JP7501019B2 - マルチコア光ファイバ - Google Patents

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Description

本開示は、マルチコア光ファイバ(以下、「MCF」と記す)に関するものである。
伝送路に適用可能なMCFに関して、近年、種々の研究が行われている(非特許文献1から非特許文献4)。ただし、被覆側への光漏洩が顕著になる波長範囲において、信号品質の劣化原因については十分に検討されていない。
WO2016/157639号公報
B. Zhu, et al., "Seven-core multicore fiber transmissions forpassive optical network," OPTICS EXPRESS, VOL.18, NO.11, 24 May, 2010, pp.11117-11122 Tetsuya HAYASHI, "Multi-Core Fiber for High-Capacity Spatially-MultiplexedTransmission," August 2013、[online]、[2020年2月21日検索]、インターネット <http://hdl.handle.net/2115/53864> Tetsuya HAYASHI, et al., "125-μm-CladdingEight-Core Multi-Core Fiber Realizing Ultra-High-Density Cable Suitable forO-Band Short-Reach Optical Interconnects," JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY,VOL.34, NO.1, JANUARY 1, 2016, pp.85-92 M. Travagnin, "BERPenalty Induced by Coherent MPI Noise in FTTH Optical Links," JOURNAL OFLIGHTWAVE TECHNOLOGY, VOL. 31, NO. 18, SEPTEMBER 15, 2013, pp.3021-3031
発明者らは、上述の従来技術について検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、従来のMCFの場合、被覆側への光漏洩が顕著になる波長帯域において、単に光漏洩に起因した伝送損失(光強度の減少)だけでは説明できない信号品質の劣化が生じている。発明者らの知見によれば、これは、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉により信号品質が劣化するためと考えられる。
本開示は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、被覆側からの反射成分に起因した光伝送信号の品質劣化を抑制可能にするための構造を備えたMCFを提供することを目的としている。
本開示の一実施形態に係るMCF(マルチコア光ファイバ)は、その一態様として、複数のコアと、共通クラッドと、被覆と、を備える。複数のコアそれぞれは、当該マルチコア光ファイバの中心軸に沿って延在している。共通クラッドは、複数のコアそれぞれを取り囲むとともに、該複数のコアそれぞれの屈折率よりも低い屈折率を有する。なお、当該MCFの中心軸は、該中心軸に直交する共通クラッドの断面の中心を通過している。被覆は、共通クラッドを取り囲むように設けられている。また、複数のコアのうちいずれかは、850nm以上1700nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長において0.01dB/km以上の被覆漏洩損失を有する。被覆は、漏洩光伝搬抑制被覆層を含む。漏洩光伝搬抑制被覆層は、850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対して第一光学特性または第二光学特性を有する。ここで、第一光学特性は、上記光に対する減衰指標としての「厚み1μm当たりの吸光度」が0.1dB以上となることにより定義される。第二光学特性は、「厚み1μm当たりの吸光度」と「厚み」との積が0.1dB以上となることにより定義される。
本開示に係るMCFによれば、光伝送信号の品質劣化が抑制可能になる。
図1は、本開示の第一実施形態に係るMCFの断面構造と、本開示の全ての実施形態に共通する屈折率プロファイルを示す図である。 図2は、本開示の第二実施形態に係るMCFの第一断面構造および第二断面構造を示す図である。 図3は、本開示の第三実施形態に係るMCFの第一断面構造および第二断面構造を示す図である。 図4は、本開示の第四実施形態に係るMCFの断面構造示す図である。 図5は、測定用サンプルとして用意された、比較例に係るMCFの断面構造と第二実施形態に係るMCFの第二断面構造を示す図である。 図6は、比較例に係るMCFにおける各コア(CORE1からCORE8)の損失スペクトルと第二実施形態に係るMCFにおける各コア(CORE1からCORE8)の損失スペクトルを示す図である。
[本開示の実施形態の説明]
