JP7504208B2 - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7504208B2 JP7504208B2 JP2022545589A JP2022545589A JP7504208B2 JP 7504208 B2 JP7504208 B2 JP 7504208B2 JP 2022545589 A JP2022545589 A JP 2022545589A JP 2022545589 A JP2022545589 A JP 2022545589A JP 7504208 B2 JP7504208 B2 JP 7504208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation detection
- relay
- detection device
- flexible substrate
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 141
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MIKCAECBBIRHCH-UHFFFAOYSA-N gadolinium(3+);oxygen(2-);trisulfide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[S-2].[S-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3].[Gd+3].[Gd+3] MIKCAECBBIRHCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/17—Circuit arrangements not adapted to a particular type of detector
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/247—Detector read-out circuitry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
図1は、本開示の一実施形態の放射線検出装置1の構成を示す平面図である。図2Aは、図1の放射線検出装置1を左方から見た図であり、中継部およびその周辺部を示す部分拡大側面図である。本実施形態の放射線検出装置1は、例えば、X線源から照射されて人体等の被検体を通過したX線を、2次元的(マトリックス的)に検出したX線量に応じた電気信号として取出すために用いられる。更には、本実施形態の放射線検出装置1は、例えば2次元的な電気信号を表示装置に画像として表示する目的にも用いられる。
可撓性基板2は、平面視において略長方形状であり、可撓性を有する材料から成る。可撓性を有する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低いポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびポリエチレンテレフタレート(PET)のうちの1種を好適に用いることができる。
放射線検出部3は、可撓性基板2の一主面である第1面2a上に設けられ、入射するX線を蛍光に変換するX線変換部であるシンチレータ層7と、第1面2a上に設けられ、シンチレータ層7からの蛍光を電気信号に変換する光電変換部8とを有する。光電変換部8は、第1面2a上において直交する第1方向(例えば、行方向)Xおよび第2方向(例えば、列方向)Yに沿って行列状に配設された複数の光電変換素子によって実現される。光電変換素子としては、例えばフォトダイオードを用いることができる。各光電変換素子は、可撓性基板2の第1面2a上または内層に位置する複数の配線層5によって、駆動回路部4に電気的に接続されている。複数の配線層5は、複数の走査信号線(ゲート信号線)、複数のデータ信号線(ソース信号線)、複数の信号出力線および電源線(バイアス電圧線)等を含む。各光電変換素子は、光電変換素子で発生した電荷(信号)をスイッチ動作によって外部に取り出すためのTFTが備わっており、走査信号線はTFTのゲート電極に接続され、データ信号線は光電変換素子の下部電極とTFTのソース電極とを接続する。TFTのドレイン電極は、外部に信号を取り出すための信号出力線に接続される。光電変換素子はPIN型フォトダイオード等から成り、電源線はPIN型フォトダイオードの上部電極に接続される。
シンチレータ層7の材料としては、ヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、あるいは酸硫化ガドリニウム(Gd2O2S)などを挙げることができ、用途や必要な特性によって使い分けられる。CsI:Naは、Naを微量含むCsIであることを示す。シンチレータ層7は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータ層7に湿度に対して劣化の大きい材料であるCsI:Tl膜またはCsI:Na膜を用いた場合、シンチレータ層7の上部に、シンチレータ層7で発生した蛍光の利用効率を高めるための反射層が付加されてもよい。シンチレータ層7の厚さは、例えば200μm~600μm程度である。
駆動回路部4は、本実施形態では、放射線検出部3の複数の光電変換素子を能動化/非能動化する制御を実行するとともに光電変換素子に備わったTFTをオン/オフするための、2つの駆動回路部4a,4bを有する。2つの駆動回路部4a,4bは、それぞれ半導体集積回路素子(Integrated Circuit:IC)であってもよい。半導体集積回路素子4a,4bは、ICチップとも呼ばれ、COG(Chip On Glass)方式等の実装方法によって可撓性基板2上に実装され、配線層5に接続される。また駆動回路部4は、低温焼成多結晶シリコン(Low Temperature Poly Silicon:LTPS)等の半導体層を有するTFT等を含む薄膜回路であってもよい。
中継部6は、先端部に、複数の配線層5のそれぞれに接続された複数の接続パッド部10がある。接続パッド部10は配線層5の露出部5rにある。各接続パッド部10は、例えば、ACFによって、外部の主制御装置の中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)等に接続されたFPCに接続することができる。
2 可撓性基板
2a 第1面
2e 延出部
2h 一辺部
2i 辺
3 放射線検出部
4 駆動回路部
4a 第1駆動回路部
4b 第2駆動回路部
5 配線層
5n 内層部
5r 露出部(接続パッド部)
6 中継部
6m 先端部
6n 根元部
6t 増厚部
7 シンチレータ層
8 光電変換部
10 接続パッド部
11 切欠き
13 保護フィルム
Claims (17)
- 可撓性基板と、
前記可撓性基板上に位置する放射線検出部と、
前記可撓性基板の辺部上に、前記放射線検出部に隣接して位置する、前記放射線検出部を駆動する駆動回路部と、
前記可撓性基板の前記辺部から外側に延出する延出部に位置し、前記駆動回路部に接続される複数の配線層を有する外部接続用の中継部と、を備え、
前記可撓性基板における前記放射線検出部がある側と反対側に、突起または突条がある放射線検出装置。 - 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の幅が前記辺部の長さよりも短い請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記可撓性基板は、複数の前記中継部を有する請求項1または2に記載の放射線検出装置。
- 前記駆動回路部は、前記可撓性基板における前記放射線検出部がある側と反対側にある請求項1~3のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記複数の配線層は、前記駆動回路部の側が前記延出部に内挿された内層部と、前記駆動回路部と反対の側が前記延出部から露出する露出部と、を有する請求項1~4のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記複数の配線層は、前記内層部の長さが前記露出部の長さよりも長い請求項5に記載の放射線検出装置。
- 前記内層部は、前記複数の配線層の上側の部位の厚みが、前記複数の配線層の下側の部位の厚みよりも厚い請求項5または6に記載の放射線検出装置。
- 前記複数の配線層は、平面視で前記中継部における占有面積が残部の面積よりも大きい請求項1~7のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の両端が平面視で曲線状とされている請求項1~8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の厚みが残部の厚みよりも厚い請求項1~9のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の幅が、前記根元部と反対側の先端部の幅よりも大きい請求項1~10のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記中継部は、前記辺部に平行な方向において複数に分割されている請求項1~11のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記中継部は、延出方向の長さが、前記可撓性基板における前記中継部以外の部位の前記延出方向の長さよりも長い請求項1~12のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記突起は、前記中継部に位置しており、複数の前記突起が前記中継部の延出方向において近接して並んでいる請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記突条は、前記中継部に位置し、前記中継部の延出方向と交差する方向に伸びており、複数の前記突条が前記中継部の延出方向において近接して並んでいる請求項1に記載の放射線検出装置。
