JP7504208B2 - 放射線検出装置 - Google Patents

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Description

本開示は、フレキシブルX線センサ等の放射線検出装置に関する。
従来技術の放射線検出装置は、例えば特許文献1に記載されている。
特開2012-156204号公報
本開示の放射線検出装置は、可撓性基板と、前記可撓性基板上に位置する放射線検出部と、前記可撓性基板の辺部上に、前記放射線検出部に隣接して位置する、前記放射線検出部を駆動する駆動回路部と、前記可撓性基板の前記辺部から外側に延出する延出部に位置し、前記駆動回路部に接続される複数の配線層を有する外部接続用の中継部と、を備え、前記可撓性基板における前記放射線検出部がある側と反対側に、突起または突条がある構成である。
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本開示の一実施形態の放射線検出装置の構成を示す平面図である。 図1の放射線検出装置を左方から見た部分拡大側面図である。 図2Aの構成において、中継部の配線層の上層がない例を示す部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の根元部の拡大平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の根元部の拡大平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示し、中継部の部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 図8の放射線検出装置を左方から見た部分拡大側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 図11の放射線検出装置の1例を左方から見た側面図である。 図11の放射線検出装置の他の例を左方から見た側面図である。 図11の放射線検出装置の他の例を左方から見た側面図である。 図11の放射線検出装置の他の例を左方から見た側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 図14の放射線検出装置を左方から見た側面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。 本開示の他の実施形態の放射線検出装置を示す平面図である。
本開示の放射線検出装置が基礎とする構成の放射線検出装置であるX線センサは、X線センサパネルを備える。X線センサパネルは、ガラス基板を備え、ガラス基板上にマトリックス状に配列された受光部(光電変換部)および受光部において発生した信号(電荷)を外部に取り出す駆動回路部等が形成され、その上層にシンチレータ層が積層されることによって、作製される。X線センサは、X線センサパネルに保護枠、回路基板、配線等の周知の部材を取り付けて構成される。X線センサは、X線を可視光に変換する撮像装置の1種であり、撮像した画像信号を表示装置に表示させることができる。X線センサパネルはレントゲン装置等に組み込まれて使用される。
X線センサパネルは、単体または複数が、レントゲン装置等の大型放射線撮像装置に運搬されて組み込まれる際に、軽量化による運搬時の利便性、破損防止性等の点で、フレキシブルX線パネル(以下、フレキシブルパネルともいう)であることが要望されている。フレキシブルパネルは、薄型および軽量なうえに、ガラス基板を備えたX線パネルと比較して、落下、他の部材との衝突の際にきわめて破損しにくいという利点がある。近年、フレキシブルパネルに対する要望が、大型放射線撮像装置を用いることが多い医療分野等で高まっている。
従来のフレキシブルパネルは、例えば以下のように作製される。先ず、ガラス基板上に、フレキシブルパネルの可撓性基板(フレキシブル基板)となるポリイミド(PI)樹脂フィルムを形成する。次に、可撓性基板の上に、マトリックス状に配列された光電変換部である受光部、各受光部において発生した信号(電荷)を外部に取り出すためのスイッチ素子としての薄膜トランジスタ(Thine Film Transistor:TFT)等を形成して、光電変換センサ部を作り込む。この時点でフレキシブルパネルの本体部は完成する。次に、可撓性基板の端部に、外部接続部材としての、フレキシブルプリント基板(Flexible Printed Circuit:FPC)、TAB(Tape Automated Bonding)テープ等を、異方性導電膜(Anisotropic Conductive Film:ACF)等の導電接続部材を介して電気的および機械的に接続し実装する。外部接続部材は、プリント配線板(Printed Wiring Board:PWB)を介して外部の制御回路等に接続される。最後に、可撓性基板をガラス基板から剥離することによって、外部接続部材付のフレキシブルパネルが完成する。
このようなフレキシブルパネルは、通常、数ミクロン~数百ミクロンの厚さであるため、剥離後の取扱性(ハンドリング性)が悪いという課題がある。そのため、裏面に支持フィルムを貼り、表面に保護フィルムを貼ることが多用されている。