非特許文献1から非特許文献4に関する検討結果を以下に列挙する。
非特許文献1に開示されたMCFにおいて、外周コア(中心軸に直交するMCFの断面において、最も外側に配置されたコア)の伝送損失は、Fig.1から分かるように、1450nm付近から上昇し始め、1450nm以上1500nm以下の波長範囲内において何らかの干渉パターンのような振動が現れている。
また、非特許文献2に開示されたMCFにおいて、外周コアの伝送損失も、Fig.2.20から分かるように、1400nm付近から上昇し始め、1400nm以上1700nm以下の波長範囲内において干渉パターンのような振幅が現れる。これは、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉により生じている(Fig.2.30参照)。
非特許文献3は、外径125μmのクラッド内に円環状に8個のコアが配置されたMCFが開示されている。また、Fig.6(a)には各コアの損失スペクトルが開示されている。Fig.6(a)から分かるように、Oバンド(1260nm以上1360nm以下の波長範囲)では被覆への漏洩損失が抑えられているが、このOバンドよりも長波長帯域では漏洩損失が顕著になっている。すなわち、Oバンドよりも長波長帯域では「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉により生じる干渉パターンが顕著に表れている。
なお、非特許文献4には、多光路干渉(multi-path interference: MPI)により光伝送信号の品質が劣化することが開示されている。
本開示に係るMCF(マルチコア光ファイバ)は、裸ファイバの外周面上に設けられた被覆の中あるいは表層に漏洩光伝搬抑制被覆が設けられる。これにより、各コアから被覆に漏洩した漏洩光成分の強度損失と、被覆表面において各コアに向かって反射することで該コアに再結合する漏洩光成分の強度抑制が可能になる。結果、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉に起因した光伝送信号の品質劣化が抑制される。具体的に、本開示の実施形態の内容をそれぞれ個別に列挙して説明する。
(1) 本開示に係るMCFは、その一態様として、複数のコアと、共通クラッドと、被覆と、を備える。複数のコアそれぞれは、当該MCFの中心軸に沿って延在している。共通クラッドは、複数のコアそれぞれを取り囲むとともに、該複数のコアそれぞれの屈折率よりも低い屈折率を有する。なお、当該MCFの中心軸は、該中心軸に直交する共通クラッドの断面の中心を通過している。被覆は、共通クラッドを取り囲むように設けられている。また、複数のコアのうちいずれかは、850nm以上1700nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長において0.01dB/km以上の被覆漏洩損失を有する。被覆は、漏洩光伝搬抑制被覆層を含む。漏洩光伝搬抑制被覆層は、850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対して第一光学特性または第二光学特性を有する。ここで、第一光学特性は、上記波長範囲の光に対する減衰指標としての「厚み1μm当たりの吸光度」が0.1dB以上となることにより定義される。第二光学特性は、「厚み1μm当たりの吸光度」と「厚み」との積が0.1dB以上となることにより定義される。
なお、複数のコアのうちコア中心(断面中心)が最も被覆に近いコアの伝送損失と、該コア中心が最も被覆から遠いコアの伝送損失と、の差は、850nm以上1700nm以下の波長範囲において0.01dB/km以上であってもよい。このようなマクロベンドロスを有する場合であっても、本開示のMCFによれば、干渉パターンが生じない。
本明細書において、特定の層の「厚み」は、上記中心軸に直交する半径方向に沿った、該特定の層の内周面から外周面までの距離(内径と外径の差)で与えられる。また、複数のコアのうちいずれかの被覆漏洩損失は、例えば特許文献1に開示された方法により測定可能である。特に、「被覆漏洩損失」は、コアよりも高屈折率の被覆に、コアを導波する光の漏洩に起因して該コアを導波する光の強度が低下することにより生じる伝送損失のことを意味する。被覆漏洩損失が無視できない大きさであるということは、無視できない強さの光が被覆中に漏れ出し、被覆中を一定の距離伝搬することを意味する。通常、樹脂などの「吸光度」(材料自体の吸収、散乱)は、所定の厚さの樹脂の「シート」を作成し、光の透過率の常用対数に-1を掛けた値である。このとき吸光度はシートの厚さ(樹脂中の光の伝搬長)に比例する。
(2) 本開示の一態様として、複数のコアそれぞれおよび共通クラッドの双方は、シリカガラスからなるのが好ましい。また、本開示の一態様として、被覆は、紫外線硬化樹脂からなるのが好ましい。一般的なシリカガラス系光ファイバの製造工程の一部として、線引きされた裸ファイバの表面(共通クラッドの外周面)上に漏洩光伝搬非抑制被覆層を含む樹脂の設けることが可能になるためである。
