JP7501654B2 - 磁気センサパッケージ - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 25
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る磁気センサパッケージの構成を示す断面図である。図2は、図1の磁気センサパッケージをII-II線矢印方向から見た平面図である。図3は、図1の磁気センサパッケージを矢印III方向から見た底面図である。
以下、本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージについて図を参照して説明する。本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージは、絶縁層が薄膜で構成されている点が主に、本発明の実施の形態1に係る磁気センサパッケージ100と異なるため、本発明の実施の形態1に係る磁気センサパッケージ100と同様である構成については説明を繰り返さない。
以下、本発明の実施の形態3に係る磁気センサパッケージについて図を参照して説明する。本発明の実施の形態3に係る磁気センサパッケージは、磁気センサチップの第2表面が研削面である点が、本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージ200と異なるため、本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージ200と同様である構成については説明を繰り返さない。
以下、本発明の実施の形態4に係る磁気センサパッケージについて図を参照して説明する。本発明の実施の形態4に係る磁気センサパッケージは、柱状電極と接続電極との間に延長配線層が設けられている点が主に、本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージ200と異なるため、本発明の実施の形態2に係る磁気センサパッケージ200と同様である構成については説明を繰り返さない。
Claims (4)
- 接続端子が設けられた第1表面を有し、該第1表面に沿って磁気検出素子が配置された磁気センサチップと、
前記接続端子と電気的に接続され、前記第1表面に沿いつつ前記第1表面と直交する方向から見て前記磁気センサチップの縁より外側まで延在している接続配線層と、
前記第1表面と直交する方向から見て前記磁気センサチップの縁より外側の位置にて前記接続配線層と電気的に接続され、前記磁気センサチップに間隔をあけて前記磁気センサチップに沿って延在している柱状電極と、
前記接続配線層の磁気センサチップ側の面とは反対側の面と接しつつ、前記第1表面を覆う絶縁層と、
前記柱状電極の接続配線層側とは反対側の端面と電気的に接続された接続電極とを備え、
前記絶縁層および前記接続配線層は、プリント配線板から形成されている、磁気センサパッケージ。 - 前記絶縁層は、厚みが10μm以下の薄膜で構成されている、請求項1に記載の磁気センサパッケージ。
- 前記柱状電極の前記端面および前記接続電極の各々と電気的に接続され、前記柱状電極の前記端面に沿う方向に延在している延長配線層をさらに備える、請求項1または請求項2に記載の磁気センサパッケージ。
- 前記磁気センサチップの少なくとも周面を覆うモールド樹脂部をさらに備え、
前記磁気センサチップの前記第1表面とは反対側の第2表面は、研削面であり、前記モールド樹脂部から露出している、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の磁気センサパッケージ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020176519 | 2020-10-21 | ||
JP2020176519 | 2020-10-21 | ||
PCT/JP2021/032819 WO2022085319A1 (ja) | 2020-10-21 | 2021-09-07 | 磁気センサパッケージ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022085319A1 JPWO2022085319A1 (ja) | 2022-04-28 |
JPWO2022085319A5 JPWO2022085319A5 (ja) | 2023-06-19 |
JP7501654B2 true JP7501654B2 (ja) | 2024-06-18 |
Family
ID=81291231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022557264A Active JP7501654B2 (ja) | 2020-10-21 | 2021-09-07 | 磁気センサパッケージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7501654B2 (ja) |
WO (1) | WO2022085319A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7138261B1 (ja) | 2022-06-30 | 2022-09-15 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 半導体パッケージ、及び駆動装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017009566A (ja) | 2015-06-26 | 2017-01-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
JP2017143208A (ja) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019102651A (ja) | 2017-12-04 | 2019-06-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0579964U (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | 株式会社三協精機製作所 | 磁気センサ |
-
2021
- 2021-09-07 WO PCT/JP2021/032819 patent/WO2022085319A1/ja active Application Filing
- 2021-09-07 JP JP2022557264A patent/JP7501654B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017009566A (ja) | 2015-06-26 | 2017-01-12 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | センサ装置及びセンサ装置の製造方法 |
JP2017143208A (ja) | 2016-02-12 | 2017-08-17 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019102651A (ja) | 2017-12-04 | 2019-06-24 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022085319A1 (ja) | 2022-04-28 |
JPWO2022085319A1 (ja) | 2022-04-28 |
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