前述の従来技術のように、フレキシブルパネルの本体部の完成後に、FPC、TAB等の外部接続部材を接続し実装する構成においては、外部接続部材は、数百~数千個単位で一体となったリール状のものから型抜きを行い個片化して作製される。外部接続部材を別個に作製すると、外部接続部材の実装時の歩留り低下、工程数の増加による製造費用の増加、工程数の増加による信頼性の低下等のリスクもある。また、外部接続部材付のフレキシブルパネルは、可撓性基板における外部接続部材の実装部位ではない部分では、縦方向(可撓性基板の基板面に直交する方向)の曲げ荷重に対する耐性は有する。しかし、可撓性基板における実装部位およびそれに連なる部分では、FPC,TABテープ等の可撓性基板の裏面側へ外部接続部材を曲げて使用する際に生じる縦方向の曲げ荷重に対する耐性、および熱歪みによる縦方向の曲げ荷重に対する耐性は、十分でない。即ち、可撓性基板における外部接続部材の実装部位から外部接続部材が剥離したり、接続不良を起こす場合があった。
また、可撓性基板の裏面側へ外部接続部材を曲げて使用する際に生じる縦方向の曲げ荷重、および熱歪みによる縦方向の曲げ荷重によって、可撓性基板上の外部接続部材の近傍に位置する駆動回路部に応力が加わりやすい。その場合、駆動回路部を構成するTFTに応力が加わって特性が劣化したり、駆動回路部がIC等の駆動素子を含む場合に駆動素子が可撓性基板から外れるおそれがある。
したがって、縦方向の曲げ荷重に対する十分な耐性を有し、実装時の歩留りの低下、信頼性の低下が抑制された放射線検出装置が求められている。
以下、添付図面を参照して、本開示の放射線検出装置の実施形態について説明する。
(全体構成)
図1は、本開示の一実施形態の放射線検出装置1の構成を示す平面図である。図2Aは、図1の放射線検出装置1を左方から見た図であり、中継部およびその周辺部を示す部分拡大側面図である。本実施形態の放射線検出装置1は、例えば、X線源から照射されて人体等の被検体を通過したX線を、2次元的(マトリックス的)に検出したX線量に応じた電気信号として取出すために用いられる。更には、本実施形態の放射線検出装置1は、例えば2次元的な電気信号を表示装置に画像として表示する目的にも用いられる。
放射線検出装置1は、図1に示すように、可撓性基板2と、可撓性基板2上に位置する放射線検出部3と、可撓性基板2の一辺部2h上に、放射線検出部3に隣接して位置する、放射線検出部3を駆動する駆動回路部4と、可撓性基板2の一辺部2hから外側に延出する延出部2eに位置し、駆動回路部4に接続される複数の配線層5を有する外部接続用の中継部6と、を備える構成である。また、中継部6は、一辺部2hの側の根元部6n(図2A,2B,3A,3Bに示す)の幅(一辺部2hが延びる方向に平行な方向の幅)W1が一辺部2hの長さW2よりも短い構成であってもよい。なお、一辺部2hの長さW1は、矩形板状等の複数の辺を有する形状である可撓性基板2において、一辺部2hに含まれる辺2i(図3A,3Bに示す)の長さである。具体的には、図1の可撓性基板2の角2ha(図1,3A,3Bに示す)と角2hb(図1,3A,3Bに示す)とを結ぶ直線の長さである。
また中継部6は、可撓性基板2が複数の辺部を有する矩形状等の形状である場合、複数の辺部、例えば2辺部、4辺部に、それぞれ設けられていてもよい。なお、以下の説明においては、中継部6が一辺部2hに設けられている例について説明する。
中継部6の根元部6nの幅W1は、一辺部2hの長さW2の50%~100%(50%乃至100%を意味する)程度であってもよく、また70%~90%程度であってもよく、これらの値に限らない。延出部2eである中継部6の延出方向の長さL1は、延出部2eを除いた第1面2aの長さL2の30%~70%程度であってもよく、また40%~60%程度であってもよいが、これらの値に限らない。
上記の構成により、以下の効果を奏する。外部接続用の中継部6は、可撓性基板2の一辺部2hから外側に延出する延出部2eに位置することから、従来のように、別体の外部接続部材が可撓性基板2の端部に接続された構成ではない。その結果、外部接続部材の実装部位から外部接続部材が剥離したり、接続不良を起こすことがなくなる。従って、外部接続部材の実装時の歩留り低下、工程数の増加による製造費用の増加、工程数の増加による信頼性の低下等のリスクがなくなる。また、可撓性基板2の一辺部2hから外側に延出する延出部2eに位置する外部接続用の中継部6は、一辺部2hの側の根元部6nの幅W1が一辺部2hの長さW2よりも短いことから、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際に、中継部6は、一辺部2hの長さW2を同じ幅である場合に比べて曲げ力F(図2に示す)に対する抗力が低下し、中継部6が曲がりやすくなる。また、駆動回路部4が位置する可撓性基板2の一辺部2hは、曲げ力Fに対する抗力が低下せず、曲がりにくくなる。その結果、駆動回路部4を構成するTFTに応力が加わって特性が劣化したり、駆動回路部4がIC等の駆動素子を含む場合に、駆動素子が可撓性基板2から外れることを抑えることができる。また、熱歪みによる縦方向の曲げ荷重が発生した場合も同様の効果を奏する。即ち、温度上昇によって中継部6が延出方向Yに膨張して延びた結果、中継部6が曲がったり、曲げてあった中継部6の曲率が大きくなる場合に、曲げ荷重が発生または増大したとしても、上記と同様の効果を奏する。
また、可撓性基板2を備えた放射線検出装置1を曲面等の非平坦面に設置して使用することも可能となる。例えば、放射線検出装置1を人体の上半身等の立体的曲面に沿わせて設置することも可能となる。
可撓性基板2上に位置する放射線検出部3は、例えば可撓性基板2の第1面2a上に位置する。具体的には、放射線検出部3は、第1面2aの中心部上に、平面視で第1面2aの面積の70%~90%程度の面積を有して位置する。
駆動回路部4は、可撓性基板2の一辺部2h上に、放射線検出部3に隣接して位置し、放射線検出部3を駆動する。駆動回路部4は、可撓性基板2の第1面2aの側にあってもよく、第1面2aと反対側の第2面2bの側にあってもよい。駆動回路部4は、可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側にあってもよい。駆動回路部4が可撓性基板2の第2面2bの側にある場合、可撓性基板2の放射線検出部3がある第1面2aの側に照射されるX線等の放射線に対する、駆動回路部4の耐放射線性が向上する。駆動回路部4は、図1に示すように、放射線検出部3の光電変換用の画素密度に応じて駆動回路部4a,4bのように複数あってもよい。また、駆動回路部4は、低温焼成多結晶シリコン(Low Temperature Poly Silicon:LTPS)から成る半導体層を有するTFTを備えた薄膜回路であってもよく、IC,LSI等の駆動素子であってもよい。
一辺部2hの面積は、延出部2eを除いた第1面2aの面積の1%~20%程度であり、また5%~10%程度であってよいが、これらの値に限らない。
図2Aに示すように、複数の配線層5は、駆動回路部4の側が延出部2eに内層された内層部5nと、駆動回路部4と反対の側が延出部2eから露出する露出部5rと、を有する構成であってもよい。この場合、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際、内層部5nによって配線層5および中継部6の縦方向の曲げ荷重に対する耐性が向上する。また、熱歪みによって発生または増大した縦方向の曲げ荷重に対する耐性が向上する。また、内層部5nがあることから、可撓性基板2の放射線検出部3がある第1面2aの側に照射されるX線等の放射線に対する、配線層5の耐放射線性が向上する。露出部5rは、外部接続部として用いることができる。
内層部5nにおいて、配線層5の上側の部位の厚みが配線層5の下側の部位の厚みよりも厚くてもよい。この場合、可撓性基板2の放射線検出部3がある第1面2aの側に照射されるX線等の放射線に対する、配線層5の耐放射線性が向上する。
また複数の配線層5は、図2Aに示すように、内層部5nの長さLnが露出部5rの長さLrよりも長い構成であってもよい。この場合、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際、長い内層部5nによって配線層5および中継部6の縦方向の曲げ荷重に対する耐性がより向上する。また、熱歪みによって発生または増大した縦方向の曲げ荷重に対する耐性がより向上する。中継部6の全体の長さに対する内層部5nの長さLnは60%~90%程度であってもよく、また70%~80%程度であってもよいが、これらの値に限らない。
図2Bに示すように、中継部6において複数の配線層5の上層がない構成であってもよい。即ち、複数の配線層5が露出していてもよい。この場合、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際、中継部6の剛性が低下することから、中継部6が曲がりやすくなる。
複数の配線層5は、平面視で中継部6における占有面積が残部の面積よりも大きい構成であってもよい。この場合、機械的強度が大きく靭性を有する金属、合金から成る複数の配線層5によって、中継部6の曲げ荷重に対する耐性がより向上する。複数の配線層5の平面視での中継部6における占有面積は、中継部6の面積に対して50%を超え90%程度以下であってもよく、また70%~90%程度であってもよいが、これらの値に限らない。
図3A、図3Bに示すように、中継部6は、根元部6nの両端が平面視で曲線状とされている構成であってもよい。この場合、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際に、中継部6は曲げ力Fに対する抗力がより低下し、中継部6がより曲がりやすくなる。また、駆動回路部4が位置する可撓性基板2の一辺部2hは、曲げ力Fに対する抗力が低下せず、より曲がりにくくなる。その結果、駆動回路部4を構成するTFTに応力が加わって特性が劣化したり、駆動回路部4がIC等の駆動素子を含む場合に駆動素子が可撓性基板2から外れることをより抑えることができる。また、熱歪みによる縦方向の曲げ荷重が発生した場合も同様の効果を奏する。