(3) 本開示の一態様として、被覆は、第一構造または第二構造を有するのが好ましい。第一構造は、複数の漏洩光伝搬抑制被覆層のみからなることにより定義される。また、第二構造は、該漏洩光伝搬抑制被覆層と、「厚み1μm当たりの吸光度」が上記波長範囲の光に対して0.005dB以下であることで定義される第三光学特性を有する漏洩光伝搬非抑制被覆層と、により構成されることにより定義される。この構成により、各コアの導波モードで伝搬する光の電界の一部が漏洩光伝搬非抑制被覆に染み出していたとしても、該各コアの導波モードで伝搬する光の伝送損失劣化を抑えることができる。
(4) 本開示の一態様として、被覆が漏洩光伝搬抑制被覆と漏洩光伝搬非抑制被覆層を含む場合、該漏洩光伝搬非抑制被覆層は、共通クラッドの外周面上に設けられ、漏洩光伝搬抑制被覆は、漏洩光伝搬非抑制被覆層の外周面上に設けられるのが好ましい。また、本開示の一態様として、漏洩光伝搬非抑制被覆層は、2MPa以下または1MPa以下のヤング率を有するのが好ましい。また、漏洩光伝搬抑制被覆は、0.8GPa以上、1GPa以上、または2GPa以上のヤング率を有するのが好ましい。この場合、当該MCFへの側圧などによって共通クラッドから当該MCFの内部に付与されるマイクロベンドの十分な抑制効果が得られる。
(5)本開示の一態様として、漏洩光伝搬非抑制被覆層は、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層と第二漏洩光伝搬非抑制被覆層を含んでもよい。この場合、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層は共通クラッドの外周面上に設けられ、第二漏洩光伝搬非抑制被覆層は、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層の外周面上に設けられるのが好ましい。また、漏洩光伝搬抑制被覆は、第二漏洩光伝搬非抑制被覆層の外周面上に設けられるのが好ましい。本開示の一態様として、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層は、2MPa以下または1MPa以下のヤング率を有するのが好ましい。第二漏洩光伝搬非抑制被覆層は、0.8GPa以上、1GPa以上、または2GPa以上のヤング率を有するのが好ましい。このような構成においても、当該MCFへの側圧などによって共通クラッドから当該MCFの内部に付与されるマイクロベンドの十分な抑制効果が期待できる。
(6) 本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、1μm以上10μm以下、または、1μm以上5μm以下の厚みを有するのが好ましい。更に、本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、可視光の領域の白色光の照射に応答して所定のスペクトルの反射または散乱を引き起こすことで所定の色を呈するのが好ましい。この場合、作業者による識別が可能になるため、当該MCFの取り扱いが格段に容易になる。
(7) 本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、炭素からなるとともに、共通クラッドの外周面に接触した状態で該共通クラッドの外周面上に位置してよい。この場合、本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、10nm以上1μm以下の厚みを有するのが好ましい。上述のような厚み範囲において漏洩光の伝搬抑制と光ファイバの柔軟性を両立できる。
(8) 一方、本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、金属からなるとともに、共通クラッドの外周面に接触した状態で該共通クラッドの外周面上に位置してもよい。この場合、本開示の一態様として、漏洩光伝搬抑制被覆層は、1μm以上30μm以下の厚みを有するのが好ましい。上述のような厚み範囲において漏洩光の伝搬抑制と光ファイバの柔軟性を両立できる。
(9) 本開示の一態様として、共通クラッドの外周面上に漏洩光伝搬抑制被覆層が直接設けられた構成において、該漏洩光伝搬抑制被覆層の外周面は、樹脂からなる被覆層によって覆われてもよい。この場合、樹脂からなる被覆が、漏洩光伝搬抑制被覆層の物理的な保護層として機能し得る。
以上、この[本開示の実施形態の説明]の欄に列挙された各態様は、残りの全ての態様のそれぞれに対して、または、これら残りの態様の全ての組み合わせに対して適用可能である。
[本開示の実施形態の詳細]
本開示に係るMCFの具体例を、以下に添付の図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は、これら例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図されている。また、図面の説明において同一の要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
(第一実施形態)
図1は、本開示の第一実施形態に係るMCF(マルチコア光ファイバ)の断面構造と、本開示の全ての実施形態に共通する屈折率プロファイルを示す図である。
