JP7507301B2 - 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法 - Google Patents

基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7507301B2
JP7507301B2 JP2023192705A JP2023192705A JP7507301B2 JP 7507301 B2 JP7507301 B2 JP 7507301B2 JP 2023192705 A JP2023192705 A JP 2023192705A JP 2023192705 A JP2023192705 A JP 2023192705A JP 7507301 B2 JP7507301 B2 JP 7507301B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thermal treatment
processing
treatment chamber
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023192705A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2024028699A (ja
Inventor
マシュー スピューラー，
トンミン イウ，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2024028699A publication Critical patent/JP2024028699A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7507301B2 publication Critical patent/JP7507301B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45557—Pulsed pressure or control pressure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/02—Devices for withdrawing samples
    • G01N1/22—Devices for withdrawing samples in the gaseous state
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/0047—Organic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02115—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material being carbon, e.g. alpha-C, diamond or hydrogen doped carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Description

本開示の実施形態は、概して、半導体素子を製造するための装置及び方法に関する。より詳細には、本開示は、基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法に関する。
特定の熱プロセスにおいて、熱処理されている基板から、材料がガスとなって放出されうる。一般に、ガスとなって放出された材料は、熱処理チャンバの処理空間から周期的に排出される。しかしながら、ガスとなって放出された材料は、基板上に堆積する可能性があり、最終的に基板上に形成されるマイクロ電子デバイスの故障を招きうる。故障の防止においては、典型的に、エンドオブライン（ｅｎｄ－ｏｆ－ｌｉｎｅ）のデバイスの性能及び歩留まりに依拠して、将来の実験のためにガス放出の頻度を決定又は調整する。エンドオブラインの性能への依拠により、最適に処理するために製造中に動作パラメータを調整することに関する情報は提供されない。したがって、製造中に基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法が必要とされている。
一実施形態において、処理空間を画定する熱処理チャンバと、熱処理チャンバに接続されたガスラインと、排気導管によって熱処理チャンバに接続された排気ポンプと、排気導管に接続された排気流コントローラと、排気導管に接続されたサンプリングラインと、を備えた、基板処理装置が提供される。サンプリングラインが、有機化合物センサ及びサンプリング流量制御弁を含む。有機化合物センサが、制御モジュールと通信可能である。
他の実施形態において、動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内で基板を処理することを含む、基板を処理する方法が提供される。センサデータが、有機化合物センサを使用して、熱処理チャンバの排出物のセンサ読み取り値から収集されうる。排出物の少なくとも１つの特性が、センサデータに基づいて決定されうる。
他の実施形態において、システムのメモリに格納されたアルゴリズムであって、アルゴリズムが、複数の命令を含み、命令が、プロセッサによって実行されると、
動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内で基板を処理することと、
有機化合物センサを使用して熱処理チャンバの排出物のセンサ読み取り値からセンサデータを生成することと、
センサデータに基づいて排出物の少なくとも１つの特性を決定することと、
を含む方法を引き起こす、アルゴリズムが提供される。
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約されている本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、それらの実施形態の一部が添付図面に示される。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付の図面が本開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって本開示の範囲を限定すると見做すべきでないことに注意されたい。
本開示の特定の態様に係る、有機化合物センサを有する例示的な熱処理装置を概略的に示す。 本開示の特定の態様に係る、基板のガス放出を管理するための例示的なシステムのブロック図である。 本開示の特定の態様に係る、ベースラインのセンサ情報を更新することにより基板のガス放出を管理するための例示的なシステムのブロック図である。 本開示の特定の態様に係る、１つの有機化合物センサを有する例示的なデュアル熱処理装置を概略的に示す。 本開示の特定の態様に係る、２つの有機化合物センサを有する例示的なデュアル熱処理装置を概略的に示す。
理解が容易になるよう、可能な場合には、各図に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号を使用した。一実施形態の構成要素及び特徴は、さらなる記載がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれうると想定されている。
半導体基板の熱処理は一般的に、様々な目的の半導体製造において利用されている。様々な種類の熱処理には、急速熱処理、レーザ処理、均熱処理（ｓｏａｋ ａｎｎｅａｌｉｎｇ）が含まれうる。熱処理中に利用される温度が、基板及びその上に堆積する材料の様々な特性を変えうる。例えば、ドーパントの拡散、結晶材料の変形、及び表面変形は、熱処理によって実現されうる処理の種類の一部にすぎない。