- 前記可撓性基板は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエチレンテレフタレートのうちの1種を含む請求項1~15のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
- 前記可撓性基板は、厚みが5μm以上200μm以下である請求項1~16のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020142959 | 2020-08-26 | ||
JP2020142959 | 2020-08-26 | ||
PCT/JP2021/028651 WO2022044715A1 (ja) | 2020-08-26 | 2021-08-02 | 放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022044715A1 JPWO2022044715A1 (ja) | 2022-03-03 |
JP7504208B2 true JP7504208B2 (ja) | 2024-06-21 |
Family
ID=80352247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022545589A Active JP7504208B2 (ja) | 2020-08-26 | 2021-08-02 | 放射線検出装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230314631A1 (ja) |
EP (1) | EP4206747A1 (ja) |
JP (1) | JP7504208B2 (ja) |
CN (1) | CN116057419A (ja) |
TW (1) | TWI808462B (ja) |
WO (1) | WO2022044715A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230128094A (ko) * | 2021-01-13 | 2023-09-01 | 캐논 덴시칸 디바이스 가부시키가이샤 | 광전 변환 기판 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010185752A (ja) | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出器 |
WO2011040079A1 (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
JP2013253887A (ja) | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Canon Inc | 放射線撮影装置、放射線撮影システム |
US20200121273A1 (en) | 2017-02-14 | 2020-04-23 | Carestream Health, Inc. | Radiographic detector |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5908212B2 (ja) | 2011-01-24 | 2016-04-26 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
JP5905672B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2016-04-20 | 株式会社東芝 | 放射線検出器及びその製造方法 |
KR101320384B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2013-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치 |
JP5911330B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-04-27 | 株式会社東芝 | 放射線検出器およびその製造方法。 |
WO2015015691A1 (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | シャープ株式会社 | タッチパネルセンサシートモジュールおよびタッチパネルシステムモジュールの製造方法 |
TW202006954A (zh) * | 2019-11-01 | 2020-02-01 | 友達光電股份有限公司 | X光偵測模組 |
-
2021
- 2021-08-02 WO PCT/JP2021/028651 patent/WO2022044715A1/ja unknown
- 2021-08-02 JP JP2022545589A patent/JP7504208B2/ja active Active
- 2021-08-02 CN CN202180051628.2A patent/CN116057419A/zh active Pending
- 2021-08-02 US US18/022,671 patent/US20230314631A1/en active Pending
- 2021-08-02 EP EP21861143.2A patent/EP4206747A1/en active Pending
- 2021-08-10 TW TW110129445A patent/TWI808462B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010185752A (ja) | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出器 |
WO2011040079A1 (ja) | 2009-09-29 | 2011-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 放射線撮影装置 |
JP2013253887A (ja) | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Canon Inc | 放射線撮影装置、放射線撮影システム |
US20200121273A1 (en) | 2017-02-14 | 2020-04-23 | Carestream Health, Inc. | Radiographic detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2022044715A1 (ja) | 2022-03-03 |
WO2022044715A1 (ja) | 2022-03-03 |
TW202209651A (zh) | 2022-03-01 |
CN116057419A (zh) | 2023-05-02 |
US20230314631A1 (en) | 2023-10-05 |
EP4206747A1 (en) | 2023-07-05 |
TWI808462B (zh) | 2023-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109728185B (zh) | 显示装置及使用该显示装置的电子装置 | |
US7381965B2 (en) | Radiographic imaging substrate, radiographic imaging apparatus, and radiographic imaging system | |
US11271191B2 (en) | Display device including a heat dissipation member | |
CN113167914B (zh) | 放射线检测器、放射线图像摄影装置及制造方法 | |
TW201944964A (zh) | 放射線檢測器、放射線圖像攝影裝置以及製造方法 | |
WO2018173893A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 | |
JPWO2018173894A1 (ja) | 放射線検出器及び放射線画像撮影装置 | |
JP7504208B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
US10930677B2 (en) | Alternative designs for addressing contacts that enhance bend ability of TFT backplanes | |
CN108627526B (zh) | 放射线检测器以及放射线图像摄影装置 | |
US20180275292A1 (en) | Radiographic imaging apparatus | |
CN111919140B (zh) | 放射线图像摄影装置 | |
TWI758433B (zh) | 放射線檢測器以及放射線圖像攝影裝置 | |
TWI830720B (zh) | 放射線圖像攝影裝置 | |
CN111902735B (zh) | 放射线图像摄影装置 | |
KR20240029592A (ko) | 표시장치 | |
CN117202706A (zh) | 显示装置及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7504208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |