ポリエチレンテレフタレート
フィルムの特性にも限界があることから、より特性の優
れたフィルムが求められている０例えば、二軸配向ポリ
エチレンテレフタレートフィルムは、長期耐熱性がＥ種
（長期耐熱温度＝１２５℃）ないし８種（同：１３０℃
）であり、モーター絶縁、を線被覆材料として用いる場
合この長期耐熱性の点からモーターの小型化が制限され
るという問題が生じている。また、上記フィルムをコン
デンサー用途に用いる場合、８５℃近くから誘電正接が
増大し、使用温度の制限をもたらしている。更にまた、
上記フィルムをフレキシブルプリント回路基板として用
いる場合、ハンタ■熱性が問題となり、その展開が制限
されている。このようなことから、より耐熱性の優れた
フィルムが求められている。

ところで、強靭で潰れた耐熱性を有する結晶性熱可塑性
ポリマーとしてポリエーテルエーテルケトンが知られ（
特公昭６０−３２６４２号、特公昭６１−１０４８６号
）、このフィルム化の検討、提案がされている。ρ１え
ば、特開昭５７−１３７１１６号公報には、ポリエーテ
ルエーテルケトンは耐熱性を活かした用途分野、すなわ
ちモーター用絶縁フィルム、トランス用絶縁フィルム、
コンデンサー用絶縁フィルム、フレキシブルプリント回
路基板などへの展開が期待されるとして、圧延法で一軸
方向に配向したフィルムを製造する方法が記載され、そ
して、用途によっては炭酸カルシウム、微粒子ゲイ酸塩
。

タルク、塩基性炭酸マグネシウム、アルミナ１．アルミ
ナ水和物＋ＦｆＬ酸バリウム、硫酸カルシウム。

雲母粉、亜鉛華、酸化チタン、カーボンブラックなどの
無機充填材を加えても良いことが説明されている。

特開昭５８−６３４１７号公報には、等方性二軸配向ポ
リエーテルエーテルケトンフィルムの製造方法が記載さ
れている。

特開昭６０−９３６２５号公報には、圧延法で二軸配向
した垂直磁化用ポリエーテルエーテルケトンフィルムが
記載されている； 特開昭６０−１８７９２８号公報には、その長さ方向及
びそれと直角方向の５％伸長時応力が共にｔ３ｋｒ／１
ｉｌ１２以上、少なくとも一方向の初期弾性率が６００
ｋｇ　／　ｒｍ　’以上、並びに１８０℃における長さ
方向及びそれと直角方向の熱収縮率が４％以下である二
軸配向ポリエーテルケトン（又はポリエーテルエーテル
ケトン）フィルムをベースとする磁気記録材料が記載さ
れ、そしてポリマー中に二酸化チタンのつや消削、微粒
子シリカ、チャイナクレイなどの滑剤を゛含有させてよ
いことが説明されている。

特開昭６Ｏ−ｔ８９４２１号公報には、無機粒子含有の
ポリエーテルケトン（又はポリエーテルエーテルケトン
）からなり、表面粗さＲａが０．００８〜０、０９０で
かつ動牽擦係数μｄが０．１２〜０．５０である二軸配
向フィルムが記載され、この無Ｉ！微粒子として酸化マ
グネシウム、酸化亜鉛、炭酸マグネシウム、燐酸マグネ
シウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミニ
ウム、二酸化ケイ素、酸化チタン、カオリン、ケイ藻土
等の無ａ酸化物。

無機塩類、アルミノ珪酸塩等やカーボンブラック等が挙
げられると説明されている。

特開昭６１−３７４１８号公報には、ポリエーテルエー
テルケトン１００重量部に無機質充填剤０．０１〜１０
重ｉ重量部を配合した組成物を製膜し二軸配向させた易
滑性熱可塑性ポリエーテルエーテルケトンフィルムが記
載され、この無機質充填剤はタルク。