基板の熱処理から生じるデバイス欠陥を監視するための従来のアプローチは、典型的に、エンドオブラインのデバイスの性能及び歩留まりに依存している。より高いレベルの欠陥性は、基板メトロロジにおける粒子測定によって検出可能でありうる。処理の終了時に欠陥のレベルを検出すると、基板及び後続の基板上の欠陥を軽減するために行われるインプロセス（ｉｎ－ｐｒｏｃｅｓｓ）調整が可能ではない。このような従来のアプローチとは対照的に、本発明者らは、チャンバに組み込まれたセンサの使用によって、エンドオブライン欠陥性測定を使用せずに、熱処理中に有機化合物のガス放出のリアルタイムフィードバックが提供されることを見出した。さらに、センサからのこのようなリアルタイムフィードバックの使用によって、プロセスの設計及び制御を可能とすることができる。特に、プロセス設計は、プロセスにおける各段階についての動作パラメータを含み、当該動作パラメータのそれぞれが、いくつかの異なる方法を使用して決定された特性に基づいて調整されうる。動作パラメータには、とりわけ、ガス種、ガス流量、時間、圧力、温度、プラズマ有り（ｐｌａｓｍａ ｏｎ）又はプラズマ無し（ｐｌａｓｍａ ｏｆｆ）、ランプレート、基板の位置のうちの１つ以上が含まれる。本発明者らはさらに、スループットが高く、欠陥性が低く、再現性が高い、アニールチャンバといった熱処理チャンバの動作が、センサによって可能となることを見出した。いくつかの実施形態において、動作パラメータは、センサ読み取り値に基づいて、或る特性の所定のセンサ読み取り値をサンプル読み取り値が下回るまで動作パラメータを調整することによって、調整される。
他の実施例と組み合わせることが可能な一実施例において、センサが、入口サンプリングラインを使用してチャンバからの排気をサンプリングする。他の実施形態と組み合わせることが可能な少なくとも１つの実施形態において、センサは、信号又はセンサデータを制御モジュールに送信する電力及び電気接続部と共に、ハウジング内に含まれている。同実施形態及び他の実施形態において、様々な動作パラメータ及びプロセスの制御を可能にするために、信号がシステムによって処理され、使用される。また、動作パラメータをより良く理解するために後処理に使用可能な情報を開発するために、信号が収集され、使用されうる。センサデータは、プロセスの後に評価されるが、センサデータは、エンドオブライン欠陥率測定値よりも包括的である。というのは、センサデータが、将来の処理後に改良するための、プロセス全体にわたる洞察力を提供するからである。これとは対照的に、エンドオフライン測定値は、単に、最終的なデバイス上に欠陥が存在するという情報を提供するに過ぎない。
本開示の特定の態様が、熱処理中の基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法を提供する。いくつかの実施形態において、本明細書に記載の装置は、処理空間を画定する熱処理チャンバを含み、熱処理チャンバは、処理空間にガスを伝達するために熱処理チャンバに接続されたガスラインを有する。熱処理チャンバはまた、排気導管によって熱処理チャンバに接続された排気ポンプと、排気導管に接続されたサンプリングラインと、を含む。サンプリングラインは、制御モジュールに通信可能に接続された有機化合物センサ及びサンプリング流量制御弁を含む。
図１は、本開示の特定の態様に係る例示的な熱処理装置１００を概略的に示している。熱処理装置１００は、ガス源１０２と、排気ポンプ１１４と、有機化合物センサ１２０と、を備える。熱処理装置１００は、処理空間１０８を画定する熱処理チャンバ１２８（アニールチャンバなど）を含む。側壁１３２及び天井１３０が、高い処理温度に耐えるのに適した材料から形成される。幾つかの実施形態において、熱処理チャンバ１２８が、ステンレス鋼、アルミニウム、及び／又は他の適切な金属材料から形成されうる。
処理空間１０８は、その中に配置された基板に対して、約７００oＣ～約１２００oＣ、例えば約８５０oＣ～約１１００oＣなどの約４００oＣを超える温度に基板を加熱することによって熱処理を行うよう構成されている。基板支持体１２６が、処理空間１０８内に配置されており、熱処理中に基板を、真空チャック又は静電チャックといった様々な方法によって、その上に保持するよう構成されている。基板はまた、リング又はピンといった様々な他の装置によって、及び／又は他の方法によって、基板支持体１２６上に配置され及び／又は基板支持体１２６上で保持されうる。基板支持体１２６はまた、その上に配置された基板の加熱を促進するために、コイルといった抵抗加熱装置を含みうる。ランプからの電磁エネルギーといった他の加熱方法を、抵抗加熱装置と組み合わせて又は抵抗加熱装置の代わりに使用して、基板を加熱することが可能である。
ガスライン１０７は、任意の適切な形状の導管であり、石英材料、セラミック材料、及び／又は金属材料から形成されうる。ガスライン１０７への損傷、ガスライン１０７のエッチング、又はガスライン１０７上の堆積を低減又は防止するために、ガスライン１０７の表面に様々な材料でコーティングすることも可能である。
ガス源１０２が、ガスライン１０７を介して１つ以上のプロセスガスを熱処理チャンバ１２８に供給する。ガス源１０２は、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、及び、三フッ化窒素などのフッ素含有ガスといったプロセスガスを伝達する。プロセスガスは、個別に又は組み合わせて、及び／又は、順次又は同時に、熱処理チャンバ１２８に伝達されうる。ガス制御弁１０４がガスライン１０７に接続されており、ガスライン１０７を介したガス源１０２から熱処理チャンバ１２８へのガス流を制御する。いくつかの実施形態において、２つ以上のガス源（例えば、１０２）が、処理空間１０８と流体連結していてよい。
稼働中に、材料が、熱処理された基板からガスとして放出され、ガスとして放出された材料が、熱処理チャンバ１２８（例えば、側壁１３２、天井１３０）、構成要素の表面上に堆積し、蓄積し、及び／又は基板上に残留物を形成しうる。堆積物が熱処理チャンバ１２８、構成要素の表面上に蓄積するのを防止するために、及び／又は堆積物を除去するために、熱処理チャンバ１２８は、ガス源からのガスによってパージされうる。
熱処理された基板からガスとして放出された材料、並びに、ガスを介して熱処理チャンバ１２８の表面から除去された材料が、処理空間１０８から排気導管１０９を通過して、排気ポンプ１１４によって排出される。排気ポンプ１１４は、ターボポンプとすることができ、排気ポンプは、処理空間１０８内に減圧環境を作り出すことが可能であり（又は、減圧環境を作り出すよう構成可能であり）、処理空間１０８からガス及び他の材料を除去することが可能である。
基板は、熱処理されたときに揮発性有機化合物を生成する材料を含みうる。いくつかの実施形態において、基板は、スピンオンカーボン（ｓｐｉｎ－ｏｎ－ｃａｒｂｏｎ）膜、フォトレジスト膜、スピンオン誘電体、スピンオンハードマスク、及びスピンオン反射防止コーティングといった膜を含みうる。上記膜は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、トルエン、及びこれらの組み合わせといった流延溶媒を含みうる。スピンオンカーボン膜は、熱処理されたときにナフタレン及び酢酸エチルといった化合物を生成しうる異なる組成から構成されうる。
ガス、任意のプラズマ、揮発性化合物、及び他の材料（総称として「排出物」）が、排気導管１０９に接続された排出物流量制御弁１１２を使用して処理空間の排出物の排出物流量を制御することによって、処理空間１０８から除去される。排出物流量制御弁１１２は、熱処理チャンバ１２８に接続された任意の圧力センサ１０３及び／又は排気導管１０９を使用することによって、熱処理チャンバ１２８からの排出物の流量を制御する。制御モジュール１１６が、任意の圧力センサ１０３からの信号を監視し、排出物流量制御弁１１２を操作して、熱処理チャンバ１２８の圧力及び熱処理チャンバ１２８から出た排出物の流量を管理する。制御モジュール１１６は、動作パラメータを制御するために使用される中央処理装置（ＣＰＵ）１４４、メモリ１４０、及び補助回路１４２を含む。ＣＰＵ１４４は、工業環境で使用することが可能な汎用コンピュータプロセッサの任意の形態でありうる。ソフトウェアルーチンが、メモリ１４０（例えば、遠隔ストレージシステム、ランダムアクセスメモリ、読出専用メモリ、フロッピー、又はハードディスクドライブなど）に、又は他の形態によるデジタルストレージに格納されている。補助回路１４２が、任意の構成を用いてＣＰＵ１４４に接続されておりキャッシュ、クロック回路、入力／出力システム、電源等を含む。制御モジュール１１６と、熱処理チャンバ１２８の様々な構成要素（例えば、コントローラ、センサ、及び弁）と、の間の双方向通信が、図１に破線で描かれた信号バスとして総称される、数多くの信号ケーブルを介して、無線信号によって、又はこれらの組み合わせによって処理される（図４及び図５も参照）。
