JP7505664B1 - マルチコア光ファイバ - Google Patents

Abstract

マルチコア光ファイバ（１）は、複数のコア（２）と、第１クラッド（３）と、第２クラッド（４）とを備える。第２クラッド（４）の屈折率は、コア（２）の屈折率よりも低く、かつ、第１クラッド（３）の屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコア（２）の実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ２］、隣り合う２つのコア（２）のファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッド（３）の屈折率を基準としたコア（２）の比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、Ａｅｆｆ１＝１８．６-４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］２-６．０５×１０-３Λ２-０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）で定義されるＡｅｆｆ１を用いて、以下の条件１ａを満たす。０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１

Description

本開示は、マルチコア光ファイバに関する。本出願は、２０２３年１月３１日出願の日本出願第２０２３－０１２５９８号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。

非特許文献１から３には、マルチコア光ファイバ（以下、ＭＣＦとも言う）の各コアの実効断面積（以下、Ａｅｆｆとも言う）が小さいほど、各コアへの光の閉じ込めを強めることができ、コア間パワー結合係数（以下、ＰＣＣとも言う）及びコア間クロストーク（以下、ＸＴとも言う）が低減できることが記載されている。非特許文献１には、ステップインデックス（以下、ＳＩとも言う）型のＭＣＦ、非特許文献２には、トレンチアシスト型のＭＣＦ、非特許文献３には、空孔アシスト型のＭＣＦがそれぞれ記載されている。個別のコアを独立した光空間チャネルとして用いる非結合型のＭＣＦにおいては、ＰＣＣの低減は、コア間ＸＴを低減し、各コアの信号品質を高める。

T. Hayashi et al., "Design strategy of uncoupled multicore fiber enabling high spatial capacity transmission", SUM2013, MC2. 4 J. H. Chang et al., "Achievable capacity improvement by using multi-level modulation format in trench-assisted multi-core fiber system", OPTICS EXPRESS 14262 Vol.21, No.12, 17 June 2013 F. Ye et al., "Capacity of Space-Division Multiplexing with Heterogeneous Multi-Core Fibers", 2013 18th OECC/PS FC H. Yoshikawa et al., "Analysis of Two-Core Single-Mode Optical Fibers for Subscriber Lines", Electronics and Communications in Japan, Part 2, Vol.72, No.8, P.45-53, 1989 R. J. Black et al., "Developments in the theory of equivalent-step-index fibers", J. Opt. Soc. Am. A，vol.1， No.11, p.1129-1131, November 1984

本開示のＭＣＦは、並行伝搬に用いられる共通ディプレスト型のＭＣＦであって、複数のコアと、複数のコアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備える。第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
で定義されるＡｅｆｆ１を用いて、以下の条件１ａを満たす。
０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］
２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１

図１は、ＰＣＣと各コアのＡｅｆｆとの関係を示すグラフである。 図２は、実施形態に係るＭＣＦのファイバ軸に直交する断面および屈折率分布を示す図である。 図３は、コアの半径と第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差との関係を示すグラフである。 図４は、ＰＣＣと各コアのＡｅｆｆとの関係を示すグラフである。 図５は、ＡｅｆｆがＡｅｆｆ１からどれだけ乖離すると、どれだけｈが上昇するのかをプロットした図である。 図６は、ＡｅｆｆがＡｅｆｆ１からどれだけ乖離すると、どれだけｈが上昇するのかをプロットした図である。 図７は、変形例に係るＭＣＦのファイバ軸に直交する断面および屈折率分布を示す図である。

［本開示が解決しようとする課題］
発明者らは、いわゆる共通ディプレスト型のＭＣＦでは、Ａｅｆｆを小さくし過ぎると、コア間のＰＣＣが逆に大きくなってしまうことを発見した。共通ディプレスト型のＭＣＦは、複数のコアと、複数のコアを取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドとを備え、第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高いＭＣＦである。