図3Aは、中継部6の根元部6nの両端の両側面が辺2iに曲線状でもって緩やかに接続された入隅部を有する構成である。図3Bは、中継部6の根元部6nの両端の両側面が内側に凹んだ曲線状でもって辺2iに接続されている構成である。この場合、中継部6がより曲がりやすくなるとともに、一辺部2hがより曲がりにくくなる。
図4A,4B,4Cに示すように、中継部6は、根元部6nの厚みが残部の厚みよりも厚い構成であってもよい。この場合、根元部6nが補強されてその強度が向上する結果、可撓性基板2の裏面側へ中継部6を曲げて使用する際に、中継部6の曲げ部を中継部6の先端側へずらすことができる。従って、一辺部2hがより曲がりにくくなることから、駆動回路部4を構成するTFTに応力が加わって特性が劣化したり、駆動回路部4がIC等の駆動素子を含む場合に駆動素子が可撓性基板2から外れることをより抑えることができる。
図4Aは中継部6の根元部6nに増厚部6tがある構成である。図4Bは増厚部6tの一部が一辺部2hに延出している構成である。この場合、一辺部2hの補強効果が向上し、一辺部2hがより曲がりにくくなる。図4Cは、増厚部6tの一辺部2hに延出している延出部2eの長さが残部の長さよりも長い構成である。この場合、一辺部2hの補強効果がより向上し、一辺部2hがより曲がりにくくなる。増厚部6tの厚みは、中継部6の残部の厚みの1倍を超え1.5倍以下程度であってもよいが、この値に限らない。また増厚部6tの長さは、中継部6の残部の長さの3%~20%程度であってもよく、また5%~15%程度であってもよいが、これらの値に限らない。増厚部6tは、中継部6の根元部6nを厚くした構成であってもよく、中継部6と同じ材料または異なる材料から成る層状体を根元部6nに積層した構成であってもよい。
図5は、中継部6の先端面に複数の配線層5が延出している構成である。この場合、複数の配線層5の露出部5rにFPC等の外部接続部材の配線を、異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film:ACF)、ハンダ等の導電接続部材を介して接続する際に、導電接続部材が複数の配線層5が延出部5eに伸展して接合面積が増大する。その結果、導電接続部材の接続部における縦方向の曲げ荷重に対する耐性がより向上する。
図6A,6B(複数の配線層5の図示は省いている)に示すように、中継部6は、根元部6nの幅W1が、根元部6nと反対側の先端部6mの幅W3よりも大きい構成であってもよい。この場合、中継部6の全体の剛性が若干低下し、中継部6が曲がりやすくなるとともに、一辺部2hが曲がりにくくなる。図6Aは、中継部6の幅が根元部6nから先端部に向かって漸次短くなる構成である。図6Bは、中継部6の根元部6nと先端部との間に段差部2gがあり、中継部6の幅がW1とW3との間でステップ状に変化する構成である。
図7に示すように、中継部6は、一辺部2hに平行な方向において複数に分割されている構成であってもよい。この場合、個々の中継部6の剛性が低下し、中継部6が曲がりやすくなるとともに、一辺部2hが曲がりにくくなる。複数の中継部6の数は2以上5以下程度であってもよいが、この値に限らない。
図11に示すように、放射線検出装置1fは、中継部6の延出方向の長さL1が、可撓性基板2における中継部6以外の部位(本体部)の延出方向の長さL2よりも長い構成であってもよい。この場合、中継部6を可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側に折り曲げた状態で放射線検出装置1を使用する場合、中継部6の折り曲げ部の曲率半径が小さくなることを抑えることができる。すなわち、中継部6の折り曲げ部が屈曲した状態になることを抑えて、中継部6の折り曲げ部の曲率半径を大きくすることができる。その結果、折り曲げ部に常時加わる応力を低減させることによって、経時的に折り曲げ部が劣化し折り曲げ部にひび割れ等が生ずることを抑えることができる。長さL1は長さL2の1倍を超え2倍程度以下であってもよいが、この範囲に限らない。
また、図11に示すように、可撓性基板2は、放射線検出部3がある側と反対側に突起20,21があってもよい。突起20,21は、中継部6の折り曲げ部6c(図12A~12Dに示す)の折り曲げ具合を規制する規制部材として機能する。突起20は可撓性基板2の本体部にあり、突起21は可撓性基板2の中継部6にある。突起20,21は少なくとも一方だけであってもよい。この場合、図12A~12Dに示すように、中継部6を可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側に折り曲げた状態で放射線検出装置1を使用する場合、突起20の先端が中継部6に当接すること、または突起21の先端が本体部に当接することによって、中継部6の折り曲げ部6cの曲率半径が小さくなることを抑えることができる。すなわち、折り曲げ部6cが屈曲した状態になることを抑えて、折り曲げ部6cの曲率半径を大きくすることができる。その結果、折り曲げ部6cに常時加わる応力を低減させることによって、経時的に折り曲げ部6cが劣化し折り曲げ部6cにひび割れ等が生ずることを抑えることができる。
