JP2002367899A - Development method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make uniform the line widths of circuit patterns formed at a center and an outer edge of a wafer. SOLUTION: A development method comprises steps of moving a developing liquid discharge nozzle 80 on the wafer W while discharging a developer to supply the developer to the wafer W, and operating the rotating speed of the wafer W in a step 3 of moving the nozzle 80 from a position P2 to a position P3. In this case, the speed of the step 3 is set to a speed so that the line widths formed at the outer edge of the wafer W becomes the same as that of the center based on an experiment result executed in advance. A development advancing degree of the outer edge of the wafer W is regulated by this operation, and hence the circuit pattern of uniform line width in the wafer W is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の現像処理方
法に関する。[0001] The present invention relates to a method for developing a substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ上にレジ
スト膜が形成され，ウェハに所定の回路パターンが露光
された後に，当該ウェハの現像処理が行われ，最終的に
はウェハ上に所定の回路パターンが形成される。2. Description of the Related Art For example, in a photolithography step in a semiconductor device manufacturing process, a resist film is formed on a wafer, and after a predetermined circuit pattern is exposed on the wafer, the wafer is subjected to a developing process. A predetermined circuit pattern is formed on the wafer.

【０００３】上述のウェハの現像処理は，例えばウェハ
を回転させた状態で，現像液の吐出された現像液吐出ノ
ズルを当該ウェハの一端から他端まで移動させて，ウェ
ハ上に現像液の液盛りを形成し，その後当該ウェハを所
定時間静止現像することによって行われている。In the above-described developing process of a wafer, for example, while the wafer is being rotated, the developing solution discharge nozzle from which the developing solution is discharged is moved from one end to the other end of the wafer, and the developing solution is discharged onto the wafer. An embossing is formed, and then the wafer is statically developed for a predetermined time.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，このよ
うな現像処理方法によりウェハの現像処理を行うと，最
終的に形成される回路パターンの線幅が，ウェハの中心
部と外縁部とで異なり，ウェハ面内において均一な線幅
が形成されていなかった。これは，発明者の知見による
と，遠心力等の影響によってウェハ上に供給された現像
液の挙動が，ウェハの中心部と外縁部とでは異ってくる
ためと考察される。前記線幅のばらつきは，即歩留まり
の低下に通じ，好ましくない。However, when the wafer is developed by such a developing method, the line width of the finally formed circuit pattern differs between the center and the outer edge of the wafer. A uniform line width was not formed in the wafer surface. This is considered to be because, according to the knowledge of the inventor, the behavior of the developer supplied onto the wafer is different between the center portion and the outer edge portion of the wafer due to the influence of centrifugal force or the like. The variation in the line width immediately leads to a decrease in the yield, which is not preferable.

【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ等の基板の中心部と外縁部に形成される
回路パターンの線幅を均一にする現像処理方法を提供す
ることをその目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a developing method for making the line width of a circuit pattern formed at a center portion and an outer edge portion of a substrate such as a wafer uniform. Aim.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，回転している基板に現像液を供給して，基板を現像
処理する現像処理方法であって，前記基板の回転速度を
操作することによって，前記基板の外縁部における現像
進度を調節することを特徴とする現像処理方法が提供さ
れる。According to the first aspect of the present invention, there is provided a developing method for developing a substrate by supplying a developing solution to the rotating substrate, wherein the rotating speed of the substrate is controlled. By doing so, a development processing method is provided in which the development progress at the outer edge of the substrate is adjusted.

【０００７】発明者の実験により，現像処理時の基板の
回転速度を操作することによって，基板の外縁部におけ
る現像の進度を調節できることが確認されている。これ
は，基板の回転速度を変更することによって，基板外縁
部における現像液の挙動を積極的に変動させ，これによ
って現像進度が影響されるためと考えられる。本発明
は，かかる実験結果に基づいてなされたものであり，こ
の現像処理方法によれば，基板の回転速度の操作により
基板外縁部の現像進度が調節され，基板の外縁部に形成
される回路パターンの線幅を調節することができる。し
たがって，基板面内の線幅を均一に形成することができ
る。[0007] Experiments by the inventor have confirmed that the degree of development at the outer edge of the substrate can be adjusted by manipulating the rotation speed of the substrate during the development processing. This is presumably because the behavior of the developer at the outer edge of the substrate is positively changed by changing the rotation speed of the substrate, thereby affecting the development progress. The present invention has been made based on the above experimental results, and according to this developing method, the degree of development at the outer edge of the substrate is adjusted by manipulating the rotational speed of the substrate, and the circuit formed on the outer edge of the substrate is formed. The line width of the pattern can be adjusted. Therefore, the line width in the substrate surface can be formed uniformly.

【０００８】前記現像処理方法は，現像液吐出ノズルが
現像液を吐出しながら，基板の外方から当該基板の中央
部上方まで移動する吐出工程を有し，少なくとも前記吐
出工程において，前記基板は前記操作された回転速度で
回転されるようにしてよい。このように，基板に現像液
が供給される際の基板の回転速度を操作することによっ
て，基板の現像進度を効果的に調節することができる。
したがって，基板面内の線幅を好適に均一にすることが
できる。The developing method includes a discharging step in which the developing liquid discharging nozzle moves from the outside of the substrate to above the central portion of the substrate while discharging the developing liquid. The rotation may be performed at the operated rotation speed. As described above, by controlling the rotation speed of the substrate when the developing solution is supplied to the substrate, the development progress of the substrate can be effectively adjusted.
Therefore, the line width in the substrate surface can be made preferably uniform.

【０００９】前記現像処理方法は，現像液吐出ノズルが
現像液を吐出しながら，基板の外方から当該基板の中央
部上方まで移動する吐出工程を有し，前記吐出工程にお
いて，前記現像液吐出ノズルが前記基板の外方から当該
基板の端部上を通過し，少なくとも前記基板上まで移動
する間は，前記基板は，第１の回転速度で回転され，そ
の後，前記現像液吐出ノズルが前記基板の中央部上方ま
で移動する間は，前記基板は，前記操作された第２の回
転速度で回転され，前記第１の回転速度は，前記第２の
回転速度と同じか，それよりも遅い速度であってもよ
い。The developing method includes a discharging step in which a developing solution discharging nozzle moves from the outside of the substrate to above a central portion of the substrate while discharging the developing solution. The substrate is rotated at a first rotational speed while the nozzle passes over the edge of the substrate from outside the substrate and moves at least above the substrate. While moving above the center of the substrate, the substrate is rotated at the operated second rotation speed, and the first rotation speed is equal to or lower than the second rotation speed. It may be speed.