本開示は、コア間ＸＴを低減することができる共通ディプレスト型のＭＣＦを提供することを目的とする。

［本開示の効果］
本開示によれば、コア間ＸＴを低減することができる共通ディプレスト型のＭＣＦを提供することができる。

［本開示の実施態様の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
（１）本開示の第一態様に係るＭＣＦは、並行伝搬に用いられる共通ディプレスト型のＭＣＦであって、複数のコアと、複数のコアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備える。第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
で定義されるＡｅｆｆ１［μｍ^２］を用いて、以下の条件１ａを満たす。
０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］
２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
このＭＣＦでは、第１クラッドが共通ディプレストとして機能する。信号光を並行伝搬させる場合に隣り合う２つのコア間のＰＣＣ（以下、並行伝搬ＰＣＣとも言う）を低減することができるので、信号光を並行伝搬させる場合に隣り合う２つのコア間のＸＴ（以下、並行伝搬ＸＴとも言う）を低減することができる。並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から３ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（２）上記（１）では、条件１ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．８３Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（３）上記（１）では、条件１ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から０．５ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（４）上記（１）では、条件１ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９５Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から０．１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（５）本開示の第二態様に係るＭＣＦは、並行伝搬に用いられる共通ディプレスト型のＭＣＦであって、複数のコアと、複数のコアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備える。第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
で定義されるＡｅｆｆ１［μｍ^２］を用いて、以下の条件２ａを満たす。
０．３０［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦０．３５［％］
２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
０．８８Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
このＭＣＦでは、第１クラッドが共通ディプレストとして機能する。並行伝搬ＰＣＣを低減することができるので、並行伝搬ＸＴを低減することができる。並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から３ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（６）上記（５）では、条件２ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（７）上記（５）では、条件２ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９２Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から０．５ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（８）上記（５）では、条件２ａは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９６Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
この場合、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを極小値から０．１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（９）本開示の第三態様に係るＭＣＦは、対向伝搬に用いられる共通ディプレスト型のＭＣＦであって、複数のコアと、複数のコアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備える。第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
Ａｅｆｆ２＝１９．２－３．０１ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．４０Λ＋２５．６［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－７．７２×１０^－３Λ^２－０．９８０Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
で定義されるＡｅｆｆ２［μｍ^２］を用いて、以下の条件１ｂを満たす。
０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］
２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
０．７５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
このＭＣＦでは、第１クラッドが共通ディプレストとして機能する。信号光を対向伝搬させる場合に隣り合う２つのコア間のＰＣＣ（以下、対向伝搬ＰＣＣとも言う）を低減することができるので、信号光を対向伝搬させる場合に隣り合う２つのコア間のＸＴ（以下、対向伝搬ＸＴとも言う）を低減することができる。対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から３ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１０）上記（９）では、条件１ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．８５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１１）上記（９）では、条件１ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．８９Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から０．５ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１２）上記（９）では、条件１ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から０．１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１３）本開示の第四態様に係るＭＣＦは、対向伝搬に用いられる共通ディプレスト型のＭＣＦであって、複数のコアと、複数のコアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備える。第２クラッドの屈折率は、コアの屈折率よりも低く、かつ、第１クラッドの屈折率よりも高い。波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。波長１５５０ｎｍにおけるコアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
Ａｅｆｆ２＝１９．２－３．０１ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．４０Λ＋２５．６［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－７．７２×１０^－３Λ^２－０．９８０Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
で定義されるＡｅｆｆ２［μｍ^２］を用いて、以下の条件２ｂを満たす。
０．３０［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦０．３５［％］
２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
０．８４Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
このＭＣＦでは、第１クラッドが共通ディプレストとして機能する。対向伝搬ＰＣＣを低減することができるので、対向伝搬ＸＴを低減することができる。対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から３ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１４）上記（１３）では、条件２ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．８８Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１５）上記（１３）では、条件２ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９０Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から０．５ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１６）上記（１３）では、条件２ｂは、以下の式により更に規定されてもよい。
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
この場合、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを極小値から０．１ｄＢ以下の増加量に抑えることができる。

（１７）上記（１）から（１６）のいずれかでは、コアの半径をｒａ［μｍ］、ケーブルカットオフ波長をλｃｃ［ｎｍ］、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、条件３、条件４、条件５、または、条件６が満たされてもよい。
条件３は、以下の式により規定される。
λｃｃ［ｎｍ］≦１２６０［ｎｍ］
ｒａ［ｎｍ］≧２．５１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０５}［μｍ］
条件４は、以下の式により規定される。
λｃｃ［ｎｍ］≦１３６０［ｎｍ］
ｒａ［ｎｍ］≧２．７１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０７}［μｍ］
条件５は、以下の式により規定される。
λｃｃ［ｎｍ］≦１４６０［ｎｍ］
ｒａ［ｎｍ］≧２．９２（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０９}［μｍ］
条件６は、以下の式により規定される。
λｃｃ［ｎｍ］≦１５３０［ｎｍ］
ｒａ［ｎｍ］≧３．０６（Δｃｏｒｅ）^{－０．６１１}［μｍ］
この場合、各コアにおける信号光の閉じ込めを強めることができる。

（１８）上記（１）から（１７）のいずれかでは、第１クラッドに取り囲まれた第３クラッドを更に有し、第３クラッドは、ファイバ軸に直交する断面において、隣り合う２つのコアの中心間を結ぶ線分上に当該隣り合う２つのコアのそれぞれから離隔して配置され、第３クラッドの屈折率は、第１クラッドの屈折率よりも低くてもよい。
この場合、コア間ＰＣＣ及びコア間ＸＴを更に低減することができる。

（１９）上記（１８）では、ファイバ軸に直交する断面において、第３クラッドは円形状を有してもよい。
この場合、ＭＣＦをより容易に製造することができる。

（２０）上記（１）から（１９）のいずれかでは、複数のコア、第１クラッド、および、第２クラッドは、シリカ系ガラスを含んでもよい。
この場合、波長１２６０ｎｍから１６２５ｎｍの光通信に用いられる波長帯域で低い伝送損失を実現することができる。また高い製造性を実現することができる。

［本開示の実施形態の詳細］
本実施形態に係るＭＣＦの具体例を、必要により図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されず、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

非特許文献１に記載されるようなＳＩ型（正確には、ｍａｔｃｈｅｄ ｃｌａｄｄｉｎｇ型）のＭＣＦでは、例えば、波長１５５０ｎｍにおいて各コアをシングルモード動作させて光信号伝送を行うために、各コアのケーブルカットオフ波長（以下、λｃｃとも言う）は１５３０ｎｍ以下に設定される。このとき、コア間ＰＣＣ及びコア間ＸＴを低減するためには、λｃｃをできるだけ長くして、コアへの光の閉じ込めを強くすることが望ましい。コア間ＰＣＣを低減して、コア間ＸＴを低減することで、伝送信号の品質を維持しながら、ＭＣＦ断面上のコア密度（断面積当たりのコア数）を高めることができる。

図１は、例えば、各コアのλｃｃを１５３０ｎｍで固定したとき、波長１５５０ｎｍにおける隣り合う２つのコア間のＰＣＣと各コアのＡｅｆｆとの関係を示すグラフである。図１の縦軸は、コア間のＰＣＣ［／ｋｍ］を示す。図１の横軸は、Ａｅｆｆ［μｍ^２］を示す。図１には、コアの中心間隔Λが２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、および、５０μｍの場合が示されている。

隣り合う２つのコアの中心間隔によって値は変わるが、Ａｅｆｆが小さいほどＰＣＣ（シンボルｈで表す）が指数関数的に低減することがわかる。ＳＩ型やｍａｔｃｈｅｄ ｃｌａｄｄｉｎｇ型のコアでは、λｃｃおよびＡｅｆｆが定まると、クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差、および、コア半径は一意に定まる。これは、設計の自由度がコアの比屈折率差、および、コア半径のみにあるためである。

非特許文献４には、グレートインデックス型のコアにおいても、スポット径とλｃｃが同等であれば、ＳＩ型と同様のＰＣＣとなることが示されている。したがって、グレートインデックス型のコアにおいても、ＳＩ型と同様に、Ａｅｆｆが小さいほどＰＣＣ ｈが指数関数的に低減することがわかる。

トレンチアシスト型および空孔アシスト型のＭＣＦでは、設計の自由度が増える。よって、λｃｃおよびＡｅｆｆのみでは、屈折率分布やコアへの光の閉じ込めは一意に定まらない。トレンチや空孔などの最も低い屈折率から、コアの最も高い屈折率までの値が固定されている場合は、非特許文献２や非特許文献３に示されるように、Ａｅｆｆが小さいほどコアへの光の閉じ込めを高くすることができ、ＰＣＣ ｈが指数関数的に低減する。

図２は、実施形態に係るＭＣＦのファイバ軸に直交する断面および屈折率分布を示す図である。図２に示されるように、実施形態に係るＭＣＦ１は、複数のコア２と、共通の第１クラッド３と、第２クラッド４とを備える。コア２、第１クラッド３、および、第２クラッド４は、それぞれシリカ系ガラスを含む。ＭＣＦ１では、波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下である。シリカ系ガラスは、シリカを主成分とするガラスであり、シリカを９０％以上含む。

複数のコア２は、ファイバ軸に直交する断面において、互いに同じ円形状を有している。各コア２の半径ｒａは、例えば、３μｍ以上７μｍ以下である。各コア２は、ＭＣＦ１のファイバ軸に沿って延在している。本実施形態では、ＭＣＦ１は、２コア光ファイバであり、コア２の数は２であるが、これに限られない。ファイバ軸に直交する断面において、２つのコア２は、ＭＣＦ１の中心軸を挟んで対向するように配置されている。ファイバ軸に直交する断面において、２つのコア２は中心軸から等距離に配置されている。ファイバ軸に直交する断面において、隣り合う２つのコア２の中心間隔Λは、例えば、３０μｍ以上５０μｍ以下である。

第１クラッド３は、複数のコア２を取り囲む共通のクラッドである。第１クラッド３は、複数のコア２の外周面を覆っている。ファイバ軸に直交する断面において、第１クラッド３は円形状を有している。第２クラッド４は、第１クラッド３を取り囲んでいる共通のクラッドである。第２クラッド４は、第１クラッド３の外周面を覆っている。例えば、第１クラッド３と第２クラッド４の界面と、複数のコア２の中心と、の間の最短距離が１５μｍ以上２０μｍ以下である。ファイバ軸に直交する断面において、第２クラッド４は円形状を有している。第２クラッド４の半径は、例えば、５０μｍ以上１００μｍ以下、または、６２μｍ以上６３μｍ以下である。

