JP7509691B2 - 固体撮像装置及び撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 259
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 227
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 186
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 75
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 60
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 19
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 121
- 239000010408 film Substances 0.000 description 83
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 61
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 46
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 39
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 39
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 38
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 38
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 36
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 26
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 24
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000004044 response Effects 0.000 description 17
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 230000009471 action Effects 0.000 description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H01L27/14614—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor having a special gate structure
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
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Description
1.はじめに
2.第1の実施形態
2.1 撮像装置の構成例
2.2 固体撮像装置の構成例
2.2.1 固体撮像装置の積層構造例
2.2.2 固体撮像装置の機能構成例
2.3 単位画素の構成例
2.4 アドレスイベント検出部の構成例
2.4.1 電流電圧変換部の構成例
2.4.2 減算器及び量子化器の構成例
2.5 各層への配置
2.6 固体撮像装置の断面構造例
2.7 フロアマップ例
2.7.1 第1チップ
2.7.2 第2チップ
2.7.2.1 ソースフォロア型
2.7.2.2 ゲインブースト型
2.8 作用・効果
3.第2の実施形態
3.1 トランジスタのノイズ特性の改善
3.1.1 FDSOI(Fully Depleted Silicon On Insulator)の使用
3.1.2 トンネルFET、FinFETの使用
3.2 作用・効果
4.第3の実施形態
4.1 固体撮像装置の製造プロセス
4.2 作用・効果
5.第4の実施形態
5.1 単位画素の構成例
5.2 固体撮像装置の断面構造例
5.3 フロアマップ例
5.4 作用・効果
6.第5の実施形態
7.第6の実施形態
7.1 固体撮像装置の積層構造例
7.2 単位画素の構成例
8.第7の実施形態
8.1 固体撮像装置の断面構造例
9.第8の実施形態
9.1 固体撮像装置の機能構成例
9.1.1 カラムADCの構成例
9.2 単位画素の構成例
9.3 固体撮像装置の動作例
9.3.1 タイミングチャート
9.3.2 フローチャート
9.4 固体撮像装置の断面構造例
9.5 フロアマップ例
9.5.1 第1チップ
9.5.2 第2チップ
9.6 作用・効果
10.第9の実施形態
10.1 固体撮像装置の断面構造例
10.2 作用・効果
11.第10の実施形態
11.1 画素アレイ部の構成例
11.2 画素ブロックの例
11.2.1 ベイヤー配列
11.2.2 X-Trans(登録商標)型配列
11.2.3 クアッドベイヤー配列
11.2.4 ホワイトRGB配列
11.3 画素ブロックの構成例
11.4 固体撮像装置の動作例
11.4.1 タイミングチャート
11.4.2 フローチャート
11.5 フロアマップ例
11.5.1 第1例
11.5.1.1 第1チップ
11.5.1.2 第2チップ
11.5.2 第2例
11.5.3 第3例
11.6 作用・効果
12.移動体への応用例
一般的なDVSには、単位画素ごとにアドレスイベントの発火の有無を検出し、アドレスイベントの発火が検出された場合、このアドレスイベントが発火した単位画素から画素信号を読み出すという、いわゆるイベントドリブン型の駆動方式が採用されている。
まず、第1の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置の概略構成例を示すブロック図である。図1に示すように、撮像装置100は、例えば、撮像レンズ110、固体撮像装置200、記録部120及び制御部130を備える。撮像装置100としては、産業用ロボットに搭載されるカメラや、車載カメラなどが想定される。
つづいて、固体撮像装置200の構成例について、図面を参照して詳細に説明する。
図2は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の積層構造例を示す図である。図2に示すように、固体撮像装置200は、受光チップ201と検出チップ202とが上下に積層された構造を備える。受光チップ201は、例えば、光電変換素子が配列する第1チップ201aと、画素回路が配列する第2チップ201bとが貼り合わされた2層積層構造を備える。