図1の上段に示された断面構造は、中心軸AXに直交する第一実施形態に係るMCF10の断面構造であり、このMCF10は、裸ファイバ(bare fiber)100と、該裸ファイバ100の外周面上に設けられた被覆と、を備える。裸ファイバ100は、中心軸AXに対して等距離かつ等間隔で、該中心軸AXを取り囲むように8個のコア101が配置されている。また、8個のコア101により取り囲まれた領域内には、各コア101の位置を確認するためのマーカー105が設けられている。各コア101およびマーカー105は、中心軸AXに沿って延在している。各コア101の外周面上には内クラッド102が設けられ、該内クラッド102の外周面上にはトレンチ103が設けられ、さらに、該トレンチ103の外周面上には共通クラッド104が設けられている。各コア101、内クラッド102、トレンチ103および共通クラッド104のそれぞれは、シリカガラスからなるのが好ましい。また、裸ファイバ100の外周面に設けられる被覆は、紫外線硬化樹脂からなるのが好ましい。光ファイバ紡糸中に共通クラッド104の外周面上に塗布された樹脂液に紫外線を照射することで,製造性よく、かつ、容易に被覆付き光ファイバ(当該MCF10)を製造することができるからである。
なお、図1の上段に示された「Rc」は、当該MCF10の断面中心(中心軸AXが通過する位置であって、以下、単に「中心」と記す)から各コア101の断面中心(以下、単に「中心」と記す)までの距離を示す。「OCT」は、各コア101の中心から共通クラッド104および被覆の界面までの最短距離を示す。「CD」は、当該裸ファイバ100の外径(共通クラッド104の外径に一致)を示す。
図1の下段には、当該MCF10における各コア101の近傍の屈折率プロファイルが示されている。なお、この屈折率プロファイルは、各コア101の中心から距離r(各コア101の半径方向に沿った距離、図1では「コア半径」と記す)の位置における比屈折率差(共通クラッド104の屈折率を基準)を示している。距離aは、各コア101の半径を示す。距離bは、各コア101の中心から内クラッド102の外周面までの距離(内クラッド102の外半径)を示す。距離cは、各コア101の中心からトレンチ103の外周面までの距離(トレンチ103の外半径)を示す。図1の屈折率プロファイルに示されたように、各コア101の近傍において、内クラッド102は、各コア101の屈折率よりも低い屈折率を有する。トレンチ103は、内クラッド102の屈折率よりも低い屈折率を有する。共通クラッド104は、トレンチ103の屈折率よりの高く、かつ、各コア101および内クラッド102の双方の屈折率よりも低い屈折率を有する。なお、図1の下段に示された屈折率プロファイルの例では、共通クラッド104が純シリカからなる場合が示されているが、共通クラッド104の構成材料は、不純物(屈折率調整剤)を含むシリカガラスであってもよい。
なお、8個のコア101のうちいずれかは、850nm以上1700nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長において0.01dB/km以上の被覆漏洩損失を有する(例えば特許文献1に開示された方法により測定可能)。また、8個のコア101のうち中心が最も被覆に近いコアの伝送損失と、該コア中心が最も被覆から遠いコアの伝送損失と、の差は、850nm以上1700nm以下の波長範囲において0.01dB/km以上であってもよい。このようなマクロベンドロスを有する場合であっても、本開示のMCF10によれば、干渉パターンが生じない。
この第一実施形態において、MCF10の被覆は、樹脂(紫外線効果樹脂)からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Aのみを含む。漏洩光伝搬抑制被覆層110Aは、850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対して第一光学特性または第二光学特性を有する。第一光学特性は、上記波長範囲の光に対する減衰指標としての「厚み1μm当たりの吸光度」が0.1dB以上となることにより定義される。第二光学特性は、「厚み1μm当たりの吸光度」と「厚み」との積が0.1dB以上となることにより定義される。
なお、「吸光度(absorbance)」とは、分光法において、ある物体を光が通った際に強度がどの程度弱まるかを示す無次元量であり、光学密度(optical density)とも呼ばれる。分光化学において、波長λにおける吸光度Aλは、
λ=-log10(I/I
と定義される。一例として、厚みT(単位:μm)の物質の「厚み1μm当たりの吸光度」は、-(log10(I/I))/Tで与えられる。つまり、これら式は、入射光強度Iと透過光強度Iの比(透過率)の常用対数で与えられ、吸収のある場合を正の値とするためにマイナス符号が付けられている。透過率が光路長に対して指数関数的に減衰するのに対し、吸光度は対数で表されているため、光路長に正比例する。例えば、透過率が0.1(吸光度が1)の物体の厚みが3倍になった場合、透過率は0.1=0.001となるのに対し、吸光度は単に3倍になる。
(第二実施形態)
図2は、本開示の第二実施形態に係るMCF(マルチコア光ファイバ)の第一断面構造および第二断面構造を示す図である。
第二実施形態に係るMCF20Aおよび20Bは、被覆構造に関して、図1の上段に示された第一実施形態に係るMCF10とは異なる。一方、第二実施形態に係るMCF20Aおよび20Bは、いずれも第一実施形態に係るMCF10に含まれる裸ファイバ100と同様の断面構造を有する裸ファイバ(シリカ系光ファイバ)を含む。
図2の上段に示された第二実施形態に係るMCF20Aにおいて、被覆は、共通クラッド104の外周面上に設けられた漏洩光伝搬非抑制被覆層120と、該漏洩光伝搬非抑制被覆層120の外周面上に設けられた、樹脂からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Aと、を含む。により構成されている。なお、漏洩光伝搬非抑制被覆層120は、「厚み1μm当たりの吸光度」が850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対して0.005dB以下である第三光学特性を有する。一方、漏洩光伝搬抑制被覆層110Aは、第一実施形態と同様に、上述の第一光学特性または第二光学特性を有する。この構成により、各コア101の導波モードで伝搬する光の電界の一部が漏洩光伝搬非抑制被覆に染み出していたとしても、該各コア101の導波モードで伝搬する光の伝送損失劣化を抑えることができる。また、当該MCF20Aへの側圧などによって共通クラッド104から当該MCF20Aの内部に付与されるマイクロベンドの抑制効果を得るため、漏洩光伝搬非抑制被覆層120のヤング率は、2MPa以下であるのが好ましく、1MPa以下であるのがより好ましい。一方、漏洩光伝搬抑制被覆層110Aのヤング率は、0.8GPa以上であるのが好ましく、1GPa以上であるのがより好ましく、2GPa以上であるのが更に好ましい。
図2の下段に示された第二実施形態に係るMCF20Bにおいて、被覆は、共通クラッド104の外周面上に設けられた第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aと、該第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aの外周面上に設けられた第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bと、を含む。漏洩光伝搬抑制被覆層110Bは、第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bの外周面上に設けられている。この構成によっても、各コア101の導波モードで伝搬する光の電界の一部が漏洩光伝搬非抑制被覆に染み出していたとしても、該各コア101の導波モードで伝搬する光の伝送損失劣化を抑えることができる。また、当該MCF20Bへの側圧などによって共通クラッド104から当該MCF20Bの内部に付与されるマイクロベンドの抑制効果を得るため、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aのヤング率は、2MPa以下であるのが好ましく、1MPa以下であるのがより好ましい。一方、第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bのヤング率は、0.8GPa以上であるのが好ましく、1GPa以上であるのがより好ましく、2GPa以上であるのが更に好ましい。このとき、このとき,漏洩光伝搬抑制被覆層110Bは、1μm以上10μm以下の厚みを有するのが好ましく、1μm以上5μm以下の厚みを有するのがより好ましい。
なお、この第二実施形態に係るMCF20Aおよび20Bのいずれも、共通クラッド104の外周面上に設けられた被覆全体は、樹脂からなる。
第二実施形態に係るMCF20Aおよび20Bにおいて、被覆は紫外線硬化樹脂であるのが好ましい。光ファイバ紡糸中に共通クラッド104の外周面上に塗布された樹脂液に紫外線を照射することで,製造性よく、かつ、容易に被覆付き光ファイバ(当該MCF10)を製造することができるからである。
また、この第二実施形態に係るMCF20Aおよび20Bのように、漏洩光伝搬抑制被覆層110Aが漏洩光伝搬非抑制被覆層120の外側に設けられた構成、または、漏洩光伝搬抑制被覆層110Bが第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aおよび第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bの外側に設けられた構成において、漏洩光伝搬抑制被覆層110Aおよび漏洩光伝搬抑制被覆層110Bは、いずれも、可視光の領域の白色光の照射に応答して所定のスペクトルの反射または散乱を引き起こすことで所定の色を呈するのが好ましい。具体的に、漏洩光伝搬抑制被覆層110Aおよび漏洩光伝搬抑制被覆層110Bは、赤、青、黄、緑、黒、白、灰、橙、桃などの所定の色を呈するのが好ましい。これにより、作業者による識別が可能になるため、当該MCF20Aおよび20Bの取り扱いが格段に容易になる。
(第三実施形態)
図3は、本開示の第三実施形態に係るMCF(マルチコア光ファイバ)の第一断面構造および第二断面構造を示す図である。
第三実施形態に係るMCF30Aおよび30Bは、被覆構造に関して、図1の上段に示された第一実施形態に係るMCF10の他、上述の第二実施形態に係るMCF20A、20Bのいずれとは異なる。一方、第三実施形態に係るMCF30Aおよび30Bは、いずれも第一実施形態に係るMCF10に含まれる裸ファイバ100と同様の断面構造を有する裸ファイバ(シリカ系光ファイバ)を含む。