第２クラッド４の屈折率は、コア２の屈折率よりも低く、かつ、第１クラッド３の屈折率よりも高い。第１クラッド３の屈折率を基準とした第２クラッド４の比屈折率差は、０．０２％以上であり、コア２の比屈折率差は、０．３０％以上１．００％以下であり、コア２の比屈折率差と第２クラッド４の比屈折率差の差は０．２０％以上である。図２の屈折率分布は、縦軸を第１クラッド３の屈折率を基準とした比屈折率差Δ、横軸を径方向位置ｒとして示されている。径方向位置ｒは、ファイバ中心において０である。ＭＣＦ１は、共通ディプレスト型のＭＣＦである。第１クラッド３は、共通ディプレストとして機能する。

ＭＣＦ１では、波長１５５０ｎｍにおけるコア２の実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコア２のファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッド３の屈折率を基準としたコア２の比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］とし、以下の式でＡｅｆｆ１［μｍ^２］を定義したときに、条件１ａまたは条件２ａが満たされる。
Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
条件１ａ及び条件２ａは、以下の式により規定される。
上記の式において、Ａｅｆｆ１の単位が［μｍ^２］であるとき、定数の係数は以下の単位である。
１８．６［μｍ^２］。－４．６３［μｍ^２］。１．２４［μｍ］。２４．１［μｍ^２］。－６．０５×１０^－３［－（単位なし）］。－０．８５８［μｍ］。
すなわち、Ａｅｆｆは実効断面積を［μｍ^２］の単位で表した数値、Λは中心間隔を［μｍ］の単位で表した数値、Δｃｏｒｅは比屈折率差を［％］の単位で表した数値、Ａｅｆｆ１は単位が［μｍ^２］であるときの数値、を意味する。
（条件１ａ）
０．３５[％]≦Δｃｏｒｅ[％]≦１．００[％]
２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
（条件２ａ）
０．３０[％]≦Δｃｏｒｅ[％]≦０．３５[％]
２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
０．８８Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１

条件１ａは、以下のいずれかの式により更に規定されてもよい。
０．８３Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
０．９５Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
条件２ａは、以下のいずれかの式により更に規定されてもよい。
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
０．９２Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
０．９６Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１

ＭＣＦ１では、波長１５５０ｎｍにおけるコア２の実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つのコア２のファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、第１クラッド３の屈折率を基準としたコア２の比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］とし、以下の式でＡｅｆｆ２［μｍ^２］を定義したときに、条件１ｂまたは条件２ｂが満たされる。
Ａｅｆｆ２＝１９．２－３．０１ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．４０Λ＋２５．６［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－７．７２×１０^－３Λ^２－０．９８０Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
上記の式において、Ａｅｆｆ２の単位が［μｍ^２］であるとき、定数の係数は以下の単位である。
１９．２［μｍ^２］。－３．０１［μｍ^２］。１．４０［μｍ］。２５．６［μｍ^２］。－７．７２×１０^－３［－（単位なし）］。－０．９８０［μｍ］。
すなわち、Ａｅｆｆは実効断面積を［μｍ^２］の単位で表した数値、Λは中心間隔を［μｍ］の単位で表した数値、Δｃｏｒｅは比屈折率差を［％］の単位で表した数値、Ａｅｆｆ２は単位が［μｍ^２］であるときの数値、を意味する。
条件１ｂ及び条件２ｂは、以下の式により規定される。
（条件１ｂ）
０．３５[％]≦Δｃｏｒｅ[％]≦１．００[％]
２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
０．７５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
（条件２ｂ）
０．３０[％]≦Δｃｏｒｅ[％]≦０．３５[％]
２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
０．８４Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２

条件１ｂは、以下のいずれかの式により更に規定されてもよい。
０．８５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
０．８９Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
条件２ｂは、以下のいずれかの式により更に規定されてもよい。
０．８８Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
０．９０Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２

共通ディプレスト型では、コア２および共通ディプレスト（すなわち第１クラッド３）を含む導波構造部分のみを考えた際のλｃｃは、所望のλｃｃよりも大きい値になっている。第１クラッド３の屈折率を基準とした第２クラッド４の比屈折率差を調整すると共に、ファイバ軸に直交する断面におけるコア２の中心と第２クラッド４との最短距離を調整することにより、高次モードが第２クラッド４に漏れる。このため、λｃｃを所望の値に調整することができる。よって、コア２の半径ｒａと共通の第１クラッド３を基準としたコア２の比屈折率差Δｃｏｒｅは、λｃｃに対して独立の値を自由にとることができる。加えて、ＭＣＦ１によれば、ＳＩ型・ｍａｔｃｈｅｄ ｃｌａｄｄｉｎｇ型やトレンチアシスト型のＭＣＦに比べて、同じλｃｃを実現したときのＰＣＣ ｈを低減することができる。