図3は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の機能構成例を示すブロック図である。図3に示すように、固体撮像装置200は、駆動回路211と、信号処理部212と、アービタ213と、画素アレイ部300とを備える。
つづいて、単位画素310の構成例について説明する。図4は、第1の実施形態に係る単位画素の概略構成例を示す回路図である。図4に示すように、単位画素310は、例えば、受光部330と、アドレスイベント検出部400とを備える。なお、図4におけるロジック回路210は、例えば、図3における駆動回路211と、信号処理部212と、アービタ213とからなるロジック回路であってよい。
図5は、第1の実施形態に係るアドレスイベント検出部の概略構成例を示すブロック図である。図5に示すように、アドレスイベント検出部400は、図4にも示した電流電圧変換部410、減算器430と及び量子化器440に加え、バッファ420と、転送部450とを備える。
図5に示す構成における電流電圧変換部410は、例えば、図4に示すように、LGトランジスタ411と、増幅トランジスタ412と、定電流回路415とを備えた、所謂ソースフォロア型の電流電圧変換部であってよい。ただし、これに限定されず、例えば、図6に例示するような、2つのLGトランジスタ411及び413と、2つの増幅トランジスタ412及び414と、定電流回路415とを備えた、所謂ゲインブースト型の電流電圧変換器であってもよい。
図7は、第1の実施形態に係る減算器及び量子化器の概略構成例を示す回路図である。図7に示すように、減算器430は、コンデンサ431及び433と、インバータ432と、スイッチ434とを備える。また、量子化器440は、コンパレータ441を備える。
Qinit=C1×Vinit (1)
Qafter=C1×Vafter (2)
Q2=-C2×Vout (3)
Qinit=Qafter+Q2 (4)
Vout=-(C1/C2)×(Vafter-Vinit) (5)
以上で説明した構成において、図4に示すように、受光部330は、例えば、図2に示した受光チップ201における第1チップ201aに配置され、画素回路(アドレスイベント検出部400)の電流電圧変換部410におけるLGトランジスタ411及び増幅トランジスタ412は、例えば、図2に示した受光チップ201における第2チップ201bに配置される。また、他の構成(以下、他の回路構成の符号を‘510’とする)は、例えば、検出チップ202に配置される。なお、以下の説明では、明確化のため、第2チップ201bに配置される構成を上層画素回路500という。電流電圧変換部410がソースフォロア型の場合(図4参照)、上層画素回路500には、LGトランジスタ411と、増幅トランジスタ412とが含まれる。一方、ゲインブースト型の場合、上層画素回路500には、2つのLGトランジスタ411及び413と、2つの増幅トランジスタ412及び414が含まれる。
図8は、第1の実施形態に係る固体撮像装置の断面構造例を示す断面図である。なお、図8には、光の入射面(受光面)に対して垂直な面で固体撮像装置200を切断した場合の断面構造例が示されている。
つづいて、第1チップ201a及び第2チップ201bそれぞれのフロアマップについて、例を挙げて説明する。
図9は、本実施形態に係る第1チップのフロアマップ例を示す平面図である。図9に示すように、第1チップ201aには、受光部330の光電変換素子333が、2次元格子状に配列している。各光電変換素子333は、例えば、矩形の領域に形成されている。また、各光電変換素子333には、接続部501を構成するTSV501aに接続されるコンタクト層607が形成されている。
2.7.2.1 ソースフォロア型
図10は、電流電圧変換部410をソースフォロア型(図4参照)とした場合の第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。図10に示すように、第2チップ201bには、LGトランジスタ411と増幅トランジスタ412とからなる上層画素回路500が、2次元格子状に配列している。各上層画素回路500は、例えば、第1チップ201aに形成された光電変換素子333と同程度の領域内に形成されている。
図11は、電流電圧変換部410をゲインブースト型(図6参照)とした場合の第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。図11に示すように、第2チップ201bには、LGトランジスタ411及び413と増幅トランジスタ412及び414とからなる上層画素回路500が、2次元格子状に配列している。各上層画素回路500は、例えば、第1チップ201aに形成された光電変換素子333と同程度の領域内に形成されている。
以上のように、本実施形態によれば、受光部330の光電変換素子333と上層画素回路500とが層間絶縁膜608を隔てて電気的に分離された異なる半導体基板601及び611に配置されているため、光電変換素子333からの暗電流の上層画素回路500を構成する各トランジスタへの流れ込みを低減することが可能となる。それにより、DVSのノイズ特性の悪化を抑制することが可能となる。
次に、第2の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
DVSのノイズ特性は、上述したように、光電変換素子333から上層画素回路500への暗電流の流れ込みの他に、上層画素回路500を構成する各トランジスタのノイズ特性が悪化することでも悪化する。ここで、上層画素回路500を構成する各トランジスタにおける電流とノイズとの関係を、図12に示す。図12において、横軸は、トランジスタごとのドレイン電流であり、縦軸は、トランジスタごとのノイズ成分である。
トランジスタのトランスコンダクタンスgmを増加させる方法の1つとしては、上層画素回路500を形成する第2チップ201bの半導体基板611に、FDSOI基板を用いる方法が存在する。
また、トランジスタのサブスレッショルド領域における熱雑音SVgは、以下の式(9)で表すことができる。式(9)において、qは電荷素量、Sはサブスレッショルド係数、Vdはドレイン電圧である。
以上のように、本実施形態によれば、上層画素回路500を構成するトランジスタに、トランスコンダクタンスgmやサブスレッショルド係数Sが良好なトランジスタを用いることで、トランジスタの熱雑音を低減することが可能となる。その結果、DVSのノイズ特性を改善することが可能となる。
第3の実施形態では、本開示に係る固体撮像装置200の製造プロセスについて、例を挙げて説明する。なお、本実施形態では、第2チップ201bの半導体基板611に、第2の実施形態で例示したFDSOI基板701を用いた場合を例示するが、他の構成の固体撮像装置200に対しても同様に適用することが可能である。
図17~図28は、第3の実施形態に係る固体撮像装置の製造プロセスの一例を示す断面図である。本製造プロセスでは、まず、アクセプタが拡散されたp型の半導体基板601に対し、格子状の画素分離部604を形成することで、個々の光電変換素子333が形成される領域を区画する。
以上のように、本実施形態によれば、受光部330の光電変換素子333と上層画素回路500とが層間絶縁膜608を隔てて電気的に分離された異なる半導体基板601及びFDSOI基板701(半導体基板611でもよい)に配置された固体撮像装置200を製造することが可能となる。
第4の実施形態では、上述した実施形態に係る固体撮像装置200において、光電変換素子333とアドレスイベント検出部400との間に、オーバフローゲート(OFG)が設けられる。以下に、第4の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図29は、本実施形態に係る単位画素の概略構成例を示す回路図である。図29に示すように、本実施形態に係る単位画素310では、上述した実施形態における受光部330(図4等参照)が、図29に示す受光部730に置き換えられている。
図30は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面構造例を示す断面図である。なお、図30には、図8と同様、光の入射面(受光面)に対して垂直な面で固体撮像装置200を切断した場合の断面構造例が示されている。
また、本実施形態に係る第2チップ201bのフロアマップ例は、例えば、第1の実施形態において図10又は図11を用いて説明したフロアマップ例と同様であってよい。一方、第1チップ201aのフロアマップ例は、図31に示されるフロアマップ例に置き換えられる。
以上のように、本実施形態では、光電変換素子333とアドレスイベント検出部400との間に、光電変換素子333からの電荷の読出しを制御するOFGトランジスタ332が配置される。また、このOFGトランジスタ332は、光電変換素子333と同じ第1チップ201aに配置される。このような構成を備えることで、本実施形態によれば、必要なタイミングで光電変換素子333から電荷を読み出すことが可能となる。
次に、第5の実施形態に係る撮像装置及び固体撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
次に、第6の実施形態に係る撮像装置及び固体撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
上述した実施形態では、受光チップ201が第1チップ201aと第2チップ201bとの2層で構成され、これに検出チップ202を貼り合わせることで、3層積層構造の固体撮像装置200を構成していた(図2参照)。ただし、固体撮像装置200の積層数は、3層に限定されるものではない。例えば、図34に例示するように、2層構造の受光チップ201と検出チップ202とに加え、ロジックチップ203がさらに積層された4層積層構造とすることも可能である。
図35は、固体撮像装置を4層積層構造とした場合の単位画素の概略構成例を示す回路図である。図35に示すように、固体撮像装置200を4層積層構造とした場合、最下層(4層目)のロジックチップ203には、例えば、駆動回路211や信号処理部212やアービタ213などのロジック回路210を配置することができる。ただし、これに限定されず、ロジック回路210の一部(例えば、駆動回路211)を第2チップ201b又は検出チップ202に配置し、残りをロジックチップ203に配置したり、アドレスイベント検出部400の一部をロジックチップ203に配置したりなど、種々変形することが可能である。
次に、第7の実施形態に係る撮像装置及び固体撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図36は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面構造例を示す断面図である。図36に示すように、固体撮像装置200は、例えば、第4の実施形態において図30を用いて説明した固体撮像装置200と同様の断面構造において、第2チップ201bの配線層613に水素供給膜751が追加され、第1チップ201aと第2チップ201bとの間に水素拡散防止膜752が追加された構造を備える。なお、配線層613及び623と、層間絶縁膜612及び622とは、それぞれシリコン窒化膜で構成されているものとする。
次に、第8の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図37は、第8の実施形態に係る固体撮像装置の機能構成例を示すブロック図である。図37に示すように、固体撮像装置200は、図3に示す固体撮像装置200と同様の構成に加え、カラムADC220をさらに備える。
図38は、本実施形態に係るカラムADCの概略構成例を示すブロック図である。図38に示すように、カラムADC220は、単位画素810の列ごとに設けられた複数のADC230を備える。
つづいて、本実施形態に係る単位画素の構成例について説明する。図39は、本実施形態に係る単位画素の概略構成例を示す回路図である。図39に示すように、単位画素810は、例えば、図29に例示した単位画素310と同様の構成において、受光部730が受光部830に置き換えられるとともに、画素信号生成部320が追加された構成を備える。
つづいて、本実施形態に係る固体撮像装置800の動作について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、固体撮像装置800の動作の一例をタイミングチャートを用いて説明する。図40は、本実施形態に係る固体撮像装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
次に、固体撮像装置800の動作の一例をフローチャートを用いて説明する。図41は、本実施形態に係る固体撮像装置の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、アドレスイベントを検出するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。
図42は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面構造例を示す断面図である。なお、図42には、例えば、図30と同様、光の入射面(受光面)に対して垂直な面で固体撮像装置800を切断した場合の断面構造例が示されている。
つづいて、本実施形態に係る第1チップ201a及び第2チップ201bそれぞれのフロアマップについて、例を挙げて説明する。
図43は、本実施形態に係る第1チップのフロアマップ例を示す平面図である。図43に示すように、本実施形態に係る第1チップ201aのフロアマップ例では、図31に示したフロアマップ例と同様のレイアウトにおいて、光電変換素子333に対してOFGトランジスタ332のゲート3321及びコンタクト層607が配置された角と対角に位置する角に、転送トランジスタ331のゲート3311及びコンタクト層807が配置されている。