第三実施形態に係るMCF30Aおよび30Bは、いずれも、裸ファイバ100の外周面上(共通クラッド104の外周面上)に、炭素(非金属)または金属からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが設けられている。特に、図3の上段に示された第三実施形態に係るMCF30Aでは、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cとして、炭素コーティングが裸ファイバ100の外周面上に設けられている。なお、MCF30Aのように、炭素(非金属)からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが適用される場合、該漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、10nm以上1μm以下の厚みを有するのが好ましい。一方、図3の下段に示されたMCF30Bでは、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cとして、金属コーティングが裸ファイバ100の外周面上に設けられている。なお、MCF30Bのように、金属からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが適用される場合、該漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、1μm以上30μm以下の厚みを有するのが好ましい。なお、MCF30Bでは、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cの外周面上に、該漏洩光伝搬抑制被覆層110Cの保護するための漏洩光伝搬非抑制被覆層(樹脂からなる被覆層)120が設けられている。炭素コーティングの上に漏洩光伝搬非抑制被覆層が設けられてもよい。
上述のように、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが炭素または金属からなる場合、上述のような厚み範囲において漏洩光の伝搬抑制と光ファイバの柔軟性を両立できる。
(第四実施形態)
図4は、本開示の第四実施形態に係るMCF(マルチコア光ファイバ)の断面構造示す図である。
第四実施形態に係るMCF40は、被覆構造に関して、図1の上段に示された第一実施形態に係るMCF10の他、上述の第二実施形態および第三実施形態に係るMCF20A、20B、30A、および30Bのいずれとは異なる。一方、第四実施形態に係るMCF40は、いずれも第一実施形態に係るMCF10に含まれる裸ファイバ100と同様の断面構造を有する裸ファイバ(シリカ系光ファイバ)を含む。
第四実施形態に係るMCF40は、裸ファイバ100の外周面上(共通クラッド104の外周面上)に、第二実施形態と第三実施形態を組み合わせた被覆構造を備える。すなわち、第四実施形態に係るMCF40の被覆は、共通クラッド104の外周面上に設けられた漏洩光伝搬抑制被覆層110C(第三実施形態)と、該漏洩光伝搬抑制被覆層110Cの外周面上に設けられた漏洩光伝搬非抑制被覆層120と、該漏洩光伝搬非抑制被覆層120の外周面上に設けられた漏洩光伝搬抑制被覆層110A(第二実施形態)と、を含む。
図4に示された漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、炭素または金属からなる。共通クラッド104の外周面上に炭素からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが適用される場合、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、10nm以上1μm以下の厚みを有するのが好ましい。一方、共通クラッド104の外周面上に金属からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cが適用される場合、漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、1μm以上30μm以下の厚みを有するのが好ましい。また、図4に示された漏洩光伝搬抑制被覆層110Aは、漏洩光伝搬非抑制被覆層120(漏洩光伝搬抑制被覆層110Cの外周面上に設けられた樹脂層)の外周面上に設けられており、樹脂からなる。
図4に示された第四実施形態に係るMCF40によれば、裸ファイバ100の外周面上に設けられる被覆が、漏洩光伝搬非抑制被覆層120を挟んで異なる漏洩光伝搬抑制被覆層110Aおよび漏洩光伝搬抑制被覆層110Cを含むよう構成されているため、光ファイバの柔軟性を確保しつつ、漏洩光のより強力な伝搬抑制を実現される。