【００１０】現像液吐出ノズルから吐出された現像液が
回転された基板の端部に衝突すると，衝突した現像液が
激しく飛散し，多量のミストが発生する。本発明では，
基板の端部上を通過する際の回転速度を，第１の回転速
度として別途設定し，第１の回転速度を第２の回転速度
以下にするので，現像液が基板の端部に衝突する際の現
像液のインパクトを緩和することができる。これによ
り，衝突による現像液の飛散が抑制され，現像欠陥等の
原因となるミストの発生が抑制できる。また，現像液吐
出ノズルが基板の端部上を通過した後は，前記操作され
た第２の回転速度で回転されるので，基板外縁部の現像
進度が調節され，最終的に形成される回路パターンの線
幅の均一性が向上する。なお，前記現像液吐出ノズルが
基板上に移動するとは，現像液吐出ノズルから吐出され
た現像液が直接基板の端部に接触しない位置にまで，現
像液吐出ノズルが基板の中心部側に移動することをい
う。When the developing solution discharged from the developing solution discharge nozzle collides with the end of the rotated substrate, the colliding developing solution is scattered violently, and a large amount of mist is generated. In the present invention,
Since the rotation speed when passing over the edge of the substrate is separately set as the first rotation speed and the first rotation speed is set to be equal to or lower than the second rotation speed, the developer collides with the edge of the substrate. In this case, the impact of the developer can be reduced. Thereby, the scattering of the developer due to the collision is suppressed, and the generation of mist which causes a development defect or the like can be suppressed. After the developer discharge nozzle has passed over the edge of the substrate, the nozzle is rotated at the operated second rotation speed, so that the development progress of the outer edge of the substrate is adjusted and the circuit finally formed is formed. The uniformity of the line width of the pattern is improved. Note that the movement of the developing solution discharge nozzle onto the substrate means that the developing solution discharge nozzle moves toward the center of the substrate to a position where the developing solution discharged from the developing solution discharge nozzle does not directly contact the edge of the substrate. To do.

【００１１】前記第２の回転速度は，１５００ｒｐｍ〜
２５００ｒｐｍであってもよい。発明者により，基板の
回転速度を上昇させると基板外縁部の現像が促進され，
回転速度を減少させると基板外縁部の現像が抑制される
ことが確認されている。したがって，第２の回転速度を
２５００ｒｐｍ側に近づけることによって，例えば基板
外縁部の回路パターンの線幅が狭められ，１０００ｒｐ
ｍ側に近づけることによって，線幅が広げられる。ま
た，発明者によれば，１０００ｒｐｍ以下にすると，現
像の抑制効果が得られず，２５００ｒｐｍ以上にする
と，高速回転により，多量のミストが発生することが確
認されている。したがって，第２回転速度を１０００ｒ
ｐｍ〜２５００ｒｐｍの範囲内で操作することによっ
て，基板外縁部の線幅をより好適に調節することができ
る。[0011] The second rotation speed is from 1500 rpm
It may be 2500 rpm. By increasing the rotation speed of the substrate by the inventor, development of the outer edge of the substrate is promoted,
It has been confirmed that reducing the rotation speed suppresses development of the outer edge of the substrate. Therefore, by bringing the second rotation speed closer to 2500 rpm, for example, the line width of the circuit pattern at the outer edge of the substrate is reduced, and
By approaching the m side, the line width is increased. Further, according to the inventors, it has been confirmed that when the rotation speed is 1000 rpm or less, the effect of suppressing development cannot be obtained, and when the rotation speed is 2500 rpm or more, a large amount of mist is generated due to high-speed rotation. Therefore, the second rotation speed is set to 1000r
By operating within the range of pm to 2500 rpm, the line width of the outer edge of the substrate can be more suitably adjusted.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる現
像処理方法が実施される現像処理装置を有する塗布現像
処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２
は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，
塗布現像処理システム１の背面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a coating and developing processing system 1 having a developing apparatus in which a developing method according to the present embodiment is performed.
Is a front view of the coating and developing system 1, and FIG.
FIG. 2 is a rear view of the coating and developing processing system 1.

【００１３】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。As shown in FIG. 1, the coating and developing system 1 loads and unloads, for example, 25 wafers W from the outside into the coating and developing system 1 in units of cassettes, and loads and unloads wafers W into and from the cassette C. A cassette station 2 for unloading, a processing station 3 in which various processing apparatuses for performing predetermined processing in a single-sheet type in a coating and developing processing step are arranged in multiple stages, and provided adjacent to the processing station 3. An interface unit 4 for transferring a wafer W to and from an exposure apparatus (not shown) is integrally connected.

【００１４】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。In the cassette station 2, a plurality of cassettes C can be mounted in a row in the X direction (up and down direction in FIG. 1) at predetermined positions on a cassette mounting table 5 serving as a mounting portion. Then, the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z
(A vertical direction) is provided movably along a transfer path 8 so that each cassette C can be selectively accessed.

【００１５】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。The wafer carrier 7 has an alignment function for positioning the wafer W. As will be described later, the wafer carrier 7 is configured to be able to access the extension device 32 belonging to the third processing device group G3 on the processing station 3 side.

【００１６】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択可能であ
る。In the processing station 3, a main transfer unit 13 is provided at the center thereof, and various processing units are arranged in multiple stages around the main transfer unit 13 to form a processing unit group. In the coating and developing system 1,
Four processing unit groups G1, G2, G3, and G4 are disposed. The first and second processing unit groups G1 and G2 are disposed on the front side of the coating and developing processing system 1, and the third processing unit group G3 is disposed. Is disposed adjacent to the cassette station 2, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 4. Further, a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line as an option can be separately arranged on the back side. The main transfer device 13 includes these processing device groups G1, G2, G3, G4, G5.
The wafer W can be loaded and unloaded to and from various processing apparatuses described below. Note that the number and arrangement of the processing apparatus groups differ depending on the type of processing performed on the wafer W, and the number of processing apparatus groups can be arbitrarily selected as long as it is one or more.

【００１７】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷにレジスト液を塗布し，ウェハＷ上
にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置１７と，本実
施の形態にかかる現像処理装置１８とが下から順に２段
に配置されている。処理装置群G2にも同様に，レジスト
塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段
に配置されている。In the first processing apparatus group G1, for example, as shown in FIG. 2, a resist coating apparatus 17 for applying a resist solution to a wafer W to form a resist film on the wafer W, and the present embodiment is related to this embodiment. The developing devices 18 are arranged in two stages from the bottom. Similarly, in the processing apparatus group G2, a resist coating apparatus 19 and a developing processing apparatus 20 are arranged in two stages from the bottom.

【００１８】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うため
のエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸
発させるためのプリベーキング装置３３，３４，現像処
理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下か
ら順に例えば６段に積み重ねられている。In the third processing unit group G3, for example, as shown in FIG.
0, an adhesion device 31 for improving the fixability between the resist solution and the wafer W, an extension device 32 for transferring the wafer W, pre-baking devices 33 and 34 for evaporating the solvent in the resist solution, a developing process Post-baking devices 35 for performing a subsequent heat treatment are stacked, for example, in six stages from the bottom.

【００１９】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，ポ
ストベーキング装置４６が下から順に例えば７段に積み
重ねられている。In the fourth processing unit group G4, for example, a cooling device 40, an extension cooling device 41 for naturally cooling the mounted wafer W, an extension device 42, a cooling device 43, and post-exposure baking for performing a heat treatment after exposure. The devices 44 and 45 and the post-baking device 46 are stacked, for example, in seven stages from the bottom.