図44は、本実施形態に係る第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。なお、図44では、電流電圧変換部410をソースフォロア型(図4参照)とした場合を例示するが、これに限定されず、例えば、電流電圧変換部410をゲインブースト型(図6参照)とした場合でも、同様に適用することが可能である。
以上のように、アドレスイベントの発火を検出するためのアドレスイベント検出部400に加え、単位画素810から画素信号を読み出すための画素信号生成部320を備える場合でも、この画素信号生成部320を第2チップ201b又はそれよりも下層のチップに配置することで、光電変換素子333から画素信号生成部320を構成する各トランジスタへの暗電流の流れ込みを低減することが可能となる。それにより、DVSのノイズ特性の悪化を抑制することが可能となる。
次に、第9の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図47は、本実施形態に係る固体撮像装置の断面構造例を示す断面図である。なお、図47には、例えば、図42と同様、光の入射面(受光面)に対して垂直な面で固体撮像装置800を切断した場合の断面構造例が示されている。
以上のように、上層画素回路500を配置するチップ(例えば、第3チップ201c)を増やすことで、上層画素回路500を構成する各トランジスタに割り当てる面積を増加させることが可能となる。それにより、上層画素回路500を構成する各トランジスタに十分な面積を確保することが可能となるため、各トランジスタのノイズ特性の悪化を抑制して、DVSのノイズ特性の悪化をより抑制することが可能となる。
次に、第10の実施形態に係る固体撮像装置及び撮像装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図48は、本実施形態に係る画素アレイ部の概略構成例を示すブロック図である。上述したように、本実施形態において、複数の単位画素は、複数の画素ブロック1010にグループ化される。そこで、図48に示すように、本実施形態では、画素アレイ部300における複数の光電変換素子333が、複数の画素ブロック1010にグループ化される。画素ブロック1010それぞれは、I行×J列(I及びJは正の整数)に配列する複数の光電変換素子333を含む。したがって、各画素ブロック1010は、複数のI行×J列(I及びJは正の整数)に配列する複数の単位画素で構成される。
図48に示す構成において、画素ブロック1010は、例えば、色彩を再構成するために必要となる波長成分を受光する光電変換素子333の組合せで構成される。例えば、RGB三原色に基づいて色彩を再構成する場合では、赤(R)色の光を受光する光電変換素子333と、緑(G)色の光を受光する光電変換素子333と、青(B)色の光を受光する光電変換素子333との組合せで、1つの画素ブロック1010が構成される。
図49は、カラーフィルタ配列にベイヤー配列を採用した場合の画素ブロックの構成例を示す模式図である。図49に示すように、カラーフィルタ配列としてベイヤー配列を採用した場合、1つの画素ブロック1010Aは、ベイヤー配列における繰返しの単位である2×2画素の計4つの光電変換素子333よりなる基本パターン(以下、単位パターンともいう)で構成される。したがって、本例に係る各画素ブロック1010Aには、例えば、赤(R)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Rと、緑(Gr)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Grと、緑(Gb)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Gbと、青(B)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Bとが含まれる。
図50は、カラーフィルタ配列にX-Trans(登録商標)型配列を採用した場合の画素ブロックの構成例を示す模式図である。図50に示すように、本例では、1つの画素ブロック1010Bは、X-Trans(登録商標)型配列における繰返しの単位である3×3画素の計9つの光電変換素子333よりなる基本パターン(以下、これも単位パターンという)で構成される。したがって、本例に係る各画素ブロック1010Bには、例えば、単位パターンを形成する矩形領域の2つの対角線に沿って配置された緑(G)色のカラーフィルタを備える5つの光電変換素子333Gと、矩形領域の中心に位置する光電変換素子333Gを中心軸として点対称に配置された赤(R)色のカラーフィルタを備える2つの光電変換素子333Rと、同じく、矩形領域の中心に位置する光電変換素子333Gを中心軸として点対称に配置された青(B)色のカラーフィルタを備える2つの光電変換素子333Bとが含まれる。
図51は、カラーフィルタ配列にクアッドベイヤー配列を採用した場合の画素ブロックの構成例を示す模式図である。図51に示すように、カラーフィルタ配列としてベイヤー配列を採用した場合、1つの画素ブロック1010Cは、クアッドベイヤー配列における繰返しの単位である4×4画素の計16つの光電変換素子333よりなる基本パターン(以下、これも単位パターンという)で構成される。したがって、本例に係る各画素ブロック1010Cには、例えば、赤(R)色のカラーフィルタを備える2×2画素の計4つの光電変換素子333Rと、緑(Gr)色のカラーフィルタを備える2×2画素の計4つの光電変換素子333Grと、緑(Gb)色のカラーフィルタを備える2×2画素の計4つの光電変換素子333Gbと、青(B)色のカラーフィルタを備える2×2画素の計4つの光電変換素子333Bとが含まれる。
図52は、カラーフィルタ配列にホワイトRGB配列を採用した場合の画素ブロックの構成例を示す模式図である。図52に示すように、カラーフィルタ配列としてホワイトRGB配列を採用した場合、1つの画素ブロック1010Dは、ホワイトRGB配列における繰返しの単位である4×4画素の計16つの光電変換素子333よりなる基本パターン(以下、これも単位パターンという)で構成される。したがって、本例に係る各画素ブロック1010Dは、例えば、赤(R)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Rと、緑(G)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Gと、青(B)色のカラーフィルタを備える光電変換素子333Bとの間に、RGB三原色それぞれの波長成分を受光するホワイトRGBカラーフィルタを備えた光電変換素子333Wが配置された構成を備える。
つづいて、画素ブロック1010の構成例について説明する。図53は、第10の実施形態に係る画素ブロックの概略構成例を示す回路図である。図53に示すように、画素ブロック1010は、例えば、画素信号生成部320と、受光部1030と、アドレスイベント検出部400とを備える。なお、図53におけるロジック回路210は、例えば、図37における駆動回路211と、信号処理部212と、アービタ213とからなるロジック回路であってよい。