図12Aは、可撓性基板2の本体部に突起20がある構成であり、突起20の先端が部分球面等の凸型の曲面状になっている構成である。この場合、突起20の先端と中継部6との摩擦を低減させることができる。例えば、中継部6が熱膨張等によって延出方向に伸びるように変形しても、突起20の先端が中継部6に引っ掛かることを抑えることができる。図12Bは、可撓性基板2の本体部に突起20がある構成であり、突起20の先端が幅広になっている構成である。この場合、突起20は、支持部材として効果的に機能することから、可撓性基板2の本体部と中継部6との間の間隔を確実に保持することができる。その結果、折り曲げ部6cの曲率半径が大きい状態を保持することができる。図12Cは、可撓性基板2の中継部6に突起21がある構成であり、突起21の先端が部分球面等の凸型の曲面状になっている構成である。この場合、図12Aの構成と同様の効果を奏する。図12Dは、可撓性基板2の中継部6に突起21がある構成であり、突起21の先端が幅広になっている構成である。この場合、図12Bの構成と同様の効果を奏する。
図13に示すように、放射線検出装置1gは、可撓性基板2において放射線検出部3がある側と反対側に突条22,23があってもよい。突条22,23は、中継部6の折り曲げ部6cの折り曲げ具合を規制する規制部材として機能する。突条22は可撓性基板2の本体部にあり、突条23は可撓性基板2の中継部6にある。突条22,23は少なくとも一方があってもよい。この場合、中継部6を可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側に折り曲げた状態で放射線検出装置1を使用する場合、中継部6の折り曲げ部6cの曲率半径が小さくなることを抑えることができる。すなわち、折り曲げ部6cが屈曲した状態になることを抑えて、折り曲げ部6cの曲率半径を大きくすることができる。その結果、折り曲げ部6cに常時加わる応力を低減させることによって、経時的に折り曲げ部6cが劣化し折り曲げ部6cにひび割れ等が生ずることを抑えることができる。突条22,23は、延出方向と交差する方向に伸びるように設けられてもよい。突条22,23の延出方向と交差する交差角度は、70°~110°程度であってもよく、80°~100°程度であってもよく、90°程度であってもよいが、これらの範囲および値に限らない。
図14に示すように、放射線検出装置1hは、突起21が中継部6の折り曲げ部6cに位置しており、複数の突起21が中継部6の延出方向において近接して並んでいる構成であってもよい。この場合、図15に示すように、中継部6を可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側に折り曲げた状態で放射線検出装置1を使用する場合、中継部6の折り曲げ部6cにおいて複数の突起21同士が衝突することによって、折り曲げ部6cの曲率半径が小さくなることを抑えることができる。複数の突起21は、折り曲げ部6cの折り曲げ具合を規制する規制部材としてより効果的に機能する。複数の突起21のそれぞれ高さは、図11の構成の場合と比較して、半分以下に小型化することができる。複数の突起21の隣接間隔は0.1mm~10mm程度であってもよいが、この範囲に限らない。
図16に示すように、放射線検出装置1iは、突条23が中継部6の折り曲げ部6cに位置しており、複数の突条23が中継部6の延出方向において近接して並んでいる構成であってもよい。この場合、中継部6を可撓性基板2における放射線検出部3がある側と反対側に折り曲げた状態で放射線検出装置1を使用する場合、中継部6の折り曲げ部6cにおいて複数の突条23同士が衝突することによって、折り曲げ部6cの曲率半径が小さくなることを抑えることができる。複数の突条23は、折り曲げ部6cの折り曲げ具合を規制する規制部材としてより効果的に機能する。複数の突条23のそれぞれ高さは、図11の構成の場合と比較して、半分以下に小型化することができる。複数の突条23の隣接間隔は0.1mm~10mm程度であってもよいが、この範囲に限らない。
図17に示すように、放射線検出装置1jは、中継部6の途中に、延出方向に直交する方向における幅が狭い部位6wがある構成であってもよい。この場合、中継部6を部位6wにおいて延出方向の軸線回りに捩じることが容易になる。その結果、放射線検出装置1jの周囲の構成部材または周辺装置の配置構造が複雑であったとしても、放射線検出装置1jを周囲の構成部材または周辺装置に組み込むことが容易になる。部位6wは曲線状であるが、図18の放射線検出装置1kに示すように直線状であってもよい。部位6wの延出方向に直交する方向における幅は、中継部6の部位6w以外の部位の幅の1/2以上1倍未満であってもよいが、この範囲に限らない。部位6の延出方向における長さは、中継部6の長さの10%~90%程度であってもよく、30%~70%程度であってもよいが、これらの範囲に限らない。
(可撓性基板2)
可撓性基板2は、平面視において略長方形状であり、可撓性を有する材料から成る。可撓性を有する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリエーテルスルホン(PES)樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低いポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびポリエチレンテレフタレート(PET)のうちの1種を好適に用いることができる。