【００２０】インターフェイス部４の中央部には，図１
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心
とする回転方向）の回転が自在にできるように構成され
ており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション
・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周
辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセ
スして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成
されている。At the center of the interface unit 4, FIG.
As shown in FIG. 1, a wafer carrier 50 is provided, for example. The wafer transfer body 50 is configured to freely move in the X direction (vertical direction in FIG. 1), the Z direction (vertical direction), and rotate in the θ direction (rotation direction about the Z axis). , The extension cooling device 41, the extension device 42, the peripheral exposure device 51, and the exposure device (not shown) belonging to the fourth processing device group G4 are accessed so that the wafer W can be transferred to each of them. I have.

【００２１】次に，上述した現像処理装置１８の構成に
ついて詳しく説明する。現像処理装置１８内の中央部に
は，図４，５に示すようにウェハＷを吸着し，水平に保
持する保持手段としてのスピンチャック６０が設けられ
ている。Next, the configuration of the developing device 18 will be described in detail. As shown in FIGS. 4 and 5, a spin chuck 60 as a holding means for sucking the wafer W and holding the wafer W horizontally is provided at a central portion in the development processing device 18.

【００２２】スピンチャック６０は，当該スピンチャッ
ク６０を所定の速度で回転させるための回転機構６１を
有している。回転機構６１は，例えばスピンチャッ６０
の下方に設けられた例えばモータ等を備えた駆動部６２
と，当該駆動部６２に電力を供給する電源６３と，電源
６３の電圧を操作し，ウェハＷの回転速度を制御する制
御部６４とを有している。制御部６４には，現像処理の
各ステップ毎の回転速度を設定することができ，現像処
理中のウェハＷは，各ステップにおいて所定の設定回転
速度で回転される。The spin chuck 60 has a rotation mechanism 61 for rotating the spin chuck 60 at a predetermined speed. The rotation mechanism 61 is, for example, a spin chuck 60.
Drive unit 62 provided with, for example, a motor provided below
A power supply 63 for supplying power to the drive unit 62; and a control unit 64 for controlling the rotation speed of the wafer W by operating the voltage of the power supply 63. The control section 64 can set a rotation speed for each step of the development process, and the wafer W during the development process is rotated at a predetermined set rotation speed in each step.

【００２３】スピンチャック６０の外方には，スピンチ
ャック６０の外周を取り囲み，上面が開口した略筒状の
容器６５が設けられている。容器６５は，スピンチャッ
ク６０上にウェハＷが載置されたときに，その容器６５
の上端部とウェハＷの外周部の裏面との間に隙間Ｇが形
成されるようになっている。一方，容器６５の下面に
は，容器６５内に気体，例えば不活性気体を供給する気
体供給管６６が接続されている。気体供給管６６から容
器６５内に供給された気体は，容器６５内を通って隙間
Ｇから排気される。したがって，ウェハＷ外周部の裏面
付近には，容器６５内側から外側方向に向かう気流が形
成され，ウェハＷ上の現像液がウェハＷの外側部を伝っ
て裏面側に回り込むことが抑制できる。また，容器６５
の外側壁の上部には，隙間Ｇの大きさを調節するための
環状のリング部材Ｒが設けられている。Outside the spin chuck 60, a substantially cylindrical container 65 which surrounds the outer periphery of the spin chuck 60 and has an open upper surface is provided. When the wafer W is placed on the spin chuck 60, the container 65
Is formed between the upper end of the wafer W and the back surface of the outer peripheral portion of the wafer W. On the other hand, a gas supply pipe 66 for supplying a gas, for example, an inert gas, into the container 65 is connected to the lower surface of the container 65. The gas supplied from the gas supply pipe 66 into the container 65 passes through the container 65 and is exhausted from the gap G. Therefore, an airflow from the inside to the outside of the container 65 is formed near the rear surface of the outer periphery of the wafer W, and it is possible to suppress the developer on the wafer W from flowing to the rear surface along the outer portion of the wafer W. In addition, container 65
An annular ring member R for adjusting the size of the gap G is provided on the upper portion of the outer wall of the first embodiment.

【００２４】容器６５の外方には，ウェハＷから飛散し
た現像液等を受け止め，回収するカップ６７が設けられ
ている。カップ６７は，例えば上面が開口した略円筒形
状を有している。また，カップ６７は，外壁６７ａと内
壁６７ｂを有し，２重構造に形成されており，ウェハＷ
から飛散等した現像液は，外壁６７ａと内壁６７ｂとの
間に回収される。カップ６７の底部には，回収された現
像液等を排液するドレイン管６８が接続されている。Outside the container 65, there is provided a cup 67 for receiving and collecting the developer and the like scattered from the wafer W. The cup 67 has, for example, a substantially cylindrical shape whose upper surface is open. The cup 67 has an outer wall 67a and an inner wall 67b and is formed in a double structure.
The developer scattered from the inside is collected between the outer wall 67a and the inner wall 67b. A drain pipe 68 for draining the collected developer and the like is connected to the bottom of the cup 67.

【００２５】カップ６７のＸ方向負方向側の外方には，
後述する現像液吐出ノズル８０の待機部６９が設けられ
ている。待機部６９は，例えば現像液吐出ノズル８０全
体を収容できる略箱形状の容器であり，現像液の吐出工
程が行われていない間は，現像液吐出ノズル８０は，当
該待機部６９で待機できる。Outside the cup 67 on the negative side in the X direction,
A standby section 69 of the developer discharge nozzle 80 described below is provided. The standby unit 69 is, for example, a substantially box-shaped container that can house the entire developer discharge nozzle 80, and the developer discharge nozzle 80 can wait in the standby unit 69 while the developer discharge process is not performed. .

【００２６】ウェハＷに現像液を吐出する現像液吐出ノ
ズル８０は，例えば垂直支持棒８１及びジョイント部材
８２を介して水平支持棒８３に支持されている。水平支
持棒８３は，例えばノズル移動機構８４によってＸ方向
に水平移動できるようになっており，これにより現像液
吐出ノズル８０は，待機部６９からカップ６７のＸ方向
正方向側の外方まで水平移動することができる。The developing solution discharge nozzle 80 for discharging the developing solution to the wafer W is supported by a horizontal support bar 83 via a vertical support bar 81 and a joint member 82, for example. The horizontal support bar 83 can be moved horizontally in the X direction by, for example, a nozzle moving mechanism 84, whereby the developer discharge nozzle 80 moves horizontally from the standby section 69 to the outside of the cup 67 in the positive X direction. You can move.

【００２７】現像液吐出ノズル８０は，図６に示すよう
に全体として略直方体形状を有し，長手方向の長さは，
ウェハＷの半径程度に形成されている。現像液吐出ノズ
ル８０は，垂直支持棒８１に水平に支持されている。現
像液吐出ノズル８０は，図５に示すように現像液吐出ノ
ズル８０の移動方向（Ｘ方向）の直角方向（図５中のＹ
方向）に対して，所定角度φ，例えば０°〜３０°をな
すように垂直支持棒８１に取り付けられている。The developing solution discharging nozzle 80 has a substantially rectangular parallelepiped shape as a whole as shown in FIG.
It is formed to be about the radius of the wafer W. The developer discharge nozzle 80 is horizontally supported by a vertical support rod 81. As shown in FIG. 5, the developer discharge nozzle 80 is perpendicular to the moving direction (X direction) of the developer discharge nozzle 80 (Y direction in FIG. 5).
Direction), is attached to the vertical support rod 81 so as to form a predetermined angle φ, for example, 0 ° to 30 °.

【００２８】図６に示すように，現像液吐出ノズル８０
の本体８０ａの上面には，現像液吐出ノズル８０内に現
像液を供給する供給管８５が，例えば２箇所に設けられ
ている。なお，供給管８５には，現像液の温度を調節す
る温度調節機能が設けられていてもよい。As shown in FIG. 6, the developing solution discharge nozzle 80
On the upper surface of the main body 80a, supply pipes 85 for supplying the developer into the developer discharge nozzle 80 are provided at, for example, two places. The supply pipe 85 may be provided with a temperature control function for controlling the temperature of the developer.

【００２９】現像液吐出ノズル８０の内部には，長手方
向に空間を形成する貯留部８６が設けられており，供給
管８５から流入した現像液が一旦貯留されるようになっ
ている。貯留部８６の底面には，現像液吐出ノズル８０
の下部の吐出口８７に通じる複数の現像液吐出経路８８
が設けられている。現像液吐出経路８８は，現像液吐出
ノズル８０の下部において本体８０ａから突出してお
り，突出した先は，例えばＸ方向負方向側の所定方向に
向けられている。各現像液吐出経路８８の先端には，同
じ口径の吐出口８７が設けられており，全体としてみる
と複数の吐出口８７が，現像液吐出ノズル８０の長手方
向に沿って等間隔で設けられている。これにより，貯留
部８６の現像液が各吐出口８７から一定の方向に同流量
で吐出される。A reservoir 86 which forms a space in the longitudinal direction is provided inside the developing solution discharge nozzle 80 so that the developing solution flowing from the supply pipe 85 is temporarily stored therein. A developer discharge nozzle 80 is provided on the bottom of the storage 86.
Developer discharge paths 88 leading to a discharge port 87 below
Is provided. The developing solution discharge path 88 protrudes from the main body 80a below the developing solution discharge nozzle 80, and the protruding end is directed, for example, in a predetermined direction on the negative side in the X direction. Discharge ports 87 having the same diameter are provided at the tip of each developer discharge path 88, and a plurality of discharge ports 87 are provided at equal intervals along the longitudinal direction of the developer discharge nozzle 80 as a whole. ing. As a result, the developer in the storage section 86 is discharged from each of the discharge ports 87 at a constant flow rate in a certain direction.

【００３０】また，現像液吐出経路８８は，図４に示す
ように，鉛直下方向と所定角度θ，例えば４５度をなす
ように設けられており，現像液は各吐出口８７から所定
角度θの方向に吐出されるようになっている。また，現
像液吐出ノズル８０の高さは，吐出口８７とウェハＷと
の距離が適当な間隔，例えば１０ｍｍ程度になるように
調節されており，近すぎて供給口８５がウェハＷ上の現
像液に接触したり，逆に遠すぎて現像液のウェハＷに対
するインパクトが過大になることが防止される。Further, as shown in FIG. 4, the developing solution discharge path 88 is provided so as to form a predetermined angle θ with respect to the vertical direction, for example, 45 degrees. Is discharged in the direction of. The height of the developing solution discharge nozzle 80 is adjusted so that the distance between the discharge port 87 and the wafer W is an appropriate distance, for example, about 10 mm. It is possible to prevent the developer from coming into contact with the liquid or, on the contrary, being too far away, so that the impact of the developer on the wafer W becomes excessive.

【００３１】なお，カップ６７の上方には，現像液吐出
ノズル８０とは別に図示しない洗浄液供給ノズルが設け
られており，ウェハＷの現像後に，この洗浄液供給ノズ
ルからウェハＷ上に洗浄液が供給され，ウェハＷを洗浄
することができる。A cleaning liquid supply nozzle (not shown) is provided above the cup 67 separately from the developing liquid discharge nozzle 80. After the development of the wafer W, the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid supply nozzle onto the wafer W. , The wafer W can be cleaned.

【００３２】次に，以上のように構成されている現像処
理装置１８で実施される現像処理について，塗布現像処
理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程のプ
ロセスと共に説明する。Next, the development processing performed by the development processing apparatus 18 configured as described above will be described together with the photolithography process performed in the coating and development processing system 1.

【００３３】先ず，ウェハ搬送体７によりカセットＣか
ら未処理のウェハＷが１枚取り出され，第３の処理装置
群G3に属するエクステンション装置３２に搬送される。
次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージ
ョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密
着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェ
ハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に
冷却される。所定温度に冷却されたウェハＷは，レジス
ト塗布装置１７に搬送され，ウェハＷ上にレジスト膜が
形成される。その後ウェハＷは，主搬送装置１３によっ
てプリベーキング装置３３，エクステンション・クーリ
ング装置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０
によって周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に搬
送され，各装置で所定の処理が施される。露光処理の終
了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステン
ション装置４２に搬送され，その後，ウェハＷはポスト
エクスポージャーベーキング装置４４，クーリング装置
４３で所定の処理が施された後，現像処理装置１８に搬
送され，現像処理が行われる。First, one unprocessed wafer W is taken out of the cassette C by the wafer transfer body 7 and transferred to the extension device 32 belonging to the third processing device group G3.
Next, the wafer W is carried into the adhesion device 31 by the main transfer device 13, and the wafer W is coated with, for example, HMDS for improving the adhesion of the resist solution. Next, the wafer W is transferred to the cooling device 30 and cooled to a predetermined temperature. The wafer W cooled to a predetermined temperature is transferred to the resist coating device 17 and a resist film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is sequentially transferred by the main transfer device 13 to the pre-baking device 33 and the extension cooling device 41, and further, the wafer transfer member 50
The wafer is conveyed to the peripheral exposure device 51 and an exposure device (not shown), and is subjected to a predetermined process in each device. The wafer W that has been subjected to the exposure processing is transferred to the extension device 42 by the wafer transfer body 50. After that, the wafer W is subjected to predetermined processing by the post-exposure baking device 44 and the cooling device 43, and then transferred to the developing device 18. It is conveyed and developed.

【００３４】現像処理装置１８において現像処理の終了
したウェハＷは，ポストベーキング装置４６，クーリン
グ装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理
が施され，その後，エクステンション装置３２を介して
カセットＣに戻されて，一連のフォトリソグラフィー工
程が終了する。The wafer W which has been subjected to the developing process in the developing device 18 is sequentially transferred to a post-baking device 46 and a cooling device 30 and subjected to a predetermined process in each device. And a series of photolithography steps is completed.