つづいて、本実施形態に係る固体撮像装置800の動作について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、固体撮像装置200の動作の一例をタイミングチャートを用いて説明する。図54は、本実施形態に係る固体撮像装置の動作の一例を示すタイミングチャートである。
次に、固体撮像装置800の動作の一例をフローチャートを用いて説明する。図55は、本実施形態に係る固体撮像装置の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、アドレスイベントを検出するための所定のアプリケーションが実行されたときに開始される。
つづいて、本実施形態に係る第1チップ201a及び第2チップ201bそれぞれのフロアマップについて、幾つか例を挙げて説明する。なお、以下の説明では、電流電圧変換部410をソースフォロア型(図4参照)とした場合を例示するが、これに限定されず、例えば、電流電圧変換部410をゲインブースト型(図6参照)とした場合でも、同様に適用することが可能である。
11.5.1.1 第1チップ
図56は、第1例に係る第1チップのフロアマップ例を示す平面図である。図56に示すように、第1チップ201aには、受光部1030が2次元格子状に配列している。各受光部1030では、画素ブロック1010を構成する複数の光電変換素子333がI行×J列に配列している。本例では、ベイヤー配列の単位パターンを構成する4つの光電変換素子333R、333Gr、333Gb及び333Bが2行×2列に配列している。
図57は、第1例に係る第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。図57に示すように、第2チップ201bには、第8の実施形態において図44を用いて説明した第2チップ201bと同様に、LGトランジスタ411と増幅トランジスタ412とからなる上層検出回路410Aと、リセットトランジスタ321と増幅トランジスタ322と選択トランジスタ323と浮遊拡散層324とからなる画素信号生成部320とを含む上層画素回路500が、2次元格子状に配列している。各上層画素回路500は、例えば、第1チップ201aに形成された光電変換素子333と同程度の領域内に形成されている。なお、上層検出回路410Aは、上述した実施形態における上層画素回路500と同様であってよい。
図58は、第2例に係る第1チップのフロアマップ例を示す平面図である。図59は、第2例に係る第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。
図60は、第3例に係る第1チップのフロアマップ例を示す平面図である。図61は、第3例に係る第2チップのフロアマップ例を示す平面図である。
以上で説明したように、本実施形態によれば、色彩を再構成するために必要となる波長成分を受光する複数(N個)の単位画素の集合(画素ブロック1010)をアドレスイベントの発火の有無を検出する単位(画素ブロック単位)とし、画素ブロック単位でアドレスイベントの発火が検出された場合には、画素ブロック単位で画素信号が読み出されるように構成されている。これにより、ある波長成分の単位画素でアドレスイベントが発火した際には、色彩の再構成に必要となる全ての波長成分の画素信号が同期して読み出されるため、正しい色彩を再構成することが可能となる。その結果、正しく色彩が再構成されたカラー画像を取得できるイベントドリブン型の固体撮像装置及び撮像装置を実現することが可能となる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
(1)
行列方向の2次元格子状に配列し、それぞれ受光量に応じた電荷を発生させる複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子に発生した電荷に基づく光電流を検出する検出部と、
を備え、
前記光電変換素子と前記検出部の少なくとも一部とは、異なるチップに配置される
固体撮像装置。
(2)
前記検出部は、ループ状のソースフォロア回路を含む電流電圧変換回路を備え、
前記光電変換素子は、第1チップに配置され、
前記ソースフォロア回路は、前記第1チップに接合された第2チップに配置される
前記(1)に記載の固体撮像装置。
(3)
前記検出部は、前記第2チップに配置される前記(2)に記載の固体撮像装置。
(4)
前記光電変換素子と前記検出部との間に配置された第1トランジスタをさらに備え、
前記第1トランジスタは、前記第1チップに配置される
前記(2)又は(3)に記載の固体撮像装置。
(5)
前記検出部に接続されたロジック回路をさらに備え、
前記ロジック回路は、前記第1及び第2チップとは異なる第3チップに配置される
前記(2)~(4)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(6)
前記光電変換素子からの電荷の読出しを制御する駆動回路をさらに備え、
前記駆動回路は、前記第2チップに配置される
前記(2)~(5)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(7)
前記光電変換素子で発生した電荷の電荷量に応じた電圧値の画素信号を生成する生成部をさらに備え、
前記生成部は、前記第2チップに配置される
前記(2)~(6)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(8)
前記光電変換素子で発生した電荷の電荷量に応じた電圧値の画素信号を生成する生成部をさらに備え、
前記生成部は、前記第1チップと前記第2チップとの間に接合された第4チップに配置される
前記(2)~(6)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(9)
前記光電変換素子と前記生成部との間に配置された第2トランジスタをさらに備え、
前記第2トランジスタは、前記第1チップに配置される
前記(7)又は(8)に記載の固体撮像装置。
(10)
前記複数の光電変換素子は、1つ以上の光電変換素子よりなる複数のグループに区分けされ、
前記検出部及び前記生成部は、前記複数のグループそれぞれに対して設けられている
前記(7)~(9)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(11)
前記複数のグループそれぞれは、入射光の色彩を再構成するために必要となる波長成分をそれぞれ受光する光電変換素子の組合せで構成されている前記(10)に記載の固体撮像装置。
(12)
前記検出部は、前記複数のグループのうちの第1のグループに接続され、
前記生成部は、前記複数のグループのうちの第2のグループに接続され、
前記第1のグループに属する少なくとも1つの光電変換素子は、前記第2のグループにも属する