可撓性基板2の厚みは5μm以上200μm以下であってもよい。可撓性基板2の材料として、例えば前述のポリイミド樹脂を用いる場合、厚みを5μm以上200μm以下とすることによって、適度の可撓性(または曲げ剛性)と引張り強さとを得ることができる。
延出部2eの厚みが可撓性基板2の本体部の厚みよりも薄くてもよい。この場合、延出部2eを曲げて使用するときに、延出部2eが曲げやすくなり、可撓性基板2の本体部が曲がりにくくなる。また、可撓性基板2の本体部における延出部2eとの境界部に、大きな応力が加わることを抑えることができる。この場合、延出部2eの厚みは可撓性基板2の本体部の厚みの10%以上100%未満であってもよいが、この範囲に限らない。
また、延出部2eの厚みが、先端に向かうに伴って漸次または段階的に、可撓性基板2の本体部の厚みよりも薄くなる構成であってもよい。この場合、延出部2eを曲げて使用するときに、延出部2eが曲げやすくなり、可撓性基板2の本体部がより曲がりにくくなる。また、可撓性基板2の本体部における延出部2eとの境界部に、大きな応力が加わることをより抑えることができる。
(放射線検出部3)
放射線検出部3は、可撓性基板2の一主面である第1面2a上に設けられ、入射するX線を蛍光に変換するX線変換部であるシンチレータ層7と、第1面2a上に設けられ、シンチレータ層7からの蛍光を電気信号に変換する光電変換部8とを有する。光電変換部8は、第1面2a上において直交する第1方向(例えば、行方向)Xおよび第2方向(例えば、列方向)Yに沿って行列状に配設された複数の光電変換素子によって実現される。光電変換素子としては、例えばフォトダイオードを用いることができる。各光電変換素子は、可撓性基板2の第1面2a上または内層に位置する複数の配線層5によって、駆動回路部4に電気的に接続されている。複数の配線層5は、複数の走査信号線(ゲート信号線)、複数のデータ信号線(ソース信号線)、複数の信号出力線および電源線(バイアス電圧線)等を含む。各光電変換素子は、光電変換素子で発生した電荷(信号)をスイッチ動作によって外部に取り出すためのTFTが備わっており、走査信号線はTFTのゲート電極に接続され、データ信号線は光電変換素子の下部電極とTFTのソース電極とを接続する。TFTのドレイン電極は、外部に信号を取り出すための信号出力線に接続される。光電変換素子はPIN型フォトダイオード等から成り、電源線はPIN型フォトダイオードの上部電極に接続される。
(シンチレータ層7)
シンチレータ層7の材料としては、ヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、あるいは酸硫化ガドリニウム(Gd22S)などを挙げることができ、用途や必要な特性によって使い分けられる。CsI:Naは、Naを微量含むCsIであることを示す。シンチレータ層7は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータ層7に湿度に対して劣化の大きい材料であるCsI:Tl膜またはCsI:Na膜を用いた場合、シンチレータ層7の上部に、シンチレータ層7で発生した蛍光の利用効率を高めるための反射層が付加されてもよい。シンチレータ層7の厚さは、例えば200μm~600μm程度である。
反射層は、シンチレータ層7で発光した蛍光のうち光電変換部8とは反対側に向かう蛍光を反射させて、光電変換部8に到達させ、蛍光の受光量を増加させることができる。反射層の材料としては、例えばAl,Al合金などの蛍光反射率の高い金属であってよく、反射層はシンチレータ層上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法等の薄膜形成法によって成膜されてもよい。
(駆動回路部4)
駆動回路部4は、本実施形態では、放射線検出部3の複数の光電変換素子を能動化/非能動化する制御を実行するとともに光電変換素子に備わったTFTをオン/オフするための、2つの駆動回路部4a,4bを有する。2つの駆動回路部4a,4bは、それぞれ半導体集積回路素子(Integrated Circuit:IC)であってもよい。半導体集積回路素子4a,4bは、ICチップとも呼ばれ、COG(Chip On Glass)方式等の実装方法によって可撓性基板2上に実装され、配線層5に接続される。また駆動回路部4は、低温焼成多結晶シリコン(Low Temperature Poly Silicon:LTPS)等の半導体層を有するTFT等を含む薄膜回路であってもよい。
(中継部6)
中継部6は、先端部に、複数の配線層5のそれぞれに接続された複数の接続パッド部10がある。接続パッド部10は配線層5の露出部5rにある。各接続パッド部10は、例えば、ACFによって、外部の主制御装置の中央演算処理装置(Central Processing Unit:CPU)等に接続されたFPCに接続することができる。