なお、上述の第一実施形態から第四実施形態それぞれに適用される、樹脂からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110A、樹脂からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110B、および炭素または金属からなる漏洩光伝搬抑制被覆層110Cは、いずれも、850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対して第一光学特性または第二光学特性を有する。第一光学特性は、上記波長範囲の光に対する減衰指標としての「厚み1μm当たりの吸光度」が0.1dB以上となることにより定義される。第二光学特性は、「厚み1μm当たりの吸光度」と「厚み」との積が0.1dB以上となることにより定義される。
(測定結果)
図5は、測定用サンプルとして用意された、比較例に係るMCF500の断面構造と第二実施形態に係るMCF20Bの断面構造(第二断面構造)を示す図である。また、図6は、比較例に係るMCF500における各コア101(CORE1からCORE8)の損失スペクトルと第二実施形態に係るMCF20Bにおける各コア101(CORE1からCORE8)の損失スペクトルを示す図である。発明者らは、漏洩光伝搬抑制被覆層の技術的効果として、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉の抑制効果について実験により確認した。
用意された比較例に係るMCF500(図5の上段)、および、第二実施形態に係るMCF20B(図5の下段)は、同じ断面構造を有する裸ファイバを有する。すなわち、MCF500およびMCF20Bは、いずれも同一光ファイバ母材を線引きすることにより得られたMCFであり、被覆構造のみが異なっている。
裸ファイバ100において、共通クラッド104(例えば純シリカレベル)を基準とした各コア101の比屈折率差は0.35±0.05%(0.30%以上0.40%以下)であり、内クラッド102の比屈折率差は0.05±0.05%(0%以上0.1%以下)であり、トレンチ103の比屈折率差は-0.70±0.05%(-0.75%以上-0.65%以下)である。各コア101の外径(直径)2aは6.4±0.5μm(5.9μm以上6.9μm以下)である。内クラッド102の外径(トレンチ内径)2bに対する各コア101の外径2aの比a/bは0.4±0.05(0.35以上0.45以下)である。トレンチ103の外径2cに対する内クラッド102の外径2bの比b/cは0.6±0.1(0.5以上0.7以下)である。
共通クラッド104の外径CDは125±15μm(110μm以上140μm以下)である。共通クラッド104の中心(中心軸AXと交差する断面中心)から各コア101の中心までの距離Rcは40.5±1.5μm(39.0μm以上42μm以下)である。各コア101の中心(断面中心)から共通クラッド104と被覆との界面までの最短距離OCTは22±2μm(20μm以上24μm以下)である。
比較例に係るMCF500(図5の上段)の被覆は、共通クラッド104の外周面上に設けられた第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aと、該第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aの外周面上に設けられた第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bと、を含む。この比較例に係るMCF500には、漏洩光伝搬抑制被覆層が設けられていない。第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aおよび第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bを含む被覆外径は、250±15μm(235μm以上265μm以下)である。また、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aおよび第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bそれぞれの、「厚み1μm当たりの吸光度」は、850nm以上1700nm以下の波長範囲において0.003dB/μm以下であり、850nm以上1600nm以下の波長範囲において0.0015dB/μm以下である。
一方、第二実施形態に係るMCF20B(図5の下段)の被覆は、共通クラッド104の外周面上に設けられた第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aと、該第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aの外周面上に設けられた第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bと、該第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bの外周面上に設けられた漏洩光伝搬抑制被覆層110Bと、を含む。この第二実施形態に係るMCF20Bにおいて、第一漏洩光伝搬非抑制被覆層120Aおよび第二漏洩光伝搬非抑制被覆層120Bは、上述の比較例に係るMCF500と同じ構造を有する。