シリカ、カオリン、焼成カオリン、マイカ、アエロジル
、サイロイド、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム繊維
等の１種又は２種以上を適宜選択して用いるが、特に平
均粒径５μ以下の粒径の細かいものが好ましいと説明さ
れている。゛しかしながら、本発明者らの研究結果によ
ると、これら二軸配向ボリエーテルエーテルケトンフイ
ルムは、該フィルム中の無機粒子の囲りにボイドが生じ
ており、走行耐久性、絶縁欠陥異常率、絶縁破壊等に改
善すべき課題の在ることが明らかとなった。また、無機
粒子はフィルム中での分散が悪いことが明らかとなった
。

［発明の目的コ 本発明の目的は、表面が平坦で滑り性、走行耐久性、絶
縁特性等に優れ、かつ耐熱性に優れた二軸配向ポリエー
テルエーテルケトンフィルムを提供することにある。

本発明の他の目的は、フィルム表面に球状シリカ粒子に
由来する多数の微細な突起を有し、かつ表面が平坦で滑
り性、走行耐久性、絶縁特性等に潰れた二軸配向ボリエ
ーテルエーテルゲトンフイルムを提供することにある。

本発明のさらに他の目的及び利点は、以下の説明から明
らかとなろう。

［！＠明の構成・効果］ 本発明によれば、本発明の上記目的及び利点は、第１に
、 ポリエーテルエーテルケトン中に、平均粒径が０．０５
〜４μｍでありかつ粒径比（長径／短径）が１．０〜１
．２である球状シリカ粒子を０．０１〜３重量％分散含
有させてなる二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィ
ルムによって達成される。

本発明におけるポリエーテルエーテルケトンは、単位と
他の構成単位からなるポリマーである。この他の構成単
位としては、例えば、 等が挙げられる。上記構成単位において、Ａは直接結合
、酸素、−８Ｏ□−、−ＣＯ−または二価の低級脂肪族
炭化水素基であり、ＱおよびＱ′は同一であっても相違
してもよく−ＣＯ−または一’Ｓ　Ｏ２−であり、ｎは
０又は１である。これらポリマーは、特公昭６０−３２
６４２号公報、特公昭６１−１０４８６号公報、特開昭
５７−１３７１１６号公報１等に記載されている。

ポリエーテルエーテルケトンには、流動性改良などの目
的でポリアリーレンポリエーテル、ポリスルホン、ボリ
アリレート、ポリエステル、ポリカーボネート等の樹脂
をブレンドしても良く、また安定剤、酸化防止剤、紫外
線吸収剤等の如き添加剤を含有させても良い。

ポリエーテルエーテルケトンは、上述の通り、それ自体
公知であり、且つそれ自体公知の方法で製造することが
できる。

上記ポリエーテルエーテルケトンは、見かけの溶融粘度
が温度３８０℃、見かけの剪断速度２００Ｓｅｃ’の条
件で、５００ボイズ〜１００００ボイズ、更には１００
０ボイズ〜５０００ボイズの範囲にあるものが、製膜性
、フィルム特性の点から好ましい。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルム
はそのフィルム表面に多数の微細な突起を有している。

それらの多数の微細な突起は本発明によればポリマー中
に分散して含有される多数の球状シリカ粒子に由来する
。

球状シリカ粒子を分散含有するポリエーテルエーテルケ
トンは、例えばポリエーテルエーテルケトンを形成する
ための反応時、球状シリカ粒子を添加することにより製
造することができる。また未添加のポリマーと球状シリ
カ粒子粉体とをトライブレンドしてフィルム製膜するこ
とも可能である。いずれの方法でも良いが、後者が好ま
しい。