【００３５】次に，上述した現像処理装置１８で行われ
る現像処理について詳しく説明する。現像処理は，例え
ばステップＳ１〜ステップＳ６の工程からなり，概して
現像吐出ノズル８０が現像液を吐出しながら，回転され
たウェハＷ上を移動し，ウェハＷ上に現像液を供給する
処理である。請求項２，３に記載した吐出工程は，本実
施の形態では後述するステップＳ２及びステップＳ３を
意味する。Next, the developing process performed by the developing device 18 will be described in detail. The developing process includes, for example, steps S1 to S6. Generally, the developing discharge nozzle 80 moves on the rotated wafer W and supplies the developing solution onto the wafer W while discharging the developing solution. . In the present embodiment, the ejection step described in claims 2 and 3 means step S2 and step S3 described later.

【００３６】先ず，例えば現像処理が開始される前に，
スピンチャック６０の制御部６４には，現像処理におけ
る各ステップＳ１〜Ｓ６のウェハＷの回転速度が設定さ
れる。例えば，図７に示すようにステップＳ２の回転速
度は，第１の回転速度Ｖ１，例えば１０００ｒｐｍが設
定され，ステップＳ３には，第２の回転速度Ｖ２，例え
ば２０００ｒｐｍが設定される。First, for example, before the development process is started,
In the controller 64 of the spin chuck 60, the rotation speed of the wafer W in each of steps S1 to S6 in the developing process is set. For example, as shown in FIG. 7, as the rotation speed in step S2, a first rotation speed V1, for example, 1000 rpm is set, and in step S3, a second rotation speed V2, for example, 2000 rpm is set.

【００３７】ステップＳ３は，図８に示すように後述す
るように現像液吐出ノズル８０が位置Ｐ２から位置Ｐ３
まで移動する工程であり，このステップＳ３におけるウ
ェハＷの回転速度は，ウェハＷ外縁部の現像進度を調節
する。したがって，第２の回転速度Ｖ２は，最終的にウ
ェハＷの外縁部に形成される回路パターンの線幅がウェ
ハＷ中心部の線幅に近づくように設定又は補正される。
例えば，予め第２の回転速度Ｖ２と現像処理の線幅との
相関データやレジスト液の種類（レジスト膜の種類）に
おける第２の回転速度と線幅との相関データを収集し，
図示しない装置コントローラに格納しておく。そして，
この相関データを基に最も線幅が均一になる回転速度を
設定する。また，図示しない線幅検査装置で処理後のウ
ェハを検査し，その結果に基づいて，予め収集された相
関データから回転速度の補正幅を自動的に算出し，第２
の回転速度を補正する。図９は，発明者の実験によって
得られた第２の回転速度とウェハＷ上に形成される線幅
との関係を示すグラフであり，およそ１５００ｒｐｍ〜
３０００ｒｐｍの範囲で線幅のばらつきが小さいことが
確認できる。本実施の形態では，第２の回転速度Ｖ２と
して，例えば最も安定している２０００ｒｐｍが設定さ
れる。In step S3, as shown in FIG. 8, the developer discharge nozzle 80 is moved from the position P2 to the position P3 as described later.
The rotation speed of the wafer W in step S3 adjusts the development progress of the outer edge of the wafer W. Therefore, the second rotation speed V2 is set or corrected so that the line width of the circuit pattern finally formed on the outer edge of the wafer W approaches the line width of the central portion of the wafer W.
For example, correlation data between the second rotation speed V2 and the line width of the developing process and correlation data between the second rotation speed and the line width in the type of the resist solution (the type of the resist film) are collected in advance,
It is stored in a device controller (not shown). And
A rotation speed at which the line width is the most uniform is set based on the correlation data. Further, the processed wafer is inspected by a line width inspection apparatus (not shown), and based on the result, the correction width of the rotational speed is automatically calculated from the previously collected correlation data,
To correct the rotation speed. FIG. 9 is a graph showing the relationship between the second rotation speed and the line width formed on the wafer W obtained by the experiment of the inventor, and is approximately 1500 rpm to
It can be confirmed that the variation of the line width is small in the range of 3000 rpm. In the present embodiment, for example, the most stable 2000 rpm is set as the second rotation speed V2.

【００３８】一方，第１の回転速度Ｖ１は，現像液がウ
ェハＷの端部に衝突する際のインパクトを抑えるために
低速度であることが望ましく，例えば少なくとも第２の
回転速度と同じか，それより低い回転速度に設定する。
なお，第１の回転速度Ｖ１は，１５００ｒｐｍ以下であ
ることが好ましい。On the other hand, the first rotation speed V1 is desirably low in order to suppress the impact when the developer collides with the edge of the wafer W. For example, the first rotation speed V1 is at least the same as the second rotation speed. Set a lower rotation speed.
The first rotation speed V1 is preferably equal to or less than 1500 rpm.

【００３９】そして，上述したようにフォトリソグラフ
ィー工程が進行し，前処理であるクーリング処理が終了
すると，主搬送装置１３によってウェハＷが現像処理装
置１８内に搬入される。現像処理装置１８内に搬入され
たウェハＷは，スピンチャック６０上に吸着保持され，
ウェハＷの現像処理が開始される。Then, as described above, when the photolithography process proceeds and the cooling process, which is the pre-processing, is completed, the wafer W is carried into the developing device 18 by the main carrier device 13. The wafer W carried into the development processing device 18 is sucked and held on the spin chuck 60,
The development processing of the wafer W is started.

【００４０】図１０は，現像処理のフローチャートであ
る。以下，現像処理の各ステップを図８及び図１０に従
って説明する。現像処理が開始されると，先ず，待機部
６９に待機していた現像液吐出ノズル８０が，カップ６
７内であって，ウェハＷのＸ方向負方向側の端部付近の
位置Ｐ１まで移動する。位置Ｐ１は，現像液吐出ノズル
８０から吐出された現像液がウェハＷに掛からない位置
であり，例えば現像液吐出ノズル８０のＹ方向正方向側
の吐出口８７から吐出された現像液の落下点がウェハＷ
の端部から３ｍｍ以上離れた位置である。そして，現像
液吐出ノズル８０から現像液が吐出され始め，吐出状態
が安定するまで，いわゆる試し出しが行われる（ステッ
プＳ１）。このとき，ウェハＷは，第１の回転速度Ｖ１
と同じ，例えば１０００ｒｐｍに回転され始め，ウェハ
Ｗの回転が安定される。なお，現像液は，後述するステ
ップＳ５が終了するまで，一定の流量で吐出され続け
る。FIG. 10 is a flowchart of the developing process. Hereinafter, each step of the developing process will be described with reference to FIGS. When the developing process is started, first, the developing solution discharge nozzle 80 waiting in the standby
7, and moves to a position P1 near the end of the wafer W on the negative side in the X direction. The position P1 is a position where the developing solution discharged from the developing solution discharge nozzle 80 is not applied to the wafer W, for example, a drop point of the developing solution discharged from the discharging port 87 of the developing solution discharge nozzle 80 on the Y direction positive direction side. Is wafer W
3 mm or more away from the end of. Then, the so-called trial discharge is performed until the developing solution starts to be discharged from the developing solution discharge nozzle 80 and the discharging state is stabilized (step S1). At this time, the wafer W has the first rotation speed V1.
The rotation of the wafer W is stabilized, for example, at 1000 rpm. Note that the developer is continuously discharged at a constant flow rate until Step S5 described later is completed.