熱処理装置１００は、排気導管に接続された排気遮断弁１１０を含む。排気遮断弁１１０は、熱処理チャンバ１２８がガス放出しているときには開放位置にあることができ、熱処理チャンバ１２８がガス放出していないときには閉止位置にあることができる。排気遮断弁１１０は、手動で操作することができ、又は制御モジュール１１６を介するなどして遠隔で操作することができる。いくつかの実施形態において、排気遮断弁１１０は、熱処理チャンバ１２８がパージされているときには開放位置にあることができ、排気遮断弁１１０は、ガスが充填されるときには、熱処理チャンバ１２８内の圧力を上げるために、閉止位置にあることができる。
熱処理装置１００は、排気導管１０９に接続可能なサンプリングライン１１３を含むことができ、サンプリングライン１１３は、有機化合物センサ１２０及びサンプリング流量制御弁１２２を含みうる。サンプリングラインは、排気導管１０９の第１の位置に結合された第１のライン端１１１と、排気導管１０９の第２の位置に結合された第２のライン端１１５と、を有しうる。サンプリングライン１１３は、第１のサンプリング遮断弁１１８と、第２のサンプリング遮断弁１２４と、を含みうる。いくつかの実施形態において、第１サンプリング遮断弁１１８及び第２のサンプリング遮断弁１２４は、三方弁とすることができる。例えば、第１のサンプリング遮断弁１１８は、第１のライン端１１１と排気導管１０９との合流点に接続された三方弁であってもよく、第２のサンプリング遮断弁１２４は、第２のライン端１１５と排気導管１０９との合流点に接続された三方弁であってよい。いくつかの実施形態において、第１のサンプリング遮断弁１１８及び第２のサンプリング遮断弁１２４は、サンプルライン１１３に接続された二方弁とすることができる。有機化合物センサ１２０及びサンプリング流量制御弁１２２は、２つのサンプリング遮断弁１１８、１２４の間の位置に、サンプリングライン１１３に沿って配置されうる。稼働時に、サンプリング遮断弁１１８、１２４は、サンプリング中及び有機化合物の監視中には開放位置にあることができ、有機化合物が監視されていないときには閉止位置にあることができる。サンプリング遮断弁１１８、１２４は、手動で操作することができ、又は制御モジュール１１６を介するなどして、遠隔で操作することができる。いくつかの実施形態において、サンプリング中に、排気遮断弁１１０は閉止位置にあることができ、サンプリング遮断弁は開放位置にあることができる。例えば、サンプリングは、排気遮断弁１１０が閉止位置にあるとき及び／又は排気遮断弁１１０が開放位置にあるときといった、アニーリングプロセスの任意の段階に行われうる。有機化合物のサンプリングは、基板の全ての処理の間継続していてよい。
サンプリング流量制御弁１２２及び有機化合物センサ１２０は、制御モジュール１１６に通信可能に接続されうる。制御モジュール１１６は、有機化合物センサ１２０からの信号を監視し、サンプリング流量制御弁１２２を操作して、有機化合物センサ１２０を横切る排出物の流れを管理することが可能である。例えば、サンプリング流量制御弁１２２は、有機化合物センサ１２０へのサンプリングライン１１３内の排出物の流量を調整することによって、有機化合物センサの飽和を防止することが可能である。有機化合物センサ１２０は、熱処理チャンバ１２８内で形成された揮発性有機化合物を検出することが可能である。有機化合物センサは、光イオン化検出器（ＰＩＤ：ｐｈｏｔｏｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）、残留ガス分析器（ＲＧＡ：ｒｅｓｉｄｕａｌ ｇａｓ ａｎａｌｙｚｅｒ）、及び非分散赤外線センサ（ＮＤＩＲ：ｎｏｎ－ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｓｅｎｓｏｒ）からなる群から選択されたセンサでありうる。例えば、有機化合物センサがＰＩＤでありうる。例えば、ＰＩＤのランプが、約１０．０ｅＶから約１０．６ｅＶ、例えば１０．０ｅＶ又は１０．５ｅＶのイオン化電位（ｅＶ）を有しうる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載のシステム、プロセス、及び方法に従って検出されうる排出物中に存在する有機化合物は、アセトン、アルシン、ブタジエン、ベンゼン、クメン、ジメトキシメタン、エチルメルカプタン、硫化水素、メシチルオキシド、メチルエチルケトン、メチルメルカプタン、一酸化窒素、ホスフィン、スチレン、トルエン、塩化ビニル、ナフタレン、酢酸エチル、及びこれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、本明細書に記載のシステム、プロセス、及び方法に従って検出されうる排出物中に存在する有機化合物は、約８．０ｅＶ～約１０．５ｅＶ、例えば約８．１ｅＶ、又は約１０．１ｅＶのイオン化電位を有する。
本開示のいくつかの態様において、有機化合物センサが、装置と容易に一体化されるような大きさに設定される。いくつかの実施形態において、有機化合物センサが、約１０ｍｍ～約５０ｍｍ、例えば約１０ｍｍ～約２０ｍｍ、例えば約１７．６ｍｍの高さを有しうる。いくつかの実施形態において、有機化合物センサが、約１０ｍｍ～約５０ｍｍ、例えば約１０ｍｍ～約３０ｍｍ、例えば約２０．４ｍｍの直径を有しうる。いくつかの実施形態において、有機化合物センサが、約３０グラム未満、例えば約２０グラム未満、例えば約１０グラム未満、例えば約８グラム未満、例えば約５～約９グラム、例えば約８グラムの重量を有しうる。有機化合物が存在することを検出するために、数多くの装置及び方法が利用可能である。これらの装置は大型で高価である可能性があり、アニーリングシステムといったシステムには容易に組み込まれない。有機化合物センサをシステムに組み込むことで、その情報を使用して処理中に動作パラメータを調整することが可能となる。例えば、センサが無いと、チャンバ（例えば、１２８）は正常には排気されず、有機化合物が、検出されずにチャンバ内に蓄積する。また、チャンバが排気されるが、有機化合物を除去するのに十分なほどには排気されないということも想定される。センサなしでチャンバを排気するということでは、どれくらいの有機化合物がチャンバ内に蓄積しているのかも分からず、定期的な間隔でチャンバを排気することに依拠しているというには不十分である。チャンバが頻繁に排気され過ぎると、プロセス全体の効率が低下し、損失が生じる可能性がある。しかしながら、チャンバが十分に頻繁に排気されない場合には、品質面の問題が、結果的に、基板製品が製造されて欠陥があることが分かるまではしばしば気付かれない最終的な基板製品を生じさせる可能性がある。有機化合物を検出することが知られている利用可能な検出器は、質量によって強度を測定する能力を有することができ、特定の種の存在を、存在する各種の量といった追加的な組成の詳細事項と共に特定することが可能である。本発明者らは、しばしば大型で高価である上記検出器は、本開示で提供されるシステムの目的のためには必要ではないことを発見した。特に、揮発性有機化合物の全体濃度を検出することが可能な簡素で小型のセンサが、処理チャンバのガス放出の頻度等の動作パラメータを調整するために使用される適切なセンサデータを提供することが可能である。さらに、センサ又は検出器を使用して有機化合物を管理する能力は、酸素センサといった、有機化合物を検出しない他の組成センサを使用しては可能にされない。例えば、有機化合物を検出できない他の組成センサは、漏れについてチャンバを監視するといった他の目的のために、チャンバ内で使用することが可能であるが、本明細書で開示されるような動作パラメータを制御するためには有用ではない。
