JP7505078B2 - 複数の荷電粒子ビームのための装置 - Google Patents
複数の荷電粒子ビームのための装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7505078B2 JP7505078B2 JP2023059915A JP2023059915A JP7505078B2 JP 7505078 B2 JP7505078 B2 JP 7505078B2 JP 2023059915 A JP2023059915 A JP 2023059915A JP 2023059915 A JP2023059915 A JP 2023059915A JP 7505078 B2 JP7505078 B2 JP 7505078B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charged particle
- lens
- beamlets
- primary
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 217
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 209
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 142
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 60
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 37
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 103
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 42
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 34
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 32
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 29
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000003709 image segmentation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
- H01J37/1474—Scanning means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/153—Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/083—Beam forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1501—Beam alignment means or procedures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/153—Correcting image defects, e.g. stigmators
- H01J2237/1534—Aberrations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2806—Secondary charged particle
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
[0001] 本願は、2018年8月9日出願の米国出願第62/716,832号及び2019年4月1日出願の米国出願第62/827,765号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1.荷電粒子光学システムであって、
ソースによって生成される一次荷電粒子ビームの複数のビームレットを偏向させるように構成された、第1の偏向器アレイと、
ソースの複数のイメージをイメージ面上に形成するために複数のビームレットを合焦させるように構成された、第1のレンズと、
複数のイメージをサンプル上に投影するように、及びその上に複数のプローブスポットを形成するように構成された、対物レンズと、
を備える、荷電粒子光学システム。
2.複数のビームレットと、複数のプローブスポットによる照明に起因してサンプルから放出される二次荷電粒子とを分離するように構成された、ビームセパレータ、
を更に備える、条項1の荷電粒子光学システム。
3.イメージ面が少なくともビームセパレータに近い、条項2の荷電粒子光学システム。
4.複数のプローブスポットの所定のピッチを取得するため、及び、その収差を減少させるために、第1の偏向器アレイによって偏向される複数のビームレットの偏向角度が設定される、条項3の荷電粒子光学システム。
5.第1の偏向器アレイの上にあり、複数のプローブスポットの電流を制限するように構成された、第1のアパーチャアレイを更に備える、条項1から4のいずれかの荷電粒子光学システム。
6.荷電粒子源と第1のアパーチャアレイとの間にあり、一次荷電粒子ビームを合焦させるように構成された、第2のレンズを更に備える、条項5の荷電粒子光学システム。
7.第2のレンズは、一次荷電粒子ビームを平行ビームとして合焦させるように構成される、条項6の荷電粒子光学システム。
8.第2のレンズは、複数のプローブスポットの電流を変化させるように構成された可動レンズである、条項7の荷電粒子光学システム。
9.複数のプローブスポットの収差を補償するように構成された、補償器アレイを更に備える、条項7又は8の荷電粒子光学システム。
10.第2のレンズの上にあり、ソースに近く、また、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの周辺部分を遮断するように構成された、メインアパーチャを更に備える、条項7から9のいずれかの荷電粒子光学システム。
11.メインアパーチャと第1のアパーチャアレイとの間にあり、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項10の荷電粒子光学システム。
12.第2のアパーチャアレイは第2のレンズの上にあり、またソースに近い、条項11の荷電粒子光学システム。
13.第2のレンズの上にあり、ソースに近く、また、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項9の荷電粒子光学システム。