【００４１】次いで，現像液吐出ノズル８０は，Ｘ方向
正方向側に移動し，ウェハＷの端部上を通過して，ウェ
ハＷの上方の位置Ｐ２まで移動する（ステップＳ２）。
位置Ｐ２は，ウェハＷ半径の中心近傍の位置，例えば現
像液吐出ノズル８０のＹ方向負方向側の吐出口８７から
吐出される現像液の落下点がウェハＷ半径の中心から±
５ｍｍになる位置であり，現像液が直接ウェハＷの端部
に落下しない位置である。ステップＳ２では，ウェハＷ
は引き続き第１の回転速度Ｖ１である１０００ｒｐｍで
回転される。このように現像液吐出ノズル８０がウェハ
Ｗの端部上を通過する際のウェハＷの回転速度を，第２
の回転速度Ｖ２よりも低速度の１０００ｒｐｍにするこ
とによって，ウェハＷの端部に現像液が落下する際の衝
撃が緩和され，それに伴って現像液の飛散が抑制され
る。Next, the developing solution discharge nozzle 80 moves in the positive X direction, passes over the edge of the wafer W, and moves to a position P2 above the wafer W (step S2).
The position P2 is a position near the center of the radius of the wafer W, for example, the falling point of the developer discharged from the discharge port 87 on the negative side in the Y direction of the developer discharge nozzle 80 is ±± from the center of the radius of the wafer W.
This is a position at which the developing solution does not drop directly to the end of the wafer W. In step S2, the wafer W
Is continuously rotated at the first rotation speed V1 of 1000 rpm. As described above, the rotation speed of the wafer W when the developer discharge nozzle 80 passes over the end of the wafer W is set to the second speed.
By setting the rotation speed to 1000 rpm, which is lower than the rotation speed V2, the impact when the developer falls on the edge of the wafer W is reduced, and the scattering of the developer is suppressed accordingly.

【００４２】現像液吐出ノズル８０が位置Ｐ２に到達す
ると，ウェハＷの回転速度は第２の回転速度Ｖ２である
２０００ｒｐｍに上昇される。このとき，回転速度は，
高い加速度，例えば２００００ｒｐｍ／ｓで瞬時に上昇
される。一方，現像液吐出ノズル８０は，位置Ｐ２で停
止することなく引き続きＸ方向正方向側に移動し，現像
液吐出ノズル８０のＹ方向負方向側の吐出口８７から吐
出される現像液の落下点がウェハＷの中心部になる位置
Ｐ３で停止する（ステップＳ３）。ステップＳ２とステ
ップＳ３では，ウェハＷ上に現像液の薄い液膜が形成さ
れ，ウェハＷの現像が開始される。また，ステップＳ３
においては，ウェハＷが予め操作された２０００ｒｐｍ
で回転されるので，ウェハＷ外縁部の現像液の進度が調
節される。When the developing solution discharge nozzle 80 reaches the position P2, the rotation speed of the wafer W is increased to 2000 rpm which is the second rotation speed V2. At this time, the rotation speed is
It is instantaneously increased at a high acceleration, for example, 20,000 rpm / s. On the other hand, the developer discharge nozzle 80 continues to move in the positive X direction without stopping at the position P2, and the drop point of the developer discharged from the discharge port 87 of the developer discharge nozzle 80 on the negative Y direction side. Stops at a position P3 that is the center of the wafer W (step S3). In steps S2 and S3, a thin liquid film of the developing solution is formed on the wafer W, and development of the wafer W is started. Step S3
In the above, the wafer W was previously operated at 2000 rpm.
, The progress of the developer at the outer edge of the wafer W is adjusted.

【００４３】現像液吐出ノズル８０が位置Ｐ３まで到達
すると，現像液吐出ノズル８０の移動が一旦停止され，
所定時間，例えば１秒間経過後ウェハＷの回転速度が，
例えば２００ｒｐｍに減速される（ステップＳ４）。こ
のときの減速は，比較的緩やかな加速度，例えば１５０
０ｒｐｍ／ｓで行われる。これは，ウェハＷ上の現像液
の流れ変化が線幅に悪影響を与えるからである。ステッ
プＳ４では，ウェハＷ上により多くの現像液が滞留し，
ウェハＷ上により厚い現像液の液膜が形成される。When the developer discharge nozzle 80 reaches the position P3, the movement of the developer discharge nozzle 80 is temporarily stopped, and
After a predetermined time, for example, 1 second, the rotation speed of the wafer W becomes
For example, the speed is reduced to 200 rpm (step S4). The deceleration at this time is a relatively moderate acceleration, for example, 150
It is performed at 0 rpm / s. This is because a change in the flow of the developer on the wafer W adversely affects the line width. In step S4, more developer stays on the wafer W,
A liquid film of a thicker developer is formed on the wafer W.

【００４４】ウェハＷは，所定時間，例えば１．５秒
間，２００ｒｐｍで回転された後，例えば２０ｒｐｍに
減速される。このとき，現像液吐出ノズル８０が再びＸ
方向正方向側に移動し，ウェハＷ半径の中心部近傍の位
置Ｐ４まで移動する（ステップＳ５）。位置Ｐ４は，例
えばウェハＷ半径の中心部から±２０ｍｍの位置であ
る。ステップＳ５では，現像液吐出ノズル８０が移動し
ながら，低速回転のウェハＷに現像液が供給されるの
で，ウェハＷ上により厚く，偏りのない液膜が形成され
る。The wafer W is rotated at 200 rpm for a predetermined time, for example, 1.5 seconds, and then decelerated to, for example, 20 rpm. At this time, the developing solution discharge nozzle 80
The wafer W moves in the positive direction, and moves to a position P4 near the center of the radius of the wafer W (step S5). The position P4 is, for example, a position ± 20 mm from the center of the radius of the wafer W. In step S5, the developing solution is supplied to the wafer W rotating at a low speed while the developing solution discharge nozzle 80 moves, so that a thicker and more even liquid film is formed on the wafer W.

【００４５】現像液吐出ノズル８０は，ウェハＷの外方
の位置Ｐ４まで到達すると停止し，それと共に現像液の
吐出も終了する。その後，現像液吐出ノズル８０は，待
機部６９に戻され，洗浄される。When the developing solution discharge nozzle 80 reaches the position P4 outside the wafer W, it stops and the discharge of the developing solution ends at the same time. Thereafter, the developer discharge nozzle 80 is returned to the standby section 69 and is washed.