図２は、本開示の特定の態様に係る、基板のガス放出を管理するための例示的なシステムのブロックフロー図である。システムは、様々な動作２００を含みうる。これらの動作２００は、
動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内の基板を処理すること（２０２）、
有機化合物センサを使用して熱処理チャンバの排出物のセンサ読み取り値からセンサデータを生成すること（２０４）、
センサデータに基づいて排出物の少なくとも１つの特性を決定すること（２０６）、
及び／又は（任意選択的に）
少なくとも１つの特性に基づいて、基板を処理するための動作パラメータを調整すること（２０８）
のうちの１つ以上を含むことができる。
熱処理チャンバ１２８内で基板を処理することは、アニーリング時間、アニーリング温度、処理空間１０８に導入されるガス及び任意のプラズマの種類、処理空間１０８に導入されるガス及び任意のプラズマの流量及び量、熱処理チャンバ１２８から出た排出物の流量、熱処理チャンバ１２８の温度、熱処理チャンバ１２８の圧力、及び／又は各処理条件における時間といった、動作パラメータを使用する可能である。いくつかの実施形態において、基板が、約１７５～約３００oＣの温度で、約２０トル～約５３０トルで、例えば約４７０トル～約５３０トルでアニールされうる。アニール時間は、約１秒～約１２０秒、例えば約３０秒～９０秒、例えば約６０秒とすることができる。
センサデータは、有機化合物センサ１２０から生成され、有機化合物の存在又は全有機化合物の濃度といった、排出物の少なくとも１つの特性を決定することが可能である。センサデータは、少なくとも１つの特性に基づいて、基板を処理するための動作パラメータを調整するために使用されうる。例えば、動作パラメータは、熱処理チャンバのチャンバ圧力、熱処理チャンバ内での基板の処理時間、排気ガス流量、熱処理チャンバに導入されるガス種、熱処理チャンバ内での基板の位置、又はこれらの組み合わせを含みうる。一実施形態において、プロセス設計が、プロセス設計の各動作について異なる動作パラメータを含みうる。例えば、上記動作をポンプによる排気動作とすることができ、当該動作は、或る一定の時間後に終了することが可能であり、又は、センサ読み取り値が有機化合物の濃度といった特性値を指し又はその付近にあるときに、終了することが可能である。
図３は、本開示の特定の態様に係る、ベースラインのセンサ情報を更新することによって基板のガス放出を管理するための例示的なシステムのブロックフロー図である。システムは、様々な動作３００を含みうる。
これらの動作３００は、
有機化合物センサを使用して熱処理チャンバの少なくとも１つの特性を測定し、少なくとも１つの特性のためのベースラインを確立すること（３０２）、
動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内の基板を処理すること（３０４）、
少なくとも１つの特性に基づいてベースラインからの変化を測定すること（３０６）、
少なくとも１つの特性に基づいて、基板を処理するための動作パラメータを調整すること（３０８）、
及び／又は、
新しいベースラインを作成すること
のうちの１つ以上を含みうる。
動作パラメータは、図２を参照しながら記載した動作パラメータを含みうる。
本開示のいくつかの態様において、有機化合物センサが、少なくとも１つの特性のためのベースラインを確立するために、有機化合物の存在、又は全有機化合物の濃度、又は特定の有機化合物の濃度、又はこれらの組合せといった、少なくとも１つの特性を測定することが可能である。いくつかの実施形態において、ベースラインが、センサに対する環境の影響、及びバックグラウンド組成測定の存在を含みうる。環境の影響は、湿度、センサ構成要素の品質、経時的なセンサ光強度、センサの飽和レベル、基板間での有機化合物の違い、又はこれらの組み合わせを含みうる。いくつかの実施形態において、ベースラインが、センサを較正するために使用されうる。センサ及び基板の種類をもとに、検出されている有機化合物に基づいてセンサを較正することも可能である。いくつかの実施形態において、有機化合物に基づく較正が、本開示の目的のためには必要ではない。ベースラインが一旦確立されると、基板が、熱処理チャンバのチャンバ圧力、熱処理チャンバ内での基板の処理時間、排出物の流量、熱処理チャンバに導入されるガス種、熱処理チャンバ内へのガス流量、及びこれらの組み合わせといった動作パラメータを使用して、熱処理チャンバ内で処理されうる。上記動作パラメータのそれぞれが、各個別コントローラと通信する制御モジュールによって制御されうる。制御モジュール１１６はまた、有機化合物の濃度といった特性が、所定の値でありうる或る一定の値に一旦達すると、センサデータに基づいて各動作パラメータを操作することが可能である。上記値は、例えば、ベースラインより上の閾値とすることができる。
いくつかの実施形態において、上記値に達した後に、熱処理チャンバがポンプで排気され、パージされうる。本明細書では、熱処理チャンバを「ポンプにより排気する（ｐｕｍｐｉｎｇ）」というプロセスは、ガス源１０２から熱処理空間１０８内へのガスの流れを止め、圧力制御弁を排気ポンプ１１４へと開くことで熱処理空間１０８内のガスをポンプで排出することによって、熱処理空間を排気することを指している。本明細書では、熱処理チャンバを「パージする（ｐｕｒｇｉｎｇ）」というプロセスは、熱処理空間１０８への圧力を上げ、ガス源１０２からの、窒素ガスといったガスを充填することによって、熱処理空間１０８を再充填することである。上記プロセスが、本明細書では「ポンプ／パージ」と呼ばれる。例えば、プロセスチャンバがポンプで排気されパージされた後に新たなベースラインを確立するために、センサデータを再び収集することが可能であり、当該プロセスは、動作３０２から始めて繰り返すことが可能である。図１には示されていないが、熱処理チャンバ１２８が、１より多いガス源１０２、及びガス制御弁１０４に接続されうる。したがって、センサデータに基づく排出物の少なくとも１つの特性に基づいて、別の種類のガスがチャンバに入れるように、様々なガス制御弁のそれぞれ（例えば、１０４）が、制御モジュール１１６によって操作されうる。新しいベースラインは、センサの飽和といった様々な原因から生じうるセンサデータのドリフトを考慮することが可能である。いくつかの処理条件下において、動作パラメータは、所与のサンプリング時間における絶対的なセンサ読み取り値というよりは、チャンバをポンプにより排気する及びパージするといった調整後の或る一定の期間の後のセンサ読み取り値の差に基づいて調整されうる。
図４は、本開示の特定の態様に係る、有機化合物センサを有する例示的なデュアル熱処理装置を概略的に示している。熱処理装置４００は、先に図１を参照して記載した第１の熱処理チャンバ１２８と、第１の熱処理チャンバ１２８と実質的に同一でありうる第２の熱処理チャンバ４２８と、を含みうる。第２の処理チャンバ４２８は、第２の処理空間４０８を画定し、第２の側壁４３２及び第２の天井４３０を有し、その中に配置された第２の基板支持体４２６を有しうる。第２の処理チャンバ４２８の材料及び構成は、図１で記載した第１の処理チャンバ１２８の材料及び構成と同一であってよく又は実質的に同じであってよい。
少なくとも１つの実施形態において、第１の処理チャンバ１２８と第２の処理チャンバ４２８とは、壁を共有している。このような実施形態において、第１の処理チャンバ１２８の側壁４３２Ａと、第２の処理チャンバ４２８の側壁１３２Ａとが接合されており、又は同じ壁である。