少なくともＳＩ型やｍａｔｃｈｅｄ ｃｌａｄｄｉｎｇ型に比べて、各コア２の閉じ込めを強めるためには、コア２および共通ディプレスト（すなわち第１クラッド３）を含む導波構造部分のみを考えた際のλｃｃを、所望のλｃｃの上限値よりも大きい値にすることが望ましい。共通ディプレスト型のＭＣＦにおいてこれを実現するためには、コア２の半径をｒａ［μｍ］、ケーブルカットオフ波長をλｃｃ［ｎｍ］、第１クラッド３の屈折率を基準としたコア２の比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、以下の式により規定される条件３、条件４、条件５、または、条件６を満たすことが望ましい。
（条件３）
λｃｃ［ｎｍ］≦１２６０［ｎｍ］
ｒａ［μｍ］≧２．５１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０５}[μｍ]
（条件４）
λｃｃ［ｎｍ］≦１３６０［ｎｍ］
ｒａ［μｍ］≧２．７１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０７}[μｍ]
（条件５）
λｃｃ［ｎｍ］≦１４６０［ｎｍ］
ｒａ［μｍ］≧２．９２（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０９}[μｍ]
（条件６）
λｃｃ［ｎｍ］≦１５３０［ｎｍ］
ｒａ［μｍ］≧３．０６（Δｃｏｒｅ）^{－０．６１１}[μｍ]
ＭＣＦ１は、条件３、条件４、条件５、および、条件６を満たす。ここで、λｃｃはケーブルカットオフ波長を［ｎｍ］の単位で表した数値、ｒａは半径を［μｍ］の単位で表した数値、Δｃｏｒｅは比屈折率差を［％］の単位で表した数値、を意味する。このとき、条件３から条件６の右辺の定数の係数が［μｍ］の単位となる。すなわち、条件３では、２．５１［μｍ］、条件４では、２．７１［μｍ］、条件５では、２．９２［μｍ］、条件６では、３．０６［μｍ］である。

図３は、コアの半径と第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差との関係を示すグラフである。図３の縦軸は、コアの半径ｒａ［μｍ］を示す。図３の横軸は、第１クラッドの屈折率を基準としたコアの比屈折率差［％］を示す。図３には、λｃｃが１．２６μｍ、１．３６μｍ、１．４６μｍ、および、１．５３μｍの場合が示されている。つまり、図３に示される線は、条件３、条件４、条件５、および、条件６のそれぞれについて、２つの式の等号がいずれも成り立つ場合に相当する。これらの線から上の領域が望ましい領域である。

実際の光ファイバの屈折率分布は厳密にはＳＩ型ではないことが多い。その場合には、非特許文献５に記載のＥＳＩ（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｔｅｐ ｉｎｄｅｘ）近似に基づいて、等価的なＳＩ型屈折率分布を算出することにより、ＳＩ型でないコアを持つＭＣＦにも条件３、条件４、条件５、および、条件６を適用することができる。このとき、非特許文献５に記載の実効的な規格化周波数Ｖｅｆｆと、ＥＳＩ近似上のコア半径ρｓ、波長λ、コアの屈折率ｎ１を用いて、ＥＳＩ近似上のΔｃｏｒｅであるΔｃｏｒｅ，ｓは以下の式で表すことができる。

ここで、Δｃｏｒｅ，ｓは％単位であり、λとρｓは同じ単位を用いるものとする。Ｖｅｆｆとｎ１は無次元量である。ρｓとΔｃｏｒｅ，ｓを本願中のａとΔｃｏｒｅに置き換えてもよい。

次に、図４を参照し、Δｃｏｒｅごと、および、Λごとに、ｈとＡｅｆｆとの関係を調べた結果について説明する。図４は、ＰＣＣと各コアのＡｅｆｆとの関係を示すグラフである。図４の縦軸は、コア間のＰＣＣ［／ｋｍ］を示す。図４の横軸は、Ａｅｆｆ［μｍ^２］を示す。図４には、コアの中心間隔Λが２５μｍ、３０μｍ、３５μｍ、４０μｍ、４５μｍ、および、５０μｍの場合が示されている。図４は、Δｃｏｒｅが０．４０％の場合である。図示を省略するが、Δｃｏｒｅが０．３０％以上１．００％以下の範囲でも同様にｈとＡｅｆｆとの関係を調べた。

この結果から、Λごとに異なるＡｅｆｆでｈは極小値となることがわかった。隣り合う２つのコア間の並行伝搬においてＰＣＣ ｈが極小値ｈｍｉｎとなるＡｅｆｆは、上述のＡｅｆｆ１で近似される。この近似は、少なくとも、Δｃｏｒｅが０．３０％以上１．００％以下、および、Λが２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲で有効である。隣り合う２つのコアを伝搬する信号光の向きが同じ向きであることを、並行伝搬と呼ぶ。