前記(10)又は(11)に記載の固体撮像装置。
(13)
前記ソースフォロア回路は、
ソースが前記光電変換素子に接続された第3トランジスタと、
ゲートが前記光電変換素子に接続され、ドレインが前記第3トランジスタのゲートに接続された第4トランジスタと、
を含む前記(2)~(12)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(14)
前記ソースフォロア回路は、
ソースが前記第3トランジスタのドレインに接続された第5トランジスタと、
ソースが前記第3トランジスタのゲート及び前記第4トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第3トランジスタのドレイン及び前記第5トランジスタのソースに接続された第6トランジスタと、
をさらに含む前記(13)に記載の固体撮像装置。
(15)
前記第3及び第4トランジスタは、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタである前記(13)又は(14)に記載の固体撮像装置。
(16)
前記第3及び第4トランジスタは、バックバイアスを印加するための端子を備える前記(13)又は(14)に記載の固体撮像装置。
(17)
前記第2チップは、SOI(Silicon On Insulator)基板である前記(16)に記載の固体撮像装置。
(18)
前記第3及び第4トランジスタは、トンネルFET(Field effect transistor)又はFinFETである前記(13)又は(14)に記載の固体撮像装置。
(19)
前記第2チップに設けられ、前記第2チップへ水素原子を供給する水素供給膜と、
前記第1チップと前記第2チップとの間に介在し、前記第2チップから前記光電変換素子への水素原子の拡散を防止する拡散防止膜と、
をさらに備える前記(2)~(18)の何れか1項に記載の固体撮像装置。
(20)
固体撮像装置と、
入射光を前記固体撮像装置の受光面に結像する光学系と、
前記固体撮像装置を制御する制御部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
行列方向の2次元格子状に配列し、それぞれ受光量に応じた電荷を発生させる複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子に発生した電荷に基づく光電流を検出する検出部と、
を備え、
前記光電変換素子と前記検出部の少なくとも一部とは、異なるチップに配置される
撮像装置。
110 撮像レンズ
120 記録部
130 制御部
139、209 信号線
200 固体撮像装置
201 受光チップ
201a 第1チップ
201b 第2チップ
201c 第3チップ
202 検出チップ
203 ロジックチップ
210 ロジック回路
211 駆動回路
212 信号処理部
213 アービタ
220 カラムADC
230 ADC
300 画素アレイ部
310 単位画素
320 画素信号生成部
321 リセットトランジスタ
322 増幅トランジスタ
323 選択トランジスタ
324 浮遊拡散層
325、326、327、328、416、417、418、419、4171、4191 拡散領域
3211、3221、3231、3311、3321、4111、4121、4131、4141 ゲート
330、730、830、1030 受光部
331、331B、331Gb、331Gr、331R 転送トランジスタ
332 OFGトランジスタ
333、333B、333G、333Gb、333Gr、333R、333W 光電変換素子
334 ノード
400 アドレスイベント検出部
410 電流電圧変換部
410A 上層検出回路
411、413 LGトランジスタ
412、414 増幅トランジスタ
415 定電流回路
420 バッファ
430 減算器
431、433 コンデンサ
432 インバータ
434 スイッチ
440 量子化器
441 コンパレータ
450 転送部
500 上層画素回路
501、502、801 接続部
501a、501b、501c、736、801a、801b、801c TSV
501d、737、801d、3241 配線
510 回路構成
511 回路素子
601、611、621 半導体基板
602 オンチップレンズ
603 平坦化膜
604 画素分離部
605 p型半導体領域
606、3312、3322 n型半導体領域
607、734、807 コンタクト層
608、612、622 層間絶縁膜
610、620 接合面
613、623 配線層
619、629 Cuパッド
700 トランジスタ
701 FDSOI基板
701A SOI基板
702 シリコン薄膜
702A シリコン層
703 埋込み酸化膜
704 支持基板
705 ゲート
706 ゲート絶縁膜
706A、731 シリコン酸化膜
707 ソース
708 ドレイン
710 トンネルFET
720 FinFET
732 素子分離絶縁膜
733 トレンチ
751 水素供給膜
752 水素拡散防止膜
1010、1010A、1010B、1010C、1010D 画素ブロック
VSL 垂直信号線
Claims (14)
- 行列方向の2次元格子状に配列し、それぞれ受光量に応じた電荷を発生させる複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子に発生した電荷に基づく光電流を検出する検出部と、
前記光電変換素子で発生した電荷の電荷量に応じた電圧値の画素信号を生成する生成部と、
を備え、
前記検出部は、ループ状のソースフォロア回路を含む電流電圧変換回路を有し、
前記光電変換素子は、第1チップに配置され、
前記ソースフォロア回路は、前記第1チップに接合された第2チップに配置され、
前記生成部は、前記第2チップに配置され、
前記複数の光電変換素子は、1つ以上の光電変換素子よりなる複数のグループに区分けされ、
前記複数のグループそれぞれは、入射光の色彩を再構成するために必要となる波長成分をそれぞれ受光する光電変換素子の組合せで構成されており、
前記検出部は、前記複数のグループのうちの第1のグループに接続され、
前記生成部は、前記複数のグループのうちの第2のグループに接続され、
少なくとも1つの光電変換素子は、前記第1及び第2のグループに属し、
前記生成部は、前記検出部が前記第1のグループの前記複数の光電変換素子から前記光電流を検出した場合に、前記第2のグループの前記複数の光電変換素子から前記画素信号を読み出すように、構成されている、
固体撮像装置。 - 前記検出部は、前記第2チップに配置される請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換素子と前記検出部との間に配置された第1トランジスタをさらに備え、
前記第1トランジスタは、前記第1チップに配置される、
請求項1又は2に記載の固体撮像装置。 - 前記検出部に接続されたロジック回路をさらに備え、