第２のガス源４０２が、第２の処理空間４０８と接続され、当該第２の処理空間４０８と流体連結していうる。第２のガス源４０２は、第２のガス源４０２及び第２の処理空間４０８に流体的に結合した第２のガスライン４０７を介して、第２の処理空間４０８にガスを伝達するよう構成されうる。例えば、第２のガスライン４０７は、第２のガス源４０２から、第２の熱処理チャンバ４２８の第２の天井４３０まで延在しうる。第２のガスライン４０７は、任意の適切な形状の導管であってよく、第２のガス源４０２によって伝達されるガスに対して不活性な材料から形成されうる。例えば、第２のガスライン４０７が、石英材料、セラミック材料、及び／又は金属材料から形成されうる。少なくとも１つの実施形態において、第１のガス源１０２と第２のガス源４０２とは別体のガス源である。他の実施形態において、第１のガス源１０２と第２のガス源４０２とは同じガス源である。いずれの実施形態においても、第１のガス源１０２及び第２のガス源４０２は、前駆体ガスの任意の所望の組み合わせを伝達するよう構成されうる。いくつかの実施形態において、第２のガス源４０２が、アルゴン、酸素、窒素、ヘリウム、及び三フッ化窒素などのフッ素含有ガスといった前駆体ガスを伝達しうる。前駆体ガスは、個別に又は組み合わせにおいて、及び／又は、順次又は同時に、第２の熱処理チャンバにへと伝達されうる。第２のガス源コントローラ４０４が、第２の熱処理空間４０８へのガスの流れを制御するために、第２のガスライン４０７に接続されうる。いくつかの実施形態において、２つ以上のガス源（例えば、４０２）が、第２の処理空間４０８に接続されうる。
第２の処理空間４０８はまた、排気導管１０９を介して排気ポンプ１１４に接続されている。排気導管１０９は、図４に示すように、第１の処理空間１０８と第２の処理空間４０８の双方と流体連結していうる。
熱的に処理された基板からガスとして放出した材料、及び第２の熱処理チャンバ４２８の表面から除去された材料が、第２の処理空間４０８から排気導管１０９を通過して排気ポンプ１１４へと、第１の熱処理チャンバ１２８から材料がガスとして放出されるのと実質的に同じやり方で、同じ排気導管１０９又は異なる排気導管（図示せず）を介して排出されうる。排気ポンプ１１４は、第２の処理空間４０８内に減圧環境を作り出し、第２の処理空間４０８からガス及び他の材料を除去するよう構成されたターボポンプでありうる。基板は、熱処理されたときに揮発性有機化合物を生成する材料を含みうる。いくつかの実施形態において、基板は、スピンオンカーボン膜、フォトレジスト膜、スピンオン誘電体、スピンオンハードマスク、及びスピンオン反射防止コーティングといった膜を含みうる。上記膜は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、トルエン、及びこれらの組み合わせといった流延溶媒を含みうる。スピンオンカーボン膜は、熱処理されたときにナフタレン及び酢酸エチルといった化合物を生成しうる異なる組成で構成されうる。
ガス、任意のプラズマ、揮発性化合物、及び他の材料（総称として「排出物」）が、排気導管１０９に接続された排出物流量制御弁１１２を使用することにより、処理空間の排出物の排出物流量を制御することによって、第２の処理空間４０８から除去されうる。排出物流量制御弁１１２は、排気導管１０９に接続された任意の第２の圧力センサ（図示せず）を使用することによって、熱処理チャンバ１２８からの排出物の流量を制御することが可能である。制御モジュール１１６は、圧力センサからの信号を監視し、チャンバ排気流コントローラを操作して、第１の熱処理チャンバ１２８及び第２の熱処理チャンバ４２８の圧力、並びに、第１の熱処理チャンバ１２８及び第２の熱処理チャンバ４２８からの排出物の流量を管理することが可能である。熱処理装置４００は、排気導管１０９に接続された排気遮断弁１１０を含みうる。排気遮断弁１１０は、第１の熱処理チャンバ１２８及び第２の熱処理チャンバ４２８でガス放出されているときには、開放位置にあることができ、第１の熱処理チャンバ１２８及び第２の熱処理チャンバ４２８でガス放出されていないときには、閉止位置にあることができる。排気遮断弁１１０は、手動で操作することが可能であり、又は制御モジュール１１６を介するなどして遠隔で操作することが可能である。いくつかの実施形態において、排気遮断弁１１０は、熱処理チャンバ１２８、４２８がパージされているときには、開放位置にあることができ、排気遮断弁１１０は、ガスが充填されるときには熱処理チャンバ１２８、４２８内の圧力を上げるために、閉止位置にあることができる。
熱処理装置４００は、排気導管１０９に接続可能なサンプリングライン１１３を含むことができ、サンプリングライン１１３は、有機化合物センサ１２０及びサンプリング流量制御弁１２２を含みうる。サンプリングラインは、排気導管１０９の第１の位置に結合された第１のライン端１１１と、排気導管１０９の第２の位置に結合された第２のライン端１１５と、を有しうる。サンプリングライン１１３は、第１のサンプリング遮断弁１１８と、第２のサンプリング遮断弁１２４と、を含みうる。いくつかの実施形態において、第１のサンプリング遮断弁１１８及び第２のサンプリング遮断弁１２４を三方弁とすることができる。例えば、第１のサンプリング遮断弁１１８は、第１のライン端１１１と排気導管１０９との合流点に接続された三方弁であってもよく、第２のサンプリング遮断弁１２４は、第２のライン端１１５と排気導管１０９との合流点に接続された三方弁であってよい。いくつかの実施形態において、第１のサンプリング遮断弁１１８及び第２のサンプリング遮断弁１２４は、サンプルライン１１３に接続された二方弁とすることができる。有機化合物センサ１２０及びサンプリング流量制御弁１２２は、第１のサンプリング遮断弁１１８及び第２サンプリング遮断弁１２４といった２つのサンプリング遮断弁の間の位置に、サンプリングライン１１３に沿って配置されうる。稼働時に、サンプリング遮断弁１１８、１２４は、サンプリング中及び有機化合物の監視中には開放位置にあることができ、有機化合物が監視されていないときには閉止位置にあることができる。サンプリング遮断弁１１８、１２４は、手動で操作することができ、又は制御モジュール１１６を介するなどして、遠隔で操作することができる。いくつかの実施形態において、サンプリング中に、排気遮断弁１１０を閉位置とすることができ、サンプリング遮断弁を開位置とすることができる。例えば、サンプリングは、排気遮断弁１１０が閉止位置にあるとき及び／又は排気遮断弁１１０が開放位置にあるときといった、アニーリングプロセスの任意の段階に行われうる。いくつかの実施形態において、サンプリングが、アニーリングプロセスの全段階の間継続していてよい。
サンプリング流量制御弁１２２及び有機化合物センサ１２０は、制御モジュール１１６に通信可能に接続されうる。制御モジュール１１６は、有機化合物センサ１２０からの信号を監視し、サンプリング流量制御弁１２２を操作して、有機化合物センサ１２０を横切る排出物の流れを管理することが可能である。例えば、サンプリング流量制御弁１２２は、有機化合物センサ１２０へのサンプリングライン１１３内の排出物の流量を調整することによって、有機化合物センサの飽和を防止することが可能である。
有機化合物センサ１２０は、熱処理チャンバ１２８内で形成された揮発性有機化合物を検出することが可能である。有機化合物センサは、光イオン化検出器（ＰＩＤ：ｐｈｏｔｏｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ ｄｅｔｅｃｔｏｒ）、残留ガス分析器（ＲＧＡ：ｒｅｓｉｄｕａｌ ｇａｓ ａｎａｌｙｚｅｒ）、及び非分散赤外線センサ（ＮＤＩＲ：ｎｏｎ－ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ ｉｎｆｒａｒｅｄ ｓｅｎｓｏｒ）からなる群から選択されたセンサでありうる。例えば、センサは、センサによって検出される処理空間内の有機化合物を、電磁エネルギーに対して、例えば、当該有機化合物をイオン化する紫外線に対して曝露して、濃度を報告することが可能である。少なくとも１つの実施形態において、有機化合物が、ＰＩＤのランプのイオン化電位（ｅＶ）より低いイオン化電位を有している可能性があり、光イオン化によって検出されうる。例えば、ＰＩＤのランプが、約１０．０ｅＶから約１０．６ｅＶ、例えば１０．０ｅＶ又は１０．５ｅＶのイオン化電位（ｅＶ）を有しうる。例えば、有機化合物センサはＰＩＤでありうる。いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるシステム、プロセス、及び方法に従って検出されうる排出物中に存在する有機化合物が、アセトン、アルシン、ブタジエン、ベンゼン、クメン、ジメトキシメタン、エチルメルカプタン、硫化水素、メシチルオキシド、メチルエチルケトン、メチルメルカプタン、一酸化窒素、ホスフィン、スチレン、トルエン、塩化ビニル、ナフタレン、酢酸エチル、及びこれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、本明細書に記載のシステム、プロセス、及び方法に従って検出されうる排出物中に存在する有機化合物は、約８．０ｅＶ～約１０．５ｅＶ、例えば約８．１ｅＶ、又は約１０．１ｅＶのイオン化電位を有する。
