JP7499653B2 - SUBSTRATE PROCESSING METHOD, STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING METHOD, STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS Download PDF

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Description

本開示は、基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing apparatus.

特許文献１には、被処理体に処理液を塗布して処理する際に、被処理体に温度分布を持たせたことを特徴とする処理方法が開示されている。 Patent document 1 discloses a processing method characterized by providing a temperature distribution to the object to be processed when the object is coated with a processing liquid.

特開平５－３６５９７号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-36597

本開示は、基板間の膜厚変動を抑制することが可能な基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置を提供する。 The present disclosure provides a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing apparatus that can suppress film thickness variations between substrates.

本開示の一側面に係る基板処理方法は、所定の処理位置に基板を保持すると共に基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットを用いて、処理位置に保持されている基板の表面に対して処理液を供給することと、処理液の供給後に基板の表面上に処理液の被膜が形成されるように基板を保持することとを含む液処理を行うことと、液処理ユニットのうちの、液処理の実行時において基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を液処理の前に行うことと、を含む。 A substrate processing method according to one aspect of the present disclosure includes performing liquid processing using a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies processing liquid to the surface of the substrate, the liquid processing unit supplying processing liquid to the surface of the substrate while the substrate is held at the processing position, and holding the substrate such that a coating of processing liquid is formed on the surface of the substrate after the processing liquid is supplied, and performing a temperature control process prior to the liquid processing, which adjusts the temperature of a member of the liquid processing unit that affects the temperature of the substrate when the liquid processing is performed.

本開示によれば、基板間の膜厚変動を抑制することが可能な基板処理方法、記憶媒体及び基板処理装置が提供される。 The present disclosure provides a substrate processing method, a storage medium, and a substrate processing apparatus that can suppress film thickness variations between substrates.

図１は、第１実施形態に係る基板処理システムの一例を模式的に示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating an example of a substrate processing system according to a first embodiment. 図２は、塗布現像装置の一例を模式的に示す側面図である。FIG. 2 is a side view illustrating an example of a coating and developing apparatus. 図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example of the liquid processing unit. 図４は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram illustrating an example of a hardware configuration of the control device. 図５は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flow chart showing an example of a substrate processing method. 図６は、液処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flow chart showing an example of the liquid treatment. 図７は、温調処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing an example of the temperature adjustment process. 図８は、比較例に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing an example of the measurement results of the film thickness fluctuation according to the comparative example. 図９は、第１実施形態に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing an example of a measurement result of the film thickness variation according to the first embodiment. 図１０は、第２実施形態に係る液処理ユニットの一例を示す模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating an example of a liquid processing unit according to the second embodiment. 図１１は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 11 is a flow chart showing an example of a substrate processing method. 図１２は、温調処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart showing an example of the temperature adjustment process. 図１３（ａ）は、比較例に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。図１３（ｂ）及び図１３（ｃ）は、第２実施形態に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。Fig. 13A is a graph showing an example of a measurement result of a film thickness variation according to a comparative example, Fig. 13B and Fig. 13C are graphs showing an example of a measurement result of a film thickness variation according to the second embodiment. 図１４は、第３実施形態に係る液処理ユニットの一例を示す模式図である。FIG. 14 is a schematic diagram illustrating an example of a liquid processing unit according to the third embodiment. 図１５は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 15 is a flow chart showing an example of a substrate processing method. 図１６は、温調処理の一例を示すフローチャートである。FIG. 16 is a flowchart showing an example of the temperature adjustment process. 図１７は、インナーカップの温度変化の一例を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing an example of a temperature change of the inner cup. 図１８は、基板処理方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 18 is a flow chart showing an example of a substrate processing method. 図１９（ａ）は、比較例に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。図１９（ｂ）は、第３実施形態に係る膜厚変動の測定結果の一例を示すグラフである。Fig. 19A is a graph showing an example of a measurement result of a film thickness variation according to a comparative example, and Fig. 19B is a graph showing an example of a measurement result of a film thickness variation according to a third embodiment.

以下、種々の例示的実施形態について説明する。 Various exemplary embodiments are described below.

一つの例示的実施形態に係る基板処理方法は、所定の処理位置に基板を保持すると共に基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットを用いて、処理位置に保持されている基板の表面に対して処理液を供給することと、処理液の供給後に基板の表面上に処理液の被膜が形成されるように基板を保持することとを含む液処理を行うことと、液処理ユニットのうちの、液処理の実行時において基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を液処理の前に行うことと、を含む。 A substrate processing method according to one exemplary embodiment includes performing liquid processing using a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies processing liquid to the surface of the substrate, the liquid processing unit supplying processing liquid to the surface of the substrate, the liquid processing unit holding the substrate at the processing position, and holding the substrate such that a coating of processing liquid is formed on the surface of the substrate after the processing liquid is supplied, and performing a temperature control process prior to the liquid processing to adjust the temperature of a member of the liquid processing unit that affects the temperature of the substrate when the liquid processing is performed.

処理液を用いた液処理では、処理液の供給後における被膜の形成に伴って、処理液に含まれる液体の一部が蒸発し、気化熱によって処理位置の周囲の温度が低下し得る。そのため、液処理が繰り返し行われると、処理位置の周囲での温度条件に液処理ごとにばらつきが生じ、被膜の膜厚に変動が生じるおそれがある。これに対して、上記基板処理方法では、基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理によって、処理位置の周囲における温度のばらつきが低減する状態で液処理を行うことができる。したがって、基板間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 In liquid processing using a processing liquid, as a coating is formed after the processing liquid is supplied, some of the liquid contained in the processing liquid evaporates, and the heat of vaporization can cause a drop in the temperature around the processing position. Therefore, if the liquid processing is performed repeatedly, the temperature conditions around the processing position may vary from liquid processing to liquid processing, causing a risk of variation in the thickness of the coating. In contrast, in the above-mentioned substrate processing method, liquid processing can be performed under conditions in which the temperature variation around the processing position is reduced by a temperature control process that adjusts the temperature of components that affect the temperature of the substrate. This makes it possible to suppress film thickness variation between substrates.

温調処理における処理条件は、液処理の開始タイミングに応じて設定されてもよい。液処理の開始タイミングに応じて、処理位置の周囲における温度が変動し得る。そのため、液処理の開始タイミングに応じて、温調処理の処理条件を設定することで、液処理の開始時の処理位置の周囲温度を適切に調節することが可能となる。 The processing conditions in the temperature control process may be set according to the start timing of the liquid processing. The temperature around the processing position may vary depending on the start timing of the liquid processing. Therefore, by setting the processing conditions in the temperature control process according to the start timing of the liquid processing, it is possible to appropriately adjust the ambient temperature around the processing position at the start of the liquid processing.

上記部材は、処理位置に基板を保持するように基板の裏面を支持する保持部を含んでもよい。温調処理は、保持部に対して第１流体を供給することで保持部を冷却することを含んでもよい。この場合、基板の温度に影響を与える保持部が液処理を行う前に冷却され、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下する程度が小さくなる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減し、基板間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 The member may include a holding part that supports the back surface of the substrate so as to hold the substrate at the processing position. The temperature adjustment process may include cooling the holding part by supplying a first fluid to the holding part. In this case, the holding part that affects the temperature of the substrate is cooled before the liquid processing is performed, and the degree to which the ambient temperature of the processing position decreases as the liquid processing is performed is reduced. This reduces the temperature variation around the processing position for each liquid processing, making it possible to suppress film thickness variations between substrates.

基板の表面に対して処理液を供給することは、基板を支持している状態の保持部を当該保持部に接続された回転保持部により回転させながら、基板の表面に対して処理液を供給することを含んでもよい。保持部に対して第１流体を供給することは、保持部の中央部に対して第１流体を供給することを含んでもよい。保持部の中央部は、保持部を回転させるための駆動部の近くに位置しており、当該中央部の熱容量は他の部分よりも大きくなる傾向がある。そのため、保持部の中央部を冷却することで、温調処理による温度調節の程度を大きくすることが可能となる。 Supplying the processing liquid to the surface of the substrate may include supplying the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the holder supporting the substrate by a rotating holder connected to the holder. Supplying the first fluid to the holder may include supplying the first fluid to a center portion of the holder. The center portion of the holder is located near a drive portion for rotating the holder, and the heat capacity of the center portion tends to be greater than other portions. Therefore, by cooling the center portion of the holder, it is possible to increase the degree of temperature control by the temperature control process.

上記部材は、処理位置に保持されている基板を囲む収容部のうちの基板の裏面の外周部に近接した状態で配置されているインナーカップを含んでもよい。温調処理は、インナーカップに対して第２流体を供給することでインナーカップを冷却することを含んでもよい。この場合、基板の温度に影響を与えるインナーカップが液処理を行う前に冷却され、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下する程度が小さくなる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減するので、基板間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 The above member may include an inner cup arranged in a state close to the outer periphery of the back surface of the substrate in a container surrounding the substrate held at the processing position. The temperature adjustment process may include cooling the inner cup by supplying a second fluid to the inner cup. In this case, the inner cup, which affects the temperature of the substrate, is cooled before the liquid processing is performed, and the degree to which the ambient temperature of the processing position decreases with the execution of the liquid processing is reduced. Therefore, the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced, making it possible to suppress film thickness variation between substrates.

インナーカップに対する第２流体の供給によりインナーカップを冷却することは、インナーカップに対して溶剤を供給することと、溶剤の供給後に、インナーカップに対して溶剤を供給しない状態を維持することとを含んでもよい。この場合、インナーカップに対して供給された後の溶剤の気化熱によってインナーカップの冷却が進行するので、溶剤の使用量を抑えつつインナーカップを冷却することが可能となる。 Cooling the inner cup by supplying the second fluid to the inner cup may include supplying a solvent to the inner cup and, after supplying the solvent, maintaining a state in which no solvent is supplied to the inner cup. In this case, the cooling of the inner cup proceeds due to the heat of vaporization of the solvent after it is supplied to the inner cup, so that it is possible to cool the inner cup while minimizing the amount of solvent used.

上記基板処理方法は、インナーカップに対する第２流体の供給によりインナーカップが目標温度まで冷却されてから所定時間内に、液処理を開始してもよい。この場合、処理位置の周囲温度が低下した状態で、液処理を開始することが可能となる。 The substrate processing method may start the liquid processing within a predetermined time after the inner cup is cooled to the target temperature by supplying the second fluid to the inner cup. In this case, it is possible to start the liquid processing when the ambient temperature of the processing position has dropped.

上記基板処理方法は、液処理の後に、処理位置から基板を搬出することと、基板の表面に対する処理液の供給が完了してから処理位置からの基板の搬出が開始するまでの間において、インナーカップに対して第２流体を供給することとを更に含んでもよい。この場合、液処理後のインナーカップの温度について、液処理ごとのばらつきを抑制すること可能となる。 The substrate processing method may further include removing the substrate from the processing position after the liquid processing, and supplying a second fluid to the inner cup during the period from when the supply of the processing liquid to the surface of the substrate is completed until when removal of the substrate from the processing position is started. In this case, it is possible to suppress the variation in the temperature of the inner cup after the liquid processing for each liquid processing.

上記部材は、処理位置に基板を保持するように基板の裏面を支持する保持部を含んでもよい。基板の表面に対して処理液を供給することは、基板を支持している状態の保持部を回転させながら、基板の表面に対して処理液を供給することを含んでもよい。温調処理は、保持部が基板を支持していない状態で保持部を回転させることにより、保持部の温度を上昇させることを含んでもよい。この場合、基板の温度に影響を与える保持部の温度が液処理を行う前に上昇し、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下することを抑制することができる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減され、基板間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 The member may include a holder that supports the back surface of the substrate so as to hold the substrate at the processing position. Supplying the processing liquid to the front surface of the substrate may include supplying the processing liquid to the front surface of the substrate while rotating the holder that is supporting the substrate. The temperature adjustment process may include increasing the temperature of the holder by rotating the holder when the holder is not supporting the substrate. In this case, the temperature of the holder that affects the temperature of the substrate increases before the liquid processing is performed, and it is possible to suppress a decrease in the ambient temperature of the processing position as the liquid processing is performed. Therefore, the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced, making it possible to suppress film thickness variations between substrates.

一つの例示的実施形態に係る記憶媒体は、上述の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体である。 The storage medium according to one exemplary embodiment is a computer-readable storage medium that stores a program for causing an apparatus to execute the above-described substrate processing method.

一つの例示的実施形態に係る基板処理装置は、所定の処理位置に基板を保持すると共に基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットと、液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備える。制御ユニットは、処理位置に保持されている基板の表面に対して処理液を供給することと、処理液の供給後に基板の表面上に処理液の被膜が形成されるように基板を保持することとを含む液処理を液処理ユニットに実行させる。制御ユニットは、液処理ユニットのうちの、液処理の実行時において基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を液処理の前に液処理ユニットに実行させる。この基板処理装置では、上述の基板処理方法と同様に、基板間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 A substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment includes a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to the surface of the substrate, and a control unit that controls the liquid processing unit. The control unit causes the liquid processing unit to perform liquid processing including supplying processing liquid to the surface of the substrate held at the processing position and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the processing liquid is supplied. The control unit causes the liquid processing unit to perform a temperature adjustment process prior to the liquid processing, which adjusts the temperature of components of the liquid processing unit that affect the temperature of the substrate when the liquid processing is performed. In this substrate processing apparatus, it is possible to suppress film thickness variations between substrates, similar to the substrate processing method described above.

以下、図面を参照して実施形態について説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 The following describes the embodiments with reference to the drawings. In the description, identical elements or elements having the same functions are given the same reference numerals, and duplicate descriptions are omitted.

［第１実施形態］
最初に、基板処理装置を備えるシステムの一例として、図１～図７を参照しながら、第１実施形態に係る基板処理システム１を説明する。図１に示される基板処理システム１は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。ワークＷに含まれる基板は、一例として、シリコンを含むウェハである。ワークＷ（基板）は、円形に形成されていてもよい。処理対象のワークＷは、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよく、これらの基板等に所定の処理が施されて得られる中間体であってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。 [First embodiment]
First, as an example of a system including a substrate processing apparatus, a substrate processing system 1 according to a first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7. The substrate processing system 1 shown in FIG. 1 is a system that forms a photosensitive film on a workpiece W, exposes the photosensitive film, and develops the photosensitive film. The workpiece W to be processed is, for example, a substrate, or a substrate on which a film or circuit or the like has been formed by performing a predetermined process. The substrate included in the workpiece W is, for example, a wafer containing silicon. The workpiece W (substrate) may be formed in a circular shape. The workpiece W to be processed may be a glass substrate, a mask substrate, an FPD (Flat Panel Display), or the like, or may be an intermediate body obtained by performing a predetermined process on such a substrate. The photosensitive film is, for example, a resist film.

基板処理システム１は、塗布・現像装置２と、露光装置３とを備える。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。 The substrate processing system 1 includes a coating/developing device 2 and an exposure device 3. The coating/developing device 2 applies resist (chemical solution) to the surface of the workpiece W to form a resist film before the exposure process by the exposure device 3, and develops the resist film after the exposure process. The exposure device 3 is a device that exposes the resist film (photosensitive coating) formed on the workpiece W (substrate). Specifically, the exposure device 3 irradiates the exposure target portion of the resist film with energy rays by a method such as immersion exposure.

以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御ユニット）とを備える。 The configuration of the coating/developing apparatus 2 will be described below as an example of a substrate processing apparatus. As shown in Figures 1 and 2, the coating/developing apparatus 2 includes a carrier block 4, a processing block 5, an interface block 6, and a control device 100 (control unit).

キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布・現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。 The carrier block 4 introduces the workpiece W into the coating/developing device 2 and removes the workpiece W from the coating/developing device 2. For example, the carrier block 4 can support multiple carriers C for the workpiece W and has a built-in transport device A1 including a transfer arm. The carrier C accommodates, for example, multiple circular workpieces W. The transport device A1 removes the workpiece W from the carrier C and passes it to the processing block 5, and receives the workpiece W from the processing block 5 and returns it to the carrier C. The processing block 5 has processing modules 11, 12, 13, and 14.

処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The processing module 11 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units. The processing module 11 forms an underlayer film on the surface of the workpiece W using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming the underlayer film onto the workpiece W. The heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the underlayer film.

処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布することで、ワークＷの表面上に当該処理液の被膜を形成する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The processing module 12 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units. The processing module 12 forms a resist film on the underlayer film using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming a resist film onto the underlayer film, thereby forming a coating of the processing liquid on the surface of the workpiece W. The heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the resist film.

処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜の上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。 The processing module 13 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units. The processing module 13 forms an upper layer film on the resist film using the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2. The liquid processing unit U1 applies a processing liquid for forming the upper layer film onto the resist film. The heat processing unit U2 performs various heat treatments associated with the formation of the upper layer film.

処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。 The processing module 14 incorporates a liquid processing unit U1, a heat processing unit U2, and a transport device A3 that transports the workpiece W to these units. The processing module 14 uses the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to perform development processing of the resist film that has been subjected to exposure processing and heat processing associated with the development processing. The liquid processing unit U1 applies a developer to the surface of the exposed workpiece W, and then washes it away with a rinsing liquid to perform development processing of the resist film. The heat processing unit U2 performs various heat processing associated with the development processing. Specific examples of heat processing include a pre-development heat treatment (PEB: Post Exposure Bake) and a post-development heat treatment (PB: Post Bake).

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ８が設けられている。棚ユニットＵ８は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ８の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ８のセル同士の間でワークＷを昇降させる。 A shelf unit U8 is provided on the carrier block 4 side within the processing block 5. The shelf unit U8 is divided into multiple cells arranged in the vertical direction. A transport device A7 including a lifting arm is provided near the shelf unit U8. The transport device A7 raises and lowers the workpiece W between the cells of the shelf unit U8.

処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ９が設けられている。棚ユニットＵ９は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。 A shelf unit U9 is provided on the interface block 6 side of the processing block 5. The shelf unit U9 is divided into multiple cells arranged vertically.

インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ９に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ９に戻す。 The interface block 6 transfers the workpiece W to and from the exposure device 3. For example, the interface block 6 has a built-in transport device A8 including a transfer arm, and is connected to the exposure device 3. The transport device A8 transfers the workpiece W placed on the shelf unit U9 to the exposure device 3. The transport device A8 receives the workpiece W from the exposure device 3 and returns it to the shelf unit U9.

制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ８に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。 The control device 100 controls the coating/developing device 2 to perform the coating/developing process, for example, in the following procedure. First, the control device 100 controls the transport device A1 to transport the workpiece W in the carrier C to the shelf unit U8, and then controls the transport device A7 to place the workpiece W in the cell for the processing module 11.

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ８のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ８に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。 The control device 100 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U8 to the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 in the processing module 11. The control device 100 also controls the liquid treatment unit U1 and heat treatment unit U2 to form an underlayer film on the surface of the workpiece W. The control device 100 then controls the transport device A3 to return the workpiece W with the underlayer film formed thereon to the shelf unit U8, and controls the transport device A7 to place the workpiece W in a cell for the processing module 12.

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ８のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ８に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。 The control device 100 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U8 to the liquid processing unit U1 and heat processing unit U2 in the processing module 12. The control device 100 also controls the liquid processing unit U1 and heat processing unit U2 to form a resist film on the surface of the workpiece W. The control device 100 then controls the transport device A3 to return the workpiece W to the shelf unit U8, and controls the transport device A7 to place the workpiece W in a cell for the processing module 13.

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ８のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ９に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。 The control device 100 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U8 to each unit in the processing module 13. The control device 100 also controls the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to form an upper layer film on the resist film of the workpiece W. The control device 100 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W to the shelf unit U9.

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ９のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ９における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。 The control device 100 then controls the transport device A8 to send the workpiece W from the shelf unit U9 to the exposure device 3. The control device 100 then controls the transport device A8 to receive the workpiece W that has been subjected to the exposure process from the exposure device 3 and place it in a cell for the processing module 14 in the shelf unit U9.

次に制御装置１００は、棚ユニットＵ９のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ８に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で１枚のワークＷについての塗布・現像処理が完了する。制御装置１００は、複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布・現像処理を塗布・現像装置２に実行させる。 The control device 100 then controls the transport device A3 to transport the workpiece W from the shelf unit U9 to each unit in the processing module 14, and controls the liquid processing unit U1 and the heat processing unit U2 to perform development processing of the resist film on the workpiece W. The control device 100 then controls the transport device A3 to return the workpiece W to the shelf unit U8, and controls the transport device A7 and the transport device A1 to return the workpiece W into the carrier C. This completes the coating and developing processing for one workpiece W. The control device 100 also causes the coating and developing device 2 to perform the coating and developing processing for each of the multiple workpieces W in the same manner as described above.

なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、処理液の被膜を形成する液処理ユニット、及びこれを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。 The specific configuration of the substrate processing apparatus is not limited to the configuration of the coating/developing apparatus 2 exemplified above. The substrate processing apparatus may be any type as long as it includes a liquid processing unit that forms a coating of the processing liquid and a control device that can control the liquid processing unit.

（液処理ユニット）
続いて、図３を参照して、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１の一例について詳細に説明する。液処理ユニットＵ１は、所定の処理位置にワークＷを保持すると共に当該処理位置に保持したワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することで、ワークＷに対して液処理を施す。ワークＷに対して液処理が施されることで、ワークＷの表面Ｗａ上に処理液の被膜が形成される。処理位置は、液処理ユニットＵ１による液処理の実行期間において、処理対象のワークＷが保持される位置である。図３に示されるように、液処理ユニットＵ１は、例えば、回転保持部３０と、処理液供給部４０とを有する。 (Liquid processing unit)
Next, an example of the liquid processing unit U1 of the processing module 12 will be described in detail with reference to Fig. 3. The liquid processing unit U1 holds the workpiece W at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to the surface Wa of the workpiece W held at the processing position, thereby performing liquid processing on the workpiece W. By performing liquid processing on the workpiece W, a coating of the processing liquid is formed on the surface Wa of the workpiece W. The processing position is a position where the workpiece W to be processed is held during the execution of liquid processing by the liquid processing unit U1. As shown in Fig. 3, the liquid processing unit U1 has, for example, a spinning holder 30 and a processing liquid supplying part 40.

回転保持部３０は、処理位置にワークＷを保持したうえで当該ワークＷを回転させる。回転保持部３０は、例えば、保持部３２と回転駆動部３４とを有する。保持部３２は、処理位置にワークＷを保持するようにワークＷの裏面を支持する。保持部３２は、ワークＷの表面Ｗａを上方に向けた状態でワークＷの裏面Ｗｂを支持し、当該ワークＷ（裏面Ｗｂ）を例えば真空吸着等により保持してもよい。保持部３２は、ワークＷの裏面Ｗｂのうちの中央部を支持してもよい。保持部３２は、例えば、ワークＷの裏面Ｗｂの中央部が載置される面（以下、「載置面３３ａ」という。）を含む載置部３３と、載置部３３を支持するシャフト３６とを有する。載置面３３ａの面積は、ワークＷの裏面Ｗｂの面積よりも小さい。一例では、載置面３３ａは円形に形成されており、載置面３３ａの半径は、ワークＷの半径の１／３～１／２程度である。以上のように、保持部３２（載置面３３ａ）は、ワークＷの裏面Ｗｂに接触しているので、液処理の実行時において保持部３２の温度はワークＷの温度に影響を及ぼす。すなわち、保持部３２は、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼす部材（以下、「温度影響部材」という。）である。 The rotating holding unit 30 holds the workpiece W at the processing position and then rotates the workpiece W. The rotating holding unit 30 has, for example, a holding unit 32 and a rotation drive unit 34. The holding unit 32 supports the back surface of the workpiece W so as to hold the workpiece W at the processing position. The holding unit 32 supports the back surface Wb of the workpiece W with the front surface Wa of the workpiece W facing upward, and may hold the workpiece W (back surface Wb) by, for example, vacuum suction or the like. The holding unit 32 may support the center of the back surface Wb of the workpiece W. The holding unit 32 has, for example, a mounting unit 33 including a surface (hereinafter referred to as the "mounting surface 33a") on which the center of the back surface Wb of the workpiece W is placed, and a shaft 36 that supports the mounting unit 33. The area of the mounting surface 33a is smaller than the area of the back surface Wb of the workpiece W. In one example, the mounting surface 33a is formed in a circular shape, and the radius of the mounting surface 33a is about 1/3 to 1/2 of the radius of the workpiece W. As described above, the holding part 32 (mounting surface 33a) is in contact with the back surface Wb of the workpiece W, so the temperature of the holding part 32 affects the temperature of the workpiece W when liquid processing is performed. In other words, the holding part 32 is a member that affects the temperature of the workpiece W when liquid processing is performed (hereinafter referred to as the "temperature-influencing member").

回転駆動部３４は、保持部３２に接続されている。例えば、回転駆動部３４は、シャフト３６を介して載置部３３に接続されている。回転駆動部３４は、例えば電動モータ等の動力源によって、鉛直な軸線Ａｘまわりにシャフト３６（保持部３２）を回転させる。これにより、軸線ＡｘまわりにワークＷが回転する。保持部３２は、ワークＷの中心が軸線Ａｘ（回転中心）に略一致するようにワークＷを保持してもよい。 The rotation drive unit 34 is connected to the holding unit 32. For example, the rotation drive unit 34 is connected to the mounting unit 33 via a shaft 36. The rotation drive unit 34 rotates the shaft 36 (holding unit 32) around the vertical axis Ax by a power source such as an electric motor. This causes the workpiece W to rotate around the axis Ax. The holding unit 32 may hold the workpiece W so that the center of the workpiece W approximately coincides with the axis Ax (center of rotation).

処理液供給部４０は、保持部３２に保持されているワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給する。処理液は、レジスト膜を形成するための溶液（レジスト液）である。処理液供給部４０は、例えば、ノズル４２と、タンク４４と、バルブ４６と、ノズル駆動部４８とを有する。 The processing liquid supply unit 40 supplies processing liquid to the surface Wa of the workpiece W held in the holding unit 32. The processing liquid is a solution (resist liquid) for forming a resist film. The processing liquid supply unit 40 has, for example, a nozzle 42, a tank 44, a valve 46, and a nozzle drive unit 48.

ノズル４２は、処理位置の上方から、保持部３２に保持されているワークＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。ノズル４２は、管路４９を介してタンク４４に接続されている。タンク４４は処理液を収容しており、ノズル４２に向けて処理液を供給する。バルブ４６は管路４９に設けられている。バルブ４６は、例えばエアオペレーションバルブであり、管路４９内の開度を調節する。バルブ４６を制御することにより、ノズル４２から処理液を吐出する状態と、ノズル４２から処理液を吐出しない状態との切り替えが可能である。ノズル駆動部４８は、ノズル４２の位置を調節する。ノズル駆動部４８は、例えば、モータ等の動力源によって、ワークＷの表面Ｗａに沿ってノズル４２を移動させる。 The nozzle 42 ejects the processing liquid from above the processing position toward the surface Wa of the workpiece W held in the holding unit 32. The nozzle 42 is connected to the tank 44 via a pipeline 49. The tank 44 contains the processing liquid and supplies the processing liquid toward the nozzle 42. The valve 46 is provided in the pipeline 49. The valve 46 is, for example, an air operation valve, and adjusts the opening degree in the pipeline 49. By controlling the valve 46, it is possible to switch between a state in which the processing liquid is ejected from the nozzle 42 and a state in which the processing liquid is not ejected from the nozzle 42. The nozzle drive unit 48 adjusts the position of the nozzle 42. The nozzle drive unit 48 moves the nozzle 42 along the surface Wa of the workpiece W by a power source such as a motor.

（制御装置）
図２に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成として、記憶部１０２と制御部１０４とを有する。記憶部１０２は、液処理ユニットＵ１を含む塗布・現像装置２の各部を動作させるためのプログラムを記憶している。記憶部１０２は、各種のデータ（例えば、液処理ユニットＵ１を動作させるための指示信号に係る情報）、及び各部に設けられたセンサ等からの情報も記憶している。記憶部１０２は、例えば半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクである。当該プログラムは、記憶部１０２とは別体の外部記憶装置、又は伝播信号などの無形の媒体にも含まれ得る。これらの他の媒体から記憶部１０２に当該プログラムをインストールして、記憶部１０２に当該プログラムを記憶させてもよい。 (Control device)
As shown in FIG. 2, the control device 100 has a memory unit 102 and a control unit 104 as functional components. The memory unit 102 stores a program for operating each part of the coating/developing device 2 including the liquid processing unit U1. The memory unit 102 also stores various data (e.g., information related to an instruction signal for operating the liquid processing unit U1) and information from sensors and the like provided in each part. The memory unit 102 is, for example, a semiconductor memory, an optical recording disk, a magnetic recording disk, or a magneto-optical recording disk. The program may also be included in an external storage device separate from the memory unit 102, or in an intangible medium such as a propagated signal. The program may be installed in the memory unit 102 from these other media, and the program may be stored in the memory unit 102.

制御部１０４は、記憶部１０２から読み出したプログラムに基づいて、塗布・現像装置２の各部の動作を制御する。制御部１０４は、ワークＷに対する液処理を液処理ユニットＵ１に実行させる。この液処理は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することと、処理液の供給後にワークＷの表面Ｗａ上に処理液の被膜が形成されるようにワークＷを保持部３２に保持させることとを含む。例えば、表面Ｗａに対して処理液を供給する際には、制御部１０４は、ワークＷを支持している状態の保持部３２を回転駆動部３４により回転させながら、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液供給部４０により処理液を供給する。制御部１０４は、処理液の被膜を形成する際に、処理液の供給を停止した状態で、回転駆動部３４により保持部３２（ワークＷ）を回転させる。 The control unit 104 controls the operation of each part of the coating/developing apparatus 2 based on the program read from the memory unit 102. The control unit 104 causes the liquid processing unit U1 to perform liquid processing on the workpiece W. This liquid processing includes supplying the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W held at the processing position by the holding unit 32, and holding the workpiece W in the holding unit 32 so that a coating of the processing liquid is formed on the surface Wa of the workpiece W after the supply of the processing liquid. For example, when supplying the processing liquid to the surface Wa, the control unit 104 supplies the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W by the processing liquid supply unit 40 while rotating the holding unit 32 supporting the workpiece W by the rotation drive unit 34. When forming a coating of the processing liquid, the control unit 104 rotates the holding unit 32 (workpiece W) by the rotation drive unit 34 while stopping the supply of the processing liquid.

制御部１０４は、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼす温度影響部材の温度を調節する温調処理を上記液処理の前に液処理ユニットＵ１に実行させる。制御部１０４は、温調処理を実行させる際に、例えば、保持部３２がワークＷを支持していない状態で保持部３２を回転させることで、当該保持部３２の温度を上昇させる。この場合、温調処理が実行されない場合の保持部３２の温度に比べて、温調処理の実行後の保持部３２の温度が高くなる。一例では、制御部１０４は、複数のワークＷそれぞれに対して上記液処理を実行させる場合に、一の液処理と当該一の液処理の次の液処理との間において、温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させる。 The control unit 104 causes the liquid processing unit U1 to perform a temperature control process prior to the liquid processing, which adjusts the temperature of a temperature-affecting member that affects the temperature of the workpiece W when the liquid processing is performed. When performing the temperature control process, the control unit 104 increases the temperature of the holding unit 32, for example, by rotating the holding unit 32 in a state in which the holding unit 32 is not supporting the workpiece W. In this case, the temperature of the holding unit 32 after the temperature control process is performed is higher than the temperature of the holding unit 32 when the temperature control process is not performed. In one example, when performing the above liquid processing on each of multiple workpieces W, the control unit 104 causes the liquid processing unit U1 to perform a temperature control process between one liquid processing and the liquid processing next to the one liquid processing.

制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図４に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２２と、メモリ１２４と、ストレージ１２６と、入出力ポート１２８と、タイマ１３２とを有する。ストレージ１２６は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述する基板処理方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１２４は、ストレージ１２６の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２２による演算結果を一時的に記憶する。 The control device 100 is composed of one or more control computers. For example, the control device 100 has a circuit 120 shown in FIG. 4. The circuit 120 has one or more processors 122, a memory 124, a storage 126, an input/output port 128, and a timer 132. The storage 126 has a computer-readable storage medium, such as a hard disk. The storage medium stores a program for causing the control device 100 to execute a substrate processing method, which will be described later. The storage medium may be a removable medium, such as a non-volatile semiconductor memory, a magnetic disk, or an optical disk. The memory 124 temporarily stores the program loaded from the storage medium of the storage 126 and the results of calculations performed by the processor 122.

プロセッサ１２２は、メモリ１２４と協働して上記プログラムを実行する。入出力ポート１２８は、プロセッサ１２２からの指令に従って、回転保持部３０、及び処理液供給部４０等との間で電気信号の入出力を行う。タイマ１３２は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。 The processor 122 executes the above program in cooperation with the memory 124. The input/output port 128 inputs and outputs electrical signals between the rotating holder 30 and the processing liquid supply unit 40, etc., in accordance with instructions from the processor 122. The timer 132 measures the elapsed time, for example, by counting a reference pulse at a constant period. The hardware configuration of the control device 100 may be configured with a dedicated logic circuit or an ASIC (Application Specific Integrated Circuit) that integrates the dedicated logic circuit.

（基板処理方法）
続いて、基板処理方法の一例として、図５～図７を参照しながら、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１において行われる液処理及び温調処理を含む一連の処理について説明する。図５は、一の液処理ユニットＵ１において複数のワークＷに対して順に行われる一連の処理を示すフローチャートである。 (Substrate Processing Method)
5 to 7, a series of processes including liquid processing and temperature control processing performed in the liquid processing unit U1 of the processing module 12 will be described. Fig. 5 is a flow chart showing a series of processes performed in sequence on a plurality of workpieces W in one liquid processing unit U1.

制御装置１００の制御部１０４は、まず、処理対象のワークＷを液処理ユニットＵ１に搬入するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ１を制御する（ステップＳ０１）。例えば、制御部１０４は、処理対象のワークＷを回転保持部３０の保持部３２に載置するように、搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ１を制御すると共に、保持部３２により上記処理位置にワークＷを保持させる。これにより、液処理ユニットＵ１内の処理位置へのワークＷの搬入が完了する。処理対象のワークＷの温度は、液処理ユニットＵ１への搬入前（搬入直前）に、塗布・現像装置２が備える温度調節部によって所定の設定温度に調節されていてもよい。 The control unit 104 of the control device 100 first controls the transport device A3 and the liquid processing unit U1 to transport the workpiece W to be processed into the liquid processing unit U1 (step S01). For example, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid processing unit U1 to place the workpiece W to be processed on the holding unit 32 of the rotating holding unit 30, and causes the holding unit 32 to hold the workpiece W at the above-mentioned processing position. This completes the transport of the workpiece W to the processing position in the liquid processing unit U1. The temperature of the workpiece W to be processed may be adjusted to a predetermined set temperature by a temperature adjustment unit provided in the coating/developing device 2 before (just before) being transported into the liquid processing unit U1.

次に、制御部１０４は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷに対して液処理を施すように液処理ユニットＵ１を制御する（ステップＳ０２）。最初のワークＷについての液処理の開始時点において、液処理ユニットＵ１内の温度（処理位置の周囲の温度）が、上記設定温度に近づくように調節されていてもよい。液処理の具体例については後述する。なお、液処理の実行中において、液処理ユニットＵ１内の温度が上記設定温度に対して（過度に）乖離しないように温度の調節が継続されてもよい。 Next, the control unit 104 controls the liquid processing unit U1 to perform liquid processing on the workpiece W held at the processing position by the holding unit 32 (step S02). At the start of liquid processing on the first workpiece W, the temperature inside the liquid processing unit U1 (the temperature around the processing position) may be adjusted to approach the set temperature. Specific examples of liquid processing will be described later. Note that, during liquid processing, temperature adjustment may be continued so that the temperature inside the liquid processing unit U1 does not deviate (excessively) from the set temperature.

次に、制御部１０４は、液処理後のワークＷを液処理ユニットＵ１から搬出するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ１を制御する（ステップＳ０３）。例えば、制御部１０４は、保持部３２によるワークＷの吸着を解除したうえで、液処理後のワークＷを保持部３２から搬送装置Ａ３に受け渡すように液処理ユニットＵ１及び搬送装置Ａ３を制御する。これにより、液処理ユニットＵ１内の処理位置からのワークＷの搬出が完了する。 Next, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid processing unit U1 to transport the workpiece W after the liquid processing from the liquid processing unit U1 (step S03). For example, the control unit 104 controls the liquid processing unit U1 and the transport device A3 to release the suction of the workpiece W by the holding unit 32, and then transfer the workpiece W after the liquid processing from the holding unit 32 to the transport device A3. This completes the transport of the workpiece W from the processing position in the liquid processing unit U1.

次に、制御部１０４は、予め定められた設定枚数のワークＷの処理が完了したかどうかを判断する（ステップＳ０４）。ステップ０４において、設定枚数のワークＷの処理が完了していないと判断された場合（ステップＳ０４：ＮＯ）、制御部１０４は、上述の温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させる（ステップＳ０５）。例えば、制御部１０４は、保持部３２の温度を上昇させるように、ワークＷを保持していない状態の保持部３２を回転駆動部３４により回転させる。一例では、制御部１０４は、保持部３２の温度が目標温度に近づくように回転駆動部３４により保持部３２を回転させる。温調処理の具体例については後述する。ステップＳ０５の終了後、制御部１０４は、ステップＳ０１～Ｓ０４の処理を再度実行する。 Next, the control unit 104 judges whether the processing of the predetermined set number of workpieces W has been completed (step S04). If it is judged in step S04 that the processing of the set number of workpieces W has not been completed (step S04: NO), the control unit 104 causes the liquid processing unit U1 to execute the above-mentioned temperature adjustment process (step S05). For example, the control unit 104 rotates the holding unit 32, which is not holding a workpiece W, by the rotation drive unit 34 so as to increase the temperature of the holding unit 32. In one example, the control unit 104 rotates the holding unit 32 by the rotation drive unit 34 so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature. A specific example of the temperature adjustment process will be described later. After the end of step S05, the control unit 104 executes the processes of steps S01 to S04 again.

一方、ステップＳ０４において、設定枚数のワークＷの処理が完了したと判断された場合（ステップＳ０４：ＹＥＳ）、制御部１０４は一連の処理を終了する。以上の一連の処理では、設定枚数のワークＷの処理が行われるまで、ステップＳ０１～Ｓ０５の処理が繰り返される。この場合、ステップＳ０５の温調処理は、一のワークＷについての液処理の実行後、且つ当該一のワークＷの次に処理される後続のワークＷについての液処理の実行前に行われる。この例では、１枚目のワークＷについての液処理の実行前に、ステップＳ０５の温調処理は行われないが、１枚目のワークＷについての液処理の実行前に、制御部１０４は、ステップ０５の温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させてもよい。なお、制御部１０４は、最後のワークＷについての液処理を実行させてから、ステップＳ０５の温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させた後に、上述の一連の処理を終了してもよい。 On the other hand, if it is determined in step S04 that the processing of the set number of workpieces W has been completed (step S04: YES), the control unit 104 ends the series of processes. In the series of processes described above, the processes of steps S01 to S05 are repeated until the processing of the set number of workpieces W has been completed. In this case, the temperature adjustment process of step S05 is performed after the liquid processing is performed on one workpiece W and before the liquid processing is performed on the subsequent workpiece W to be processed after the one workpiece W. In this example, the temperature adjustment process of step S05 is not performed before the liquid processing is performed on the first workpiece W, but the control unit 104 may cause the liquid processing unit U1 to perform the temperature adjustment process of step S05 before the liquid processing is performed on the first workpiece W. Note that the control unit 104 may end the series of processes described above after performing the liquid processing on the last workpiece W and then having the liquid processing unit U1 perform the temperature adjustment process of step S05.

図６は、ステップＳ０２の液処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ０２の液処理において、まず、制御部１０４は、処理位置に搬入されたワークＷを保持している保持部３２の回転を開始するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ１１）。例えば、制御部１０４は、予め定められた第１回転速度で軸線ＡｘまわりにワークＷが回転するように回転保持部３０を制御する。 Figure 6 is a flow chart showing an example of the liquid treatment in step S02. In the liquid treatment in step S02, first, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to start rotating the holding unit 32 holding the workpiece W brought into the treatment position (step S11). For example, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to rotate the workpiece W around the axis Ax at a predetermined first rotation speed.

次に、制御部１０４は、ワークＷの表面Ｗａに対する処理液の供給を開始するように処理液供給部４０を制御する（ステップＳ１２）。例えば、制御部１０４は、処理液供給部４０のノズル４２をワークＷの中心と対向する位置に配置するようにノズル駆動部４８を制御したうえで、バルブ４６を閉状態から開状態に切り替える。これにより、回転保持部３０により回転しているワークＷの中心（回転中心）に向けて、ノズル４２から処理液が吐出され始める。 Next, the control unit 104 controls the processing liquid supply unit 40 to start supplying the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W (step S12). For example, the control unit 104 controls the nozzle drive unit 48 to position the nozzle 42 of the processing liquid supply unit 40 at a position opposite the center of the workpiece W, and then switches the valve 46 from a closed state to an open state. This causes the processing liquid to start being ejected from the nozzle 42 toward the center (center of rotation) of the workpiece W being rotated by the rotating holder 30.