14.第1のアパーチャアレイ上に法線入射するように複数のビームレットを偏向させるように構成された、第2の偏向器アレイを更に備える、条項6の荷電粒子光学システム。
15.複数のプローブスポットの収差を補償するように構成された、補償器アレイを更に備える、条項14の荷電粒子光学システム。
16.第2のレンズの上にあり、ソースに近く、また、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの周辺部分を遮断するように構成された、メインアパーチャを更に備える、条項15の荷電粒子光学システム。
17.メインアパーチャと第1のアパーチャアレイとの間にあり、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項16の荷電粒子光学システム。
18.第2のアパーチャアレイは第2のレンズの上にあり、ソースに近い、条項17の荷電粒子光学システム。
19.第2のアパーチャアレイは第2のレンズの下にある、条項17の荷電粒子光学システム。
20.第2のレンズの上にあり、ソースに近く、また、複数のビームレット内で使用されない一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項15の荷電粒子光学システム。
21.第2のレンズは、第1のアパーチャアレイの下にある複数のビームレットの電流を変更するように、及び、第1のアパーチャアレイ上の複数のビームレットの回転角度を変更せずに維持するように構成された、回転防止レンズである、条項18又は19の荷電粒子光学システム。
22.第1のレンズは、複数のプローブスポットのピッチを変更するように構成される、条項12、13、又は21のいずれかの荷電粒子光学システム。
23.イメージ面は、複数のビームレット上のビームセパレータの分散に起因して、複数のプローブスポットのサイズが相対的に20%以内で増加することを保証するように構成される、条項1、12、13、又は21のいずれかの荷電粒子光学システム。
24.イメージ面はビームセパレータの偏向面にある、条項23の荷電粒子光学システム。
25.荷電粒子光学システムであって、
荷電粒子源によって生成される荷電粒子ビームのビームレットを偏向させるように構成された、第1の偏向器と、
ビームレットと、ビームレットの荷電粒子がサンプルと相互作用することに応答してサンプルから生成される二次荷電粒子とを分離するように構成された、ビームセパレータの領域内で、イメージ面上に荷電粒子源のイメージを形成するために、ビームレットを合焦させるように構成された、第1のレンズと、
を備える、荷電粒子光学システム。
26.第1の偏向器は、システムの光軸に向かってビームレットを偏向させるように構成される、
条項25の荷電粒子光学システム。
27.第1の偏向器は、システムの光軸から外側に向かってビームレットを偏向させるように構成される、
条項25の荷電粒子光学システム。
28.複数のプローブスポットをサンプル上に形成する方法であって、
荷電粒子源によって生成されるビームの複数のビームレットを偏向させること、
ソースの複数のイメージをイメージ面上に形成するために、レンズによって複数のビームレットを合焦させること、及び、
複数のプローブスポットをその上に形成するために、サンプル上に複数のイメージを投影すること、
を含む、複数のプローブスポットをサンプル上に形成する方法。
29.ビームセパレータによって、複数のビームレットと、複数のプローブスポットによる照明に起因してサンプルから生成される二次荷電粒子とを分離すること、
を更に含む、条項28の方法。
30.イメージ面は、ビームセパレータの偏向面にあるか、又は偏向面の近くにある、条項29の方法。
31.第1のアパーチャアレイによって、複数のプローブスポットの電流を制限すること、
を更に含む、条項30の方法。
32.ビームの合焦状況を変更することによって、電流を変化させること、
を更に含む、条項31の方法。
33.第1のアパーチャアレイの上の第2のアパーチャアレイによって、複数のプローブスポット内で使用されないビームの一部をトリミングすること、
を更に含む、条項32の方法。
34.第2のアパーチャアレイはソースに近い、条項33の方法。
35.複数のビームレットの偏向角度を変更することによって、複数のプローブスポットのピッチを変更すること、
を更に含む、条項30の方法。
36.レンズの主平面を移動することによって、複数のプローブスポットのピッチを変更すること、
を更に含む、条項30の方法。
37.イメージ面を移動することによって、複数のプローブスポットのピッチを変更すること、
を更に含む、条項30の方法。
38.複数のプローブスポットのピッチは互いに異なる、条項4の荷電粒子光学システム。
39.複数のプローブスポットのピッチは互いに異なる、条項22の荷電粒子光学システム。
40.複数のプローブスポットのピッチは互いに等しい、条項4の荷電粒子光学システム。
41.複数のプローブスポットのピッチは互いに等しい、条項22の荷電粒子光学システム。
42.複数のプローブスポットのピッチは互いに異なる、条項35の方法。
43.複数のプローブスポットのピッチは互いに異なる、条項36又は37の方法。
44.複数のプローブスポットのピッチは互いに等しい、条項34の方法。
45.複数のプローブスポットのピッチは互いに等しい、条項36又は37の方法。
46.マルチビーム装置であって、
複数のビームレットの一次荷電粒子とサンプルから放出される二次荷電粒子とを分離するように構成された荷電粒子セパレータよりも、第1のレンズのより近くに形成されるイメージ面上に、荷電粒子源の複数のイメージを形成するために、複数のビームレットを合焦させるように構成された、第1のレンズと、
複数のイメージをサンプル上に投影するように、及びその上に複数のプローブスポットを形成するように構成された、対物レンズと、
を備える、マルチビーム装置。
47.一次荷電粒子ビームの複数のビームレットのうちの少なくとも1つを、一次光軸から半径方向外側に向けて偏向させるように、及び第1のレンズ上に入射するように構成された、第1の偏向器アレイを更に備える、条項46の装置。
48.第1の偏向器アレイと荷電粒子源との間に配設され、複数のビームレットのプローブ電流を制限するように構成された、第1のアパーチャアレイを更に備える、条項47の装置。
49.荷電粒子セパレータによって生じる分散を補償するように構成された、荷電粒子分散補償器を更に備える、条項46から48のいずれか一項の装置。
50.荷電粒子分散補償器は荷電粒子セパレータと第1のレンズとの間に配設される、条項49の装置。
51.イメージ面は荷電粒子分散補償器と第1のレンズとの間に形成される、条項49及び50のうちのいずれか一項の装置。
