JP7498554B2 - システム、及び、方法 - Google Patents
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Description
Claims (18)
- 入力駆動信号を供給するように作動可能なプレアンプと、
前記入力駆動信号をゲート端子で受け取り、ドレイン端子に電流信号を生成するように作動可能なNMOSFETパワーデバイスと、
電流比較アンプであって、
前記NMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子に結合されたゲート端子を有し、前記電流信号に比例するレプリカ電流信号を生成するように作動可能なNMOSFETデバイスと、
前記レプリカ電流信号に応じてカレントミラー出力信号を生成し、前記カレントミラー出力信号と基準電流信号との差に応じて電流比較アンプ電圧出力信号を駆動するように作動可能なカレントミラーと、
を備える電流比較アンプと、
前記NMOSFETパワーデバイスのゲート端子と接続されたソース端子を備え、前記電流比較アンプ電圧出力信号に応答して、前記NMOSFETパワーデバイスのゲート端子の電圧を制限するように作動可能なPMOSFETクランプデバイスと、
を備えるシステム。 - 前記PMOSFETクランプデバイスが、予め定められた最大電流信号に対応して、前記NMOSFETパワーデバイスのゲート端子の電圧を制限するように作動可能である、
請求項1のシステム。 - 前記レプリカ電流信号は、前記電流信号に比例してスケールされた電流信号を含む、
請求項1のシステム。 - 前記電流比較アンプは、更に、前記基準電流信号を供給するように作動可能な基準電流源を備える、
請求項1のシステム。 - 前記プレアンプから第2入力駆動信号をゲート端子で受け取り、ドレイン端子に第2電流信号を生成するように作動可能なPMOSFETパワーデバイスと、
前記PMOSFETパワーデバイスのレプリカ第2電流信号と第2基準電流信号の差を含む第2差分信号を増幅して、第2電流比較アンプ電圧出力信号を駆動するように作動可能な第2電流比較アンプと、
前記PMOSFETパワーデバイスのゲート端子と接続されたソース端子を備え、前記第2電流比較アンプ電圧出力信号に応答して、前記PMOSFETパワーデバイスのゲート端子における第2電圧を制限するように作動可能なNMOSFETクランプデバイスと、
を更に備える請求項1のシステム。 - 前記NMOSFETクランプデバイスが、予め定められた最小第2電流信号に対応して、PMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子の電圧を制限するように作動可能な、
請求項5のシステム。 - 前記第2電流比較アンプは、前記レプリカ第2電流信号を生成するように作動可能な第2レプリカ負荷電流センサーを備え、前記レプリカ第2電流信号は、前記第2電流信号に比例してスケールされた電流信号を含む、
請求項5のシステム。 - 前記第2電流比較アンプは、前記第2基準電流信号を供給するように作動可能な第2基準電流源を備える、
請求項5のシステム。 - 入力駆動信号を供給するように作動可能なプレアンプと、
前記入力駆動信号をゲート端子で受け取り、ドレイン端子に電流信号を生成するように作動可能なPMOSFETパワーデバイスと、
電流比較アンプであって、
前記PMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子に結合されたゲート端子を有し、前記電流信号に比例するレプリカ電流信号を生成するように作動可能なPMOSFETデバイスと、
前記レプリカ電流信号に応じてカレントミラー出力信号を生成し、前記カレントミラー出力信号と基準電流信号との差に応じて電流比較アンプ電圧出力信号を駆動するように作動可能なカレントミラーと、
を備える電流比較アンプと、
前記PMOSFETパワーデバイスのゲート端子と接続されたソース端子を備え、前記電流比較アンプ電圧出力信号に応答して、前記PMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子の電圧を制限するように作動可能なNMOSFETクランプデバイスと、
を備えるシステム。 - 前記NMOSFETクランプデバイスは、予め定められた最小電流信号に対応して、前記PMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子の電圧を制限するように作動可能な、
請求項9のシステム。 - 前記レプリカ電流信号は、前記電流信号に比例するようにスケールされた電流信号を含む、
請求項9のシステム。 - 前記電流比較アンプは、前記基準電流信号を供給するように作動可能な基準電流源を備える、
請求項9のシステム。 - プレアンプによって、入力駆動電流をNMOSFETパワーデバイスのゲート端子に供給し、
前記NMOSFETパワーデバイスのドレイン端子で生成された電流信号を受信し、
前記NMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子に結合されたゲート端子を有するNMOSFETデバイスによって前記電流信号に比例するレプリカ電流信号を生成し、
カレントミラーによって、前記レプリカ電流信号に応じてカレントミラー出力信号を生成し、
前記レプリカ電流信号と基準電流信号の差を含む差分信号を増幅して、電流比較アンプ電圧出力信号を駆動し、
前記電流比較アンプ電圧出力信号に応答して、PMOSFETクランプデバイスにより前記NMOSFETパワーデバイスのゲート端子の電圧を制限する、
方法。 - 前記制限することは、予め定められた最大電流信号に対応して、前記NMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子の電圧を制限することを含む、
請求項13の方法。 - 前記レプリカ電流信号は、前記電流信号と比例してスケールされた電流信号を含む、
請求項13の方法。 - 基準電流源により前記基準電流信号を生成することを更に含む、
請求項13の方法。 - 前記プレアンプによって第2入力駆動信号をPMOSFETパワーデバイスに供給し、
第2電流信号を前記PMOSFETパワーデバイスから受信し、
前記第2電流信号のレプリカ第2電流信号を生成し、
前記レプリカ第2電流信号と第2基準電流信号の差を含む第2差分信号を増幅して、第2比較アンプ電圧出力信号を駆動し、
前記第2比較アンプ電圧出力信号に応答して、NMOSFETクランプデバイスにより、前記PMOSFETパワーデバイスのゲート端子の電圧を制限する、
ことを更に含む、
請求項13の方法。 - 前記制限することは、予め定められた最小第2電流信号に対応して、前記PMOSFETパワーデバイスの前記ゲート端子の電圧を制限することを含む、
請求項17の方法。
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