図４は、単一の排気導管１０９及び単一のサンプリングライン１１３を共有する２つのチャンバを示している。いくつかの実施形態において、２つのチャンバは、図５に示され本明細書に記載される別体の排気導管及び／又は別体のサンプリングラインを有しうる。
図５は、本開示の特定の態様に係る、例示的なデュアル熱処理装置５００を概略的に示しており、デュアル熱処理装置５００は、２つの熱処理チャンバ１２８、４２８と、２つの有機化合物センサ１２０、５２０と、を有している。熱処理チャンバ１２８、４２８は、１つ以上の共有ガス源又は別個のガス源（例えば、１０２、４０２）によって供給されうる。いくつかの実施形態において、第１の熱処理チャンバ１２８が、図５に１０６及び１０２で示す２つのガス源を有しうる。いくつかの実施形態において、第２の熱処理チャンバ４２８が、図５に４０６及び４０２で示す２つのガス源を有しうる。いくつかの実施形態において、アニーリングプロセスが、プラズマの使用を含む。２つの有機化合物センサ１２０、５２０が、例えば制御モジュール１１６を使用して、別々に制御されうる。第１の処理空間１０８は、第１の排気導管１０９を介して排気ポンプ１１４に接続されうる。第１の排出物流量制御弁１１２及び第１の排気遮断弁１１０が、第１排気導管１０９に接続されうる。第２の処理空間４０８は、第２の排気導管５０９を介して排気ポンプ１１４に接続されうる。第２の排出物流量制御弁５１２及び第２の遮断弁５１０が、第２の排気導管５０９に接続されうる。第１の排出物流量制御弁１１２と第２の排出物流量制御弁５１２のそれぞれは、第１の熱処理チャンバ１２８と第２の熱処理チャンバ４２８のそれぞれを別々に制御しうるように、制御モジュール１１６に通信可能に接続されうる。
熱処理装置５００は、第１の排気導管１０９に接続されうる第１のサンプリングライン１１３を含みうる。第１のサンプリングライン１１３は、第１の有機化合物センサ１２０、第１のサンプリング流量制御弁１２２、及び、第１の対のサンプリング遮断弁（例えば、１１８、１２４）を含みうる。熱処理装置５００は、第２の排気導管５０９に接続されうる第２のサンプリングライン５１３も含む。第２のサンプリングライン５１３は、第２の有機化合物センサ５２０、第２のサンプリング流量制御弁５２２、及び、第２の対のサンプリング遮断弁５１８、５２４を含みうる。第１の有機化合物センサ１２０及び第２の有機化合物センサ５２０、並びにサンプリング流量制御弁１２２、５２２のそれぞれが、第１の熱処理チャンバ１２８と第２の熱処理チャンバ４２８のそれぞれを別々に制御しうるように、制御モジュール１１６に通信可能に接続されうる。図には示されていないが、第１の熱処理チャンバ１２８と第２の熱処理チャンバ４２８のそれぞれが、１つ以上の共有ガス源、又は１つ以上の独立したガス源（例えば、１０２、４０２）を含みうる。
実施例
図１に例示された、光イオン化検出器を有する熱処理装置が、スピンオンカーボン膜を含む又は含まないシリコン基板のアニーリングのために配置された。基板を曝露させることを数回実行することが完了し、ＡＭＥＴＥＫ ＭＯＣＯＮ ｐｉＤ―ＴＥＣＨ（登録商標）ｅＶｘ光イオン化センサを使用して、揮発性有機化合物の存在について試験を行った。上記数回の実行のうちのいくつかの後に続いて、ガス排気プロセス（「ポンプによる排気／パージ」）が行われ、その後にＶＯＣ（揮発性有機化合物）がサンプリングされ、ＶＯＣが「ｐｐｂ」（１０億分の１）単位で測定された。
第１の実験において、スピンオンカーボンを含む第１の基板（「ＳｏＣ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｃａｒｂｏｎ）基板」）を、ヘリウムガスの存在下で４５０oＣの温度で予熱し、次いで、チャンバに流入する窒素ガスの存在下で、５３０Ｔで、２５Ｌ／ｍｉｎで６０秒間アニールした。サンプリング遮断弁は開放位置にあり、サンプリング流量が３００ｓｃｃｍに制御され、ＰＩＤが、約６１２６ｐｐｂの揮発性有機化合物レベルを検出した。サンプリングの後で遮断弁が閉じられた。第１のＳｏＣ基板がアニールチャンバから取り除かれた後に、スピンオンカーボン膜を含まないシリコン基板（「ベアシリコン基板（ｂａｒｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」）を用いて数回実験された。ベアシリコン基板は、ＳｏＣ基板と同じ条件下で処理され、チャンバがサンプリングされ、ポストサンプリングで、おおむね４６９ｐｐｂ未満の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）レベルが検出された。ＳｏＣによる実験直後の、ベアシリコン基板のプロセスでは、ベアシリコン基板の中で最も高いＶＯＣレベルが示された。ベアシリコン基板の熱処理では、典型的に、ＳｏＣ基板といった他の基板で通常観察されるガス放出の懸念がない。
ベアシリコン基板が処理された後で、他のＳｏＣ基板が処理チャンバ内に配置され、前回の実験と同じ条件で処理されたが、処理の後に、チャンバ内へのガスの流れを止め、圧力制御弁を開けて処理チャンバ内のガスをポンプにより排出することによって、チャンバが排気された。次いで、チャンバへの圧力を上げて約５０Ｌ／ｍｉｎで窒素を充填することによって、チャンバが再充填された。このプロセスは、本明細書では「ポンプによる排気／パージ」と呼ばれる。得られたＶＯＣ読み取り値は、６６７ｐｐｂであった。上記読み取り値によって、ポンプによる排気／パージのプロセスを設けずにＳｏＣ基板を処理した第１のＳｏＣ基板の実験に対する（例えば、６１２６ｐｐｂ）、実質的な改善が示された。各実験の終了に、チャンバがポンプにより排気されてパージされ、チャンバのポンプによる排気及びパージの後で、ＶＯＣの測定が行われた。実際には、本開示の方法に係る連続的なＶＯＣモニタリングを使用して、所定のＶＯＣ濃度に達した後にチャンバをポンプにより排気してパージすることが可能である。
第２のＳｏＣ基板が処理された後に、追加のベアシリコン基板が処理され、ＶＯＣ読み取り値が全て４６９ｐｐｂ未満となった。最後に、５つのＳｏＣ基板が、ポンプによる排気／パージプロセスを用いて処理され、全て６６７ｐｐｂ未満という結果が得られた。本発明者らは、ＶＯＣ読み取り値にドリフトが生じており、このドリフトデータを、例えば図３に描かれた例示的な方法で示したように、処理中に目標ＶＯＣ読み取り値を更新するために使用しうることを観察してきた。各基板処理の間にＶＯＣ読み取り値を提供する能力によって、基板処理の間のチャンバ排気プロセスの有効性を評価することが可能となった。この情報に基づいて、排気動作がさらに調整され、動作パラメータが、デバイスの欠陥を防止するために予め定められ及び／又はインシトゥ（その場）で調整されうる。さらに、処理中にＶＯＣの読み取り値を監視する能力は、インシトゥ（その場）でのプロセス調整によって、デバイスの欠陥を防止することを支援しうる。
少なくとも１つの実施形態によれば、先に記載された方法の１つ以上の動作が命令として、制御ユニット（例えば、制御モジュール）又は任意の他の処理システムによる実行のために、コンピュータ可読媒体に含まれうる。コンピュータ可読媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ：ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、読取専用メモリ（ＲＯＭ：ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ）、フロッピーディスク、ハードディスク、フラッシュドライブ、又は、ローカルの若しくは遠隔の任意の他の形態によるデジタルストレージといった、命令を格納するための任意の適切なメモリを含みうる。