本実施形態の放射線検出装置1によれば、可撓性基板2の第1面2a上に、放射線検出部3と駆動回路部4とが設けられ、中継部6が延出して設けられるので、曲げ荷重に対して高い耐性を有し、製造時の歩留りの低下および信頼性の低下を抑制することができる。なお、曲げ荷重は、製品用途に応じて、例えば中継部6を可撓性基板2の裏面側へ曲げて使用する際に発生し、また放射線検出装置を曲面等の非平坦面に設置する際に発生し、また放射線検出装置を設置した後の温度上昇による中継部6の熱膨張によって発生する。
図7は、本開示の他の実施形態の放射線検出装置1cを示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には、同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の放射線検出装置1cは、放射線検出部3、駆動回路部4、および中継部6aを備える。放射線検出部3および駆動回路部4は、前述の実施形態の放射線検出装置1と同様に構成される。本実施形態の放射線検出装置1cでは、中継部6aは第1方向Xの中央部に切欠き11が形成され、第1中継部6a1と第2中継部6a2とに分割されている。このような切欠き11は、例えばプレス加工等によって容易に形成することができる。
本実施形態の放射線検出装置1cによれば、第1中継部6a1の接続パッド部10と、第2中継部6a2の接続パッド部10とに、個別にFPC、TAB、PWB等を接続し、筐体等の内部での配置環境に適合させやすく、高い配置上の自由度を得ることができる。また、第1中継部6a1および第2中継部6a2を個別のFPC等の部品によって実現する場合に比べて、製造工程数が少なく、高い生産性を達成することができる。
図8は、本開示のさらに他の実施形態の放射線検出装置1dを示す平面図であり、図9は、放射線検出装置1dを図8の中継部6およびその周辺を左方から見た部分拡大側面図である。なお、前述の各実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の放射線検出装置1bは、放射線検出部3、駆動回路部4、および中継部6を備え、さらに保護フィルム13を備える。これらの放射線検出部3、駆動回路部4および中継部6は、前述の実施形態の放射線検出装置1と同様に構成される。保護フィルム13は、可撓性基板2に放射線検出部3と駆動回路部4とを組み込んだ後、ハンドリング性の向上および表面保護を目的として、放射線検出部3、駆動回路部4および中継部6の表面全体を覆うように貼り付けられる。
保護フィルム13は、ゴミや埃からの表面保護だけの機能に限らず、耐放射線性等の機能を有していてもよい。例えば、保護フィルム13は、放射線遮蔽層、断熱層および熱拡散層がこの順序で積層された3層構造であってもよい。この場合、放射線遮蔽層は、例えば、鉛、タングステン、又は、ステンレス鋼等で構成され、放射線のバック散乱線を吸収し、被写体を透過した放射線が駆動回路部4等の電気処理部に照射されることを防止する。また断熱層は、例えば、ウレタンまたは発泡ポリエチレン等で構成され、放射線検出部3および駆動回路部4の間の熱伝達を抑制する。また熱拡散層は、断熱層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で構成され、断熱層の熱を拡散する。
前述の図8に示される実施形態では、中継部6の中央部に1本の切欠き11を形成して2つの第1中継部6a1,6a2に分割された構成について述べたが、本開示のさらに他の実施形態では、中継部6aに2本以上の切欠き11が形成されてもよい。また中継部6は、平面視における形状が、放射線検出部3および駆動回路部4よりも細幅の長方形である構成であるが、実装部品の大きさおよび形状、発熱などの温度特性、電磁特性、光学特性等の部品特性、取付け環境等に応じて、切削加工、切断加工、打ち抜き加工等によって、容易に適切な形状とし得る。また、中継部6は取付け対象へ湾曲させるなどして変形させ、あるいは変形させずに配置することができ、高い設計上の自由度を得ることができる。
図10は、本開示のさらに他の実施形態の放射線検出装置1eを示す平面図である。本実施形態の放射線検出装置1eは、図7の構成において、切欠き11の中継部6の延出方向の長さが中継部6の延出方向の長さよりも短い構成である。この場合、中継部6の曲げ部を中継部6の先端側へずらすことができる。従って、一辺部2hが曲がりにくくなることから、駆動回路部4を構成するTFTに応力が加わって特性が劣化したり、駆動回路部4がIC等の駆動素子を含む場合に駆動素子が可撓性基板2から外れることをより抑えることができる。
以上の各実施形態によれば、可撓性基板2の第1面2a上に、放射線検出部3と駆動回路部4が設けられ、可撓性基板2から延出して中継部6が設けられるので、中継部6は曲げ荷重に対して高い耐性を有し、実装時の歩留りの低下および信頼性の低下を抑制することができる。
本開示の放射線検出装置によれば、外部接続用の中継部は、可撓性基板の辺部から外側に延出する延出部に位置することから、従来のように、別体の外部接続部材が可撓性基板の端部に接続された構成ではない。その結果、外部接続部材の実装部位から外部接続部材が剥離したり、接続不良を起こすことがなくなる。従って、外部接続部材の実装時の歩留り低下、工程数の増加による製造費用の増加、工程数の増加による信頼性の低下等のリスクがなくなる。