前記ロジック回路は、前記第1及び第2チップとは異なる第3チップに配置される、
請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子からの電荷の読出しを制御する駆動回路をさらに備え、
前記駆動回路は、前記第2チップに配置される、
請求項1~4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換素子と前記生成部との間に配置された第2トランジスタをさらに備え、
前記第2トランジスタは、前記第1チップに配置される、
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記ソースフォロア回路は、
ソースが前記光電変換素子に接続された第3トランジスタと、
ゲートが前記光電変換素子に接続され、ドレインが前記第3トランジスタのゲートに接続された第4トランジスタと、
を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記ソースフォロア回路は、
ソースが前記第3トランジスタのドレインに接続された第5トランジスタと、
ソースが前記第3トランジスタのゲート及び前記第4トランジスタのドレインに接続され、ゲートが前記第3トランジスタのドレイン及び前記第5トランジスタのソースに接続された第6トランジスタと、
をさらに含む、請求項7に記載の固体撮像装置。 - 前記第3及び第4トランジスタは、MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタである、請求項7又は8に記載の固体撮像装置。
- 前記第3及び第4トランジスタは、バックバイアスを印加するための端子を備える、請求項7又は8に記載の固体撮像装置。
- 前記第2チップは、SOI(Silicon On Insulator)基板である、請求項10に記載の固体撮像装置。
- 前記第3及び第4トランジスタは、トンネルFET(Field effect transistor)又はFinFETである、請求項7又は8に記載の固体撮像装置。
- 前記第2チップに設けられ、前記第2チップへ水素原子を供給する水素供給膜と、
前記第1チップと前記第2チップとの間に介在し、前記第2チップから前記光電変換素子への水素原子の拡散を防止する拡散防止膜と、
をさらに備える、請求項1~12のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 固体撮像装置と、
入射光を前記固体撮像装置の受光面に結像する光学系と、
前記固体撮像装置を制御する制御部と、
を備え、
前記固体撮像装置は、
行列方向の2次元格子状に配列し、それぞれ受光量に応じた電荷を発生させる複数の光電変換素子と、
前記複数の光電変換素子に発生した電荷に基づく光電流を検出する検出部と、
前記光電変換素子で発生した電荷の電荷量に応じた電圧値の画素信号を生成する生成部と、
を備え、
前記検出部は、ループ状のソースフォロア回路を含む電流電圧変換回路を有し、
前記光電変換素子は、第1チップに配置され、
前記ソースフォロア回路は、前記第1チップに接合された第2チップに配置され、
前記生成部は、前記第2チップに配置され、
前記複数の光電変換素子は、1つ以上の光電変換素子よりなる複数のグループに区分けされ、
前記複数のグループそれぞれは、入射光の色彩を再構成するために必要となる波長成分をそれぞれ受光する光電変換素子の組合せで構成されており、
前記検出部は、前記複数のグループのうちの第1のグループに接続され、
前記生成部は、前記複数のグループのうちの第2のグループに接続され、
少なくとも1つの光電変換素子は、前記第1及び第2のグループに属し、
前記生成部は、前記検出部が前記第1のグループの前記複数の光電変換素子から前記光電流を検出した場合に、前記第2のグループの前記複数の光電変換素子から前記画素信号を読み出すように、構成されている、
撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018216048 | 2018-11-16 | ||
JP2018216048 | 2018-11-16 | ||
PCT/JP2019/043356 WO2020100663A1 (ja) | 2018-11-16 | 2019-11-06 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020100663A1 JPWO2020100663A1 (ja) | 2021-09-30 |
JP7509691B2 true JP7509691B2 (ja) | 2024-07-02 |
Family
ID=70731507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020556093A Active JP7509691B2 (ja) | 2018-11-16 | 2019-11-06 | 固体撮像装置及び撮像装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11810932B2 (ja) |
EP (1) | EP3882972A4 (ja) |
JP (1) | JP7509691B2 (ja) |
KR (1) | KR20210092733A (ja) |
CN (1) | CN112970116A (ja) |
DE (1) | DE112019005735T5 (ja) |
TW (2) | TWI826572B (ja) |
WO (1) | WO2020100663A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023085573A (ja) * | 2020-04-10 | 2023-06-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び撮像方法 |
JP2022152636A (ja) * | 2021-03-29 | 2022-10-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の制御方法 |
WO2024034352A1 (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出素子、電子機器、及び、光検出素子の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103533234A (zh) | 2012-07-05 | 2014-01-22 | 三星电子株式会社 | 图像传感器芯片、操作方法和包括图像传感器芯片的*** |
US20150319369A1 (en) | 2012-12-11 | 2015-11-05 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Method and device for detecting the temporal variation of the light intensity in a matrix of photosensors |