先の記載は、本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されうる。本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (10)

  1. 基板を処理する方法であって、
    １つ以上の動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内で、スピンオンカーボン膜を含む基板を処理することと、
    有機化合物センサを使用して前記熱処理チャンバの排出物のセンサ読み取り値からセンサデータを生成することと、
    前記センサデータに基づいて前記排出物の少なくとも１つの特性を決定することと、
    前記少なくとも１つの特性に基づいて、前記基板を処理するために前記１つ以上の動作パラメータを調整することと、
    を含む、方法。
  2. 前記１つ以上の動作パラメータを調整することが、
    前記熱処理チャンバをポンプで排気することと、
    前記熱処理チャンバをパージすることと、
    を含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記１つ以上の動作パラメータが、前記熱処理チャンバのチャンバ圧力、前記熱処理チャンバ内での前記基板の処理時間、排気ガス流量、前記熱処理チャンバに導入されるガス種、前記熱処理チャンバ内へのガス流量、又はこれらの組合せを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記少なくとも１つの特性が、有機化合物の濃度を含む、請求項１に記載の方法。
  5. 前記基板を処理することが、前記基板をアニールすることを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 方法を実行するようプログラム化されたシステムであって、
    前記システムのメモリに格納されたアルゴリズムを含み、前記アルゴリズムが、複数の命令を含み、前記命令が、プロセッサによって実行されると、
    １つ以上の動作パラメータを使用して熱処理チャンバ内で、スピンオンカーボン膜を含む基板を処理することと、
    有機化合物センサを使用して前記熱処理チャンバの排出物のセンサ読み取り値からセンサデータを生成することと、
    前記センサデータに基づいて前記排出物の少なくとも１つの特性を決定することと、
    前記少なくとも１つの特性に基づいて、前記基板を処理するための前記１つ以上の動作パラメータを調整することと、
    を含む方法を引き起こす、システム。
  7. 前記１つ以上の動作パラメータが、前記熱処理チャンバのチャンバ圧力、前記熱処理チャンバ内での前記基板の処理時間、ガス放出の合間の時間間隔、排気ガス流量、前記有機化合物センサの前記センサデータに基づいて調整された、前記熱処理チャンバに導入されるガス種、前記熱処理チャンバ内へのガス流量、又はこれらの組合せを含む、請求項６に記載のシステム。
  8. 前記少なくとも１つの特性が、有機化合物の濃度を含む、請求項６に記載のシステム。
  9. 前記少なくとも１つの特性が、揮発性有機化合物の濃度を含む、請求項８に記載のシステム。
  10. 前記基板を処理することが、前記基板をアニールすることを含む、請求項６に記載のシステム。
JP2023192705A 2020-03-06 2023-11-13 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法 Active JP7507301B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/812,144 US11817297B2 (en) 2020-03-06 2020-03-06 System and method for managing substrate outgassing
US16/812,144 2020-03-06
PCT/US2020/064787 WO2021178019A1 (en) 2020-03-06 2020-12-14 System and method for managing substrate outgassing
JP2022524939A JP7386342B2 (ja) 2020-03-06 2020-12-14 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524939A Division JP7386342B2 (ja) 2020-03-06 2020-12-14 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024028699A JP2024028699A (ja) 2024-03-05
JP7507301B2 true JP7507301B2 (ja) 2024-06-27

Family

ID=77556064

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524939A Active JP7386342B2 (ja) 2020-03-06 2020-12-14 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法
JP2023192705A Active JP7507301B2 (ja) 2020-03-06 2023-11-13 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022524939A Active JP7386342B2 (ja) 2020-03-06 2020-12-14 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11817297B2 (ja)
JP (2) JP7386342B2 (ja)
KR (1) KR20220097933A (ja)
CN (1) CN114730722A (ja)
TW (1) TW202201594A (ja)
WO (1) WO2021178019A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209103A (ja) 2002-01-17 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2004014555A (ja) 2002-06-03 2004-01-15 Nec Kyushu Ltd ランプアニ−ル装置
JP2008210852A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2010087475A (ja) 2008-09-03 2010-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP2011523774A (ja) 2008-05-12 2011-08-18 ラム リサーチ コーポレーション 微量気体濃度の監視によるウエハプラズマ処理中のアーキング現象の検出
WO2014123028A1 (ja) 2013-02-05 2014-08-14 株式会社日立国際電気 クリーニング方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3690917B2 (ja) 1998-05-20 2005-08-31 株式会社荏原製作所 処理装置及び汚れの検知方法
US7024950B2 (en) 2000-11-30 2006-04-11 Texas Instruments Incorporated Method for intelligent sampling of particulates in exhaust lines
US20060021633A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Closed loop clean gas control