【００４６】また，現像液吐出ノズル８０が位置Ｐ４に
達した際には，排気が停止されると同時にウェハＷの回
転も停止され，ウェハＷが所定時間の静止現像に付され
る（ステップＳ６）。そして，前記所定時間が経過した
ところで，静止現像が終了し，一連の現像処理が終了す
る。When the developing solution discharge nozzle 80 reaches the position P4, the evacuation is stopped and the rotation of the wafer W is stopped at the same time, and the wafer W is subjected to static development for a predetermined time (step S6). ). Then, when the predetermined time elapses, the static development ends, and a series of development processing ends.

【００４７】現像処理が終了すると，再び排気が開始さ
れ，ウェハＷは，再び回転されて洗浄，乾燥処理に付さ
れる。その後，ウェハＷは，スピンチャック６０から主
搬送装置１３に受け渡され，現像処理装置１８から搬出
される。When the developing process is completed, the evacuation is started again, and the wafer W is again rotated and subjected to the cleaning and drying processes. Thereafter, the wafer W is transferred from the spin chuck 60 to the main transfer device 13 and unloaded from the development processing device 18.

【００４８】以上の実施の形態によれば，ステップＳ２
の第２の回転速度Ｖ２を，発明者の実験データに基づい
てウェハＷ外縁部の線幅がウェハＷ中心部と同じになる
ように操作したので，ウェハＷ外縁部の現像の進度（進
み具合）が調節され，ウェハＷ上に線幅の均一な回路パ
ターンを形成することが可能である。According to the above embodiment, step S2
Is operated so that the line width of the outer edge of the wafer W is the same as the center of the wafer W based on the experimental data of the inventor. Is adjusted, and a circuit pattern having a uniform line width can be formed on the wafer W.

【００４９】ステップＳ２における第１の回転速度Ｖ１
を，第２の回転速度Ｖ２よりも低速度の１０００ｒｐｍ
にしたので，現像液がウェハＷの端部に衝突したときの
当該現像液の飛散が抑制され，ミストの発生が低減され
る。これにより，当該ミストがウェハＷに付着して現像
欠陥等になることを防止できる。First rotation speed V1 in step S2
Is set to 1000 rpm, which is lower than the second rotation speed V2.
Therefore, scattering of the developing solution when the developing solution collides with the edge of the wafer W is suppressed, and generation of mist is reduced. Accordingly, it is possible to prevent the mist from adhering to the wafer W and causing a development defect or the like.

【００５０】以上の実施の形態では，ステップ２の回転
速度は１０００ｒｐｍに維持されていたが，現像液吐出
ノズル８０から吐出される現像液の落下点がウェハＷ端
部上を通過する際に，回転速度を１０００ｒｐｍ以下に
し，その後，現像液吐出ノズル８０が位置Ｐ２に移動す
るまでの間に１０００ｒｐｍに上昇させるようにしても
よい。このときの回転速度の加速度は，現像液吐出ノズ
ル８０の移動速度との関係から，所定の変化率ｒｐｍ／
ｍｍ（回転速度の加速度（ｒｐｍ／ｓ）／現像液吐出ノ
ズル８０の移動速度（ｍｍ／ｓ））になるように制御さ
れる。例えば変化率ｒｐｍ／ｍｍは，３０ｒｐｍ／ｍｍ
〜１００ｒｐｍ／ｍｍであることが好ましい。かかる場
合，現像液の落下点がウェハＷ端部を通過する際の回転
速度が低速になるので，現像液がウェハＷ端部に衝突す
る際の衝撃をさらに緩和できる。また，回転速度が所定
の変化率に制御されるので，ウェハＷ上の現像液の攪拌
の程度を制御することができ，これによってウェハＷ外
縁部の線幅制御性が向上する。In the above embodiment, the rotation speed in step 2 is maintained at 1000 rpm. However, when the falling point of the developing solution discharged from the developing solution discharging nozzle 80 passes over the edge of the wafer W, The rotation speed may be set to 1000 rpm or less, and then increased to 1000 rpm until the developer discharge nozzle 80 moves to the position P2. The acceleration of the rotation speed at this time is determined by a predetermined change rate rpm /
mm (acceleration of rotation speed (rpm / s) / movement speed of developer discharge nozzle 80 (mm / s)). For example, the rate of change rpm / mm is 30 rpm / mm
Preferably, it is １００100 rpm / mm. In such a case, the rotation speed when the drop point of the developer passes through the edge of the wafer W becomes low, so that the impact when the developer collides with the edge of the wafer W can be further reduced. Further, since the rotation speed is controlled to a predetermined rate of change, the degree of stirring of the developer on the wafer W can be controlled, thereby improving the line width controllability of the outer edge of the wafer W.

【００５１】以上の実施の形態では，予め測定しておい
た実験結果に基づいて第２の回転速度Ｖ２を操作した
が，例えば前ロットで処理されたウェハを検査し，当該
検査結果に基づいて第２の回転速度を操作するようにし
てもよい。例えばポジ型のフォトリソグラフィー工程で
は，図１１に示すようにウェハＷ外縁部の線幅は，第２
の回転速度Ｖ２が速いほど細くなることが確認されてい
る。これは，ウェハＷの回転により，ウェハＷの中心部
から外縁部に次々に新しい現像液が供給され，現像が促
進されるためと考えられる。In the above embodiment, the second rotation speed V2 is operated based on the experimental result measured in advance. For example, the wafer processed in the previous lot is inspected, and based on the inspection result, The second rotation speed may be operated. For example, in a positive photolithography process, as shown in FIG.
It has been confirmed that the smaller the rotation speed V2, the thinner. This is presumably because the rotation of the wafer W causes a new developer to be supplied from the center to the outer edge of the wafer W one after another, thereby promoting development.

【００５２】そして，例えば前ロットの第２の回転速度
が２０００ｒｐｍであり，何らかの原因でウェハＷ外縁
部の線幅がウェハＷの中心部に比べて太くなった場合に
は，第２の回転速度Ｖ２を上げて，例えば２５００ｒｐ
ｍに変更する。また逆に，ウェハＷ外縁部の線幅が細い
場合には，第２の回転速度Ｖ２を減少させ，１５００ｒ
ｐｍに変更する。こうすることにより，ウェハＷ外縁部
の線幅が適宜修正され，ウェハＷ面内のばらつきを軽減
することができる。For example, if the second rotation speed of the previous lot is 2000 rpm and the line width of the outer edge of the wafer W becomes larger than the center of the wafer W for some reason, the second rotation speed V2 is raised to, for example, 2500 rpm
Change to m. Conversely, when the line width of the outer edge portion of the wafer W is small, the second rotation speed V2 is reduced to 1500r
pm. By doing so, the line width of the outer edge portion of the wafer W is appropriately corrected, and the variation in the surface of the wafer W can be reduced.