図５および図６は、ＡｅｆｆがＡｅｆｆ１からどれだけ乖離すると、どれだけｈが上昇するのかをプロットした図である。図５および図６の横軸は、Ａｅｆｆ／Ａｅｆｆ１を示す。図５および図６の縦軸は、１０ｌｏｇ_１０（ｈ／ｈｍｉｎ）を示す。ｈｍｉｎは、各ΔｃｏｒｅとΛの組合せごとのｈの極小値を表す。図５では、Δｃｏｒｅが０．３５％以上１．００％以下、かつ、Λが２５μｍ以上５０μｍ以下の範囲の値がプロットされている。図６では、Δｃｏｒｅが０．３０％以上１．００％以下、かつ、Λが２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲の値がプロットされている。

図５から、以下のことが確認できる。すなわち、
０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、３ｄＢ以下に抑えられるので望ましい。
０．８３Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、１ｄＢ以下に抑えられるのでより望ましい。
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、０．５ｄＢ以下に抑えられるので更により望ましい。
０．９５Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、０．１ｄＢ以下に抑えられるので最も望ましい。この結果は、上述の条件１ａに対応する。

図６から、Δｃｏｒｅの下限を０．３０％まで広げると共に、Λの下限を２０μｍまで広げると、望ましいＡｅｆｆの下限が特に狭まることが確認できる。すなわち、
０．８８Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、３ｄＢ以下に抑えられるので望ましい。
０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、１ｄＢ以下に抑えられるのでより望ましく、
０．９２Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、０．５ｄＢ以下に抑えられるので更により望ましい。
０．９６Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
を満たすとき、ｈｍｉｎに比べてｈの増加量はｄＢ値で、０．１ｄＢ以下に抑えられるので最も望ましい。この結果は、上述の条件２ａに対応する。

非特許文献１に記載されるように、隣接コア間、すなわち、隣り合う２つのコアで信号光の伝搬方向を対向させることにより、隣接コア間のＰＣＣ及びＸＴを低減することができる。このとき、レイリー後方散乱起因のＰＣＣであるＰＣＣｂｓが極小値となるＡｅｆｆ、またはレイリー後方散乱起因のＸＴであるＸＴｂｓが極小値となるＡｅｆｆ、すなわち、対向伝搬においてＰＣＣ ｈが極小値ｈｍｉｎとなるＡｅｆｆは、上述のＡｅｆｆ２で近似される。この近似は、少なくとも、Δｃｏｒｅが０．３０％以上１．００％以下、および、Λが２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲で有効である。隣り合う２つのコアを伝搬する信号光の向きが逆向きであることを、対向伝搬と呼ぶ。

Ａｅｆｆ２による上記近似から以下のことが確認できる。すなわち、
０．７５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、３ｄＢ以下に抑えられるので望ましい。
０．８５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、１ｄＢ以下に抑えられるのでより望ましい。
０．８９Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、０．５ｄＢ以下に抑えられるので更により望ましい。
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、０．１ｄＢ以下に抑えられるので最も望ましい。この結果は、上述の条件１ｂに対応する。

Δｃｏｒｅの下限を０．３０％まで広げると共に、Λの下限を２０μｍまで広げると、望ましいＡｅｆｆの下限が特に狭まることが確認できる。すなわち、
０．８４Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、３ｄＢ以下に抑えられるので望ましい。
０．８８Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、１ｄＢ以下に抑えられるのでより望ましい。
０．９０Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、０．５ｄＢ以下に抑えられるので更により望ましい。
０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
を満たすとき、ＰＣＣｂｓの極小値からの増加量及びＸＴｂｓの極小値からの増加量はｄＢ値で、０．１ｄＢ以下に抑えられるので最も望ましい。この結果は、上述の条件２ｂに対応する。

以上説明したように、本実施形態に係るＭＣＦ１では、第１クラッド３が共通ディプレストとして機能する。ＭＣＦ１では、条件１ａまたは条件２ａを満たすことにより、並行伝搬ＰＣＣ及び並行伝搬ＸＴを低減することができる。条件１ｂまたは条件２ｂを満たすことにより、対向伝搬ＰＣＣ及び対向伝搬ＸＴを低減することができる。すなわち、共通ディプレスト型であるＭＣＦ１では、ＳＩ型やｍａｔｃｈｅｄ ｃｌａｄｄｉｎｇ型のＭＣＦよりもＰＣＣ及びＸＴを低減することができる。また、各コア２のＡｅｆｆを適切な範囲とすることで、ＰＣＣ及びＸＴを極小値に近い値に抑えることができる。加えて、ＭＣＦ１は、トレンチアシスト型や空孔アシスト型のように各コア２の個別の閉じ込め強化のための屈折率構造を有さないので、製造しやすく、かつ、ＰＣＣ及びＸＴの低減が可能である。

以上、実施形態について説明してきたが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

図７は、変形例に係るＭＣＦのファイバ軸に直交する断面および屈折率分布を示す図である。図７に示されるように、変形例に係るＭＣＦ１Ａは、第３クラッド５を更に備える点で、図２に示されるＭＣＦ１と相違している。第３クラッド５は、第１クラッド３に取り囲まれている。第３クラッド５は、ファイバ軸に直交する断面において、隣り合う２つのコア２の中心間を結ぶ線分Ｌ上に、当該隣り合う２つのコア２のそれぞれから離間して配置されている。第３クラッド５は、複数のコア２のいずれも覆っていない。これにより、隣り合う２つのコア２間のＰＣＣ ｈを更に低減することができる。