KR200456733Y1 (ko) 2009-08-24 2011-11-15 (주)쎄미시스코 센서챔버의 가스배출장치
WO2015106261A1 (en) * 2014-01-13 2015-07-16 Applied Materials, Inc. Self-aligned double patterning with spatial atomic layer deposition
US10770272B2 (en) 2016-04-11 2020-09-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
KR102347073B1 (ko) * 2017-03-06 2022-01-05 현대자동차주식회사 Voc의 영향이 감소된 고체전해질형 이산화탄소 센서
US11004709B2 (en) 2017-11-20 2021-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for monitoring gas in wafer processing system

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209103A (ja) 2002-01-17 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置および処理方法
JP2004014555A (ja) 2002-06-03 2004-01-15 Nec Kyushu Ltd ランプアニ−ル装置
JP2008210852A (ja) 2007-02-23 2008-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2011523774A (ja) 2008-05-12 2011-08-18 ラム リサーチ コーポレーション 微量気体濃度の監視によるウエハプラズマ処理中のアーキング現象の検出
JP2010087475A (ja) 2008-09-03 2010-04-15 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び製造装置
WO2014123028A1 (ja) 2013-02-05 2014-08-14 株式会社日立国際電気 クリーニング方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11817297B2 (en) 2023-11-14
JP2023507878A (ja) 2023-02-28
US20210280391A1 (en) 2021-09-09
JP7386342B2 (ja) 2023-11-24
WO2021178019A1 (en) 2021-09-10
TW202201594A (zh) 2022-01-01
KR20220097933A (ko) 2022-07-08
CN114730722A (zh) 2022-07-08
JP2024028699A (ja) 2024-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8481434B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device and processing apparatus
KR20160071342A (ko) 리크 판정 방법, 기판 처리 장치 및 비일시적 기억 매체
US20210074515A1 (en) Plasma processing apparatus and method for venting a processing chamber to atmosphere
JPH07169693A (ja) 横型減圧ｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法
TW201443984A (zh) 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置、以及記錄媒體及清洗結束判定方法
TW201631685A (zh) 除氣方法
US20230144886A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
US6170492B1 (en) Cleaning process end point determination using throttle valve position
JP7507301B2 (ja) 基板のガス放出を管理するためのシステム及び方法
US20170233866A1 (en) Film Forming Apparatus, Film Forming Method, and Computer-Readable Storage Medium
US20230223247A1 (en) Cleaning method, method of manufacturing semiconductor device, recording medium, and substrate processing apparatus
US11519815B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US10256162B2 (en) Substrate processing system, control device, and substrate processing method
JP6630237B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
KR101078316B1 (ko) 막 형성 장치 및 막 형성 장치의 공정 챔버 세정 방법
US20230096542A1 (en) Substrate processing apparatus, cleaning method, and method of manufacturing semiconductor device
US11535931B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, method of managing parts, and recording medium
JP2024043273A (ja) 排気システム、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
WO2021240210A1 (en) Method for cleaning a vacuum chamber, method for vacuum processing of a substrate, and apparatuses for vacuum processing a substrate
JP2004063968A (ja) 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
WO1999006611A1 (en) Method and apparatus for chamber cleaning

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231212

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231212

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20231212

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240430

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240521

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240617