【００５３】なお，第２の回転速度Ｖ２を１５００ｒｐ
ｍ以下にすると現像抑制効果が得られず，２５００ｒｐ
ｍ以上にするとミストが多量に発生することが，発明者
によって確認されている。したがって，第２の回転速度
Ｖ２の設定変更は，１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍの
範囲で行うことが望ましい。また，かかる第２の回転速
度Ｖ２の操作は，ロット毎に行わなくても，他のタイミ
ング，例えば定期的に行ったり，ウェハの処理枚数等を
基準に行ってもよい。The second rotation speed V2 is set at 1500 rpm
m or less, no development suppression effect can be obtained, and 2500 rpm
It has been confirmed by the inventor that a large amount of mist is generated when the distance is set to m or more. Therefore, it is desirable to change the setting of the second rotation speed V2 in the range of 1500 rpm to 2500 rpm. The operation of the second rotation speed V2 may not be performed for each lot, but may be performed at another timing, for example, periodically, or based on the number of processed wafers.

【００５４】また，以上の実施の形態では，ステップ３
の回転速度を操作していたが，他のステップＳ２，Ｓ
４，Ｓ５等の回転速度を操作してもよい。In the above embodiment, step 3
Was operated, but the other steps S2, S
The rotation speed such as 4, S5 may be operated.

【００５５】以上の実施の形態は，現像液吐出ノズル８
０をウェハＷの一端から他端に移動させることによっ
て，ウェハＷ上に現像液を供給する現像処理であった
が，本発明は，他の現像処理，例えば現像液吐出ノズル
がウェハＷ上で停止した状態で現像液を供給する現像処
理にも応用できる。In the above embodiment, the developer discharge nozzle 8
0 is moved from one end of the wafer W to the other end to supply a developing solution onto the wafer W. However, in the present invention, another developing process, for example, a developing solution discharging nozzle The present invention can also be applied to a developing process in which a developer is supplied in a stopped state.

【００５６】また，以上の実施の形態は，半導体ウェハ
デバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程にお
けるウェハの現像処理について適用したものであった
が，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基
板，フォトマスク用のマスクレチクル基板の現像処理に
おいても応用できる。Although the above embodiments have been applied to the development processing of a wafer in a photolithography step of a semiconductor wafer device manufacturing process, the present invention relates to a substrate other than a semiconductor wafer, such as an LCD substrate or a photomask. It can also be applied to the development processing of the mask reticle substrate.

【００５７】[0057]

【発明の効果】本発明によれば，基板外縁部に最終的に
形成される回路パターンの線幅と基板中心部に形成され
る線幅とを揃えることができるので，基板面内における
線幅を均一にすることができ，歩留まりが向上する。こ
れにより，同じ品質の製品をより多く生産することが可
能となり，生産性が向上する。According to the present invention, the line width of the circuit pattern finally formed on the outer edge portion of the substrate and the line width formed at the center portion of the substrate can be made equal to each other. Can be made uniform, and the yield is improved. As a result, it is possible to produce more products of the same quality, and the productivity is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】実施の形態にかかる現像処理方法が実施される
現像処理装置を有する塗布現像処理システムの構成の概
略を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing a configuration of a coating and developing processing system having a developing apparatus in which a developing method according to an embodiment is performed.

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system of FIG.

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system of FIG. 1;

【図４】現像処理装置の構成の概略を示した説明図であ
る。FIG. 4 is an explanatory view schematically showing a configuration of a developing apparatus.

【図５】図４の現像処理装置の構成を示した平面図であ
る。FIG. 5 is a plan view showing a configuration of the developing device of FIG. 4;

【図６】現像処理装置に用いられる現像液吐出ノズルを
示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a developing solution discharge nozzle used in the developing apparatus.

【図７】各ステップのウェハの回転速度を示す表であ
る。FIG. 7 is a table showing a wafer rotation speed in each step.

【図８】現像液吐出ノズルの位置におけるウェハの回転
速度を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a rotation speed of a wafer at a position of a developing solution discharge nozzle.

【図９】第２の回転速度を変更した場合のウェハ面内の
線幅の均一性を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing the uniformity of the line width in the wafer surface when the second rotation speed is changed.

【図１０】現像処理のフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart of a developing process.

【図１１】第２の回転速度とウェハ外縁部の線幅との関
係を示すグラフである。FIG. 11 is a graph showing a relationship between a second rotation speed and a line width of a wafer outer edge.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 塗布現像処理システム １８ 現像処理装置 ６０ スピンチャック ６４ 制御部 ８０ 現像液吐出ノズル ８７ 吐出口 Ｖ１ 第１の回転速度 Ｖ２ 第２の回転速度 Ｗ ウェハ Reference Signs List 1 coating / developing processing system 18 developing processing device 60 spin chuck 64 control unit 80 developer discharge nozzle 87 discharge port V1 first rotation speed V2 second rotation speed W wafer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 回転している基板に現像液を供給して，
基板を現像処理する現像処理方法であって，前記基板の
回転速度を操作することによって，前記基板の外縁部に
おける現像進度を調節することを特徴とする，現像処理
方法。1. A developing solution is supplied to a rotating substrate.
A developing method for developing a substrate, wherein a developing speed at an outer edge portion of the substrate is adjusted by controlling a rotation speed of the substrate. 【請求項２】 現像液吐出ノズルが現像液を吐出しなが
ら，基板の外方から当該基板の中央部上方まで移動する
吐出工程を有し，少なくとも前記吐出工程において，前
記基板は前記操作された回転速度で回転されることを特
徴とする，請求項１に記載の現像処理方法。2. A discharging step in which a developing solution discharging nozzle moves from outside of the substrate to above a central portion of the substrate while discharging the developing solution, and in at least the discharging step, the substrate is operated by the operation. 2. The development processing method according to claim 1, wherein the rotation is performed at a rotation speed. 【請求項３】 現像液吐出ノズルが現像液を吐出しなが
ら，基板の外方から当該基板の中央部上方まで移動する
吐出工程を有し，前記吐出工程において，前記現像液吐
出ノズルが前記基板の外方から当該基板の端部上を通過
し，少なくとも前記基板上まで移動する間は，前記基板
は第１の回転速度で回転され，その後，前記現像液吐出
ノズルが前記基板の中央部上方まで移動する間は，前記
基板は，前記操作された第２の回転速度で回転され，前
記第１の回転速度は，前記第２の回転速度と同じか，そ
れより遅い速度であることを特徴とする，請求項１に記
載の現像処理方法。3. A discharging step in which the developing solution discharging nozzle moves from outside of the substrate to above a central portion of the substrate while discharging the developing solution. The substrate is rotated at a first rotational speed while passing over the edge of the substrate from outside of the substrate and moving at least above the substrate. Thereafter, the developer discharge nozzle is moved above the central portion of the substrate. During the movement, the substrate is rotated at the operated second rotation speed, and the first rotation speed is equal to or lower than the second rotation speed. The development processing method according to claim 1, wherein 【請求項４】 前記第２の回転速度は，１５００ｒｐｍ
〜２５００ｒｐｍであることを特徴とする，請求項３に
記載の現像処理方法。4. The second rotation speed is 1500 rpm.
4. The developing method according to claim 3, wherein the rotation speed is 2500 rpm.