52.第1のレンズは、形成されるイメージ面の場所を調節することによって、複数のビームレットの拡大を調節するように構成された調節可能レンズである、条項46から51のいずれか一項の装置。
53.拡大は、複数のプローブスポットのうちの1つのサイズと、複数のビームレットのうちの対応するビームレットのサイズとの比率に基づく、条項52の装置。
54.第1のレンズは、第1のレンズと荷電粒子セパレータとの間にイメージ面を形成するように構成される、条項46から53のいずれか一項の装置。
55.イメージ面は、一次荷電粒子ビームの一次光軸に垂直に、また第1のレンズと荷電粒子セパレータとの間に形成される、条項47から54のいずれか一項の装置。
56.荷電粒子源と第1のレンズとの間に配設され、また一次荷電粒子ビームを合焦させるように構成された、第2のレンズを更に備える、条項47から55のいずれか一項の装置。
57.第2のレンズは、一次荷電粒子ビームの一次光軸に垂直な主平面上に配設される可動レンズである、条項56の装置。
58.第2のレンズの主平面は、複数のビームレットのプローブ電流を調節するために一次光軸に沿って調節される、条項57の装置。
59.荷電粒子源と第2のレンズとの間に配設され、一次荷電粒子ビームの周辺部分を塞ぐように構成された、アパーチャプレートを更に備える、条項56から58のいずれか一項の装置。
60.アパーチャプレートと第2のレンズとの間に配設され、一次荷電粒子ビームから複数のビームレットを生成するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項56から59のいずれか一項の装置。
61.第1のレンズは第2のレンズと荷電粒子セパレータとの間に配設される、条項56から60のいずれか一項の装置。
62.マルチビーム装置であって、
一次荷電粒子ビームの複数のビームレットを偏向させるように構成された、第1の偏向器アレイと、
複数のビームレットの一次荷電粒子とサンプルから放出される二次荷電粒子とを分離するように構成された荷電粒子セパレータよりも、第1のレンズのより近くに形成されるイメージ面上に、荷電粒子源の複数のイメージを形成するために、複数のビームレットを合焦させるように構成された、第1のレンズと、
複数のイメージをサンプル上に投影するように、及びその上に複数のプローブスポットを形成するように構成された、対物レンズと、
を備える、マルチビーム装置。
63.第1の偏向器アレイは、一次荷電粒子ビームの一次光軸に対して実質的に平行になるように、複数のビームレットのうちの少なくとも1つをコリメートするように構成される、条項62の装置。
64.荷電粒子源と第1の偏向器アレイとの間に配設され、一次荷電粒子ビームの周辺部分を塞ぐように構成された、アパーチャプレートを更に備える、条項62及び63のいずれか一項の装置。
65.イメージ面は、一次荷電粒子ビームの一次光軸に垂直に、また第1のレンズと荷電粒子セパレータとの間に形成される、条項63及び64のいずれか一項の装置。
66.第1の偏向器アレイと第1のレンズとの間に配設され、複数のビームレットのうちの少なくとも1つを、一次光軸から半径方向外側に向けて偏向させるように、及び第1のレンズ上に入射するように構成された、第2の偏向器アレイを更に備える、条項63から65のいずれか一項の装置。
67.第1のレンズは、第1のレンズと荷電粒子セパレータとの間にイメージ面を形成するように構成される、条項62から66のいずれか一項の装置。
68.第1のレンズと荷電粒子源との間に配設され、複数のビームレットのプローブ電流を制限するように構成された、第1のアパーチャアレイを更に備える、条項62から67のいずれか一項の装置。
69.第1のレンズは、形成されるイメージ面の場所を調節することによって、複数のビームレットの拡大を調節するように構成された調節可能レンズである、条項62から68のいずれか一項の装置。
70.拡大は、複数のプローブスポットのうちの1つのサイズと、複数のビームレットのうちの対応するビームレットのサイズとの比率に基づく、条項69の装置。
71.荷電粒子セパレータによって生じる分散を補償するように構成された、荷電粒子分散補償器を更に備える、条項62から70のいずれか一項の装置。
72.荷電粒子分散補償器は荷電粒子セパレータと第1のレンズとの間に配設される、条項71の装置。
73.イメージ面は荷電粒子分散補償器と第1のレンズとの間に形成される、条項71及び72のうちのいずれか一項の装置。
74.荷電粒子源と第1のレンズとの間に配設され、また一次荷電粒子ビームを合焦させるように構成された、第2のレンズを更に備える、条項62から73のいずれか一項の装置。
75.第2のレンズは、一次荷電粒子ビームの一次光軸に垂直な主平面上に配設される可動レンズである、条項74の装置。
76.第2のレンズの主平面は、複数のビームレットのプローブ電流を調節するために一次光軸に沿って調節される、条項75の装置。
77.第1のレンズは第2のレンズと荷電粒子セパレータとの間に配設される、条項74から76のいずれか一項の装置。
78.アパーチャプレートと第2のレンズとの間に配設され、一次荷電粒子ビームから複数のビームレットを生成するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、条項74から77のいずれか一項の装置。
79.マルチビーム装置を使用してサンプルを観察する方法であって、
荷電粒子セパレータよりも第1のレンズのより近くに形成されるイメージ面上に荷電粒子源の複数のイメージを形成するために、第1のレンズを使用して複数のビームレットを合焦させること、及び、
対物レンズを使用して、複数のイメージをサンプル上に投影すること、及びその上に複数のプローブスポットを形成すること、
を含む、方法。
80.複数のビームレットのうちの少なくとも1つを、一次荷電粒子ビームの一次光軸から半径方向外側に向けて、及び第1の偏向器アレイを使用して第1のレンズ上に入射するように、偏向させることを更に含む、条項79の方法。
81.イメージ面は、一次荷電粒子ビームの一次光軸に垂直に、また第1のレンズと荷電粒子セパレータとの間に形成される、条項80の方法。
82.荷電粒子源と第1のレンズとの間に配設された第2のレンズを使用して、一次荷電粒子ビームを合焦させることを更に含む、条項80及び81のいずれか一項の方法。
83.複数のビームレットのプローブ電流を調節するために、一次光軸に沿って第2のレンズの主平面の場所を調節することを更に含む、条項82の方法。
84.荷電粒子源と第2のレンズとの間に配設されたアパーチャプレートを使用して、一次荷電粒子ビームの周辺部分を塞ぐことを更に含む、条項82及び83のいずれか一項の方法。