本発明のおいてポリエーテルエーテルケトン中に分散含
有させる球状シリカ粒子は平均粒径が０．０５〜４μｍ
でありかつ粒径比（長径／短径）が１．０〜１゜２であ
るシリカ粒子である。この球状シリカ粒子は個々の形状
が極めて真球に近い球状であって、従来から滑剤として
知られているシリカ粒子が１０ｍμｍ程度の超微嘲な塊
状粒子か、これらが凝集して０．５μｍ程度の凝集物（
凝集粒子°）を形成しているのとは著しく異なる点に特
徴がある０球状シリカ粒子の平均粒径は、好ましくは０
．１０〜３μｍ、更に好ましくは０．２〜２μｍである
、この平均粒径が０．０５μｍ未満では滑り性や、耐削
れ性の向上効果が不充分であり、好ましくない、また平
均粒径が４μｍを超えるとフィルム表面が粗れすぎて好
ましくない、また球状シリカ粒子の粒径比は好ましくは
１．０〜１．１５．更に好ましくは１．０〜１．１であ
る。

また、球状シリカ粒子は粒径分布がシャープであること
が好ましく、分布の急峻度を表わす相対標準偏差が０．
５以下、更に好ましくは０．４以下、特に０．３以下で
あることが好ましい。

この相対標準偏差は次式で表わされる。

相対標準偏差＝ ここで、Ｄｉ；個々の粒子の面積用相当径（μｍ）Ｄ＝
面面積和相当径平均値 （＝（Σ　Ｄｉ）／ｎ）（μｍ） ｉ＝１ ｎ：粒子の測定個数 を表わす。

ここで、球状シリカ粒子の長径、短径１面積円相当径は
粒子表面に金属層を蒸着してのち走査型電子顕微鏡にて
１万〜３万倍に拡大した像から求め、平均粒径１粒径比
を次式で求める。

平均粒径＝測定粒子の面積用相当径の総和／測定粒子の
数 粒径比＝シリカ粒子の平均長径／該粒子の平均短径 相対標準偏差が０．５以下の球状シリカ粒子を用いると
、該粒子が球状で且つ粒度分布が極めて急峻であること
から、フィルム表面突起の高さが極めて均一となり、更
にフィルム表面の個々の突起は、滑剤周辺のボイドが小
さいために、突起形状が非常にシャープであり、従って
同じ突起の数であっても滑り性が極めて良好となる。

球状シリカ粒子は、上述の条件を満たせば、その製法、
その他に何ら限定されるものではない。

例えば、球状シリカ粒子は、オルトケイ酸エチル［Ｓｉ
　（ＯＣ２Ｈｓ　）直］の加水分解から含水シリカ［３
ｉ　（ＯＨ）　ａ　］単分散球をつくり、更にこの含水
シリカ単分散域を脱水化処理してシリカ結合［＝Ｓｉ−
０−３ｔミ］を三次元的に成長させることで製造できる
（日本化学会誌’　８１．１１０．９゜Ｐ、１５０３　
）　。

Ｓ　ｉ　（ＯＣ２Ｈ５’）　ａ　＋４８２０→Ｓ　ｉ　
（ＯＨ）　ａ　＋４Ｃ２−Ｈ！１０Ｈ＝Ｓ　ｉ　−ＯＨ
＋ＨＯ−３ｉ　＝ −＝Ｓｉ　　ＯＳｉ＝＋Ｈ２０ 本発明において球状シリカ粒子の添加量は、ポリエーテ
ルエーテルケトンに対して０．０１〜３．０重量％とす
る必要があり、好ましくは０．０１〜１．０重量％、更
に好ましくは０．０５〜０．７５重量％である。

添加量が０．０１重量％未満では、滑り性や耐削れ性の
向上効果が不充分となり、一方３．０重量％を越えると
表面平坦性が低下し、好ましくない。

本発明において二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフ
ィルムは、従来のものに比してボイドの極めて小さいフ
ィルムであるが、このボイドが小さい理由は、球状シリ
カ粒子のポリエーテルエーテルケトンへの親和性の良さ
と、更に粒子そのものが極めて真球に近いことから、延
伸において滑剤周辺の応力が均等に伝播し、ポリエーテ
ルエーテルケトンと滑剤の界面の一部に応力が集中しな
いことによると推測される。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルム
は、均一な凹凸表面特性、すぐれた滑り性、耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりぎす、白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。