次に、制御部１０４は、処理液の供給開始から予め定められた供給時間が経過するまで待機する（ステップＳ１３）。この供給期間及び上記第１回転速度は、記憶部１０２に記憶されており、ワークＷの表面Ｗａ上に処理液が塗り広げられる程度に設定されている。次に、制御部１０４は、ワークＷの表面Ｗａに対する処理液の供給を停止するように処理液供給部４０を制御する（ステップＳ１４）。例えば、制御部１０４は、バルブ４６を開状態から閉状態に切り替えることで、ノズル４２からの処理液の吐出を停止させる。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined supply time has elapsed since the start of supply of the treatment liquid (step S13). This supply period and the first rotation speed are stored in the memory unit 102, and are set to a degree that allows the treatment liquid to be spread over the surface Wa of the workpiece W. Next, the control unit 104 controls the treatment liquid supply unit 40 to stop supplying the treatment liquid to the surface Wa of the workpiece W (step S14). For example, the control unit 104 stops the discharge of the treatment liquid from the nozzle 42 by switching the valve 46 from an open state to a closed state.

次に、制御部１０４は、ワークＷの回転速度を調節するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ１５）。例えば、制御部１０４は、ワークＷの回転を上記第１回転速度から第２回転速度まで減速させるように回転保持部３０を制御する。第２回転速度は、第１回転速度よりも低い値に予め定められている。 Next, the control unit 104 controls the rotation holding unit 30 to adjust the rotation speed of the workpiece W (step S15). For example, the control unit 104 controls the rotation holding unit 30 to decelerate the rotation of the workpiece W from the first rotation speed to a second rotation speed. The second rotation speed is predetermined to a value lower than the first rotation speed.

次に、制御部１０４は、ステップＳ１５においてワークＷの回転が第２回転速度に調節されてから、予め定められた乾燥時間が経過するまで待機する（ステップＳ１６）。この乾燥時間及び上記第２回転速度は、記憶部１０２に記憶されており、ワークＷの表面Ｗａ上に処理液の被膜（塗布膜）が形成される程度に設定されている。次に、制御部１０４は、ワークＷの回転を停止するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ１７）。以上により、１枚のワークＷについての液処理が終了する。この液処理では、制御部１０４が、第２回転速度でのワークＷの回転を回転保持部３０により乾燥時間だけ継続させることで、ワークＷの表面Ｗａ上に処理液の被膜が形成されるようにワークＷが保持される。ワークＷの表面Ｗａ上に供給された処理液に含まれる液体（溶剤）が蒸発することで、処理液の被膜が形成される。この処理液内の溶剤の蒸発に伴う気化熱により、処理位置の周囲の温度（保持部３２等の温度影響部材の温度）が上述の設定温度よりも低下し得る。このため、ステップＳ０５の温調処理が行われる。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined drying time has elapsed after the rotation of the workpiece W is adjusted to the second rotation speed in step S15 (step S16). This drying time and the second rotation speed are stored in the memory unit 102 and are set to a degree that a coating (coating film) of the processing liquid is formed on the surface Wa of the workpiece W. Next, the control unit 104 controls the rotation holding unit 30 to stop the rotation of the workpiece W (step S17). With the above, the liquid processing for one workpiece W is completed. In this liquid processing, the control unit 104 continues the rotation of the workpiece W at the second rotation speed by the rotation holding unit 30 for the drying time, so that the workpiece W is held so that a coating of the processing liquid is formed on the surface Wa of the workpiece W. The liquid (solvent) contained in the processing liquid supplied to the surface Wa of the workpiece W evaporates, forming a coating of the processing liquid. The heat of vaporization accompanying the evaporation of the solvent in the processing liquid may cause the temperature around the processing position (the temperature of the temperature-affecting members such as the holding unit 32) to drop below the above-mentioned set temperature. For this reason, the temperature adjustment process is carried out in step S05.

図７は、ステップＳ０５の温調処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ０５の温調処理において、まず、制御部１０４は、ワークＷを保持していない状態の保持部３２の回転を開始するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ２１）。例えば、制御部１０４は、第３回転速度で保持部３２を回転させるように回転保持部３０を制御する。 Figure 7 is a flow chart showing an example of the temperature adjustment process of step S05. In the temperature adjustment process of step S05, first, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to start rotating the holding unit 32 when the holding unit 32 is not holding the workpiece W (step S21). For example, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to rotate the holding unit 32 at a third rotation speed.

次に、制御部１０４は、第３回転速度でのワークＷの回転開始から空転時間が経過するまで待機する（ステップＳ２２）。次に、制御部１０４は、保持部３２の回転を停止するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ２３）。これにより、１回の温調処理が終了する。上記空転時間及び第３回転速度は、予め定められていてもよく、記憶部１０２に記憶されていてもよい。この場合、空転時間及び第３回転速度は、保持部３２の温度が目標温度に近づくように（目標範囲に近づくように）設定されていてもよい。第３回転速度は、処理液の被膜形成における第２回転速度よりも大きくてもよく、処理液の供給（吐出）時における第１回転速度よりも大きくてもよい。 Next, the control unit 104 waits until the idling time has elapsed from the start of rotation of the workpiece W at the third rotation speed (step S22). Next, the control unit 104 controls the rotating and holding unit 30 to stop the rotation of the holding unit 32 (step S23). This ends one temperature adjustment process. The idling time and the third rotation speed may be predetermined or may be stored in the memory unit 102. In this case, the idling time and the third rotation speed may be set so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature (approaches the target range). The third rotation speed may be higher than the second rotation speed in forming the coating of the treatment liquid, and may be higher than the first rotation speed in supplying (discharging) the treatment liquid.

制御部１０４は、温調処理における処理条件を、当該温調処理の次に行われる液処理の開始タイミングに応じて設定してもよい。この処理条件には、上記空転時間及び第３回転速度が含まれており、処理条件は、温調処理の実行時における液処理ユニットＵ１の動作を規定する。つまり、制御部１０４は、処理条件に従って、温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させる。記憶部１０２は、空転時間及び第３回転速度と保持部３２の上昇温度とを対応付けた情報、及び保持部３２の目標温度を記憶していてもよい。制御部１０４は、温調処理の開始タイミングと、当該温調処理の次に行われる液処理の開始タイミング（次に液処理が行われるワークＷの搬入タイミング）との間の時間（以下、「処理待ち時間」という。）に応じて、保持部３２の温度が目標温度に近づくように処理条件を設定してもよい。この場合、制御部１０４は、処理待ち時間に応じて、空転時間を決定したうえで第３回転速度を決定してもよい。第３回転速度は、処理液の被膜形成における第２回転速度よりも大きい値に決定されてもよく、処理液の供給（吐出）時における第１回転速度よりも大きい値に決定されてもよい。制御部１０４は、処理対象のワークＷについての液処理前の状況等に応じて、次の液処理の開始タイミング（次のワークＷの搬入タイミング）に関する情報を温調処理の開始前に取得してもよい。 The control unit 104 may set the processing conditions in the temperature control process according to the start timing of the liquid processing performed next to the temperature control process. The processing conditions include the above-mentioned idling time and the third rotation speed, and the processing conditions specify the operation of the liquid processing unit U1 when the temperature control process is performed. In other words, the control unit 104 causes the liquid processing unit U1 to perform the temperature control process according to the processing conditions. The memory unit 102 may store information that associates the idling time and the third rotation speed with the rising temperature of the holding unit 32, and the target temperature of the holding unit 32. The control unit 104 may set the processing conditions so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature according to the time (hereinafter referred to as the "processing waiting time") between the start timing of the temperature control process and the start timing of the liquid processing performed next to the temperature control process (the timing of carrying in the work W to be subjected to the next liquid processing). In this case, the control unit 104 may determine the idling time according to the processing waiting time and then determine the third rotation speed. The third rotation speed may be determined to be a value greater than the second rotation speed in forming a coating of the treatment liquid, or may be determined to be a value greater than the first rotation speed in supplying (discharging) the treatment liquid. The control unit 104 may obtain information regarding the start timing of the next liquid treatment (the timing of carrying in the next workpiece W) before the start of the temperature adjustment process, depending on the situation before the liquid treatment of the workpiece W to be treated.

上述した液処理及び温調処理を含む一連の処理の手順は一例であり、適宜変更可能である。例えば、上述したステップ（処理）の一部が省略されてもよいし、別の順序で各ステップが実行されてもよい。また、上述したステップのうちの任意の２以上のステップが組み合わされてもよいし、ステップの一部が修正または削除されてもよい。あるいは、上記の各ステップに加えて他のステップが実行されてもよい。上述の例では、１枚のワークＷについての液処理ごとに、ステップＳ０５の温調処理が行われるが、複数枚のワークＷについての複数回の液処理ごとに、１回の温調処理が行われてもよい。 The procedure for the series of processes including the liquid processing and temperature control processing described above is one example and can be modified as appropriate. For example, some of the steps (processing) described above may be omitted, or each step may be performed in a different order. Any two or more of the steps described above may be combined, or some of the steps may be modified or deleted. Alternatively, other steps may be performed in addition to the steps described above. In the above example, the temperature control processing of step S05 is performed for each liquid processing of one workpiece W, but one temperature control processing may be performed for each multiple liquid processing of multiple workpieces W.

（第１実施形態の効果）
以上の第１実施形態に係る基板処理方法は、所定の処理位置にワークＷを保持すると共にワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給する液処理ユニットＵ１を用いて、処理位置に保持されているワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することと、処理液の供給後にワークＷの表面Ｗａ上に処理液の被膜が形成されるようにワークＷを保持することとを含む液処理を行うことと、液処理ユニットＵ１のうちの、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼす温度影響部材の温度を調節する温調処理を液処理の前に行うことと、を含む。 (Effects of the First Embodiment)
The substrate processing method according to the first embodiment described above includes performing liquid processing using a liquid processing unit U1 that holds the workpiece W at a predetermined processing position and supplies processing liquid to the surface Wa of the workpiece W, the liquid processing including supplying processing liquid to the surface Wa of the workpiece W held at the processing position and holding the workpiece W such that a coating of processing liquid is formed on the surface Wa of the workpiece W after the supply of the processing liquid, and performing a temperature control process prior to the liquid processing, which adjusts the temperature of a temperature-affecting member of the liquid processing unit U1 that affects the temperature of the workpiece W when the liquid processing is performed.

処理液を用いた液処理では、処理液の供給後における被膜の形成に伴って、処理液に含まれる液体の一部が蒸発し、気化熱によって処理位置の周囲の温度が低下し得る。そのため、液処理が繰り返し行われると、処理位置の周囲での温度条件に液処理ごとにばらつきが生じ、被膜の膜厚に変動が生じるおそれがある。これに対して、上記基板処理方法では、ワークＷの温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理によって、処理位置の周囲における温度のばらつきが低減する状態で液処理を行うことができる。したがって、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 In liquid processing using a processing liquid, as a coating is formed after the processing liquid is supplied, some of the liquid contained in the processing liquid evaporates, and the heat of vaporization can cause a drop in the temperature around the processing position. Therefore, if the liquid processing is performed repeatedly, the temperature conditions around the processing position may vary from liquid processing to liquid processing, which may cause variations in the thickness of the coating. In contrast, in the above-mentioned substrate processing method, the liquid processing can be performed under conditions where the temperature variation around the processing position is reduced by a temperature control process that adjusts the temperature of the members that affect the temperature of the workpiece W. Therefore, it is possible to suppress film thickness variations between workpieces W.

上記基板処理方法では、温調処理における処理条件は、液処理の開始タイミングに応じて設定される。液処理の開始タイミングに応じて、処理位置の周囲における温度が変動し得る。そのため、液処理の開始タイミングに応じて、温調処理の処理条件を設定することで、液処理の開始時の処理位置の周囲温度を適切に調節することが可能となる。 In the above substrate processing method, the processing conditions for the temperature control process are set according to the start timing of the liquid processing. The temperature around the processing position may vary depending on the start timing of the liquid processing. Therefore, by setting the processing conditions for the temperature control process according to the start timing of the liquid processing, it is possible to appropriately adjust the ambient temperature around the processing position at the start of the liquid processing.

温度影響部材の一例として、処理位置にワークＷを保持するようにワークＷの裏面Ｗｂを支持する保持部３２が挙げられる。上記基板処理方法では、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することは、ワークＷを支持している状態の保持部３２を回転させながら、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することを含む。温調処理は、保持部３２がワークＷを支持していない状態で保持部３２を回転させることにより、保持部３２の温度を上昇させることを含む。この場合、ワークＷの温度に影響を与える保持部３２の温度が液処理を行う前に上昇し、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下することを抑制することができる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減されるので、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 An example of a temperature-affecting member is a holding part 32 that supports the back surface Wb of the workpiece W so as to hold the workpiece W at the processing position. In the above substrate processing method, supplying the processing liquid to the front surface Wa of the workpiece W includes supplying the processing liquid to the front surface Wa of the workpiece W while rotating the holding part 32 in a state in which the holding part 32 supports the workpiece W. The temperature control process includes increasing the temperature of the holding part 32 by rotating the holding part 32 in a state in which the holding part 32 does not support the workpiece W. In this case, the temperature of the holding part 32, which affects the temperature of the workpiece W, increases before performing the liquid processing, and it is possible to suppress a decrease in the ambient temperature of the processing position accompanying the execution of the liquid processing. Therefore, the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced, making it possible to suppress film thickness variations between the workpieces W.

ここで、図８及び図９を参照して、第１実施形態に係る基板処理方法の効果について更に説明する。図８は、ステップＳ０５の温調処理を実行しなかった場合の比較例に係る被膜の厚さ（膜厚）の測定結果を示している。比較例に係る膜厚の測定では、５枚のワークＷについて連続して上記液処理を行い、ワークＷの表面Ｗａ上の処理液の被膜における中央部の膜厚を測定している。膜厚の測定対象となる被膜の中央部は、ワークＷが保持部３２（載置面３３ａ）と接触する部分に対応しており、当該被膜の中央部のうちの複数箇所の膜厚を測定し、平均値を中央部の膜厚として算出している。図８では、縦軸が被膜の中央部での膜厚の測定値を示し、横軸の「Wafer No」が、順に液処理が施された５枚のワークの何枚目のワークＷであるかを示している。図８において、丸印は膜厚の測定値（平均値）を示しており、破線は膜厚の測定値に基づき算出された近似直線を示している。 Here, the effect of the substrate processing method according to the first embodiment will be further described with reference to Figs. 8 and 9. Fig. 8 shows the measurement result of the thickness (film thickness) of the coating according to the comparative example when the temperature adjustment process of step S05 was not performed. In the measurement of the film thickness according to the comparative example, the above-mentioned liquid processing is performed continuously on five workpieces W, and the film thickness of the central part of the coating of the processing liquid on the surface Wa of the workpieces W is measured. The central part of the coating to be measured for the film thickness corresponds to the part where the workpiece W contacts the holding part 32 (mounting surface 33a), and the film thickness is measured at multiple points in the central part of the coating, and the average value is calculated as the film thickness of the central part. In Fig. 8, the vertical axis indicates the measured film thickness at the central part of the coating, and the "Wafer No." on the horizontal axis indicates which workpiece W is the workpiece W among the five workpieces that have been subjected to the liquid processing in order. In Fig. 8, the circles indicate the measured film thickness (average value), and the dashed line indicates an approximation line calculated based on the measured film thickness.

図８の測定結果から、液処理の回数が増すほど中央部の膜厚が小さくなっていることがわかる。この膜厚の変動（低下）は、液処理において処理液内の溶剤が蒸発する際の気化熱によって処理位置の周囲の温度が低下することに起因すると考えられる。一の液処理において、処理液の供給後にワークＷを回転させて被膜を形成する際に、この被膜の形成期間の前段では、処理液内の溶剤の蒸発が進行するので、処理位置の周囲の温度が上述の設定温度よりも低下する。そして、被膜の形成期間の後段では、溶剤の蒸発がほぼ行われなくなり、処理位置の周囲の温度が徐々に設定温度に向けて上昇していく。液処理の完了後（処理液の供給後）において、処理位置の周囲の温度が設定温度に上昇する前に、ワークＷの搬出が行われ、次の液処理が行われる場合がある。この場合、次の液処理での処理位置の周囲の温度が、前の液処理での処理位置の周囲の温度よりも低下しており、形成される被膜の厚さが変動し得る。これに対して、第１実施形態に係る基板処理方法では、液処理の前に保持部３２の温度を上昇させることで、処理位置の周囲における温度の低下が抑えられ、その結果、ワークＷ間での膜厚の変動が抑制される。 From the measurement results in FIG. 8, it can be seen that the film thickness in the center becomes smaller as the number of liquid treatments increases. This variation (decrease) in film thickness is thought to be due to the decrease in the temperature around the treatment position due to the heat of vaporization when the solvent in the treatment liquid evaporates during the liquid treatment. In one liquid treatment, when the workpiece W is rotated to form a coating after the supply of the treatment liquid, the solvent in the treatment liquid evaporates in the first stage of the coating formation period, so that the temperature around the treatment position drops below the above-mentioned set temperature. Then, in the second stage of the coating formation period, the solvent hardly evaporates, and the temperature around the treatment position gradually rises toward the set temperature. After the liquid treatment is completed (after the treatment liquid is supplied), the workpiece W may be removed and the next liquid treatment may be performed before the temperature around the treatment position rises to the set temperature. In this case, the temperature around the treatment position in the next liquid treatment is lower than the temperature around the treatment position in the previous liquid treatment, and the thickness of the coating formed may vary. In contrast, in the substrate processing method according to the first embodiment, the temperature of the holding part 32 is increased before liquid processing, which prevents the temperature from decreasing around the processing position, thereby suppressing the variation in film thickness between the workpieces W.

ワークＷ間での膜厚変動の程度は、図８に示される測定結果のうちの近似直線の傾きで表すことができる。図９は、ステップＳ０５の温調処理を５枚のワークＷのうちの２枚目～５枚目のワークＷそれぞれの液処理前に実行した場合の膜厚変動の測定結果が示されている。図９において、縦軸は、５枚のワークＷについての被膜の中央部における膜厚の測定結果に基づく近似直線の傾き（一のワークＷごとの膜厚の変化）を示しており、横軸は、ワークＷを保持していない状態での保持部３２の回転時間を示している。図９の膜厚変動の測定では、回転速度及び回転時間をそれぞれ三段階に変化させている。図９において、「ω１」「ω２」及び「ω３」は、回転速度（ｒｐｍ）を示しており、ω３、ω２及びω１の順で値が大きい。回転時間は、Ｒｔ１（秒）、２×Ｒｔ１（秒）及び３×Ｒｔ１（秒）の三段階に変化させている。回転時間がゼロでの測定値Ｆｔ０は、上述の比較例での膜厚変動の測定結果（近似直線の傾き）を示している。なお、図９の測定結果には、回転時間を２×Ｒｔ１（秒）とし、回転速度をω２とした場合の測定結果は含まれていない。 The degree of film thickness variation between the workpieces W can be expressed by the slope of the approximation line in the measurement results shown in FIG. 8. FIG. 9 shows the measurement results of film thickness variation when the temperature control process of step S05 is performed before the liquid processing of each of the second to fifth workpieces W out of the five workpieces W. In FIG. 9, the vertical axis shows the slope of the approximation line (change in film thickness for each workpiece W) based on the measurement results of the film thickness at the center of the coating for the five workpieces W, and the horizontal axis shows the rotation time of the holding part 32 when the workpiece W is not being held. In the measurement of film thickness variation in FIG. 9, the rotation speed and rotation time are each changed in three stages. In FIG. 9, "ω1", "ω2", and "ω3" indicate the rotation speed (rpm), with ω3, ω2, and ω1 being larger in value. The rotation time is changed in three stages: Rt1 (seconds), 2×Rt1 (seconds), and 3×Rt1 (seconds). The measured value Ft0 when the rotation time is zero indicates the measurement result of the film thickness variation (slope of the approximate line) in the above-mentioned comparative example. Note that the measurement results in Figure 9 do not include the measurement results when the rotation time is 2 x Rt1 (seconds) and the rotation speed is ω2.