85.アパーチャプレートと第2のレンズとの間に配設された第2のアパーチャアレイを使用して、一次荷電粒子ビームから複数のビームレットを形成することを更に含む、条項84の方法。
86.荷電粒子分散補償器を使用して、荷電粒子セパレータによって生じる分散を補償することを更に含む、条項79から85のいずれか一項の方法。
87.イメージ面は荷電粒子分散補償器と第1のレンズとの間に形成される、条項79から86のいずれか一項の方法。
88.第1の偏向器アレイと荷電粒子源との間に配設された第1のアパーチャアレイを使用して、複数のビームレットのプローブ電流を制限することを更に含む、条項80から87のいずれか一項の方法。
89.第1のレンズを調節することによって、複数のビームレットの拡大を調節することを更に含む、条項79から88のいずれか一項の方法。
90.第1のレンズを調節することは、一次光軸に垂直に形成されるイメージ面の場所を変更するために、第1のレンズの電気的励起を少なくとも調節することを含む、条項89の方法。
91.拡大は、複数のプローブスポットのうちの1つのサイズと複数のビームレットのうちの対応するビームレットのサイズとの比率に基づいて決定される、条項89及び90のいずれか一項の方法。
92.イメージ面と第1のレンズとの間の垂直距離は、イメージ面と荷電粒子セパレータとの間の垂直距離よりも短い、条項55の装置。
93.イメージ面と第1のレンズとの間の垂直距離は、イメージ面と荷電粒子セパレータとの間の垂直距離よりも短い、条項65の装置。
Claims (12)
- 荷電粒子光学システムであって、
ソースによって生成される一次荷電粒子ビームの複数のビームレットを偏向させるように構成された、第1の偏向器アレイと、
前記ソースの複数のイメージをイメージ面上に形成するために前記複数のビームレットを合焦させるように構成された、第1のレンズと、
前記複数のイメージをサンプル上に投影するように、及びその上に複数のプローブスポットを形成するように構成された、対物レンズと、
前記複数のビームレットと、前記複数のプローブスポットによる照明に起因して前記サンプルから放出される二次荷電粒子とを分離するように構成された、ビームセパレータと、
前記ビームセパレータと前記第1のレンズとの間に配設され、前記ビームセパレータによって生じる分散を補償するように構成された荷電粒子分散補償器と、
を備え、
前記イメージ面が前記ビームセパレータよりも前記第1のレンズの近くに形成される、
荷電粒子光学システム。 - 前記第1の偏向器アレイは、前記複数のプローブスポットの所定のピッチを取得するため、及び、その収差を減少させるために設定される偏向角度で、前記複数のビームレットを偏向させるように構成された、請求項1に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第1の偏向器アレイの上にあり、前記複数のプローブスポットの電流を制限するように構成された、第1のアパーチャアレイを更に備える、請求項1に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記荷電粒子源と前記第1のアパーチャアレイとの間にあり、前記一次荷電粒子ビームを合焦させるように構成された、第2のレンズを更に備える、請求項3に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第2のレンズは、前記一次荷電粒子ビームを平行ビームとして合焦させるように構成される、請求項4に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第2のレンズは、前記複数のプローブスポットの前記電流を変化させるように構成された可動レンズである、請求項5に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記複数のプローブスポットの収差を補償するように構成された、補償器アレイを更に備える、請求項5に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第2のレンズの上にあり、前記ソースに近く、また、前記複数のビームレット内で使用されない前記一次荷電粒子ビームの周辺部分を遮断するように構成された、メインアパーチャを更に備える、請求項5に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記メインアパーチャと前記第1のアパーチャアレイとの間にあり、前記複数のビームレット内で使用されない前記一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、請求項8に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第2のアパーチャアレイは前記第2のレンズの上にあり、また前記ソースに近い、請求項9に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第2のレンズの上にあり、前記ソースに近く、また、前記複数のビームレット内で使用されない前記一次荷電粒子ビームの一部を遮断するように構成された、第2のアパーチャアレイを更に備える、請求項7に記載の荷電粒子光学システム。
- 前記第1のアパーチャアレイ上に法線入射するように前記複数のビームレットを偏向させるように構成された、第2の偏向器アレイを更に備える、請求項4に記載の荷電粒子光学システム。
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862716832P | 2018-08-09 | 2018-08-09 | |
US62/716,832 | 2018-08-09 | ||
US201962827765P | 2019-04-01 | 2019-04-01 | |
US62/827,765 | 2019-04-01 | ||
PCT/EP2019/070566 WO2020030483A1 (en) | 2018-08-09 | 2019-07-31 | An apparatus for multiple charged-particle beams |
JP2021503887A JP2021532545A (ja) | 2018-08-09 | 2019-07-31 | 複数の荷電粒子ビームのための装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021503887A Division JP2021532545A (ja) | 2018-08-09 | 2019-07-31 | 複数の荷電粒子ビームのための装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023076573A JP2023076573A (ja) | 2023-06-01 |