この二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルムはこ
れらの活性を活かして各種の用途に用いることができる
。

一般にポリエーテルエーテルケトンと不活性粒子（滑剤
）とは親和性がない。このため溶融製膜したポリエーテ
ルエーテルケトン未延伸フィルムを二軸延伸すると、該
微粒子とポリエーテルエーテルケトンの境界に剥離が生
じ、該微粒子の囲りにボイドが形成されるのが普通であ
る。このボイドは、微粒子が大きいほど、形状が球形に
近いはど、また微粒子が単一粒子で変形しにくいほど、
そしてまた未延伸フルイムを延伸する際に延伸面積倍率
が大きいほど、また低温で行うほど大きくなる傾向があ
る。このボイドは、大きくなればなる程突起の形状がゆ
るやかな形となるので摩擦係数を高くすることとなり、
それと共に繰り返し使用時に生じた二軸配向ポリエーテ
ルエーテルケトンフィルムのボイドの脱落を起し、耐久
性を低下させる、また削れ粉発生の原因となっている。

このように従来の無機不活性滑剤の場合には、該滑剤周
辺のボイド量は、かなり大きく、高強力ポリエーテルエ
ーテルケトンフィルムにおいてはこのボイドは更に大き
くなり、その結果磁気テープのカレンダー工程等、加工
工程で耐削れ性が劣るようになる。また、コンデンサー
においては絶縁破壊電圧の低下に結びつく。

本発明で用いられる上記球状シリカ粒子は上記の如くポ
リエーテルエーテルケトン基質との親和性が大きく、こ
のため粒子周辺にボイドが発生する頻度が少ない、その
ため、粒子が大きくなるにっれて一般に大きくなるボイ
ドを発生する頻度を、上記球状シリカ粒子を使用する場
合には小さく抑えることができるため、本発明によれば
比較的大粒子として球状シリカ粒子を用い、それと−緒
にボイドの発生する割合が少ない比較的小粒子を併用し
て、２種類の粒子を用いる利点を有しつつ、走行性、耐
摩耗性、耐疲労性、絶縁破壊電圧および透明性等に優れ
たフィルムを提供しうることが明らかとなった。

ずなわち、かかる二軸配向ボリエーテルエーテルゲトン
フイルムは、ポリエーテルエーテルケトン中に （Ｉ）平均粒径が０．２〜４μｍでありかつ粒径比（長
径／短径）が１．０〜１．２である球状シリカ粒子を０
．００５〜３重量％、及び （ＩＩ）平均粒径が、０．０５〜３μｍの平均粒径を有
し、その平均粒径が球状シリカ粒子の平均粒径より小さ
い不活性微粒子をｏ、　ｏｏｓ〜２重量％分散含有させ
てなる二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルムで
ある。

ボリエーテルエーテルゲドンと球状シリカ粒子（Ｉ）に
ついては前述した通りである。ただ、球状シリカ粒子と
しては、この場合平均粒径０．２〜４μｍの比較的大き
い粒子が使用される。

平均粒径が球状シリカ粒子のそれよりも小さい不活性微
粒子（Ｉ［）としては、ポリエーテルエーテルゲトンに
不活性で不溶性であり、そして常温で固体のものが使用
される。これらは外部添加粒子でも内部生成粒子でもよ
い、また、例えば有機酸の金属塩でもよく、また無機物
でもよい、好ましい不活性微粒子としては、■炭酸カル
シウム。

■二酸化ケイ素（水和物、ケイ藻土、ケイ砂１石英等を
含む）、■アルミナ、■８１０□分を３０重量％以上含
有するゲイ酸塩（例えば非晶質或は結晶質の粘土鉱物、
アルミノシリケート化合物（焼成物や水和物を含む）、
温石綿、ジルコン、フライアヅシュ等）、■Ｍｇ、Ｚｎ
、Ｚｒ及びＴｉの酸化物、■Ｃａ及びＢａの硫酸塩、■
Ｌｉ、Ｎａ及びＣａのリン酸塩（１水素塩や２水素塩を
含む）、■ｌ、ｉ、Ｎａ及びＫの安息香酸塩、■Ｃａ。

Ｂａ、Ｚｎ及びＭｎのテレフタル酸塩、［相］Ｍｇ。

Ｃａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｓｒ、Ｍｎ。

Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉのチタン酸塩、ＯＢａ及びｐｂのク
ロム酸塩、＠炭素（例えばカーボンブラック、グラファ
イト等）、■ガラス（例えばガラス粉、ガラスピーズ等
）、０ＭｇＣＯ３、■ホタル石、及び＠　Ｚ　ｎ　Ｓが
例示される。特に好ましいものとして、無水ケイ酸、含
水ケイ酸、酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム（焼
成物、水和物等を含む）１燐酸１リチウム、燐酸３リチ
ウム。

燐酸ナトリウム、燐酸カルシウム、硫酸バリウム。

酸化チタン、安息香酸リチウム、これらの化合物の複塩
（水和物を含む）、ガラス粉、粘土（カオリン、ベント
ナイト、白土等を含む）、タルク。

ケイ藻上等が例示される。かかる不活性微粒子（Ｉ［）
の中でも特に外部添加粒子が好ましい。

球状シリカ粒子（Ｉ）は０．２〜４μｍの平均粒径を有
している。好ましくは０．３〜２μｍ、特に好ましくは
０．５〜１．５μｍの平均粒径を有している。

また、不活性粒子（Ｉ［）は０．０５〜３μｍの平、均
粒径を有するが上記球状シリカ粒子（Ｉ）の平均粒径よ
りも小さい平均粒径のものとして、併用される。

不活性微粒子（Ｉｆ）は好ましくは０．１０〜２．０μ
ｍの平均粒径、より好ましくは０．２０〜１．５μｍの
平均粒径を有している。

不活性微粒子（ＩＦ）の含有量はポリエーテルエーテル
ケトンに対しｏ、　ｏｏｓ〜３重量％であるが、０．０
１〜２重量％、更には０．０２〜１．０重量％、特に０
．０５〜０．７５重量％が好ましい。一方線状シリカ粒
子（Ｉ）の含有量はポリエーテルエーテルケトンに対し
ｏ、　ｏｏｓ〜３重量％であるが、０．０１〜２重量％
、更には０．０２〜１．ＯＩＩ量％、特に０．０５〜０
．７５重量％が好ましい。

不活性微粒子（［）或は球状シリカ粒子（Ｉ）の含有量
が少なすぎると、大小２種の粒子を用いる相乗効果が得
られず、走行性、耐摩耗性、耐疲労性、つぶれ性、端面
揃い性等の特性が低下するので好ましくない、一方不活
性粒子（ｎ）の含有量が多すぎると、ポリマー中の小さ
い粒子に起因するボイドの発生する頻度が多くなる傾向
になり、耐摩耗性、耐疲労性、つぶれ性、絶縁電圧、透
明性等が低下する。

また球状シリカ粒子（Ｉ）の含有量が多すぎると、フィ
ルム表面が粗れすぎ、例えば磁気テープにおける電磁変
換特性が低下するので、好ましくない。

本発明の二軸配向フィルムを製造する際に、球状シリカ
粒子あるいはそれと不活性微粒子をポリエーテルエーテ
ルケトンと緊密に混合するにはここれらの微粒子を、ポ
リエーテルエーテルケトン重合前又は重合中に重合釜中
で、重合終了後ペレタイズするどき押出機中で、あるい
はシート状に溶融押出しする際押出機中で、該ポリエー
テルエーテルケトンと十分に混練すればよい。