図９に示される破線、一点鎖線、及び二点鎖線は、回転速度ごとの膜厚変動の複数の測定値に基づき算出された近似直線を示している。図９の測定結果から、比較例に係る膜厚変動を示す測定値Ｆｔ０に比べて、ステップＳ０５の温調処理を実行した場合に膜厚変動が低下していることがわかる。また、図９の測定結果での回転時間の変化範囲では、回転速度に関わらず、回転時間の増加に応じて膜厚変動の値がより低下していることがわかる。さらに、回転速度ごとの近似直線を比較すること、図９の測定結果での回転速度の変化範囲では、回転速度が大きいほど、近似直線の傾き（絶対値）が大きくなっており、回転時間に応じて膜厚変動の値がより低下していることがわかる。以上のように、連続して行われる複数回の液処理の間において保持部３２の回転により当該保持部３２の温度（処理位置の周囲の温度）を上昇させることで、ワークＷ間での中央部における膜厚の変動が抑制されていることがわかる。 9 show approximate straight lines calculated based on multiple measured values of the film thickness variation for each rotation speed. From the measurement results in FIG. 9, it can be seen that the film thickness variation is reduced when the temperature control process in step S05 is performed, compared to the measured value Ft0 indicating the film thickness variation in the comparative example. In addition, in the range of change in rotation time in the measurement results in FIG. 9, it can be seen that the value of the film thickness variation is reduced more as the rotation time increases, regardless of the rotation speed. Furthermore, by comparing the approximate straight lines for each rotation speed, it can be seen that in the range of change in rotation speed in the measurement results in FIG. 9, the slope (absolute value) of the approximate straight line is larger as the rotation speed increases, and the value of the film thickness variation is reduced more as the rotation time increases. As described above, it can be seen that the film thickness variation in the center between the workpieces W is suppressed by increasing the temperature of the holding part 32 (the temperature around the processing position) by rotating the holding part 32 during multiple consecutive liquid treatments.

［第２実施形態］
上述の第１実施形態に係る温調処理では、保持部３２の温度が上昇するように温度の調節が行われるが、ワークＷの液処理ごとの膜厚のばらつきを低減することを目的として、保持部３２の温度を低下させるように温調処理が行われてもよい。第２実施形態に係る基板処理システムの塗布・現像装置２（処理モジュール１２）は、液処理ユニットＵ１に代えて、液処理ユニットＵ１０を備える。図１０には、第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１０が示されている。図１０に示されるように、液処理ユニットＵ１０は、例えば、回転保持部３０Ａと、処理液供給部４０と、溶剤供給部５０と、ガス供給部６０とを有する。 [Second embodiment]
In the temperature control process according to the first embodiment described above, the temperature is controlled so that the temperature of the holding part 32 increases, but the temperature control process may be performed so that the temperature of the holding part 32 decreases in order to reduce the variation in the film thickness for each liquid treatment of the workpiece W. The coating/developing apparatus 2 (processing module 12) of the substrate processing system according to the second embodiment includes a liquid processing unit U10 instead of the liquid processing unit U1. FIG. 10 shows the liquid processing unit U10 according to the second embodiment. As shown in FIG. 10, the liquid processing unit U10 has, for example, a rotating holding part 30A, a processing liquid supply part 40, a solvent supply part 50, and a gas supply part 60.

回転保持部３０Ａは、傘部３８を更に有する点において回転保持部３０と相違する。傘部３８は、保持部３２の載置部３３の底面及びシャフト３６の側面を伝わって回転駆動部３４に液体が流れることを防ぐ。傘部３８は、シャフト３６の周囲を囲むようにリング状に形成され、軸線Ａｘから外に向かうにつれて鉛直下方に向かう傾斜面を含む。傾斜面の外縁は、回転駆動部３４よりも外側に位置している。これにより、載置部３３の底面、シャフト３６の側面、及び傘部３８の傾斜面を伝わって液体が流れ、回転駆動部３４のモータ等に液体が流れ込むことが防止される。 The rotating holder 30A differs from the rotating holder 30 in that it further includes an umbrella portion 38. The umbrella portion 38 prevents liquid from flowing along the bottom surface of the mounting portion 33 of the holder 32 and the side surface of the shaft 36 to the rotating drive portion 34. The umbrella portion 38 is formed in a ring shape surrounding the periphery of the shaft 36 and includes an inclined surface that slopes vertically downward as it moves outward from the axis Ax. The outer edge of the inclined surface is located outside the rotating drive portion 34. This prevents liquid from flowing along the bottom surface of the mounting portion 33, the side surface of the shaft 36, and the inclined surface of the umbrella portion 38 and into the motor of the rotating drive portion 34.

第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１０は、溶剤供給部５０及びガス供給部６０により、保持部３２に対して流体を供給することで保持部３２を冷却する。保持部３２に供給される流体（以下、「第１流体」という。）は、溶剤（液体）又は気体のいずれであってもよく、保持部３２を冷却可能であれば、いかなる種類の溶剤又は気体であってもよい。 The liquid processing unit U10 according to the second embodiment cools the holding part 32 by supplying a fluid to the holding part 32 using the solvent supply part 50 and the gas supply part 60. The fluid (hereinafter referred to as the "first fluid") supplied to the holding part 32 may be either a solvent (liquid) or a gas, and may be any type of solvent or gas as long as it is capable of cooling the holding part 32.

溶剤供給部５０は、保持部３２を冷却可能な溶剤（以下、「冷却溶剤」という。）を保持部３２に対して供給する。冷却溶剤は、例えば、シンナーを含む。溶剤供給部５０は、保持部３２の中央部に対して冷却溶剤を供給してもよい。保持部３２の中央部は、軸線Ａｘを基準として中央に位置する部分である。例えば、保持部３２の中央部は、シャフト３６と、載置部３３のうちのシャフト３６の半径の２倍程度の半径を有する中央の部分とに相当する。溶剤供給部５０は、例えば、ノズル５２と、タンク５４と、バルブ５６とを含む。 The solvent supply unit 50 supplies a solvent capable of cooling the holding unit 32 (hereinafter referred to as "cooling solvent") to the holding unit 32. The cooling solvent includes, for example, thinner. The solvent supply unit 50 may supply the cooling solvent to the center of the holding unit 32. The center of the holding unit 32 is a portion located in the center with respect to the axis Ax. For example, the center of the holding unit 32 corresponds to the shaft 36 and a central portion of the mounting unit 33 having a radius approximately twice the radius of the shaft 36. The solvent supply unit 50 includes, for example, a nozzle 52, a tank 54, and a valve 56.

ノズル５２は、保持部３２の下方に配置されており、保持部３２（例えば、載置部３３の底面）に向けて冷却溶剤を吐出する。ノズル５２は、冷却溶剤が保持部３２に保持されているワークＷの裏面Ｗｂに当たらずに、保持部３２に供給されるように配置されていてもよい。ノズル５２は、保持部３２の中央部に向けて冷却溶剤が吐出されるように配置されていてもよい。例えば、ノズル５２からの冷却溶剤の吐出方向と、軸線Ａｘとは保持部３２の内部において交差している。ノズル５２は、管路５８を介してタンク５４に接続されている。タンク５４は冷却溶剤を収容しており、ノズル５２に向けて冷却溶剤を供給する。バルブ５６は、管路５８に設けられている。バルブ５６は、例えば、エアオペレーションバルブであり、管路５８内の開度を調節する。バルブ５６を制御することにより、ノズル５２から冷却溶剤を吐出する状態と、ノズル５２から冷却溶剤を吐出しない状態との切り替えが可能である。 The nozzle 52 is disposed below the holding portion 32 and discharges the cooling solvent toward the holding portion 32 (e.g., the bottom surface of the placement portion 33). The nozzle 52 may be disposed so that the cooling solvent is supplied to the holding portion 32 without hitting the back surface Wb of the workpiece W held in the holding portion 32. The nozzle 52 may be disposed so that the cooling solvent is discharged toward the center of the holding portion 32. For example, the discharge direction of the cooling solvent from the nozzle 52 intersects with the axis Ax inside the holding portion 32. The nozzle 52 is connected to the tank 54 via a pipe 58. The tank 54 contains the cooling solvent and supplies the cooling solvent toward the nozzle 52. The valve 56 is provided in the pipe 58. The valve 56 is, for example, an air operation valve, and adjusts the opening degree in the pipe 58. By controlling the valve 56, it is possible to switch between a state in which the cooling solvent is discharged from the nozzle 52 and a state in which the cooling solvent is not discharged from the nozzle 52.

ガス供給部６０は、保持部３２を冷却可能なガス（以下、「冷却ガス」という。）を保持部３２に対して供給する。冷却ガスは、例えば、窒素ガスを含む。ガス供給部６０は、保持部３２の上記中央部に対して冷却ガスを供給してもよい。ガス供給部６０は、例えば、ノズル６２と、ガス源６４と、バルブ６６とを含む。 The gas supply unit 60 supplies a gas capable of cooling the holding unit 32 (hereinafter referred to as "cooling gas") to the holding unit 32. The cooling gas includes, for example, nitrogen gas. The gas supply unit 60 may supply the cooling gas to the above-mentioned center portion of the holding unit 32. The gas supply unit 60 includes, for example, a nozzle 62, a gas source 64, and a valve 66.

ノズル６２は、保持部３２の下方に配置されており、保持部３２（例えば、保持部３２の底面）に向けて冷却ガスを吐出する。ノズル６２は、保持部３２の中央部に向けて冷却ガスが吐出されるように配置されていてもよい。例えば、ノズル６２からの冷却ガスの吐出方向と、軸線Ａｘとは保持部３２の内部において交差している。ノズル６２は、管路６８を介してガス源６４に接続されている。ガス源６４は、ノズル６２に向けて冷却ガスを供給する。バルブ６６は、管路６８に設けられている。バルブ６６は、例えば、エアオペレーションバルブであり、管路６８内の開度を調節する。管路６８を制御することにより、ノズル６２から冷却ガスを吐出する状態と、ノズル６２から冷却ガスを吐出しない状態との切り替えが可能である。 The nozzle 62 is disposed below the holding portion 32 and discharges cooling gas toward the holding portion 32 (e.g., the bottom surface of the holding portion 32). The nozzle 62 may be disposed so that the cooling gas is discharged toward the center of the holding portion 32. For example, the discharge direction of the cooling gas from the nozzle 62 intersects with the axis Ax inside the holding portion 32. The nozzle 62 is connected to the gas source 64 via a pipe 68. The gas source 64 supplies cooling gas toward the nozzle 62. The valve 66 is provided in the pipe 68. The valve 66 is, for example, an air operation valve, and adjusts the opening degree in the pipe 68. By controlling the pipe 68, it is possible to switch between a state in which the cooling gas is discharged from the nozzle 62 and a state in which the cooling gas is not discharged from the nozzle 62.

液処理ユニットＵ１０も、第１実施形態に係る液処理ユニットＵ１と同様に、制御装置１００によって制御される。制御装置１００の制御部１０４は、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼす保持部３２の温度を調節する温調処理を液処理ユニットＵ１０に実行させる。制御部１０４は、温調処理を実行させる際に、例えば、溶剤供給部５０及びガス供給部６０により第１流体（冷却溶剤及び冷却ガス）を保持部３２に供給することで、当該保持部３２の温度を低下させる（保持部３２を冷却する）。この場合、温調処理が実行されない場合の保持部３２の温度に比べて、温調処理を実行した後の保持部３２の温度が低くなる。一例では、制御部１０４は、複数のワークＷそれぞれに対して上記液処理を実行させる場合に、複数のワークＷに対する複数回の液処理の前に、１回の温調処理を液処理ユニットＵ１０に実行させる。 The liquid treatment unit U10 is also controlled by the control device 100, similar to the liquid treatment unit U1 according to the first embodiment. The control unit 104 of the control device 100 causes the liquid treatment unit U10 to perform a temperature adjustment process to adjust the temperature of the holding unit 32, which affects the temperature of the workpiece W when the liquid treatment is performed. When performing the temperature adjustment process, the control unit 104 lowers the temperature of the holding unit 32 (cools the holding unit 32) by, for example, supplying a first fluid (cooling solvent and cooling gas) to the holding unit 32 by the solvent supply unit 50 and the gas supply unit 60. In this case, the temperature of the holding unit 32 after performing the temperature adjustment process is lower than the temperature of the holding unit 32 when the temperature adjustment process is not performed. In one example, when performing the above liquid treatment on each of the multiple workpieces W, the control unit 104 causes the liquid treatment unit U10 to perform one temperature adjustment process before performing multiple liquid treatments on the multiple workpieces W.

続いて、図１１及び図１２を参照して、第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１０において行われる液処理及び温調処理を含む一連の処理の一例について説明する。図１１は、一の液処理ユニットＵ１０において複数のワークＷに対して順に行われる一連の処理を示すフローチャートである。この一連の処理が行われる前に、液処理ユニットＵ１０内の温度（処理位置の周囲の温度）は、所定の設定温度に調節されていてもよい。 Next, with reference to Figures 11 and 12, an example of a series of processes including liquid processing and temperature adjustment processes performed in the liquid processing unit U10 according to the second embodiment will be described. Figure 11 is a flow chart showing a series of processes performed sequentially on multiple workpieces W in one liquid processing unit U10. Before this series of processes is performed, the temperature inside the liquid processing unit U10 (the temperature around the processing position) may be adjusted to a predetermined set temperature.

制御装置１００の制御部１０４は、まず、保持部３２を冷却する温調処理を液処理ユニットＵ１０に実行させる（ステップＳ３１）。例えば、制御部１０４は、保持部３２に対して第１流体を供給することで保持部３２を冷却するように液処理ユニットＵ１０を制御する。一例では、制御部１０４は、保持部３２の温度が目標温度に近づくように、溶剤供給部５０及びガス供給部６０により冷却溶剤及び冷却ガスを保持部３２に対して供給する。保持部３２についての目標温度は、上記設定温度よりも低い値に予め設定されている。ステップＳ３１の温調処理の具体例については後述する。 The control unit 104 of the control device 100 first causes the liquid processing unit U10 to execute a temperature adjustment process for cooling the holding unit 32 (step S31). For example, the control unit 104 controls the liquid processing unit U10 to cool the holding unit 32 by supplying a first fluid to the holding unit 32. In one example, the control unit 104 supplies a cooling solvent and a cooling gas to the holding unit 32 by the solvent supply unit 50 and the gas supply unit 60 so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature. The target temperature for the holding unit 32 is preset to a value lower than the above-mentioned set temperature. A specific example of the temperature adjustment process of step S31 will be described later.

次に、制御部１０４は、１枚目の処理対象のワークＷを液処理ユニットＵ１０に搬入するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ１０を制御する（ステップＳ３２）。例えば、ステップＳ３２は、図５に示されるステップＳ０１と同様に行われる。処理対象のワークＷの温度は、液処理ユニットＵ１０への搬入前に、塗布・現像装置２が備える温度調節部により所定の設定温度に調節されていてもよい。 Next, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid processing unit U10 to transport the first workpiece W to be processed into the liquid processing unit U10 (step S32). For example, step S32 is performed in the same manner as step S01 shown in FIG. 5. The temperature of the workpiece W to be processed may be adjusted to a predetermined set temperature by a temperature adjustment unit provided in the coating/developing device 2 before being transported into the liquid processing unit U10.

次に、制御部１０４は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷに対して液処理を施すように液処理ユニットＵ１０を制御する（ステップＳ３３）。例えば、ステップＳ３２は、図５及び図６に示されるステップＳ０２と同様に行われる。 Next, the control unit 104 controls the liquid treatment unit U10 to perform liquid treatment on the workpiece W held at the treatment position by the holding unit 32 (step S33). For example, step S32 is performed in the same manner as step S02 shown in Figures 5 and 6.

次に、制御部１０４は、液処理後のワークＷを液処理ユニットＵ１０から搬出するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ１０を制御する（ステップＳ３４）。例えば、ステップＳ３４は、図５に示されるステップＳ０３と同様に行われる。次に、制御部１０４は、予め定められた設定枚数のワークＷの処理が完了したかどうかを判断する（ステップＳ３５）。ステップＳ３５において、設定枚数のワークＷの処理が完了していないと判断された場合（ステップＳ３５：ＮＯ）、制御部１０４は、ステップＳ３２～Ｓ３５の処理を繰り返す。 Next, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid processing unit U10 to transport the workpieces W after the liquid processing from the liquid processing unit U10 (step S34). For example, step S34 is performed in the same manner as step S03 shown in FIG. 5. Next, the control unit 104 determines whether the processing of a predetermined set number of workpieces W has been completed (step S35). If it is determined in step S35 that the processing of the set number of workpieces W has not been completed (step S35: NO), the control unit 104 repeats the processing of steps S32 to S35.

一方、ステップＳ３５において、設定枚数のワークＷの処理が完了したと判断された場合（ステップＳ３５：ＹＥＳ）、制御部１０４は、設定枚数のワークＷについての液処理及び温調処理を含む一連の処理を終了する。以上のように、第１実施形態と異なり、複数のワークＷについての液処理が実行される前に、ステップＳ３１の温調処理（保持部３２の冷却）が行われる。 On the other hand, in step S35, if it is determined that the processing of the set number of workpieces W has been completed (step S35: YES), the control unit 104 ends the series of processes including the liquid processing and temperature control processing for the set number of workpieces W. As described above, unlike the first embodiment, the temperature control processing (cooling of the holding unit 32) in step S31 is performed before the liquid processing is performed on the multiple workpieces W.

図１２は、ステップＳ３１の温調処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ３１の温調処理において、まず、制御部１０４は、ワークＷを保持していない状態の保持部３２の回転を開始するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ４１）。例えば、制御部１０４は、所定の第４回転速度で保持部３２を回転させるように回転保持部３０を制御する。第４回転速度は、ステップＳ３３の液処理に含まれる処理液の供給（吐出）時における第１回転速度と同程度か、又は第１回転速度よりも小さくてもよい。第４回転速度は、ステップＳ３３の液処理に含まれる処理液の被膜形成における第２回転速度と同程度か、又は第２回転速度よりも小さくてもよい。 Figure 12 is a flow chart showing an example of the temperature adjustment process of step S31. In the temperature adjustment process of step S31, first, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to start rotating the holding unit 32 when the workpiece W is not being held (step S41). For example, the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to rotate the holding unit 32 at a predetermined fourth rotation speed. The fourth rotation speed may be approximately the same as the first rotation speed during the supply (discharge) of the processing liquid included in the liquid processing of step S33, or may be lower than the first rotation speed. The fourth rotation speed may be approximately the same as the second rotation speed during the film formation of the processing liquid included in the liquid processing of step S33, or may be lower than the second rotation speed.

次に、制御部１０４は、保持部３２に対する第１流体の供給を開始するように液処理ユニットＵ１０を制御する（ステップＳ４２）。例えば、制御部１０４は、第１流体に含まれる冷却溶剤の保持部３２に向けた吐出を溶剤供給部５０に開始させ、第１流体に含まれる冷却ガスの保持部３２に向けた吐出をガス供給部６０に開始させる。一例では、制御部１０４は、溶剤供給部５０のバルブ５６を閉状態から開状態に切り替え、ガス供給部６０のバルブ６６を閉状態から開状態に切り替えることで、溶剤供給部５０及びガス供給部６０に冷却溶剤及び冷却ガスの吐出をそれぞれ開始させる。 Next, the control unit 104 controls the liquid processing unit U10 to start supplying the first fluid to the holding unit 32 (step S42). For example, the control unit 104 causes the solvent supply unit 50 to start discharging the cooling solvent contained in the first fluid toward the holding unit 32, and causes the gas supply unit 60 to start discharging the cooling gas contained in the first fluid toward the holding unit 32. In one example, the control unit 104 switches the valve 56 of the solvent supply unit 50 from a closed state to an open state, and switches the valve 66 of the gas supply unit 60 from a closed state to an open state, thereby causing the solvent supply unit 50 and the gas supply unit 60 to start discharging the cooling solvent and the cooling gas, respectively.

次に、制御部１０４は、第１流体の供給開始から予め定められた供給時間が経過するまで待機する（ステップＳ４３）。供給時間は、第１流体の供給により保持部３２の冷却が進行する程度に設定されており、例えば、数秒又は数十秒に設定されている。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined supply time has elapsed since the start of the supply of the first fluid (step S43). The supply time is set to a time during which the cooling of the holding unit 32 progresses due to the supply of the first fluid, and is set to, for example, several seconds or several tens of seconds.

次に、制御部１０４は、保持部３２に対する第１流体の供給を停止するように液処理ユニットＵ１０を制御する（ステップＳ４４）。例えば、制御部１０４は、バルブ５６を開状態から閉状態に切り替え、バルブ６６を開状態から閉状態に切り替えることで、溶剤供給部５０及びガス供給部６０に冷却溶剤及び冷却ガスの吐出をそれぞれ停止させる。以上の保持部３２への第１流体の供給において、溶剤供給部５０のノズル５２からの冷却溶剤が、保持部３２の中央部に向けて吐出されてもよく、ガス供給部６０のノズル６２からの冷却ガスが、保持部３２の中央部に向けて吐出されてもよい。 Next, the control unit 104 controls the liquid processing unit U10 to stop the supply of the first fluid to the holding unit 32 (step S44). For example, the control unit 104 switches the valve 56 from an open state to a closed state and switches the valve 66 from an open state to a closed state, thereby causing the solvent supply unit 50 and the gas supply unit 60 to stop discharging the cooling solvent and the cooling gas, respectively. In the above supply of the first fluid to the holding unit 32, the cooling solvent from the nozzle 52 of the solvent supply unit 50 may be discharged toward the center of the holding unit 32, and the cooling gas from the nozzle 62 of the gas supply unit 60 may be discharged toward the center of the holding unit 32.

次に、制御部１０４は、第１流体の供給停止から予め定められた冷却時間が経過するまで待機する（ステップＳ４５）。冷却時間は、保持部３２に供給された冷却溶剤が十分に蒸発（乾燥）する程度に設定されており、例えば、数秒又は数十秒に設定されている。この冷却時間は、ステップＳ４３での供給時間以下であってもよく、当該供給時間よりも長くてもよい。第１流体の供給停止から冷却時間が経過するまでの冷却期間において、冷却溶剤の蒸発に伴う気化熱によって保持部３２の冷却が更に進行する。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined cooling time has elapsed since the supply of the first fluid was stopped (step S45). The cooling time is set so that the cooling solvent supplied to the holding unit 32 is sufficiently evaporated (dried), and is set to, for example, several seconds or several tens of seconds. This cooling time may be equal to or shorter than the supply time in step S43, or may be longer than that supply time. During the cooling period from the stop of the supply of the first fluid to the elapse of the cooling time, the cooling of the holding unit 32 is further progressed by the heat of vaporization associated with the evaporation of the cooling solvent.

次に、制御部１０４は、予め定められた設定回数の第１流体の供給が完了したかどうかを判断する（ステップＳ４６）。ステップＳ４６において、設定回数の供給が完了していないと判断された場合（ステップＳ４６：ＮＯ）、制御部１０４は、ステップＳ４２～Ｓ４６を繰り返す。この設定回数は、第１流体の供給と供給後の冷却期間とを含む冷却処理を繰り返す回数を示しており、保持部３２の温度が目標温度まで冷却される程度に設定される。複数回の冷却処理が行われてもよく、１回の冷却処理が行われてもよい（ステップＳ４６が省略されてもよい）。 Next, the control unit 104 determines whether the first fluid has been supplied a predetermined number of times (step S46). If it is determined in step S46 that the supply has not been completed the set number of times (step S46: NO), the control unit 104 repeats steps S42 to S46. This set number indicates the number of times to repeat the cooling process, which includes the supply of the first fluid and the cooling period after the supply, and is set to a degree that cools the temperature of the holding unit 32 to the target temperature. The cooling process may be performed multiple times, or may be performed once (step S46 may be omitted).

一方、ステップＳ４６において、設定回数の供給が完了したと判断された場合（ステップＳ４６：ＹＥＳ）、制御部１０４は、保持部３２の回転を停止するように回転保持部３０を制御する（ステップＳ４７）。以上により、保持部３２の冷却を行うステップＳ３１の温調処理が終了する。以上のように、ステップＳ３１の温調処理の処理条件は、予め定められていてもよい。温調処理の処理条件には、第１流体を供給する供給時間、第１流体の供給後に待機する冷却時間、上述の設定回数、及び温調処理の開始タイミングが含まれる。 On the other hand, if it is determined in step S46 that the set number of supply cycles has been completed (step S46: YES), the control unit 104 controls the rotating holding unit 30 to stop the rotation of the holding unit 32 (step S47). This completes the temperature control process of step S31, which cools the holding unit 32. As described above, the processing conditions for the temperature control process of step S31 may be determined in advance. The processing conditions for the temperature control process include the supply time for supplying the first fluid, the cooling time to wait after supplying the first fluid, the set number of times described above, and the start timing of the temperature control process.

上述の例とは異なり、制御部１０４は、ステップＳ３１の温調処理における処理条件の少なくとも一部を、当該温調処理の次に行われるステップＳ３２の最初の液処理の開始タイミングに応じて設定してもよい。例えば、制御部１０４は、ステップＳ３２の最初の液処理の開始タイミングに応じて、温調処理の開始タイミングを決定してもよく、開始タイミング以外の処理条件の少なくとも一部を決定してもよい。一例では、制御部１０４は、ステップＳ３２の最初の液処理の開始タイミングに応じて、保持部３２の温度が目標温度に近づくように（目標範囲に含まれるように）、ステップＳ３２の温調処理の開始タイミングを決定してもよい。制御部１０４は、最初のワークＷについての液処理前の状況等に応じて、当該ワークＷの液処理の開始タイミング（当該ワークＷの搬入タイミング）に関する情報を温調処理の開始前に取得してもよい。 Unlike the above example, the control unit 104 may set at least a part of the processing conditions in the temperature control process of step S31 according to the start timing of the first liquid process of step S32 that is performed after the temperature control process. For example, the control unit 104 may determine the start timing of the temperature control process or at least a part of the processing conditions other than the start timing according to the start timing of the first liquid process of step S32. In one example, the control unit 104 may determine the start timing of the temperature control process of step S32 according to the start timing of the first liquid process of step S32 so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature (so that it is included in the target range). The control unit 104 may obtain information regarding the start timing of the liquid process of the first workpiece W (the timing of carrying in the workpiece W) before the start of the temperature control process, according to the situation before the liquid process of the first workpiece W, etc.

あるいは、制御部１０４は、温調処理の開始タイミングが既に決定されている場合に、保持部３２の温度が目標温度に近づくように、処理条件のうちの第１流体の供給に関する供給条件（供給時間、冷却時間、及び設定回数等）を決定してもよい。この場合、制御部１０４は、温調処理の開始タイミングと、当該温調処理の次に行われる最初の液処理の開始タイミング（最初のワークＷの搬入タイミング）との間の時間に応じて、保持部３２の温度が目標温度に近づくように処理条件を設定してもよい。保持部３２の目標温度は、処理前のワークＷの設定温度（液処理ユニットＵ１０内の設定温度）よりも低い値に予め定められていてもよい。 Alternatively, when the start timing of the temperature adjustment process has already been determined, the control unit 104 may determine the supply conditions (supply time, cooling time, set number of times, etc.) related to the supply of the first fluid among the processing conditions so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature. In this case, the control unit 104 may set the processing conditions so that the temperature of the holding unit 32 approaches the target temperature according to the time between the start timing of the temperature adjustment process and the start timing of the first liquid processing performed after the temperature adjustment process (the timing of carrying in the first workpiece W). The target temperature of the holding unit 32 may be preset to a value lower than the set temperature of the workpiece W before processing (the set temperature in the liquid processing unit U10).

上述の例は、複数回の液処理の前に、保持部３２を冷却するための１回の温調処理が行われるが、１回の液処理ごとに、保持部３２の冷却のための温調処理が当該液処理の前に行われてもよい。冷却溶剤と冷却ガスとのいずれか一方が、保持部３２に供給されてもよい。この場合、液処理ユニットＵ１０は、溶剤供給部５０とガス供給部６０とのいずれか一方を有していなくてもよい。上述の例では、保持部３２のシャフト３６と、載置部３３の中央の部分とに冷却溶剤等が供給されるが、保持部３２の中央部として、シャフト３６と載置部３３の中央の部分とのいずれか一方に冷却溶剤等が供給されてもよい。 In the above example, a single temperature control process is performed to cool the holding section 32 before multiple liquid treatments, but a temperature control process for cooling the holding section 32 may be performed before each liquid treatment. Either a cooling solvent or a cooling gas may be supplied to the holding section 32. In this case, the liquid treatment unit U10 does not need to have either the solvent supply section 50 or the gas supply section 60. In the above example, a cooling solvent or the like is supplied to the shaft 36 of the holding section 32 and the central part of the mounting section 33, but a cooling solvent or the like may be supplied to either the shaft 36 or the central part of the mounting section 33 as the central part of the holding section 32.

（第２実施形態の効果）
第２実施形態に係る液処理ユニットＵ１０において行われる基板処理方法においても、第１実施形態と同様に、温調処理によって、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減する状態で液処理を行うことができる。したがって、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 (Effects of the Second Embodiment)
In the substrate processing method performed in the liquid processing unit U10 according to the second embodiment, similarly to the first embodiment, the liquid processing can be performed in a state in which the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced by the temperature control processing, and therefore it is possible to suppress the film thickness variation between the workpieces W.

温度影響部材として、処理位置にワークＷを保持するようにワークＷの裏面Ｗｂを支持する保持部３２が挙げられる。第２実施形態に係る基板処理方法では、温調処理は、保持部３２に対して第１流体を供給することで保持部３２を冷却することを含む。この場合、ワークＷの温度に影響を与える保持部３２が液処理を行う前に冷却され、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下する程度が小さくなる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減するので、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 The temperature-affecting member includes a holding part 32 that supports the back surface Wb of the workpiece W so as to hold the workpiece W at the processing position. In the substrate processing method according to the second embodiment, the temperature adjustment process includes cooling the holding part 32 by supplying a first fluid to the holding part 32. In this case, the holding part 32 that affects the temperature of the workpiece W is cooled before the liquid processing is performed, and the degree to which the ambient temperature of the processing position decreases as the liquid processing is performed is reduced. Therefore, the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced, making it possible to suppress film thickness variation between the workpieces W.

第２実施形態に係る基板処理方法では、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することは、ワークＷを支持している状態の保持部３２を当該保持部３２に接続された回転駆動部３４により回転させながら、ワークＷの表面Ｗａに対して処理液を供給することを含む。保持部３２に対して第１流体を供給することは、保持部３２の中央部に対して第１流体を供給することを含む。保持部３２の中央部は、保持部３２を回転させるための回転駆動部３４の近くに位置し、当該中央部の熱容量は他の部分よりも大きくなる傾向がある。そのため、保持部３２の中央部を冷却することで、温調処理による温度調節の程度を大きくすることが可能となる。 In the substrate processing method according to the second embodiment, supplying the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W includes supplying the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W while rotating the holding part 32 supporting the workpiece W by the rotation drive part 34 connected to the holding part 32. Supplying the first fluid to the holding part 32 includes supplying the first fluid to the center of the holding part 32. The center of the holding part 32 is located near the rotation drive part 34 for rotating the holding part 32, and the heat capacity of the center tends to be greater than other parts. Therefore, by cooling the center of the holding part 32, it is possible to increase the degree of temperature adjustment by the temperature adjustment process.

ここで、図１３（ａ）～図１３（ｃ）を参照して、第２実施形態に係る基板処理方法の効果について更に説明する。図１３（ａ）～図１３（ｃ）には、ワークＷの表面Ｗａ上の被膜の中央部における被膜の測定結果が示されている。図１３（ａ）～図１３（ｃ）に示される膜厚の測定は、温調処理の実行方法等を除き、図８に示される膜厚の測定と同様に行われている。図１３（ａ）は、ステップＳ３１の温調処理を実行しなかった場合の比較例に係る膜厚の測定結果を示している。図１３（ｂ）は、図１１に示されるステップＳ３１の温調処理を実行し、且つ図１２に示されるステップＳ４６での設定回数が１回である場合の膜厚の測定結果を示している。図１３（ｃ）は、ステップＳ３１の温調処理を実行し、且つステップＳ４６での設定回数が５回である場合の膜厚の測定結果を示している。 Here, the effect of the substrate processing method according to the second embodiment will be further described with reference to Figs. 13(a) to 13(c). Figs. 13(a) to 13(c) show the measurement results of the coating at the center of the coating on the surface Wa of the workpiece W. The film thickness measurements shown in Figs. 13(a) to 13(c) are performed in the same manner as the film thickness measurement shown in Fig. 8, except for the method of performing the temperature control process. Fig. 13(a) shows the film thickness measurement results of a comparative example in which the temperature control process of step S31 was not performed. Fig. 13(b) shows the film thickness measurement results when the temperature control process of step S31 shown in Fig. 11 was performed and the set number of times in step S46 shown in Fig. 12 was 1. Fig. 13(c) shows the film thickness measurement results when the temperature control process of step S31 was performed and the set number of times in step S46 was 5.

図１３（ｂ）の測定結果での膜厚変動の程度を示す近似直線の傾き（絶対値）が、図１３（ａ）の比較例に係る測定結果での近似直線の傾き（絶対値）に比べて２／３程度に減少している。図１３（ｃ）の測定結果での近似直線の傾き（絶対値）が、図１３（ａ）の比較例に係る測定結果での近似直線の傾き（絶対値）に比べて１／４程度に減少している。以上のように、図１３（ａ）～図１３（ｃ）の測定結果から、ステップＳ３１の温調処理を実行することによって、膜厚変動が抑制されていることがわかる。また、第１流体の供給と冷却のための待機との繰り返し回数を増やすことで、膜厚変動がより抑制されていることがわかる。 The slope (absolute value) of the approximate line showing the degree of film thickness variation in the measurement results in FIG. 13(b) is reduced to about 2/3 of the slope (absolute value) of the approximate line in the measurement results for the comparative example in FIG. 13(a). The slope (absolute value) of the approximate line in the measurement results in FIG. 13(c) is reduced to about 1/4 of the slope (absolute value) of the approximate line in the measurement results for the comparative example in FIG. 13(a). As described above, from the measurement results in FIG. 13(a) to FIG. 13(c), it can be seen that film thickness variation is suppressed by performing the temperature adjustment process of step S31. It can also be seen that film thickness variation is further suppressed by increasing the number of times the supply of the first fluid and waiting for cooling are repeated.

［第３実施形態］
上述の第１実施形態及び第２実施形態に係る温調処理では、ワークＷに接触する保持部３２（温度影響部材）に対する温度の調節が行われるが、ワークＷの液処理ごとの膜厚のばらつきを低減することを目的として、ワークＷに近接して配置されている温度影響部材に対する温調処理が行われてもよい。第３実施形態に係る基板処理システムの塗布・現像装置２（処理モジュール１２）は、液処理ユニットＵ１に代えて、液処理ユニットＵ２０を備える。図１４には、第３実施形態に係る液処理ユニットＵ２０が示されている。図１４に示されるように、液処理ユニットＵ２０は、例えば、回転保持部３０と、処理液供給部４０と、収容部７０とを有する。 [Third embodiment]
In the temperature control process according to the first and second embodiments described above, the temperature of the holding part 32 (temperature-affecting member) in contact with the workpiece W is adjusted, but in order to reduce the variation in film thickness for each liquid treatment of the workpiece W, a temperature control process may be performed on a temperature-affecting member disposed in close proximity to the workpiece W. The coating/developing apparatus 2 (processing module 12) of the substrate processing system according to the third embodiment includes a liquid processing unit U20 instead of the liquid processing unit U1. FIG. 14 shows the liquid processing unit U20 according to the third embodiment. As shown in FIG. 14, the liquid processing unit U20 has, for example, a rotating holding part 30, a processing liquid supply part 40, and a storage part 70.

収容部７０は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷを囲む。収容部７０は、回転保持部３０の周囲に設けられている。収容部７０は、ワークＷの液処理においてワークＷに対して供給された液体の一部（ワークＷの外に振り切られた処理液等）を受け止める集液容器として機能する。収容部７０は、例えば、底壁７２と、外周壁７４と、内周壁７６と、仕切壁７８，８０と、インナーカップ８２と、排液管８４と、排気管８６とを含む。 The storage section 70 surrounds the workpiece W held at the processing position by the holding section 32. The storage section 70 is provided around the rotating holding section 30. The storage section 70 functions as a liquid collection container that receives a portion of the liquid (such as the processing liquid that is spilled out of the workpiece W) supplied to the workpiece W during liquid processing of the workpiece W. The storage section 70 includes, for example, a bottom wall 72, an outer peripheral wall 74, an inner peripheral wall 76, partition walls 78, 80, an inner cup 82, a drain pipe 84, and an exhaust pipe 86.

底壁７２は、回転保持部３０の周囲を取り囲むように円環状に形成されている。外周壁７４は、内周壁７６及びインナーカップ８２を取り囲むように円筒状に形成されている。外周壁７４は、底壁７２の外周縁から鉛直上方に向けて延びている。外周壁７４は、保持部３２に保持されているワークＷの周縁よりも外側に位置する。そのため、外周壁７４は、回転保持部３０によって回転するワークＷから振り切られた処理液の飛散を防止する。 The bottom wall 72 is formed in an annular shape so as to surround the periphery of the rotating holding part 30. The outer peripheral wall 74 is formed in a cylindrical shape so as to surround the inner peripheral wall 76 and the inner cup 82. The outer peripheral wall 74 extends vertically upward from the outer peripheral edge of the bottom wall 72. The outer peripheral wall 74 is located outside the periphery of the workpiece W held in the holding part 32. Therefore, the outer peripheral wall 74 prevents the scattering of the processing liquid shaken off from the workpiece W rotated by the rotating holding part 30.

内周壁７６は、回転保持部３０を取り囲むように円筒状に形成されている。内周壁７６は、底壁７２の内周縁から鉛直上方に向けて延びている。内周壁７６は、保持部３２に保持されているワークＷの周縁よりも内側に位置する。内周壁７６の上端部７６ａは、仕切壁７８によって閉塞されている。仕切壁７８の中央には貫通孔が設けられており、当該貫通孔内にシャフト３６が挿通されている。 The inner peripheral wall 76 is formed in a cylindrical shape so as to surround the rotary holding portion 30. The inner peripheral wall 76 extends vertically upward from the inner peripheral edge of the bottom wall 72. The inner peripheral wall 76 is located inside the peripheral edge of the workpiece W held by the holding portion 32. The upper end 76a of the inner peripheral wall 76 is closed by a partition wall 78. A through hole is provided in the center of the partition wall 78, and the shaft 36 is inserted through the through hole.

仕切壁８０は、円筒状に形成されている。仕切壁８０は、外周壁７４と内周壁７６との間に位置しており、底壁７２から鉛直上方に向けて延びている。このように、仕切壁８０は、内周壁７６を囲んでいる。仕切壁８０の上端は、仕切壁８０の上方に位置するインナーカップ８２とは離間している。 The partition wall 80 is formed in a cylindrical shape. The partition wall 80 is located between the outer peripheral wall 74 and the inner peripheral wall 76, and extends vertically upward from the bottom wall 72. In this manner, the partition wall 80 surrounds the inner peripheral wall 76. The upper end of the partition wall 80 is spaced apart from the inner cup 82 located above the partition wall 80.

インナーカップ８２は、円筒状（リング状）に形成されている。インナーカップ８２は、仕切壁７８よりも外側に張り出すように、内周壁７６の上端部７６ａに取り付けられている。インナーカップ８２の上面は、上方に向けて突出する傘状（山型状）に形成されている。インナーカップ８２の上面は、回転保持部３０の軸線Ａｘの径方向において外方に向かうにつれて下方に傾斜する傾斜面Ｓを含んでいる。傾斜面Ｓは、上下方向において、保持部３２に保持されたワークＷの裏面Ｗｂの外周部と対向している。軸線Ａｘに沿う方向からワークＷの表面Ｗａを見た場合に、ワークＷの外周部が傾斜面Ｓの少なくとも一部に重なっている。軸線Ａｘに沿う方向からワークＷの表面Ｗａを見た場合に、ワークＷの中央領域はインナーカップ８２に重なっておらず、ワークＷの外周部（上記中央領域以外の領域）がインナーカップ８２に重なっている。 The inner cup 82 is formed in a cylindrical (ring-like) shape. The inner cup 82 is attached to the upper end 76a of the inner peripheral wall 76 so as to protrude outward beyond the partition wall 78. The upper surface of the inner cup 82 is formed in an umbrella shape (mountain-like) that protrudes upward. The upper surface of the inner cup 82 includes an inclined surface S that inclines downward as it moves outward in the radial direction of the axis Ax of the rotating holding part 30. The inclined surface S faces the outer periphery of the back surface Wb of the workpiece W held by the holding part 32 in the vertical direction. When the surface Wa of the workpiece W is viewed from the direction along the axis Ax, the outer periphery of the workpiece W overlaps at least a part of the inclined surface S. When the surface Wa of the workpiece W is viewed from the direction along the axis Ax, the central region of the workpiece W does not overlap the inner cup 82, and the outer periphery of the workpiece W (the region other than the central region) overlaps the inner cup 82.

インナーカップ８２は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷに近接した状態で配置されている。図１４に例示されるように、インナーカップ８２は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷの裏面Ｗｂの外周部に近接した状態で配置されてもよい。この場合、インナーカップ８２とワークＷの裏面Ｗｂの中央領域との間の距離は、インナーカップ８２とワークＷの裏面Ｗｂの外周部との間の距離よりも大きい。インナーカップ８２の上面は、ワークＷの温度に影響を及ぼす程度に処理位置のワークＷに近接している。例えば、インナーカップ８２と処理位置のワークＷとの間の間隔（最短距離）は、数ｍｍ程度である。以上のように、インナーカップ８２は、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼす温度影響部材である。 The inner cup 82 is arranged in close proximity to the workpiece W held at the processing position by the holding unit 32. As illustrated in FIG. 14, the inner cup 82 may be arranged in close proximity to the outer periphery of the back surface Wb of the workpiece W held at the processing position by the holding unit 32. In this case, the distance between the inner cup 82 and the central region of the back surface Wb of the workpiece W is greater than the distance between the inner cup 82 and the outer periphery of the back surface Wb of the workpiece W. The upper surface of the inner cup 82 is close enough to the workpiece W at the processing position to affect the temperature of the workpiece W. For example, the distance (shortest distance) between the inner cup 82 and the workpiece W at the processing position is about several mm. As described above, the inner cup 82 is a temperature-affecting member that affects the temperature of the workpiece W when liquid processing is performed.

排液管８４は、底壁７２のうち外周壁７４と仕切壁８０との間に形成された液体排出孔７２ａに接続されている。ワークＷの表面Ｗａ上から外に振り切られて落下した液体は、外周壁７４又は後述の底壁１８６と、インナーカップ８２の傾斜面Ｓとの間の経路ＣＨを流れて、外周壁７４と仕切壁８０との間に導かれ、液体排出孔７２ａ及び排液管８４を通じて収容部７０外に排出される。 The drain pipe 84 is connected to a liquid drain hole 72a formed between the outer peripheral wall 74 and the partition wall 80 of the bottom wall 72. The liquid that is shaken off and falls from the surface Wa of the workpiece W flows through a path CH between the outer peripheral wall 74 or the bottom wall 186 described below and the inclined surface S of the inner cup 82, is guided between the outer peripheral wall 74 and the partition wall 80, and is discharged outside the storage section 70 through the liquid drain hole 72a and the drain pipe 84.

排気管８６は、底壁７２のうち内周壁７６と仕切壁８０との間の部分に形成された気体排出孔７２ｂに接続されている。排気管８６を介して収容部７０内が排気されることで、ワークＷの周縁を流れるダウンブローが発生する。このダウンブローは、経路ＣＨを流れて、仕切壁８０の上端部とインナーカップ８２との間を通って内周壁７６と仕切壁８０との間に導かれ、気体排出孔７２ｂ及び排気管８６を通じて収容部７０外に排出される。 The exhaust pipe 86 is connected to a gas exhaust hole 72b formed in the bottom wall 72 between the inner wall 76 and the partition wall 80. The inside of the storage section 70 is exhausted through the exhaust pipe 86, generating a down blow that flows around the periphery of the workpiece W. This down blow flows through the path CH, passes between the upper end of the partition wall 80 and the inner cup 82, and is guided to the space between the inner wall 76 and the partition wall 80, and is exhausted outside the storage section 70 through the gas exhaust hole 72b and the exhaust pipe 86.

液処理ユニットＵ２０は、収容部７０のインナーカップ８２に対して流体を供給することで、インナーカップ８２を冷却する。インナーカップ８２に供給される流体（以下、「第２流体」という。）は、溶剤又は気体のいずれであってもよく、インナーカップ８２を冷却可能であれば、いかなる種類の溶剤又は気体であってもよい。例えば、液処理ユニットＵ２０は、溶剤供給部９０を更に有する。 The liquid processing unit U20 cools the inner cup 82 by supplying a fluid to the inner cup 82 of the storage section 70. The fluid supplied to the inner cup 82 (hereinafter referred to as the "second fluid") may be either a solvent or a gas, and may be any type of solvent or gas as long as it is capable of cooling the inner cup 82. For example, the liquid processing unit U20 further includes a solvent supply section 90.

溶剤供給部９０は、インナーカップ８２を冷却可能な溶剤（以下、「冷却溶剤」という。）をインナーカップ８２に対して供給する。溶剤供給部９０により供給される冷却溶剤は、例えば、シンナーを含む。溶剤供給部９０は、インナーカップ８２のうちの傾斜面Ｓに対して冷却溶剤を供給してもよい。溶剤供給部９０は、例えば、吐出部材１８０と、タンク９２と、バルブ９４とを含む。 The solvent supply unit 90 supplies a solvent capable of cooling the inner cup 82 (hereinafter referred to as "cooling solvent") to the inner cup 82. The cooling solvent supplied by the solvent supply unit 90 includes, for example, thinner. The solvent supply unit 90 may supply the cooling solvent to the inclined surface S of the inner cup 82. The solvent supply unit 90 includes, for example, a discharge member 180, a tank 92, and a valve 94.

吐出部材１８０は、インナーカップ８２に向けて冷却溶剤を吐出する。吐出部材１８０の詳細については後述する。吐出部材１８０は、管路９６を介してタンク９２に接続されている。タンク９２は、冷却溶剤を収容しており、吐出部材１８０に冷却溶剤を供給する。バルブ９４は、管路９６に設けられている。バルブ９４は、例えば、エアオペレーションバルブであり、管路９６内の開度を調節する。バルブ９４を制御することにより、吐出部材１８０から冷却溶剤を吐出する状態と、吐出部材１８０から冷却溶剤を吐出しない状態との切り替えが可能である。 The discharge member 180 discharges the cooling solvent toward the inner cup 82. Details of the discharge member 180 will be described later. The discharge member 180 is connected to the tank 92 via a pipeline 96. The tank 92 stores the cooling solvent and supplies the cooling solvent to the discharge member 180. A valve 94 is provided in the pipeline 96. The valve 94 is, for example, an air-operated valve, and adjusts the opening degree in the pipeline 96. By controlling the valve 94, it is possible to switch between a state in which the cooling solvent is discharged from the discharge member 180 and a state in which the cooling solvent is not discharged from the discharge member 180.

吐出部材１８０は、収容部７０（外周壁７４）の上方に位置している。吐出部材１８０は、保持部３２に保持されているワークＷの周縁を取り囲むように形成されている。吐出部材１８０は、例えば、円筒状に形成されていてもよく、略Ｃ字状（円弧状）に形成されていてもよい。このように、吐出部材１８０は、保持部３２に保持されているワークＷの周縁全体を取り囲んでいてもよく、保持部３２に保持されているワークＷの周縁を部分的に取り囲んでいてもよい。吐出部材１８０は、例えば、外周壁１８２と、内周壁１８４と、底壁１８６と、天壁１８８とを含む。 The discharge member 180 is located above the storage section 70 (outer peripheral wall 74). The discharge member 180 is formed so as to surround the periphery of the workpiece W held in the holding section 32. The discharge member 180 may be formed, for example, in a cylindrical shape or in a substantially C-shape (arc shape). In this way, the discharge member 180 may surround the entire periphery of the workpiece W held in the holding section 32, or may partially surround the periphery of the workpiece W held in the holding section 32. The discharge member 180 includes, for example, an outer peripheral wall 182, an inner peripheral wall 184, a bottom wall 186, and a top wall 188.

外周壁１８２は、内周壁１８４、底壁１８６、及び天壁１８８を取り囲むように形成されている。外周壁１８２は、鉛直方向に沿って延びる円筒状に形成されていてもよい。外周壁１８２の下端部は、外周壁７４の上端部に接続されている。外周壁１８２は、外周壁７４（収容部７０の一部）と一体成形されていてもよく、外周壁７４（収容部７０の一部）とは別体であってもよい。内周壁１８４は、保持部３２に保持されているワークＷの周縁を取り囲むように形成されている。内周壁１８４は、鉛直方向に沿って延びる円筒状に形成されていてもよい。 The outer peripheral wall 182 is formed so as to surround the inner peripheral wall 184, the bottom wall 186, and the top wall 188. The outer peripheral wall 182 may be formed in a cylindrical shape extending along the vertical direction. The lower end of the outer peripheral wall 182 is connected to the upper end of the outer peripheral wall 74. The outer peripheral wall 182 may be integrally formed with the outer peripheral wall 74 (part of the storage section 70), or may be separate from the outer peripheral wall 74 (part of the storage section 70). The inner peripheral wall 184 is formed so as to surround the periphery of the workpiece W held in the holding section 32. The inner peripheral wall 184 may be formed in a cylindrical shape extending along the vertical direction.

底壁１８６は、外周壁１８２と内周壁１８４とを接続するように形成されている。底壁１８６は、外周壁１８２から内周壁１８４に向かうにつれて上方に向かうように傾斜していてもよい。底壁１８６は、円環状（リング状）に形成されていてもよい。底壁１８６は、外周壁１８２及び内周壁１８４と一体成形されていてもよく、外周壁１８２及び内周壁１８４とは別体であってもよい。 The bottom wall 186 is formed to connect the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184. The bottom wall 186 may be inclined upward from the outer peripheral wall 182 toward the inner peripheral wall 184. The bottom wall 186 may be formed in an annular (ring-like) shape. The bottom wall 186 may be integrally formed with the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184, or may be separate from the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184.

天壁１８８は、外周壁１８２と内周壁１８４とを接続するように形成されている。天壁１８８は、底壁１８６の上方に位置している。天壁１８８は、円環状（リング状）に形成されていてもよい。天壁１８８は、外周壁１８２及び内周壁１８４と一体成形されていてもよく、外周壁１８２及び内周壁１８４とは別体であってもよい。 The top wall 188 is formed to connect the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184. The top wall 188 is located above the bottom wall 186. The top wall 188 may be formed in an annular (ring-like) shape. The top wall 188 may be integrally formed with the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184, or may be separate from the outer peripheral wall 182 and the inner peripheral wall 184.

以上の外周壁１８２、内周壁１８４、底壁１８６、及び天壁１８８によって区画される空間は、内部に冷却溶剤を貯留可能な貯留室Ｖとして機能する。吐出部材１８０全体が円環状に形成されている場合、貯留室Ｖも円環状を呈する。外周壁１８２には、貯留室Ｖと吐出部材１８０の外の空間とを接続するように外周壁１８２を貫通する導入孔１９２が形成されている。タンク９２から供給された冷却溶剤は、導入孔１９２を通じて貯留室Ｖ内に導入される。導入孔１９２は、水平方向に沿って延びるように形成されていてもよい。 The space defined by the outer peripheral wall 182, inner peripheral wall 184, bottom wall 186, and top wall 188 functions as a storage chamber V capable of storing a cooling solvent therein. When the entire discharge member 180 is formed in a circular ring shape, the storage chamber V also has a circular ring shape. The outer peripheral wall 182 is formed with an introduction hole 192 penetrating the outer peripheral wall 182 so as to connect the storage chamber V to the space outside the discharge member 180. The cooling solvent supplied from the tank 92 is introduced into the storage chamber V through the introduction hole 192. The introduction hole 192 may be formed to extend along the horizontal direction.

底壁１８６には、吐出部材１８０及びワークＷの間の空間（経路ＣＨ）と貯留室Ｖとを連通するように複数の滴下孔１９４が形成されている。複数の滴下孔１９４は、鉛直方向に沿って延びるように底壁１８６を貫通していてもよい。複数の滴下孔１９４は、例えば、インナーカップ８２の傾斜面Ｓの鉛直上方に位置する。複数の滴下孔１９４は、軸線Ａｘを中心とした周方向に沿って並んでいる。複数の滴下孔１９４は、周方向に沿って略等間隔で並んでいてもよい。導入孔１９２を通じて貯留室Ｖに流入した冷却溶剤は、複数の滴下孔１９４を通じて下方に滴下される。これにより、インナーカップ８２の傾斜面Ｓに対して冷却溶剤が吐出される。 The bottom wall 186 is formed with a plurality of drip holes 194 so as to communicate the space (path CH) between the discharge member 180 and the workpiece W with the storage chamber V. The drip holes 194 may extend vertically through the bottom wall 186. The drip holes 194 are located, for example, vertically above the inclined surface S of the inner cup 82. The drip holes 194 are arranged in a circumferential direction centered on the axis Ax. The drip holes 194 may be arranged at approximately equal intervals in the circumferential direction. The cooling solvent that flows into the storage chamber V through the introduction hole 192 is dripped downward through the drip holes 194. As a result, the cooling solvent is discharged onto the inclined surface S of the inner cup 82.

液処理ユニットＵ２０も、第１実施形態に係る液処理ユニットＵ１と同様に、制御装置１００によって制御される。制御装置１００の制御部１０４は、液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を及ぼすインナーカップ８２の温度を調節する温調処理を液処理ユニットＵ２０に実行させる。制御部１０４は、温調処理を実行させる際に、例えば、溶剤供給部９０により第２流体（冷却溶剤）をインナーカップ８２に供給することで、当該インナーカップ８２の温度を低下させる。この場合、温調処理が実行されない場合のインナーカップ８２の温度に比べて、温調処理の実行後のインナーカップ８２の温度が低くなる。一例では、制御部１０４は、複数のワークＷそれぞれに対して上記液処理を実行させる場合に、複数のワークＷに対する複数回の液処理の前に、温調処理を液処理ユニットＵ２０に実行させる。あるいは、制御部１０４は、液処理ユニットＵ２０に定期的に温調処理を実行させてもよい。 The liquid treatment unit U20 is also controlled by the control device 100, similar to the liquid treatment unit U1 according to the first embodiment. The control unit 104 of the control device 100 causes the liquid treatment unit U20 to perform a temperature adjustment process to adjust the temperature of the inner cup 82, which affects the temperature of the workpiece W when the liquid treatment is performed. When performing the temperature adjustment process, the control unit 104 lowers the temperature of the inner cup 82, for example, by supplying a second fluid (cooling solvent) to the inner cup 82 by the solvent supply unit 90. In this case, the temperature of the inner cup 82 after the temperature adjustment process is performed is lower than the temperature of the inner cup 82 when the temperature adjustment process is not performed. In one example, when performing the above liquid treatment on each of the multiple workpieces W, the control unit 104 causes the liquid treatment unit U20 to perform a temperature adjustment process before performing multiple liquid treatments on the multiple workpieces W. Alternatively, the control unit 104 may cause the liquid treatment unit U20 to perform a temperature adjustment process periodically.

続いて、図１５～図１７を参照して、第３実施形態に係る液処理ユニットＵ２０において行われる液処理及び温調処理を含む一連の処理の一例について説明する。図１５は、一の液処理ユニットＵ２０において複数のワークＷに対して順に行われる一連の処理を示すフローチャートである。この一連の処理が行われる前に、液処理ユニットＵ２０内の温度は、所定の設定温度に調節されていてもよい。 Next, an example of a series of processes including liquid processing and temperature adjustment processes performed in the liquid processing unit U20 according to the third embodiment will be described with reference to Figures 15 to 17. Figure 15 is a flow chart showing a series of processes performed sequentially on multiple workpieces W in one liquid processing unit U20. Before this series of processes is performed, the temperature inside the liquid processing unit U20 may be adjusted to a predetermined set temperature.

制御装置１００の制御部１０４は、まず、処理対象の１枚目のワークＷが、液処理ユニットＵ２０に搬入されるタイミングを取得する（ステップＳ５１）。制御部１０４は、例えば、処理対象のワークＷについての液処理前の状況、及びワークＷを液処理ユニットＵ２０まで搬送する搬送装置Ａ３の動作状況に応じて、液処理ユニットＵ２０にワークＷが搬入されるタイミングを決定する。液処理ユニットＵ２０に搬入されるタイミングが決定されると、搬入後に行われる液処理の開始タイミングが定まる。 The control unit 104 of the control device 100 first obtains the timing at which the first workpiece W to be processed is brought into the liquid processing unit U20 (step S51). The control unit 104 determines the timing at which the workpiece W is brought into the liquid processing unit U20, for example, depending on the state of the workpiece W to be processed before liquid processing and the operating state of the transport device A3 that transports the workpiece W to the liquid processing unit U20. Once the timing at which the workpiece W is brought into the liquid processing unit U20 is determined, the start timing of the liquid processing that is performed after the workpiece W is brought into the liquid processing unit U20 is determined.

次に、制御部１０４は、冷却開始タイミングとなるまで待機する（ステップＳ５２）。冷却開始タイミングは、例えば、液処理ユニットＵ２０へのワークＷの搬入時においてインナーカップ８２の温度が目標温度となるように、ワークＷの搬入タイミングに応じて設定される。一例では、冷却開始タイミングは、液処理ユニットＵ２０へのワークＷの搬入タイミングから所定時間前に設定される。この場合、インナーカップ８２に対する第２流体（冷却溶剤）の供給によりインナーカップ８２が目標温度まで冷却されてから所定時間内に、液処理ユニットＵ２０による液処理が開始する。冷却開始タイミングについては後述する。 The control unit 104 then waits until the cooling start timing arrives (step S52). The cooling start timing is set, for example, according to the timing of loading the workpiece W so that the temperature of the inner cup 82 becomes the target temperature when the workpiece W is loaded into the liquid processing unit U20. In one example, the cooling start timing is set a predetermined time before the timing of loading the workpiece W into the liquid processing unit U20. In this case, liquid processing by the liquid processing unit U20 starts within a predetermined time after the inner cup 82 is cooled to the target temperature by supplying the second fluid (cooling solvent) to the inner cup 82. The cooling start timing will be described later.

次に、制御部１０４は、インナーカップ８２を冷却する温調処理を液処理ユニットＵ２０に実行させる（ステップＳ５３）。例えば、制御部１０４は、インナーカップ８２に対して第２流体を供給することでインナーカップ８２を冷却するように液処理ユニットＵ２０を制御する。一例では、制御部１０４は、インナーカップ８２の温度が目標温度に近づくように、溶剤供給部９０によりインナーカップ８２に対して冷却溶剤を供給する。ステップＳ５３の温調処理の具体例については後述する。 Next, the control unit 104 causes the liquid treatment unit U20 to execute a temperature adjustment process to cool the inner cup 82 (step S53). For example, the control unit 104 controls the liquid treatment unit U20 to cool the inner cup 82 by supplying a second fluid to the inner cup 82. In one example, the control unit 104 supplies a cooling solvent to the inner cup 82 by the solvent supply unit 90 so that the temperature of the inner cup 82 approaches the target temperature. A specific example of the temperature adjustment process of step S53 will be described later.

次に、制御部１０４は、搬入タイミングとなるまで待機する（ステップＳ５４）。搬入タイミングの前に、処理対象のワークＷの温度が所定の設定温度に調節されてもよい。次に、制御部１０４は、ワークＷを液処理ユニットＵ２０に搬入するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ２０を制御する（ステップＳ５５）。例えば、ステップＳ５５は、図５に示されるステップＳ０１と同様に行われる。 Next, the control unit 104 waits until the loading timing arrives (step S54). Before the loading timing, the temperature of the workpiece W to be treated may be adjusted to a predetermined set temperature. Next, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid treatment unit U20 to load the workpiece W into the liquid treatment unit U20 (step S55). For example, step S55 is performed in the same manner as step S01 shown in FIG. 5.

次に、制御部１０４は、保持部３２により処理位置に保持されているワークＷに対して液処理を施すように液処理ユニットＵ２０を制御する（ステップＳ５６）。例えば、ステップＳ５６は、図５及び図６に示されるステップＳ０２と同様に行われる。次に、制御部１０４は、液処理後のワークＷを液処理ユニットＵ２０から搬出するように搬送装置Ａ３及び液処理ユニットＵ２０を制御する（ステップＳ５７）。例えば、ステップＳ５７は、図５に示されるステップＳ０３と同様に行われる。 Next, the control unit 104 controls the liquid treatment unit U20 to perform liquid treatment on the workpiece W held at the treatment position by the holding unit 32 (step S56). For example, step S56 is performed in the same manner as step S02 shown in Figures 5 and 6. Next, the control unit 104 controls the transport device A3 and the liquid treatment unit U20 to transport the workpiece W after liquid treatment from the liquid treatment unit U20 (step S57). For example, step S57 is performed in the same manner as step S03 shown in Figure 5.

次に、制御部１０４は、予め定められた設定枚数のワークＷの処理が完了したかどうかを判断する（ステップＳ５８）。ステップＳ５８において、設定枚数のワークＷの処理が完了していないと判断された場合（ステップＳ５８：ＮＯ）、制御部１０４は、ステップＳ５４～Ｓ５８の処理を繰り返す。一方、ステップＳ５８において、設定枚数のワークＷの処理が完了したと判断された場合（ステップＳ５８：ＹＥＳ）、制御部１０４は、設定枚数のワークＷについての液処理及び温調処理を含む一連の処理を終了する。以上のように、第１実施形態と異なり、複数のワークＷについての一連の処理が実行される前に、ステップＳ５３の温調処理（インナーカップ８２の冷却）が行われる。 Next, the control unit 104 determines whether the processing of the predetermined set number of workpieces W has been completed (step S58). If it is determined in step S58 that the processing of the set number of workpieces W has not been completed (step S58: NO), the control unit 104 repeats the processing of steps S54 to S58. On the other hand, if it is determined in step S58 that the processing of the set number of workpieces W has been completed (step S58: YES), the control unit 104 ends the series of processes including the liquid processing and temperature control processing for the set number of workpieces W. As described above, unlike the first embodiment, the temperature control processing of step S53 (cooling of the inner cup 82) is performed before the series of processes for the multiple workpieces W is executed.

図１６は、ステップＳ５３の温調処理の一例を示すフローチャートである。ステップＳ５３の温調処理において、まず、制御部１０４は、インナーカップ８２に対する第２流体の供給を開始するように液処理ユニットＵ２０を制御する（ステップＳ６１）。例えば、制御部１０４は、第２流体に含まれる冷却溶剤のインナーカップ８２に向けた吐出を溶剤供給部９０に開始させる。一例では、制御部１０４は、溶剤供給部９０のバルブ９４を閉状態から開状態に切り替えることで、複数の滴下孔１９４からの冷却溶剤の吐出を溶剤供給部９０に開始させる。 Figure 16 is a flow chart showing an example of the temperature adjustment process of step S53. In the temperature adjustment process of step S53, first, the control unit 104 controls the liquid processing unit U20 to start supplying the second fluid to the inner cup 82 (step S61). For example, the control unit 104 causes the solvent supply unit 90 to start discharging the cooling solvent contained in the second fluid toward the inner cup 82. In one example, the control unit 104 switches the valve 94 of the solvent supply unit 90 from a closed state to an open state, thereby causing the solvent supply unit 90 to start discharging the cooling solvent from the multiple drip holes 194.

次に、制御部１０４は、第２流体の供給開始から予め定められた供給時間が経過するまで待機する（ステップＳ６２）。供給時間は、第２流体の供給によりインナーカップ８２の冷却に必要な量が供給される程度に設定されており、例えば、数秒又は数十秒に設定されている。次に、制御部１０４は、インナーカップ８２に対する第２流体の供給を停止するように溶剤供給部９０を制御する（ステップＳ６３）。例えば、制御部１０４は、バルブ９４を開状態から閉状態に切り替えることで、冷却溶剤の吐出を溶剤供給部９０に停止させる。以上の冷却溶剤の供給は、保持部３２がワークＷを保持していない状態で行われる。そのため、インナーカップ８２への冷却溶剤の供給によってワークＷの温度に対して直接影響することが抑制される。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined supply time has elapsed since the start of the supply of the second fluid (step S62). The supply time is set to a degree that the amount of the second fluid required to cool the inner cup 82 is supplied by the supply of the second fluid, and is set to, for example, several seconds or several tens of seconds. Next, the control unit 104 controls the solvent supply unit 90 to stop the supply of the second fluid to the inner cup 82 (step S63). For example, the control unit 104 switches the valve 94 from an open state to a closed state, thereby causing the solvent supply unit 90 to stop discharging the cooling solvent. The above supply of the cooling solvent is performed in a state in which the holding unit 32 is not holding the workpiece W. Therefore, the supply of the cooling solvent to the inner cup 82 is prevented from directly affecting the temperature of the workpiece W.

次に、制御部１０４は、第２流体の供給停止から予め定められた冷却時間が経過するまで待機する（ステップＳ６４）。これにより、インナーカップ８２に対して第２流体を供給しない状態が冷却時間だけ維持される。冷却時間は、インナーカップ８２に供給された冷却溶剤が十分に蒸発（乾燥）する程度に設定されており、例えば、数秒又は数十秒に設定されている。この冷却時間は、ステップＳ６２での供給時間以下であってもよく、当該供給時間よりも長くてもよい。第２流体の供給停止から冷却時間の経過までの期間において、冷却溶剤の蒸発に伴う気化熱によってインナーカップ８２の冷却が更に進行する。 Next, the control unit 104 waits until a predetermined cooling time has elapsed since the supply of the second fluid was stopped (step S64). This maintains a state in which the second fluid is not supplied to the inner cup 82 for the cooling time. The cooling time is set to a time sufficient for the cooling solvent supplied to the inner cup 82 to evaporate (dry), and is set to several seconds or several tens of seconds, for example. This cooling time may be equal to or shorter than the supply time in step S62, or may be longer than that supply time. During the period from the stop of the supply of the second fluid to the elapse of the cooling time, the cooling of the inner cup 82 is further promoted by the heat of vaporization associated with the evaporation of the cooling solvent.

次に、制御部１０４は、予め定められた設定回数の第２流体の供給が完了したかどうかを判断する（ステップＳ６５）。ステップＳ６５において、設定回数の供給が完了していないと判断された場合（ステップＳ６５：ＮＯ）、制御部１０４は、ステップＳ６１～Ｓ６５を繰り返す。この設定回数は、第２流体の供給と供給後の冷却とを含む冷却処理を繰り返す回数を示している。例えば、設定回数は、インナーカップ８２の温度が目標温度まで冷却される程度に設定されている。ステップＳ５３の温調処理では、複数回の冷却処理が行われてもよく、１回の冷却処理が行われてもよい（ステップＳ６５が省略されてもよい）。以上のように、ステップＳ５３の温調処理の処理条件は、予め定められていてもよい。温調処理の処理条件には、第２流体を供給する供給時間、第２流体の供給後に待機する冷却時間、上述の設定回数、及び温調処理の開始タイミングが含まれる。 Next, the control unit 104 determines whether the supply of the second fluid a predetermined number of times has been completed (step S65). If it is determined in step S65 that the supply of the second fluid a predetermined number of times has not been completed (step S65: NO), the control unit 104 repeats steps S61 to S65. This set number of times indicates the number of times to repeat the cooling process including the supply of the second fluid and the cooling after the supply. For example, the set number of times is set to a degree that the temperature of the inner cup 82 is cooled to the target temperature. In the temperature adjustment process of step S53, the cooling process may be performed multiple times, or one time (step S65 may be omitted). As described above, the processing conditions of the temperature adjustment process of step S53 may be predetermined. The processing conditions of the temperature adjustment process include the supply time for supplying the second fluid, the cooling time for waiting after the supply of the second fluid, the set number of times described above, and the start timing of the temperature adjustment process.

制御部１０４は、ステップＳ５３の温調処理における処理条件の少なくとも一部を、当該温調処理の次に行われる最初のワークＷの搬入タイミング（最初の液処理の開始タイミング）に応じて設定してもよい。例えば、制御部１０４は、図１５に示されるステップＳ５６の最初の液処理の開始タイミングに応じて、インナーカップ８２の温度が目標温度に近づくように（目標範囲に含まれるように）、ステップＳ６２の供給時間、ステップＳ６４の冷却時間、及びステップＳ６５の設定回数を決定してもよい。制御部１０４は、ステップＳ５３の温調処理の開始タイミング、すなわち、上述のステップＳ５２における冷却開始タイミングを、最初のワークＷの搬入タイミング（最初の液処理の開始タイミング）に応じて設定してもよい。 The control unit 104 may set at least a part of the processing conditions in the temperature control process of step S53 according to the timing of loading the first work W (the timing of starting the first liquid process) performed after the temperature control process. For example, the control unit 104 may determine the supply time of step S62, the cooling time of step S64, and the set number of times of step S65 so that the temperature of the inner cup 82 approaches the target temperature (so that it is included in the target range) according to the timing of starting the first liquid process of step S56 shown in FIG. 15. The control unit 104 may set the start timing of the temperature control process of step S53, i.e., the start timing of the cooling in the above-mentioned step S52, according to the timing of loading the first work W (the timing of starting the first liquid process).

ここで、図１７を参照して、冷却開始タイミングの設定方法の一例について説明する。図１７は、溶剤供給部９０からの冷却溶剤の供給に伴うインナーカップ８２の温度の時間変化を示すグラフである。横軸は時間を示しており、縦軸はインナーカップの温度を示している。図１７に示す温度の時間変化のグラフでは、時刻ｔ１において、溶剤供給部９０による冷却溶剤の供給を停止している。時刻ｔ１まで、インナーカップ８２の温度は、液処理ユニットＵ２０内の設定温度Ｔｓに略一致している。時刻ｔ１以降、インナーカップ８２の温度は、冷却溶剤の気化熱に伴って徐々に低下する。そして、時刻ｔ２において、インナーカップ８２の温度が、目標温度Ｔａを下回る。その後、インナーカップ８２の温度は最低温度まで低下した後に、徐々に上昇する。インナーカップ８２の温度は、時刻ｔ３において目標温度Ｔａを越えた後に、更に上昇していく。 Now, referring to FIG. 17, an example of a method for setting the cooling start timing will be described. FIG. 17 is a graph showing the change in temperature of the inner cup 82 over time with the supply of cooling solvent from the solvent supply unit 90. The horizontal axis shows time, and the vertical axis shows the temperature of the inner cup. In the graph of the change in temperature over time shown in FIG. 17, the supply of cooling solvent by the solvent supply unit 90 is stopped at time t1. Until time t1, the temperature of the inner cup 82 is approximately equal to the set temperature Ts in the liquid treatment unit U20. After time t1, the temperature of the inner cup 82 gradually decreases due to the heat of vaporization of the cooling solvent. Then, at time t2, the temperature of the inner cup 82 falls below the target temperature Ta. After that, the temperature of the inner cup 82 decreases to the lowest temperature and then gradually increases. After the temperature of the inner cup 82 exceeds the target temperature Ta at time t3, it further increases.

図１７に示されるインナーカップ８２の温度の時間変化において、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間は、冷却溶剤の供給完了から目標温度Ｔａに低下するまでの温度低下時間である。時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間は、インナーカップ８２の温度が目標温度Ｔａを下回る状態が維持される状態維持時間である。記憶部１０２は、これらの温度低下時間及び状態維持時間を記憶していてもよい。制御部１０４は、ワークＷの搬入タイミング（液処理の開始タイミング）が、状態維持時間に含まれるように冷却開始タイミングを決定してもよい。一例では、制御部１０４は、最後のステップＳ６３の冷却溶剤の供給停止からワークＷの搬入タイミングまでの時間が、温度低下時間よりも大きく、且つ温度低下時間と状態維持時間との合計時間よりも小さくなるように冷却開始タイミングを決定してもよい。この場合、制御部１０４は、インナーカップ８２が目標温度Ｔａまで冷却されてから所定時間内に（状態維持時間内に）、ステップＳ５６の液処理を開始する。制御部１０４は、ステップＳ６２の供給時間、ステップＳ６４の冷却時間、及び設定回数を冷却開始タイミングと一緒に決定してもよく、これらの処理条件（供給時間、冷却時間、及び設定回数）は予め定められていてもよい。 In the change in temperature of the inner cup 82 over time shown in FIG. 17, the time from time t1 to time t2 is the temperature drop time from the completion of the supply of the cooling solvent to the target temperature Ta. The time from time t2 to time t3 is the state maintenance time during which the temperature of the inner cup 82 is maintained below the target temperature Ta. The memory unit 102 may store these temperature drop times and state maintenance times. The control unit 104 may determine the cooling start timing so that the timing of carrying in the work W (the start timing of the liquid treatment) is included in the state maintenance time. In one example, the control unit 104 may determine the cooling start timing so that the time from the stop of the supply of the cooling solvent in the last step S63 to the timing of carrying in the work W is longer than the temperature drop time and shorter than the total time of the temperature drop time and the state maintenance time. In this case, the control unit 104 starts the liquid treatment in step S56 within a predetermined time (within the state maintenance time) after the inner cup 82 is cooled to the target temperature Ta. The control unit 104 may determine the supply time in step S62, the cooling time in step S64, and the set number of times together with the cooling start timing, and these processing conditions (supply time, cooling time, and set number of times) may be determined in advance.

上述の例では、複数回の液処理の前に、インナーカップ８２を冷却するための１回の温調処理が行われるが、１回の液処理ごとに、インナーカップ８２の冷却のための温調処理が当該液処理の前に行われてもよい。インナーカップ８２の冷却のための温調処理において、冷却溶剤に加えて、又は冷却溶剤に代えて、インナーカップ８２に対して冷却ガス（第２流体）が供給されてもよい。この場合、液処理ユニットＵ２０は、インナーカップ８２に対して冷却ガスを供給するガス供給部を更に有していてもよい。このガス供給部は、吐出部材１８０（貯留室Ｖ）を介してインナーカップ８２に対して冷却ガスを供給してもよい。吐出部材１８０（貯留室Ｖ）から吐出される冷却ガスは、経路ＣＨを通り排気管８６まで導かれるので、インナーカップ８２を冷却する。なお、吐出部材１８０に代えて、別のノズルからインナーカップ８２に対して冷却ガスが供給されてもよい。 In the above example, one temperature control process is performed to cool the inner cup 82 before multiple liquid processes, but a temperature control process for cooling the inner cup 82 may be performed before each liquid process. In the temperature control process for cooling the inner cup 82, a cooling gas (second fluid) may be supplied to the inner cup 82 in addition to or instead of the cooling solvent. In this case, the liquid processing unit U20 may further have a gas supply unit that supplies cooling gas to the inner cup 82. This gas supply unit may supply cooling gas to the inner cup 82 through the discharge member 180 (storage chamber V). The cooling gas discharged from the discharge member 180 (storage chamber V) is guided to the exhaust pipe 86 through the path CH, thereby cooling the inner cup 82. Note that the cooling gas may be supplied to the inner cup 82 from another nozzle instead of the discharge member 180.

制御部１０４は、温調処理が定期的に（例えば、所定周期で）行われるように、液処理及び温調処理を含む一連の処理を液処理ユニットＵ２０に実行させてもよい。図１８は、第３実施形態に係る液処理ユニットＵ２０において行われる液処理及び温調処理を含む一連の処理の別の例を示すフローチャートである。 The control unit 104 may cause the liquid processing unit U20 to execute a series of processes including liquid processing and temperature control processing so that the temperature control processing is performed periodically (e.g., at a predetermined cycle). FIG. 18 is a flowchart showing another example of a series of processes including liquid processing and temperature control processing performed in the liquid processing unit U20 according to the third embodiment.

制御部１０４は、まず、インナーカップ８２を冷却する温調処理を液処理ユニットＵ２０に実行させる（ステップＳ８１）。ステップＳ８１の温調処理は、例えば、図１５及び図１６に示されるステップＳ５３と同様に行われる。次に、制御部１０４は、液処理ユニットＵ２０において液処理の実行を行うかどうかを判断する（ステップＳ８２）。例えば、制御部１０４は、処理対象となるワークＷの液処理前の状況、及び液処理ユニットＵ２０にワークＷを搬送する搬送装置Ａ３の動作状況に応じて、液処理の実行を行うかどうかを判断する。 The control unit 104 first causes the liquid processing unit U20 to perform a temperature adjustment process to cool the inner cup 82 (step S81). The temperature adjustment process in step S81 is performed, for example, in the same manner as step S53 shown in Figures 15 and 16. Next, the control unit 104 determines whether or not to perform liquid processing in the liquid processing unit U20 (step S82). For example, the control unit 104 determines whether or not to perform liquid processing depending on the state of the workpiece W to be processed before liquid processing and the operating state of the transport device A3 that transports the workpiece W to the liquid processing unit U20.

ステップＳ８２において、液処理の実行を行うと判断された場合（ステップＳ８２：ＹＥＳ）、制御部１０４は、図１５に示されるステップＳ５５と同様に、処理対象のワークＷを液処理ユニットＵ２０に搬入するように液処理ユニットＵ２０及び搬送装置Ａ３を制御する（ステップＳ８３）。次に、制御部１０４は、図１５及び図１６に示されるステップＳ５６と同様に、処理対象のワークＷに対する液処理を液処理ユニットＵ２０に実行させる（ステップＳ８４）。次に、制御部１０４は、図１５に示されるステップＳ５７と同様に、処理対象のワークＷを液処理ユニットＵ２０から搬出するように液処理ユニットＵ２０及び搬送装置Ａ３を制御する（ステップＳ８５）。 If it is determined in step S82 that liquid processing is to be performed (step S82: YES), the control unit 104 controls the liquid processing unit U20 and the transport device A3 to transport the workpiece W to be processed into the liquid processing unit U20 (step S83), similar to step S55 shown in FIG. 15. Next, the control unit 104 causes the liquid processing unit U20 to perform liquid processing on the workpiece W to be processed (step S84), similar to step S56 shown in FIG. 15 and FIG. 16. Next, the control unit 104 controls the liquid processing unit U20 and the transport device A3 to transport the workpiece W to be processed out of the liquid processing unit U20, similar to step S57 shown in FIG. 15 (step S85).

一方、ステップＳ８２において、液処理の実行を行わないと判断された場合（ステップＳ８２：ＮＯ）、制御部１０４は、ステップＳ８３～Ｓ８５を実行しない。ステップＳ８２において液処理の実行を行わないと判断された場合、又は、ステップＳ８５が終了した後に、制御部１０４は、冷却開始タイミングかどうかを判断する（ステップＳ８６）。例えば、制御部１０４は、基準時刻から予め定められた待機時間が経過しているかどうかを判断する。基準時刻は、例えば、温調処理の実行後に当該温調処理の終了時刻に設定され、温調処理後に液処理が行われた場合には当該液処理の終了時刻に設定される（更新される）。制御部１０４は、待機時間を経過している場合には冷却開始タイミングであると判断し、待機時間が経過していない場合には冷却開始タイミングではないと判断する。 On the other hand, if it is determined in step S82 that liquid processing will not be performed (step S82: NO), the control unit 104 does not perform steps S83 to S85. If it is determined in step S82 that liquid processing will not be performed, or after step S85 is completed, the control unit 104 determines whether it is time to start cooling (step S86). For example, the control unit 104 determines whether a predetermined waiting time has elapsed from the reference time. For example, the reference time is set to the end time of the temperature adjustment process after the temperature adjustment process is performed, and if liquid processing is performed after the temperature adjustment process, the reference time is set (updated) to the end time of the liquid processing. If the waiting time has elapsed, the control unit 104 determines that it is time to start cooling, and if the waiting time has not elapsed, it determines that it is not time to start cooling.

ステップＳ８６において、冷却開始タイミングではないと判断された場合、処理はステップＳ８２に戻る。一方、ステップＳ８６において、冷却開始タイミングであると判断された場合、基準時刻がリセットされたうえで、処理はステップＳ８１に戻る（温調処理が再度実行される）。以上の一連の処理が行われることで、温調処理の実行後に待機時間が経過するまでに液処理が行われない場合には、ステップＳ８１の温調処理が再度実行される。また、温調処理後に液処理が行われた後に待機時間が経過するまでに次の液処理が行われない場合には、ステップＳ８１の温調処理が再度実行される。なお、制御部１０４は、液処理の実行有無に関わらず、所定周期にて（一つ前の温調処理が終了してから一定期間経過後に）温調処理を液処理ユニットＵ２０に継続して実行させてもよい。 If it is determined in step S86 that it is not the timing to start cooling, the process returns to step S82. On the other hand, if it is determined in step S86 that it is the timing to start cooling, the reference time is reset and the process returns to step S81 (the temperature adjustment process is executed again). By performing the above series of processes, if liquid processing is not performed before the waiting time has elapsed after the temperature adjustment process is performed, the temperature adjustment process of step S81 is executed again. Also, if the next liquid processing is not performed before the waiting time has elapsed after the liquid processing is performed after the temperature adjustment process, the temperature adjustment process of step S81 is executed again. Note that the control unit 104 may cause the liquid processing unit U20 to continue performing the temperature adjustment process at a predetermined cycle (after a certain period of time has elapsed since the end of the previous temperature adjustment process) regardless of whether or not liquid processing is performed.

制御部１０４は、インナーカップ８２を冷却する温調処理に加えて、液処理における処理液の供給の完了と処理位置からのワークＷの搬出の開始との間において、溶剤供給部９０によりインナーカップ８２に対して第２流体（例えば、冷却溶剤）を供給してもよい。この場合、制御部１０４は、処理液の供給後に、処理液の被膜形成のためのワークＷを回転させているときに、インナーカップ８２に冷却溶剤を供給するように溶剤供給部９０を制御してもよい。制御部１０４は、処理液の被膜形成後（ワークＷの回転停止後）に、液処理が施されたワークＷの搬出が開始されるまで待機している間に、インナーカップ８２に冷却溶剤を供給するように溶剤供給部９０を制御してもよい。 In addition to the temperature control process for cooling the inner cup 82, the control unit 104 may supply a second fluid (e.g., a cooling solvent) to the inner cup 82 by the solvent supply unit 90 between the completion of the supply of the treatment liquid in the liquid treatment and the start of the removal of the workpiece W from the treatment position. In this case, the control unit 104 may control the solvent supply unit 90 to supply the cooling solvent to the inner cup 82 when the workpiece W is being rotated to form a coating of the treatment liquid after the supply of the treatment liquid. The control unit 104 may control the solvent supply unit 90 to supply the cooling solvent to the inner cup 82 while waiting for the start of the removal of the workpiece W that has been subjected to the liquid treatment after the coating of the treatment liquid is formed (after the rotation of the workpiece W is stopped).

（第３実施形態の効果）
第３実施形態に係る液処理ユニットＵ２０において行われる基板処理方法においても、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、温調処理によって、処理位置の周囲における温度のばらつきが低減する状態で液処理を行うことができる。したがって、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 (Effects of the Third Embodiment)
In the substrate processing method performed in the liquid processing unit U20 according to the third embodiment, similarly to the first and second embodiments, the liquid processing can be performed in a state in which the temperature variation around the processing position is reduced by the temperature control process, thereby making it possible to suppress the film thickness variation between the workpieces W.

温度影響部材として、処理位置に保持されているワークＷを囲む収容部７０のうちのワークＷの裏面Ｗｂの外周部に近接した状態で配置されているインナーカップ８２が挙げられる。第３実施形態に係る上記基板処理方法では、温調処理は、インナーカップ８２に対して第２流体を供給することでインナーカップ８２を冷却することを含む。この場合、ワークＷの温度に影響を与えるインナーカップ８２が液処理を行う前に冷却され、液処理の実行に伴って処理位置の周囲温度が低下する程度が小さくなる。そのため、液処理ごとの処理位置の周囲における温度のばらつきが低減するので、ワークＷ間の膜厚変動を抑制することが可能となる。 The temperature-affecting member includes an inner cup 82 arranged in close proximity to the outer periphery of the back surface Wb of the workpiece W in the accommodation section 70 surrounding the workpiece W held at the processing position. In the substrate processing method according to the third embodiment, the temperature adjustment process includes cooling the inner cup 82 by supplying a second fluid to the inner cup 82. In this case, the inner cup 82, which affects the temperature of the workpiece W, is cooled before the liquid processing is performed, and the degree to which the ambient temperature of the processing position decreases with the execution of the liquid processing is reduced. Therefore, the temperature variation around the processing position for each liquid processing is reduced, making it possible to suppress film thickness variation between the workpieces W.

第３実施形態に係る上記基板処理方法では、インナーカップ８２に対する第２流体の供給によりインナーカップ８２を冷却することは、インナーカップ８２に対して溶剤を供給することと、溶剤の供給後にインナーカップ８２に対して溶剤を供給しない状態を維持することとを含む。この場合、インナーカップ８２に対して供給された後の溶剤の気化熱によってインナーカップの冷却が進行するので、溶剤の使用量を抑えつつインナーカップ８２を冷却することが可能となる。 In the substrate processing method according to the third embodiment, cooling the inner cup 82 by supplying the second fluid to the inner cup 82 includes supplying a solvent to the inner cup 82 and maintaining a state in which no solvent is supplied to the inner cup 82 after the solvent is supplied. In this case, the inner cup 82 is cooled by the heat of vaporization of the solvent after it is supplied to the inner cup 82, so that it is possible to cool the inner cup 82 while minimizing the amount of solvent used.

第３実施形態に係る上記基板処理方法は、インナーカップ８２に対する第２流体の供給によりインナーカップ８２が目標温度Ｔａまで冷却されてから所定時間内に、液処理を開始する。この場合、処理位置の周囲温度が目標温度Ｔａと同程度に低下した状態で、液処理を開始することが可能となる。 In the substrate processing method according to the third embodiment, liquid processing is started within a predetermined time after the inner cup 82 is cooled to the target temperature Ta by supplying the second fluid to the inner cup 82. In this case, liquid processing can be started when the ambient temperature of the processing position has dropped to the same level as the target temperature Ta.

第３実施形態に係る上記基板処理方法は、液処理の後に、処理位置からワークＷを搬出することと、ワークＷの表面Ｗａに対する処理液の供給が完了してから処理位置からのワークＷの搬出が開始するまでの間において、インナーカップ８２に対して第２流体を供給することとを更に含んでもよい。この場合、液処理後のインナーカップ８２の温度について、液処理ごとのばらつきを抑制すること可能となる。 The substrate processing method according to the third embodiment may further include removing the workpiece W from the processing position after the liquid processing, and supplying a second fluid to the inner cup 82 during the period from when the supply of the processing liquid to the surface Wa of the workpiece W is completed until when removal of the workpiece W from the processing position begins. In this case, it is possible to suppress the variation in temperature of the inner cup 82 after the liquid processing for each liquid processing.

ここで、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）を参照して、第３実施形態に係る基板処理方法の効果について更に説明する。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）には、ワークＷの表面Ｗａ上の被膜の中央部と外周部とにおける膜厚の測定結果が示されている。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）における中央部の膜厚の測定は、温調処理の実行方法等を除き、図８に示される膜厚の測定と同様に行われている。膜厚の測定対象の一つである被膜の外周部は、ワークＷのうちのインナーカップ８２と対向する部分に対応しており、ワークＷの半径の略半分から外縁までの間に対応している。外周部のうちの複数箇所の膜厚を測定し、その平均値を外周部の膜厚として算出している。図１９（ａ）及び図１９（ｂ）には、１枚目、３枚目、及び５枚目のワークＷについての膜厚の測定結果と、当該膜厚の測定結果に基づく近似直線が示されている。図１９（ａ）は、ステップＳ５３の温調処理を実行しなかった場合の比較例に係る膜厚の測定結果を示している。図１９（ｂ）は、図１５に示される一連の処理を実行した場合の膜厚の測定結果を示している。 Here, the effect of the substrate processing method according to the third embodiment will be further described with reference to Figs. 19(a) and 19(b). Figs. 19(a) and 19(b) show the results of measuring the film thickness at the center and outer periphery of the coating on the surface Wa of the workpiece W. The film thickness measurement at the center in Figs. 19(a) and 19(b) is performed in the same manner as the film thickness measurement shown in Fig. 8, except for the method of performing the temperature control process. The outer periphery of the coating, which is one of the targets of film thickness measurement, corresponds to the part of the workpiece W that faces the inner cup 82, and corresponds to the area between approximately half the radius of the workpiece W and the outer edge. The film thicknesses at multiple locations in the outer periphery are measured, and the average value is calculated as the film thickness at the outer periphery. Figs. 19(a) and 19(b) show the results of measuring the film thickness for the first, third, and fifth workpieces W, and an approximation line based on the film thickness measurement results. Fig. 19(a) shows the results of measuring the film thickness for a comparative example in which the temperature control process of step S53 was not performed. FIG. 19(b) shows the film thickness measurement results when the series of processes shown in FIG. 15 is performed.

被膜の中央部同士の測定結果を比較すると、図１９（ｂ）の測定結果での中央部における膜厚変動の程度を示す近似直線の傾き（絶対値）が、図１９（ａ）の測定結果での中央部における膜厚変動の程度を示す近似直線の傾き（絶対値）に比べて多少低下している。被膜の外周部同士の測定結果を比較すると、図１９（ｂ）の測定結果での外周部における膜厚変動の程度を示す近似直線の傾き（絶対値）が、図１９（ａ）の測定結果での外周部における膜厚変動の程度を示す近似直線の傾き（絶対値）の１／３程度に減少している。以上のように、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）の測定結果から、ステップＳ５３の温調処理を実行することによって、外周部での膜厚変動が抑制されていることがわかる。 When comparing the measurement results of the central parts of the coating, the slope (absolute value) of the approximate line showing the degree of film thickness variation in the central part in the measurement result of FIG. 19(b) is slightly lower than the slope (absolute value) of the approximate line showing the degree of film thickness variation in the central part in the measurement result of FIG. 19(a). When comparing the measurement results of the peripheral parts of the coating, the slope (absolute value) of the approximate line showing the degree of film thickness variation in the peripheral part in the measurement result of FIG. 19(b) is reduced to about 1/3 of the slope (absolute value) of the approximate line showing the degree of film thickness variation in the peripheral part in the measurement result of FIG. 19(a). As described above, from the measurement results of FIG. 19(a) and FIG. 19(b), it can be seen that the film thickness variation in the peripheral part is suppressed by performing the temperature adjustment process of step S53.

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例（第１実施形態～第３実施形態）に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。 [Modification]
The disclosure in this specification should be considered to be illustrative and not restrictive in all respects. Various omissions, substitutions, modifications, etc. may be made to the above examples (first to third embodiments) without departing from the scope and gist of the claims.

制御部１０４は、第２実施形態における保持部３２の冷却のための温調処理と、第３実施形態におけるインナーカップ８２の冷却のための温調処理との両方を液処理前に実行するように液処理ユニットＵ１を制御してもよい。制御部１０４は、インナーカップ８２の冷却に代えて、インナーカップ８２の温度を上昇させるための温調処理を液処理ユニットＵ１に実行させてもよい。この場合、制御部１０４は、保持部３２を回転させることで当該保持部３２の温度を上昇させる温調処理とインナーカップ８２の温度を上昇させる温調処理との両方を液処理ユニットＵ１に実行させてもよい。 The control unit 104 may control the liquid processing unit U1 to perform both the temperature control process for cooling the holding unit 32 in the second embodiment and the temperature control process for cooling the inner cup 82 in the third embodiment before liquid processing. Instead of cooling the inner cup 82, the control unit 104 may cause the liquid processing unit U1 to perform a temperature control process for increasing the temperature of the inner cup 82. In this case, the control unit 104 may cause the liquid processing unit U1 to perform both a temperature control process for increasing the temperature of the holding unit 32 by rotating the holding unit 32 and a temperature control process for increasing the temperature of the inner cup 82.

温度影響部材は、ワークＷに対して接触又は近接する部材であり、且つ液処理の実行時においてワークＷの温度に影響を与える部材であれば、保持部３２及びインナーカップ８２以外の部材であってもよい。上述の例では、レジスト液の被膜の形成を行う液処理を例示しているが、レジスト液以外の処理液の被膜（例えば、下層膜又は上層膜形成用の処理液の被膜）の形成を行う液処理の前に、いずれかの温調処理が行われてもよい。 The temperature-affecting member may be a member other than the holding portion 32 and the inner cup 82, so long as it is a member that is in contact with or in close proximity to the workpiece W and affects the temperature of the workpiece W when liquid processing is performed. In the above example, a liquid processing for forming a coating of a resist liquid is illustrated, but any temperature adjustment process may be performed before a liquid processing for forming a coating of a processing liquid other than a resist liquid (e.g., a coating of a processing liquid for forming an underlayer film or an upper layer film).

２…塗布・現像装置、３０…回転保持部、３２…保持部、４０…処理液供給部、５０…溶剤供給部、６０…ガス供給部、７０…収容部、８２…インナーカップ、９０…溶剤供給部、１００…制御装置、Ｕ１…液処理ユニット、Ｗ…ワーク、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面。 2...coating/developing device, 30...rotating holder, 32...holder, 40...treatment liquid supply section, 50...solvent supply section, 60...gas supply section, 70...container, 82...inner cup, 90...solvent supply section, 100...control device, U1...liquid treatment unit, W...workpiece, Wa...front surface, Wb...back surface.

Claims (11)

所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットを用いて、前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を行うことと、
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に行うことと、を含み、
前記部材は、前記処理位置に保持されている前記基板を囲む収容部のうちの前記基板の裏面の外周部に近接した状態で配置されているインナーカップを含み、
前記温調処理は、前記インナーカップに対して流体を供給することで前記インナーカップを冷却することを含み、
前記インナーカップに対する前記流体の供給により前記インナーカップを冷却することは、前記インナーカップに対して前記流体として溶剤を供給することと、前記溶剤の供給後に、前記インナーカップに対して前記溶剤を供給しない状態を維持することとを含む、基板処理方法。 performing liquid processing, the liquid processing comprising: using a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate, the liquid processing unit supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position; and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
performing a temperature adjustment process, prior to the liquid treatment, to adjust a temperature of a member of the liquid treatment unit that affects a temperature of the substrate during the liquid treatment ;
the member includes an inner cup disposed in a state adjacent to an outer periphery of a rear surface of the substrate in a container portion surrounding the substrate held at the processing position,
the temperature adjustment process includes cooling the inner cup by supplying a fluid to the inner cup;
A substrate processing method in which cooling the inner cup by supplying the fluid to the inner cup includes supplying a solvent to the inner cup as the fluid, and maintaining a state in which the solvent is not supplied to the inner cup after the solvent is supplied . 所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットを用いて、前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を行うことと、performing liquid processing, the liquid processing comprising: using a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate, the liquid processing unit supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position; and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に行うことと、を含む基板処理方法であって、performing a temperature adjustment process, prior to the liquid processing, for adjusting a temperature of a member of the liquid processing unit that affects a temperature of the substrate during the liquid processing,
前記部材は、前記処理位置に保持されている前記基板を囲む収容部のうちの前記基板の裏面の外周部に近接した状態で配置されているインナーカップを含み、the member includes an inner cup disposed in a state adjacent to an outer periphery of a rear surface of the substrate in a container portion surrounding the substrate held at the processing position,
前記温調処理は、前記インナーカップに対して流体を供給することで前記インナーカップを冷却することを含み、the temperature adjustment process includes cooling the inner cup by supplying a fluid to the inner cup;
前記液処理の後に、前記処理位置から前記基板を搬出することと、removing the substrate from the processing position after the liquid processing;
前記基板の表面に対する前記処理液の供給が完了してから前記処理位置からの前記基板の搬出が開始するまでの間において、前記インナーカップに対して前記流体を供給することとを更に含む、基板処理方法。The substrate processing method further comprises supplying the fluid to the inner cup during a period from when supply of the processing liquid to the surface of the substrate is completed until unloading of the substrate from the processing position is started. 前記温調処理における処理条件は、前記液処理の開始タイミングに応じて設定される、請求項１又は２に記載の基板処理方法。 3. The substrate processing method according to claim 1, wherein processing conditions in the temperature adjustment process are set according to a start timing of the liquid processing. 前記部材は、前記処理位置に前記基板を保持するように前記基板の裏面を支持する保持部を含み、
前記温調処理は、前記保持部に対して別の流体を供給することで前記保持部を冷却することを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理方法。 the member includes a holder that supports a back surface of the substrate to hold the substrate at the processing position;
The substrate processing method according to claim 1 , wherein the temperature adjustment process includes cooling the holding unit by supplying another fluid to the holding unit. 前記基板の表面に対して前記処理液を供給することは、前記基板を支持している状態の前記保持部を当該保持部に接続された回転駆動部により回転させながら、前記基板の表面に対して前記処理液を供給することを含み、
前記保持部に対して前記別の流体を供給することは、前記保持部の中央部に対して前記別の流体を供給することを含む、請求項４に記載の基板処理方法。 supplying the processing liquid to the surface of the substrate includes supplying the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the holder supporting the substrate by a rotation drive unit connected to the holder;
The substrate processing method according to claim 4 , wherein supplying the other fluid to the holding part includes supplying the other fluid to a central part of the holding part. 前記インナーカップに対する前記流体の供給により前記インナーカップが目標温度まで冷却されてから所定時間内に、前記液処理を開始する、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理方法。 6. The substrate processing method according to claim 1, wherein the liquid processing is started within a predetermined time after the inner cup is cooled to a target temperature by supplying the fluid to the inner cup. 所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットを用いて、前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を行うことと、
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に行うことと、を含み、
前記部材は、前記処理位置に前記基板を保持するように前記基板の裏面を支持する保持部を含み、
前記基板の表面に対して前記処理液を供給することは、前記基板を支持している状態の前記保持部を回転させながら、前記基板の表面に対して前記処理液を供給することを含み、
前記温調処理は、前記保持部が前記基板を支持していない状態で前記保持部を回転させることにより、前記保持部の温度を上昇させることを含む、基板処理方法。 performing liquid processing, the liquid processing comprising: using a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate, the liquid processing unit supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position; and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
performing a temperature adjustment process, prior to the liquid treatment, to adjust a temperature of a member of the liquid treatment unit that affects a temperature of the substrate during the liquid treatment;
the member includes a holder that supports a back surface of the substrate to hold the substrate at the processing position;
supplying the processing liquid to the surface of the substrate includes supplying the processing liquid to the surface of the substrate while rotating the holder supporting the substrate;
The temperature adjustment process includes increasing a temperature of the holder by rotating the holder while the holder is not supporting the substrate . 請求項１～７のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 A computer-readable storage medium storing a program for causing an apparatus to execute the substrate processing method according to any one of claims 1 to 7 . 所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットと、
前記液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備え、
前記制御ユニットは、
前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を前記液処理ユニットに実行させ、
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に前記液処理ユニットに実行させ、
前記部材は、前記処理位置に保持されている前記基板を囲む収容部のうちの前記基板の裏面の外周部に近接した状態で配置されているインナーカップを含み、
前記温調処理は、前記インナーカップに対して流体を供給することで前記インナーカップを冷却することを含み、
前記インナーカップに対する前記流体の供給により前記インナーカップを冷却することは、前記インナーカップに対して前記流体として溶剤を供給することと、前記溶剤の供給後に、前記インナーカップに対して前記溶剤を供給しない状態を維持することとを含む、基板処理装置。 a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate;
a control unit for controlling the liquid processing unit;
The control unit
causing the liquid processing unit to perform a liquid processing including supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
performing a temperature adjustment process in the liquid processing unit to adjust a temperature of a member that affects a temperature of the substrate during the liquid processing ;
the member includes an inner cup disposed in a state adjacent to an outer periphery of a rear surface of the substrate in a container portion surrounding the substrate held at the processing position,
the temperature adjustment process includes cooling the inner cup by supplying a fluid to the inner cup;
A substrate processing apparatus, wherein cooling the inner cup by supplying the fluid to the inner cup includes supplying a solvent as the fluid to the inner cup, and maintaining a state in which the solvent is not supplied to the inner cup after the solvent is supplied . 所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットと、a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate;
前記液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備え、a control unit for controlling the liquid processing unit;
前記制御ユニットは、The control unit
前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を前記液処理ユニットに実行させ、causing the liquid processing unit to perform a liquid processing including supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に前記液処理ユニットに実行させ、performing a temperature adjustment process in the liquid processing unit to adjust a temperature of a member that affects a temperature of the substrate during the liquid processing;
前記部材は、前記処理位置に保持されている前記基板を囲む収容部のうちの前記基板の裏面の外周部に近接した状態で配置されているインナーカップを含み、the member includes an inner cup disposed in a state adjacent to an outer periphery of a rear surface of the substrate in a container portion surrounding the substrate held at the processing position,
前記温調処理は、前記インナーカップに対して流体を供給することで前記インナーカップを冷却することを含み、the temperature adjustment process includes cooling the inner cup by supplying a fluid to the inner cup;
前記制御ユニットは、The control unit
前記液処理の後に、前記処理位置から前記基板を搬出することと、removing the substrate from the processing position after the liquid processing;
前記基板の表面に対する前記処理液の供給が完了してから前記処理位置からの前記基板の搬出が開始するまでの間において、前記インナーカップに対して前記流体を供給することと、を前記液処理ユニットに更に実行させる、基板処理装置。The substrate processing apparatus further causes the liquid processing unit to supply the fluid to the inner cup during a period between the completion of supply of the processing liquid to the surface of the substrate and the start of unloading the substrate from the processing position. 所定の処理位置に基板を保持すると共に前記基板の表面に対して処理液を供給する液処理ユニットと、a liquid processing unit that holds a substrate at a predetermined processing position and supplies a processing liquid to a surface of the substrate;
前記液処理ユニットを制御する制御ユニットとを備え、a control unit for controlling the liquid processing unit;
前記制御ユニットは、The control unit
前記処理位置に保持されている前記基板の表面に対して前記処理液を供給することと、前記処理液の供給後に前記基板の表面上に前記処理液の被膜が形成されるように前記基板を保持することとを含む液処理を前記液処理ユニットに実行させ、causing the liquid processing unit to perform a liquid processing including supplying the processing liquid to a surface of the substrate held at the processing position and holding the substrate such that a coating of the processing liquid is formed on the surface of the substrate after the supply of the processing liquid;
前記液処理ユニットのうちの、前記液処理の実行時において前記基板の温度に影響を及ぼす部材の温度を調節する温調処理を前記液処理の前に前記液処理ユニットに実行させ、performing a temperature adjustment process in the liquid processing unit to adjust a temperature of a member that affects a temperature of the substrate during the liquid processing;
前記部材は、前記処理位置に前記基板を保持するように前記基板の裏面を支持する保持部を含み、the member includes a holder that supports a back surface of the substrate to hold the substrate at the processing position;
前記液処理ユニットは、前記基板を支持している状態の前記保持部を回転させながら、前記基板の表面に対して前記処理液を供給し、the liquid processing unit supplies the processing liquid to a surface of the substrate while rotating the holder supporting the substrate;
前記温調処理は、前記保持部が前記基板を支持していない状態で前記保持部を回転させることにより、前記保持部の温度を上昇させることを含む、基板処理装置。The temperature adjustment process includes increasing a temperature of the holder by rotating the holder in a state where the holder is not supporting the substrate.
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