JP7505078B2 true JP7505078B2 (ja) | 2024-06-24 |
Family
ID=67551515
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021503887A Pending JP2021532545A (ja) | 2018-08-09 | 2019-07-31 | 複数の荷電粒子ビームのための装置 |
JP2023059915A Active JP7505078B2 (ja) | 2018-08-09 | 2023-04-03 | 複数の荷電粒子ビームのための装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021503887A Pending JP2021532545A (ja) | 2018-08-09 | 2019-07-31 | 複数の荷電粒子ビームのための装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11302514B2 (ja) |
EP (1) | EP3834222A1 (ja) |
JP (2) | JP2021532545A (ja) |
KR (2) | KR20230170145A (ja) |
CN (1) | CN112567493A (ja) |
IL (1) | IL280571A (ja) |
TW (2) | TWI795217B (ja) |
WO (1) | WO2020030483A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3408829B1 (en) * | 2016-01-27 | 2023-10-25 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus of plural charged-particle beams |
EP3692562A1 (en) | 2017-10-02 | 2020-08-12 | ASML Netherlands B.V. | An apparatus using charged particle beams |
CN112567493A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于多个带电粒子束的装置 |
EP3882951A1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-09-22 | FEI Company | Charged particle beam device for inspection of a specimen with a plurality of charged particle beamlets |
JP7409946B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2024-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置 |
TW202318464A (zh) * | 2020-05-28 | 2023-05-01 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 多重射束帶電粒子顯微鏡或系統與其操作方法 |
EP3937205A1 (en) * | 2020-07-06 | 2022-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Charged-particle multi-beam column, charged-particle multi-beam column array, inspection method |
TWI812991B (zh) * | 2020-09-03 | 2023-08-21 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 帶電粒子系統及操作帶電粒子系統之方法 |
EP3982390A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-13 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle system, aperture array, charged particle tool and method of operating a charged particle system |
US11651934B2 (en) * | 2021-09-30 | 2023-05-16 | Kla Corporation | Systems and methods of creating multiple electron beams |
WO2023247067A1 (en) * | 2022-06-23 | 2023-12-28 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Multi-beam system and multi-beam forming unit with reduced sensitivity to secondary radiation |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007500948A (ja) | 2003-05-28 | 2007-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームレット露光システム |
JP2007317467A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
JP2012243763A (ja) | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Hermes Microvision Inc | 荷電粒子ビーム装置用モノクロメータ及びこれを用いた電子装置 |
JP2013196951A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置およびレンズアレイ |
US20160284505A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