本発明の二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルム
は、従来から蓄積された二軸配向フィルムの製造法に順
じて製造できる０例えば、球状シリカ粒子を含有するポ
リエーテルエーテルケトンを溶融製膜して非晶質の未延
伸フィルムとし、次いで該未延伸フィルムを二輪方向に
延伸し、熱固定し、必要であれば弛緩熱処理することに
よって製造される。その際、フィルム表面特性は、球状
シリカ粒子の粒径、量等によって、また延伸条件によっ
て変化するので従来の延伸条件から適宜選択する。また
密度、熱収縮率等も延伸、熱処理時の温度１倍率、速度
等によって変化するので、これらの特性を同時に満足す
る条件を定める０例えば、延伸温度は１段目延伸源度（
例えば縦方向延伸温度二Ｔ１）が（Ｔｇ−１０）〜（７
ｇ＋４５）’Ｃの範囲（但し、Ｔｇ：ポリエーテルエー
テルケトンのガラス転移温度）から、２段目延伸温度（
例えば横方向延伸温度：Ｔ２）が（Ｔｔ−Ｎ５）〜（Ｔ
１＋４０）’Ｃの範囲から選択するとよい、また、延伸
倍率は一軸方向の延伸倍率が１．５以上、特に２．５倍
以上でかつ面積倍率が４倍以上、特に６倍以上となる範
囲から選択するとよい、更にまた、熱固定温度は２００
〜３５０℃、更には２２０〜２５５℃の範囲から選択す
るとよい、熱固定時間は例えば１〜２０秒である。

二軸配向フィルムの厚みは、１〜２５０μｍ、更には１
〜１２５μｍ、特に１〜７５μｍが好ましい。

本発明の二軸配向ボリエーテルエーテルゲントフイルム
は、均一な凹凸表面特性、すぐれた滑り性、耐熱性及び
耐削れ性を有し、すりぎす、白粉等の発生量が著しく少
ないという特徴を有する。

この二軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルムはこ
れらの特性を活かして各種の用途に広く用いることがで
きる０例えば、電絶材料用途、モーター絶縁、電線被覆
用として珀いると、優れた耐熱性及び加工性等が得られ
る。また、コンデンサー用途に用いると、低い摩擦係数
、すぐれた巻回性、低いつぶれ荷重、及びそのすぐれた
耐熱性故に、使用温度の高い高品位のコンデンサーを得
ることができる。また、ＦＰＣ（フレキシブルプリント
サーキット）用途に用いると耐ハンダ性に優れたＦＰＣ
を得ることが可能である。また、磁気記録用例えばビデ
オ用、オーディオ用、コンピューター用などのベースフ
ィルムとして用いると、優れた電磁変換特性、滑り性、
走行耐久性等が得られる。特に、金属薄膜をベースフィ
ルムに付与してなる真空蒸着又はスパッター用のベース
フィルムとしてはその耐熱性により好適である。

二軸配向ボリエーテルエーテルゲトンフイルムは、特に
電絶用、コンデンサー用、ＦＰＣ用、金属薄膜磁気記録
媒体用として好ましいが、塗布磁気記録媒体用、蒸着用
、感熱転写用等のフィルムとしても広く適用することが
できる。

［実施例］ 以下、実施例を掲げて本発明を更に説明する。

なお本発明における種々の物性値および特性は以下の如
く測定されたものである。

（１）粒子の粒径 粒子粒径の測定には次の状態がある。

１）シリカ粉体から、平均粒径、粒径比等を求める場合 ２）フィルム中のシリカ粒子の平均粒径、粒径比等を求
める場合 １）シリカ粉体からの場合： 電顕試料台上にシリカ粉体を個々の粒子ができるだけ重
らないように散在せしめ、金スパッター装置により、こ
の表面に金薄膜蒸着層を厚み２００人〜３００人で形成
せしめ、走査型電子顕微鏡にて１００００〜３００００
倍で観察し、日本レギュレーター■製ルーゼックス５０
０にて、少なくとも１００個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、
短径（ＤＳｉ＞及び面積円相当径（Ｄｉ）を求める。そ
して、これらの次式で表わされる数平均値をもって、シ
リカ粒子の長径（Ｄ　Ｉ　）　、短径（Ｄｓ）、平均粒
径（Ｄ）を表わす。

ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
ｎＤＩ＝（Σ　Ｄ　Ｉｔ）　／ｎ、Ｄ　ｓ　＝　（Σ　
ＤＳｉ）／ｎ１＝１　　　　　　　　　　ｉ＝１ Ｄ＝（Σ　Ｄ　ｉ　）　／　ｎ １＝１ ２）フィルム中のシリカ粒子の場合： 試料フィルム小片を走査型電子Ｍｍ鏡用試料台に固定し
、日本電子■製スパッターリング装置（ＪＦＣ−１１０
０型イオンスパツターリング装置）を用いてフィルム表
面に下記条件にてイオンエツチング処理を施す０条件は
ペルジャー内に試料を設置し、約１０−”　Ｔｏｒｒの
真空状態まで真空度を上げ、電圧０．２５Ｋ　Ｖ　、電
流１．２５ｍＡにて約１０分間イオンエツチングを実施
する。更に同装置にてフィルム表面に金スパッターを施
し、走査型電子顕微鏡にて例えば１００００〜３０００
０倍で観察し、日本レギュレーター■製ルーゼッスク５
００にて少なくとも１００個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、
短径（Ｄｓｉ）及び面積円相当径（Ｄｉ）を求める。以
下、上記１）と同様に行なう。

（２）　　フィルム表面粗さ（Ｒａ） 中心線平均租さ（Ｒａ）としてＪＩＳ−８０６０１で定
義される値であり、本発明では■小板研究所の触針式表
面粗す計（ＳＵｆｌＦＣＯＲＤＥＲＳＥ　−３０Ｃ）を
用いて測定する。測定条件等は次の通りである。

（ａ）触針先端半径　：　２μｍ （ｂ）測定圧力　　　：　　３０ｇ （Ｃ）カットオフ　　：　　０．２５闘−（ｄ）　ＩＩ
Ｊ定長　　　　：０．５ｏｕｎ（ｅ）データーのまとめ
方 同−試料について５回繰返し測定し、最も大きい値を１
つ除き、残り４つのデーターの平均値の小数点以下４桁
目を四捨五入し、少数点以下３桁目まで表示する。

（３ボイド比 上記（１１−２）の方法に従ってフィルム中（表面）の
滑剤周辺を暴露し、少なくとも５０個の固体微粒子の長
径、とボイドの長径を測定し、次式ボイドの長径 ボイド比＝□ 固体微粒子の長径 で求めるボイド比の数平均値で表わす。

（４）　　フィルムの摩擦係数（μｋ）温度２０℃、湿
度６０％の環境で、巾１／２インチに裁断したフィルム
を固定棒（表面粗さ０．３μｍ）に角度θ＝１！＋２　
／１８０πラジアン（１５２°）で接触させて毎分２０
０　ａａの速さで移動（ＲＩ擦）させる。

入口テンションＴ１が３５ｇとなるようにテンションコ
ントローラーを調整した時の出口テンション（Ｔｔ：ｇ
）をフィルムが９０ｍ走行したのちに出口テンション検
出機で検出し、次式で走行摩耗係数μｋを算出する。

μに＝　（２，３０３／θ）　１ｏｉＪ　　（Ｔｚ　／
Ｔ１）＝０．８６８　＋０１Ｊ（Ｔ２　／３５）（５）
ヘーズ（曇り度） ＪＩＳ−Ｋ　　６７４に準じ、日本精密光学社製、積分
球式ＨＴＲメーターによりフィルムのヘーズを求める。