以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本開示の範囲は請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、請求の範囲に属する変形や変更は全て本開示の範囲内のものである。
1,1a~1k 放射線検出装置
2 可撓性基板
2a 第1面
2e 延出部
2h 一辺部
2i 辺
3 放射線検出部
4 駆動回路部
4a 第1駆動回路部
4b 第2駆動回路部
5 配線層
5n 内層部
5r 露出部(接続パッド部)
6 中継部
6m 先端部
6n 根元部
6t 増厚部
7 シンチレータ層
8 光電変換部
10 接続パッド部
11 切欠き
13 保護フィルム

Claims (17)

  1. 可撓性基板と、
    前記可撓性基板上に位置する放射線検出部と、
    前記可撓性基板の辺部上に、前記放射線検出部に隣接して位置する、前記放射線検出部を駆動する駆動回路部と、
    前記可撓性基板の前記辺部から外側に延出する延出部に位置し、前記駆動回路部に接続される複数の配線層を有する外部接続用の中継部と、を備え、
    前記可撓性基板における前記放射線検出部がある側と反対側に、突起または突条がある放射線検出装置。
  2. 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の幅が前記辺部の長さよりも短い請求項1に記載の放射線検出装置。
  3. 前記可撓性基板は、複数の前記中継部を有する請求項1または2に記載の放射線検出装置。
  4. 前記駆動回路部は、前記可撓性基板における前記放射線検出部がある側と反対側にある請求項1~3のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  5. 前記複数の配線層は、前記駆動回路部の側が前記延出部に内された内層部と、前記駆動回路部と反対の側が前記延出部から露出する露出部と、を有する請求項1~4のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  6. 前記複数の配線層は、前記内層部の長さが前記露出部の長さよりも長い請求項5に記載の放射線検出装置。
  7. 前記内層部は、前記複数の配線層の上側の部位の厚みが、前記複数の配線層の下側の部位の厚みよりも厚い請求項5または6に記載の放射線検出装置。
  8. 前記複数の配線層は、平面視で前記中継部における占有面積が残部の面積よりも大きい請求項1~7のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  9. 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の両端が平面視で曲線状とされている請求項1~8のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  10. 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の厚みが残部の厚みよりも厚い請求項1~9のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  11. 前記中継部は、前記辺部の側の根元部の幅が、前記根元部と反対側の先端部の幅よりも大きい請求項1~10のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  12. 前記中継部は、前記辺部に平行な方向において複数に分割されている請求項1~11のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  13. 前記中継部は、延出方向の長さが、前記可撓性基板における前記中継部以外の部位の前記延出方向の長さよりも長い請求項1~12のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  14. 前記突起は、前記中継部に位置しており、複数の前記突起が前記中継部の延出方向において近接して並んでいる請求項1に記載の放射線検出装置。
  15. 前記突条は、前記中継部に位置し、前記中継部の延出方向と交差する方向に伸びており、複数の前記突条が前記中継部の延出方向において近接して並んでいる請求項に記載の放射線検出装置。
  16. 前記可撓性基板は、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂およびポリエチレンテレフタレートのうちの1種を含む請求項1~15のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
  17. 前記可撓性基板は、厚みが5μm以上200μm以下である請求項1~16のいずれか1項に記載の放射線検出装置。
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