JP2018513543A (ja) | 2016-04-13 | 2018-05-24 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
WO2018122176A1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple charged particle beams |
Family Cites Families (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1432008B1 (en) * | 2002-12-17 | 2010-05-05 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Multi-axis compound lens, beam system making use of the compound lens, and method using the compound lens |
EP2579272A1 (en) * | 2003-09-05 | 2013-04-10 | Carl Zeiss SMT GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
US7235799B2 (en) * | 2003-11-28 | 2007-06-26 | Ebara Corporation | System and method for evaluation using electron beam and manufacture of devices |
EP1941528B9 (en) * | 2005-09-06 | 2011-09-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Particle-optical arrangement with particle-optical component |
US8134135B2 (en) * | 2006-07-25 | 2012-03-13 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multiple beam charged particle optical system |
JP5227512B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線応用装置 |
JP2010519697A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 高スループットsemツール |
JP2010519698A (ja) * | 2007-02-22 | 2010-06-03 | アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド | 高スループットsemツール |
US8890094B2 (en) * | 2008-02-26 | 2014-11-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
US8445869B2 (en) * | 2008-04-15 | 2013-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Projection lens arrangement |
US8502176B2 (en) * | 2008-05-23 | 2013-08-06 | Mapper Lithography Ip B.V. | Imaging system |
JP5250350B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2013-07-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置 |
DE102008062450B4 (de) * | 2008-12-13 | 2012-05-03 | Vistec Electron Beam Gmbh | Anordnung zur Beleuchtung eines Substrats mit mehreren individuell geformten Partikelstrahlen zur hochauflösenden Lithographie von Strukturmustern |
JP5634052B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法 |
US8350214B2 (en) * | 2009-01-15 | 2013-01-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Charged particle beam applied apparatus |
JP5498488B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2014-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線応用装置及び試料観察方法 |
TWI593961B (zh) * | 2010-12-15 | 2017-08-01 | 日立全球先端科技股份有限公司 | Charged particle line application device, and irradiation method |
US8618480B2 (en) * | 2012-03-23 | 2013-12-31 | Hermes Microvision Inc. | Charged particle beam apparatus |
NL2010760C2 (en) * | 2013-05-03 | 2014-11-04 | Mapper Lithography Ip Bv | Beam grid layout. |
EP2879155B1 (en) * | 2013-12-02 | 2018-04-25 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Multi-beam system for high throughput EBI |
US9691588B2 (en) * | 2015-03-10 | 2017-06-27 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9607805B2 (en) * | 2015-05-12 | 2017-03-28 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