（６）絶縁破壊電圧及び絶縁破壊異常率絶縁破壊電圧は
Ｊ　Ｉ　５−Ｃ−２３１８に示される方法で測定する。

ｎ＝１００の平均値を採用し、この平均値の１／３以下
の値を示すものの割合（％）を絶縁破壊異常率とする。

（７）素子端面不揃い、及び偏平化後の素子端面形状の
評価 １０μのフィルムをアルミニウム蒸着し、２０鴎巾にス
リットしたものを、外径３ｒＩｍの巻芯に巻張力４０ｇ
１巻取速度３０口／　ｓｅｃで４ｍの長さを巻回した素
子を作り、素子端面不揃いについては、端面が全て完全
に揃っているものを○とし、一部にやや不揃いのものも
あるがその程度も小で、実用上何ら差支えないものをΔ
、使用できないものを×とする。

該素子をプレスにより偏平につぶした時の偏平化後の端
面形状評価は、フィルム層間が一直線で均一につぶれて
隙間のないものを○、一部に僅かの隙間が認められる実
用上何ら問題のないものを△、つぶれ不均一でフィルム
層間に隙間ができて使用できないものをＸとする・。

（８）　　コンデンサー総合評価 つぶれ性１巻回性等の取扱い作業性、蒸着加工性、絶縁
破壊電圧及び絶縁破壊異常率等の電気特性について総合
的に評価して、いずれも良好なものを◎、若干劣る面を
有するが実用上問題ないもの○、実用上問題のあるもを
△、使用に耐えないものを×とする。

（９）滑剤の凝集 フィルムを偏光下で２０倍に拡大し、偏光板を直交させ
暗視野中で光るもののうち、２５μ以上の凝集滑剤の個
数を測定することで評価する。測定面積は１０−とし、 １ａ１１当りの個数０〜１０個のものを０゜１０〜３０
個のものを△。

３０個以上を×。

とする。

実施例１〜７ ポリエーテルエーテルケトン（ＩＣ１社製ポリエーテル
エーテルケトン３８０Ｇ）に球状シリカ粒子及び不活性
粒子を表−１に示す割合で混合し、ブレンド後、押出機
により３８０℃で押出し、８０℃の温度に保持したキャ
スティングドラム上ヘキャストし、９０μｍの未延伸フ
ィルムを作成し、これを縦方向へ１６０℃で２．５倍延
伸し、さらにテンターに供給し、横方向へ１６０℃で３
．５倍延伸し、２５０℃で３０秒間熱固定した。

これらフィルムの特性は表−１に示す。

比較例１〜３ 実施例１と同一のポリマーを用い、滑剤のみ表−１に示
すものに変更して実施例１と同様に行った。その結果は
表−１に示すとおりである。

表−１の結果により、本発明のフィルムは表面が平坦で
、且つくり返しの摩擦係数も小さく、滑性の優れたフィ
ルムであることが分る。また本発明のフィルムは滑剤の
凝集も少なく、コンデンサー用ベースとして見た場合非
常に優れたものであることが分る。

手続補正書 平成　元年　１月ｌＤ日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ポリエーテルエーテルケトン中に、平均粒径が０．
   ０５〜４μｍでありかつ粒径比（長径／短径）が１．０
   〜１．２である球状シリカ粒子を０．０１〜３重量％分
   散含有させてなる二軸配向ポリエーテルエーテルケトン
   フィルム。 ２、球状シリカ粒子の下記式で表わされる相対標準偏差
   が０．５以下である特許請求の範囲第１項記載の二軸配
   向ポリエーテルエーテルケントフィルム。 相対標準偏差＝▲数式、化学式、表等があります▼ ここで Ｄｉ：個々の粒子の面積円相当径（μｍ） ▲数式、化学式、表等があります▼ ｎ：粒子の個数 を表わす。 ３、ポリエーテルエーテルケトン中に、 （ I ）平均粒径が０．２〜４μｍでありかつ粒径比（
   長径／短径）が１．０〜１．２である球状シリカ粒子を
   ０．００５〜３重量％、及び （II）平均粒径が０．０５〜３μの平均粒径を有し、そ
   の平均粒径が球状シリカ粒子の平均粒径より小さい不活
   性微粒子を０．００５〜３重量％分散含有させてなる二
   軸配向ポリエーテルエーテルケトンフィルム。