WO2017104438A1 (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
CN108574793A (zh) | 2017-03-08 | 2018-09-25 | 三星电子株式会社 | 被配置为重新生成时间戳的图像处理设备及包括其在内的电子设备 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9257468B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-02-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading medium that accumulates an amplified signal without digitization |
US8773562B1 (en) | 2013-01-31 | 2014-07-08 | Apple Inc. | Vertically stacked image sensor |
KR102065633B1 (ko) * | 2013-08-12 | 2020-01-13 | 삼성전자 주식회사 | 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 시스템 |
US9967479B2 (en) | 2013-09-16 | 2018-05-08 | Chronocam | Dynamic, single photodiode pixel circuit and operating method thereof |
JPWO2017013806A1 (ja) * | 2015-07-23 | 2018-05-10 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR102144646B1 (ko) * | 2016-05-31 | 2020-08-13 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 촬상 방법, 카메라 모듈, 및 전자 기기 |
KR102605618B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2023-11-23 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 패키지 |
TW202408216A (zh) * | 2018-01-23 | 2024-02-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 光檢測裝置 |
CN108827461B (zh) | 2018-04-25 | 2019-05-03 | 上海芯仑光电科技有限公司 | 像素采集电路及光流传感器 |
-
2019
- 2019-11-06 DE DE112019005735.9T patent/DE112019005735T5/de active Pending
- 2019-11-06 KR KR1020217014089A patent/KR20210092733A/ko active Search and Examination
- 2019-11-06 WO PCT/JP2019/043356 patent/WO2020100663A1/ja unknown
- 2019-11-06 JP JP2020556093A patent/JP7509691B2/ja active Active
- 2019-11-06 EP EP19883764.3A patent/EP3882972A4/en active Pending
- 2019-11-06 CN CN201980073566.8A patent/CN112970116A/zh active Pending
- 2019-11-07 TW TW108140425A patent/TWI826572B/zh active
- 2019-11-07 TW TW112145548A patent/TW202414809A/zh unknown
-
2022
- 2022-11-16 US US17/988,306 patent/US11810932B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103533234A (zh) | 2012-07-05 | 2014-01-22 | 三星电子株式会社 | 图像传感器芯片、操作方法和包括图像传感器芯片的*** |
US20150319369A1 (en) | 2012-12-11 | 2015-11-05 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas (Csic) | Method and device for detecting the temporal variation of the light intensity in a matrix of photosensors |
WO2017104438A1 (ja) | 2015-12-16 | 2017-06-22 | ソニー株式会社 | 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
CN108574793A (zh) | 2017-03-08 | 2018-09-25 | 三星电子株式会社 | 被配置为重新生成时间戳的图像处理设备及包括其在内的电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202038458A (zh) | 2020-10-16 |
EP3882972A1 (en) | 2021-09-22 |
DE112019005735T5 (de) | 2021-08-19 |
TW202414809A (zh) | 2024-04-01 |
US11810932B2 (en) | 2023-11-07 |
US20230140880A1 (en) | 2023-05-11 |
WO2020100663A1 (ja) | 2020-05-22 |
JPWO2020100663A1 (ja) | 2021-09-30 |
CN112970116A (zh) | 2021-06-15 |
TWI826572B (zh) | 2023-12-21 |
EP3882972A4 (en) | 2022-04-20 |
KR20210092733A (ko) | 2021-07-26 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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