US9922799B2 (en) * | 2015-07-21 | 2018-03-20 | Hermes Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged-particle beams |
CN111681939B (zh) | 2015-07-22 | 2023-10-27 | Asml荷兰有限公司 | 多个带电粒子束的装置 |
CN108738343B (zh) * | 2015-11-30 | 2022-02-01 | Asml荷兰有限公司 | 多个带电粒子束的设备 |
EP3408829B1 (en) * | 2016-01-27 | 2023-10-25 | ASML Netherlands B.V. | Apparatus of plural charged-particle beams |
JP6781582B2 (ja) * | 2016-07-25 | 2020-11-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 |
US9922796B1 (en) * | 2016-12-01 | 2018-03-20 | Applied Materials Israel Ltd. | Method for inspecting a specimen and charged particle multi-beam device |
US10347460B2 (en) * | 2017-03-01 | 2019-07-09 | Dongfang Jingyuan Electron Limited | Patterned substrate imaging using multiple electron beams |
EP3659172A1 (en) | 2017-07-28 | 2020-06-03 | ASML Netherlands B.V. | Systems and methods for compensating dispersion of a beam separator in a multi-beam apparatus |
US20190066972A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
EP3692562A1 (en) | 2017-10-02 | 2020-08-12 | ASML Netherlands B.V. | An apparatus using charged particle beams |
IL277172B2 (en) * | 2018-03-09 | 2024-07-01 | Asml Netherlands Bv | Multi-beam inspection devices with improved detection of electronic signals |
CN112041965A (zh) * | 2018-05-01 | 2020-12-04 | Asml荷兰有限公司 | 多束检查装置 |
JP2019200920A (ja) * | 2018-05-16 | 2019-11-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム画像取得装置およびマルチ電子ビーム画像取得方法 |
JP7198092B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-12-28 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム検査装置及びマルチ電子ビーム照射方法 |
US10811215B2 (en) * | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
JP7094782B2 (ja) * | 2018-06-01 | 2022-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム検査装置及び電子ビーム検査方法 |
JP7093242B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-06-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム画像取得装置 |
US10483080B1 (en) * | 2018-07-17 | 2019-11-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, multi-beam blanker for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
CN112567493A (zh) * | 2018-08-09 | 2021-03-26 | Asml荷兰有限公司 | 用于多个带电粒子束的装置 |
US10784070B2 (en) * | 2018-10-19 | 2020-09-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, field curvature corrector, and methods of operating a charged particle beam device |
CN111477530B (zh) * | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
TWI821618B (zh) * | 2019-12-19 | 2023-11-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 藉由多光束裝置執行以形成樣本之影像的方法及相關的多光束裝置 |
US20230395349A1 (en) * | 2022-06-01 | 2023-12-07 | Kla Corporation | Creating Multiple Electron Beams with a Photocathode Film |
-
2019
- 2019-07-31 CN CN201980053848.1A patent/CN112567493A/zh active Pending
- 2019-07-31 EP EP19752130.5A patent/EP3834222A1/en active Pending
- 2019-07-31 KR KR1020237042194A patent/KR20230170145A/ko active Application Filing