第３クラッド５は、ファイバ軸に直交する断面において円形状を有している。これにより、製造が容易となる。本実施形態では、第３クラッド５の半径は、コア２の半径と同等であるが、コア２の半径と異なっていてもよい。第３クラッド５は、シリカ系ガラスを含む。第３クラッド５は、第１クラッド３の屈折率よりも低い屈折率を有し、低屈折率ピットとして機能する。第１クラッド３の屈折率を基準とした第３クラッド５の比屈折率差は、例えば、－０．８％以上－０．１％以下である。本変形例では、ファイバ軸に直交する断面において、第３クラッド５は、２つのコア２の中心から等距離に位置し、第３クラッド５の中心は、ＭＣＦ１Ａの中心と重なっている。

なお、本開示のＭＣＦの特徴量や特性は、以下の方法で測定可能である。コア、第１クラッドおよび第２クラッドの屈折率は、例えば屈折ニアフィールド法や横方向干渉法で測定できる。伝送損失は、ＩＴＵ－Ｔ Ｇ．６５０．１に記載の方法をＭＣＦの各コアに適用することで測定できる。実効断面積は、例えばＩＴＵ－Ｔ Ｇ．６５０．２（０８／２０１５）のＡｐｐｅｎｄｉｘ IIIに記載の方法で測定できる。隣り合う２つのコアのフ
ァイバ軸に直交する断面における中心間隔は、例えば屈折ニアフィールド法や横方向干渉法、ＭＣＦ断面の顕微鏡観察画像（透過ニアフィールド法）から測定できる。

上記では、非結合型のＭＣＦを例示して説明したが、これに限定されない。コア間ＸＴを許容して、コア密度を高める結合型ＭＣＦ（ランダム結合型ＭＣＦとも呼ばれる）においても、コア間の結合が強すぎると、コア間ＸＴを補償する数値計算の難易度が上がる。そのため、コア間ＰＣＣを下げられるコア構造を採用することにより、コア密度を高める（コア間隔を狭める）ことができる。従って、非結合型ＭＣＦにおいても結合型ＭＣＦにおいても、経済的に実現可能な屈折率分布の範囲で、各コアに個別の光学特性を所望の値に維持しながら、コア間ＰＣＣ及びコア間ＸＴを低減できる。

１，１Ａ…ＭＣＦ
２…コア
３…第１クラッド
４…第２クラッド
５…第３クラッド
ｒａ…コアの半径
Ｌ…線分
Λ…隣接コアの中心間隔
Δ…比屈折率差

Claims (20)

1. 並行伝搬に用いられる共通ディプレスト型のマルチコア光ファイバであって、
   複数のコアと、
   複数の前記コアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、
   前記第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備え、
   前記第２クラッドの屈折率は、前記コアの屈折率よりも低く、かつ、前記第１クラッドの屈折率よりも高く、
   波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下であり、
   波長１５５０ｎｍにおける前記コアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つの前記コアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、前記第１クラッドの屈折率を基準とした前記コアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
   Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
   で定義されるＡｅｆｆ１［μｍ^２］を用いて、以下の条件１ａを満たす、マルチコア光ファイバ。
   ０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］
   ２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
   ０．８０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
2. 前記条件１ａは、以下の式により更に規定される、請求項１に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．８３Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
3. 前記条件１ａは、以下の式により更に規定される、請求項１に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
4. 前記条件１ａは、以下の式により更に規定される、請求項１に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．９５Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
5. 並行伝搬に用いられる共通ディプレスト型のマルチコア光ファイバであって、
   複数のコアと、
   複数の前記コアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、
   前記第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備え、
   前記第２クラッドの屈折率は、前記コアの屈折率よりも低く、かつ、前記第１クラッドの屈折率よりも高く、
   波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下であり、
   波長１５５０ｎｍにおける前記コアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つの前記コアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、前記第１クラッドの屈折率を基準とした前記コアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
   Ａｅｆｆ１＝１８．６－４．６３ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．２４Λ＋２４．１［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－６．０５×１０^－３Λ^２－０．８５８Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
   で定義されるＡｅｆｆ１［μｍ^２］を用いて、以下の条件２ａを満たす、マルチコア光ファイバ。
   ０．３０［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦０．３５［％］
   ２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
   ０．８８Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．３５Ａｅｆｆ１
6. 前記条件２ａは、以下の式により更に規定される、請求項５に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．９０Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ１
7. 前記条件２ａは、以下の式により更に規定される、請求項５に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．９２Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ１
8. 前記条件２ａは、以下の式により更に規定される、請求項５に記載のマルチコア光ファイバ。
   ０．９６Ａｅｆｆ１≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ１
9. 対向伝搬に用いられる共通ディプレスト型のマルチコア光ファイバであって、
   複数のコアと、
   複数の前記コアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、
   前記第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備え、
   前記第２クラッドの屈折率は、前記コアの屈折率よりも低く、かつ、前記第１クラッドの屈折率よりも高く、
   波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下であり、
   波長１５５０ｎｍにおける前記コアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つの前記コアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、前記第１クラッドの屈折率を基準とした前記コアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
   Ａｅｆｆ２＝１９．２－３．０１ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．４０Λ＋２５．６［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－７．７２×１０^－３Λ^２－０．９８０Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
   で定義されるＡｅｆｆ２［μｍ^２］を用いて、以下の条件１ｂを満たす、マルチコア光ファイバ。
   ０．３５［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦１．００［％］
   ２５［μｍ］≦Λ［μｍ］≦５０［μｍ］
   ０．７５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
10. 前記条件１ｂは、以下の式により更に規定される、請求項９に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．８５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
11. 前記条件１ｂは、以下の式により更に規定される、請求項９に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．８９Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
12. 前記条件１ｂは、以下の式により更に規定される、請求項９に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
13. 対向伝搬に用いられる共通ディプレスト型のマルチコア光ファイバであって、
    複数のコアと、
    複数の前記コアをそれぞれ取り囲む共通の第１クラッドと、
    前記第１クラッドを取り囲む第２クラッドと、を備え、
    前記第２クラッドの屈折率は、前記コアの屈折率よりも低く、かつ、前記第１クラッドの屈折率よりも高く、
    波長１５５０ｎｍにおける伝送損失は、０．２２ｄＢ／ｋｍ以下であり、
    波長１５５０ｎｍにおける前記コアの実効断面積をＡｅｆｆ［μｍ^２］、隣り合う２つの前記コアのファイバ軸に直交する断面における中心間隔をΛ［μｍ］、前記第１クラッドの屈折率を基準とした前記コアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、
    Ａｅｆｆ２＝１９．２－３．０１ｌｎ（Δｃｏｒｅ）＋１．４０Λ＋２５．６［ｌｎ（Δｃｏｒｅ）］^２－７．７２×１０^－３Λ^２－０．９８０Λｌｎ（Δｃｏｒｅ）
    で定義されるＡｅｆｆ２［μｍ^２］を用いて、以下の条件２ｂを満たす、マルチコア光ファイバ。
    ０．３０［％］≦Δｃｏｒｅ［％］≦０．３５［％］
    ２０［μｍ］≦Λ［μｍ］≦２５［μｍ］
    ０．８４Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．３６Ａｅｆｆ２
14. 前記条件２ｂは、以下の式により更に規定される、請求項１３に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．８８Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１８Ａｅｆｆ２
15. 前記条件２ｂは、以下の式により更に規定される、請求項１３に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．９０Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．１２Ａｅｆｆ２
16. 前記条件２ｂは、以下の式により更に規定される、請求項１３に記載のマルチコア光ファイバ。
    ０．９５Ａｅｆｆ２≦Ａｅｆｆ≦１．０５Ａｅｆｆ２
17. 前記コアの半径をｒａ［μｍ］、ケーブルカットオフ波長をλｃｃ［ｎｍ］、前記第１クラッドの屈折率を基準とした前記コアの比屈折率差をΔｃｏｒｅ［％］としたときに、条件３、条件４、条件５、または、条件６が満たされる、請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載のマルチコア光ファイバ。
    前記条件３は、以下の式により規定される。
    λｃｃ［ｎｍ］≦１２６０［ｎｍ］
    ｒａ≧２．５１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０５}μｍ
    前記条件４は、以下の式により規定される。
    λｃｃ［ｎｍ］≦１３６０［ｎｍ］
    ｒａ≧２．７１（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０７}［μｍ］
    前記条件５は、以下の式により規定される。
    λｃｃ［ｎｍ］≦１４６０［ｎｍ］
    ｒａ≧２．９２（Δｃｏｒｅ）^{－０．６０９}［μｍ］
    前記条件６は、以下の式により規定される。
    λｃｃ［ｎｍ］≦１５３０［ｎｍ］
    ｒａ≧３．０６（Δｃｏｒｅ）^{－０．６１１}［μｍ］
18. 前記第１クラッドに取り囲まれた第３クラッドを更に有し、
    前記第３クラッドは、ファイバ軸に直交する断面において、隣り合う２つの前記コアの中心間を結ぶ線分上に前記隣り合う２つの前記コアのそれぞれから離隔して配置され、
    前記第３クラッドの屈折率は、前記第１クラッドの屈折率よりも低い、
    請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載のマルチコア光ファイバ。
19. ファイバ軸に直交する断面において、前記第３クラッドは円形状を有している、
    請求項１８に記載のマルチコア光ファイバ。
20. 前記複数のコア、前記第１クラッド、および、前記第２クラッドは、シリカ系ガラスを含む、
    請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載のマルチコア光ファイバ。

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