更に、第二実施形態に係るMCF20B(図5の下段)において、漏洩光伝搬抑制被覆層110Bは、3±2μm(1μm以上5μm以下)である。漏洩光伝搬抑制被覆層110Bの「厚み1μm当たりの吸光度」は、850nm以上1700nm以下の波長範囲全域において0.1dB/μm以上である。また、「厚み1μm当たりの吸光度」と「厚み」の積は、0.3±0.2dB以上(0.1dB以上または0.5dB以上)以上である。
図6の上段(比較例に係るMCF500)に示された各コア101(CORE1からCORE8)の損失スペクトルと、図6の下段(第二実施形態に係るMCF20B)における各コア101(CORE1からCORE8)の損失スペクトルを比較すると、いずれのMCFも、被覆への漏洩に起因して1300nm以上1400nmの波長範囲において、波長が長くなるほど伝送損失が大きくなる傾向がある点で共通している。しかしながら、比較例に係るMCF500は、1300nm以上1400nm以下の波長範囲を超えた長波長域における伝送損失スペクトルに顕著な干渉パターン(振幅)が現れている。すなわち、比較例に係るMCF500では、1300nm以上1400nmの波長範囲を超える長波長域において「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分がコアに再結合した光成分」の干渉が激しく起こっていることが確認できる。
これに対し、第二実施形態に係るMCF20Bでは、1300nm以上1400nmの波長範囲を超える長波長域においても、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分がコアに再結合した光成分」の干渉が抑制できていることが分かる。したがって、「コアを伝搬する光」と「コアから被覆に漏洩した光成分のうちコアに再結合した光成分」の干渉を抑えた上述の各実施形態に係るMCF(MCF10、MCF20A、MCF20B、MCF30A、MCF30B、およびMCF40)のいずれが伝送路に適用されることにより、被覆漏洩損失が顕著に増加している波長帯(図6の例では1400nm以上1600nm以下の波長範囲)においても伝送損失の増加はあるものの、上記干渉に起因する更なる信号品質の劣化無しに光信号の伝送が可能になる。
10、20A、20B、30A、30B、40…MCF(マルチコア光ファイバ)、100…裸ファイバ、101…コア、102…内クラッド、103…トレンチ、104…共通クラッド、105…マーカー、110A、110B…漏洩光伝搬抑制被覆層(樹脂)、110C…漏洩光伝搬抑制被覆層(炭素または金属)、120、130…漏洩光伝搬非抑制被覆層(樹脂)、120A…第一漏洩光伝搬非抑制被覆層(樹脂)、120B…第二漏洩光伝搬非抑制被覆層(樹脂)。

Claims (5)

  1. 中心軸に沿って延在する複数のコアと、
    前記複数のコアそれぞれを取り囲むとともに、前記複数のコアそれぞれの屈折率よりも低い屈折率を有する共通クラッドと、
    前記共通クラッドを取り囲む被覆と、
    を備え、
    前記複数のコアのうちいずれかは、850nm以上1700nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長において0.01dB/km以上の被覆漏洩損失を有し、
    850nm以上1700nm以下または1260nm以上1625nm以下の波長範囲に含まれるいずれかの波長の光に対する光学特性として、第一光学特性が前記光に対する減衰指標としての、厚み1μm当たりの吸光度が0.1dB以上となることで定義され、第二光学特性が前記厚み1μm当たりの吸光度と厚みとの積が0.1dB以上となることで定義され、かつ、第三光学特性が前記厚み1μm当たりの吸光度が前記光に対して0.005dB以下となることで定義され、前記被覆は、前記第一光学特性または前記第二光学特性を有する漏洩光伝搬抑制被覆層と、前記第三光学特性を有する漏洩光伝搬非抑制被覆層と、を含み、
    前記漏洩光伝搬非抑制被覆層は、前記共通クラッドの外周面上に設けられた第一漏洩光伝搬非抑制被覆層と、前記第一漏洩光伝搬非抑制被覆層の外周面上に設けられた第二漏洩光伝搬非抑制被覆層と、を含み、
    前記漏洩光伝搬抑制被覆は、前記第二漏洩光伝搬非抑制被覆層の外周面上に設けられ、
    前記漏洩光伝搬抑制被覆層は、1μm以上10μm以下、または、1μm以上5μm以下の厚みを有する、
    マルチコア光ファイバ。
  2. 前記複数のコアそれぞれおよび前記共通クラッドの双方は、シリカガラスからなる、
    請求項1に記載のマルチコア光ファイバ。
  3. 前記被覆は、紫外線硬化樹脂からなる、
    請求項1または2に記載のマルチコア光ファイバ。
  4. 前記第一漏洩光伝搬非抑制被覆層は、2MPa以下または1MPa以下のヤング率を有し、
    前記第二漏洩光伝搬非抑制被覆層は、0.8GPa以上、1GPa以上、または2GPa以上のヤング率を有する、
    請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のマルチコア光ファイバ。
  5. 前記漏洩光伝搬抑制被覆層は、可視光の領域の白色光の照射に応答して所定のスペクトルの反射または散乱を引き起こすことで所定の色を呈する、
    請求項1から請求項のいずれか一項に記載のマルチコア光ファイバ。
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