- 2019-07-31 WO PCT/EP2019/070566 patent/WO2020030483A1/en unknown
- 2019-07-31 JP JP2021503887A patent/JP2021532545A/ja active Pending
- 2019-07-31 KR KR1020217003844A patent/KR20210028250A/ko active Application Filing
- 2019-08-08 TW TW111106338A patent/TWI795217B/zh active
- 2019-08-08 TW TW108128245A patent/TWI758628B/zh active
- 2019-08-08 US US16/536,284 patent/US11302514B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-01 IL IL280571A patent/IL280571A/en unknown
-
2022
- 2022-04-11 US US17/718,225 patent/US20220246395A1/en active Pending
-
2023
- 2023-04-03 JP JP2023059915A patent/JP7505078B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007500948A (ja) | 2003-05-28 | 2007-01-18 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームレット露光システム |
JP2007317467A (ja) | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線応用装置 |
JP2012243763A (ja) | 2011-05-19 | 2012-12-10 | Hermes Microvision Inc | 荷電粒子ビーム装置用モノクロメータ及びこれを用いた電子装置 |
JP2013196951A (ja) | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線応用装置およびレンズアレイ |
US20160284505A1 (en) | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Hermes Microvision Inc. | Apparatus of Plural Charged-Particle Beams |
JP2018513543A (ja) | 2016-04-13 | 2018-05-24 | エルメス マイクロビジョン, インコーポレーテッドHermes Microvision Inc. | 複数荷電粒子ビームの装置 |
WO2018122176A1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-05 | Asml Netherlands B.V. | An apparatus using multiple charged particle beams |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI758628B (zh) | 2022-03-21 |
KR20230170145A (ko) | 2023-12-18 |
TW202020918A (zh) | 2020-06-01 |
TWI795217B (zh) | 2023-03-01 |
US20200051779A1 (en) | 2020-02-13 |
US11302514B2 (en) | 2022-04-12 |
US20220246395A1 (en) | 2022-08-04 |
WO2020030483A1 (en) | 2020-02-13 |
JP2021532545A (ja) | 2021-11-25 |
JP2023076573A (ja) | 2023-06-01 |
EP3834222A1 (en) | 2021-06-16 |
IL280571A (en) | 2021-03-25 |
CN112567493A (zh) | 2021-03-26 |
KR20210028250A (ko) | 2021-03-11 |
TW202240626A (zh) | 2022-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7505078B2 (ja) | 複数の荷電粒子ビームのための装置 | |
JP7427740B2 (ja) | 複数の荷電粒子ビームを使用する装置 | |
US11232928B2 (en) | Multi-beam inspection apparatus | |
US11152191B2 (en) | In-lens wafer pre-charging and inspection with multiple beams | |
KR102523547B1 (ko) | 멀티-빔 검사 장치 | |
JP7181305B2 (ja) | 信号電子検出性能を向上させたマルチビーム検査装置 | |
JP2023063390A (ja) | 電磁複合レンズ及びそのようなレンズを備えた荷電粒子光学システム | |
US20230223233A1 (en) | Charged particle system, aperture array, charged particle tool and method of operating a charged particle system | |
KR20220103765A (ko) | 낮은 누화를 갖는 다중 하전 입자 빔 장치 | |
WO2023078620A2 (en) | Multiple charged-particle beam apparatus and methods of operating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230407 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240515 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240612 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7505078 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |