JP7495819B2 - 保持装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、保持装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法に関する。

原版（レチクル又はマスク）を照明光学系で照明し、原版のパターンを投影光学系を介して基板（ウエハ）に投影する露光装置が従来から用いられている。露光装置に用いられる基板保持装置（ステージ）においては、近年の基板のサイズの大型化に伴って基板吸着用の系統数が増加する傾向にあり、基板の反り（形状）への対策として基板をエリアごとに吸着する分割吸着方式が採用されている。

基板保持装置は、一般的に、基板吸着用に真空エア及び真空発生装置で生成した真空エアを用いている場合が多い（特許文献１及び２参照）。この場合、真空エアや真空発生装置への圧縮エアは、吸着制御部から基板吸着部又は真空発生装置に供給され、吸着制御部内の供給弁で真空エアや圧縮エアの供給又は停止を行うことで基板吸着部に載置された基板に対する真空吸着又は真空開放の制御が行われる。

実開平５－３９７９８号公報 特開平１１－３４０３０５号公報

しかしながら、従来技術では、基板に対する真空吸着を開放する際に、吸着制御部で真空エアや圧縮エアの供給を停止しても、ステージと吸着制御部との間のチューブに残存する真空エアや圧縮エアが基板吸着部に供給され続ける。このため、基板吸着部での真空開放に時間を要し、生産性を低下させる要因となる。また、真空開放に要する時間を短くするために各分割吸着系統に大気開放弁を設けることも考えられるが、大気開放弁の増加によるステージ及び配管ユニットの大型化やコスト増大が課題となる。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、物体を真空吸着する吸着部での真空開放に要する時間を短縮して生産性を向上するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての保持装置は、物体を保持する保持装置であって、前記物体を真空吸着するための吸着部と、前記吸着部に接続する複数の第１ラインのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１ラインを介して前記吸着部に供給される減圧された気体を生成する複数の生成部と、前記複数の生成部のそれぞれに接続する複数の第２ラインを介して、前記複数の生成部に圧縮エアを供給するポンプと、前記複数の第２ラインのそれぞれに接続する複数の接続ラインと、前記複数の接続ラインを統合する統合ラインとを含む第３ラインと、前記統合ラインに設けられ、前記統合ラインの開閉を制御する制御弁と、前記複数の接続ラインのそれぞれに設けられ、前記複数の第２ラインのうちの１つのラインに存在する前記圧縮エアが前記第３ラインを介して前記複数の第２ラインのうちの他のラインに流入することを抑制する複数の逆止弁と、を有することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、物体を真空吸着する吸着部での真空開放に要する時間を短縮して生産性を向上するのに有利な技術を提供することができる。

本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。 吸着部の具体的な構成の一例を示す図である。 第１実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第１実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第１実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第２実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第２実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第２実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第３実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第３実施形態における保持装置の構成を示す図である。 第３実施形態における保持装置の構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。更に、添付図面においては、同一もしくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、半導体デバイスや液晶表示素子の製造工程であるリソグラフィ工程に採用され、原版を用いて基板にパターンを形成するリソグラフィ装置である。露光装置１００は、原版であるレチクル（マスク）Ｒを介して基板Ｗを露光して、レチクルＲのパターンを基板Ｗに転写する露光処理を行う。露光装置１００には、ステップ・アンド・スキャン方式、ステップ・アンド・リピート方式、その他の露光方式を採用することができる。なお、本明細書及び添付図面では、基板Ｗの表面に平行な方向をＸＹ平面となるＸＹＺ座標系で方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれに平行な方向をＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向とする。

露光装置１００は、光源１１０からの光でレチクルＲを照明する照明光学系１２０と、レチクルＲに形成されたパターンを基板Ｗに投影する投影光学系１３０と、物体としての基板Ｗを保持する保持装置２００と、制御部１５０と、を有する。

光源１１０は、波長約３６５ｎｍの水銀ランプや波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザなどのエキシマレーザなどを含み、複数の波長帯域の光を露光光として射出（出力）する。

照明光学系１２０は、遮光板１２１と、ハーフミラー１２２と、フォトセンサ１２３と、ミラー１２４と、整形光学系（不図示）と、オプティカルインテグレータ（不図示）と、を含む。光源１１０から射出された光は、整形光学系を介して所定の形状に整形され、オプティカルインテグレータに入射する。オプティカルインテグレータは、レチクルＲを均一な照度分布で照明するための多数の２次光源を形成する。レチクルＲは、その表面に、基板Ｗに転写すべきパターン（例えば、デバイスの回路パターン）が形成されている。遮光板１２１は、照明光学系１２０の光路上に配置され、レチクル上に任意の照明領域を規定（形成）する。ハーフミラー１２２は、照明光学系１２０の光路上に配置され、レチクルＲを照明する露光光の一部を反射する（取り出す）。フォトセンサ１２３は、ハーフミラー１２２で反射される光の光路上に配置され、制御部１５０に対して、露光光の強度（露光エネルギー）に対応した信号を出力する。制御部１５０は、フォトセンサ１２３から出力される信号に基づいて、遮光板１２１などを制御する。

投影光学系１３０は、屈折光学系又はカタディオプトリック光学系などであって、レチクルＲのパターンを倍率β（例えば、β＝１／２）で縮小し、レジスト（感光剤）が塗布された基板Ｗ（のショット領域）に投影（結像）する。投影光学系１３０は、例えば、光学素子１３１と、開口絞り１３２と、を含む。第１駆動部１０１は、制御部１５０の制御下において、投影光学系１３０の光軸に沿った方向（Ｚ軸方向）に光学素子１３１を駆動する（移動させる）。光学素子１３１を駆動することで、投影光学系１３０の諸収差の増大を抑制しながら、投影倍率を良好に維持し、歪曲誤差を低減することができる。開口絞り１３２は、投影光学系１３０の瞳面（レチクルＲに対するフーリエ変換面）に配置される。開口絞り１３２は、円形状の開口を有する。第２駆動部１０２は、制御部１５０の制御下において、開口絞り１３２の開口の直径を調整（制御）する。

保持装置２００は、ステージ１４０と、吸着部１６０と、吸着制御部１７０とを含み、本実施形態では、基板Ｗを保持する保持機構として具現化される。

ステージ１４０は、吸着部１６０を支持して移動可能なステージである。ステージ１４０は、第３駆動部１０３によって、６自由度に関して制御され、基板Ｗを位置決めする。ここで、６自由度は、ＸＹＺ座標系の各軸に沿った並進自由度と、各軸の周りの回転自由度とを含む。

ＸＹ平面におけるステージ１４０の位置は、ステージ１４０に固定されたミラー１４１までの距離をレーザ干渉計１４２で計測することで得られる。ステージ１４０と基板Ｗとの位置関係は、アライメント計測系１０４で計測される。

基板Ｗのフォーカスずれは、投光光学系１０５と検出光学系１０６とを含むフォーカス計測系ＦＭで計測される。投光光学系１０５は、基板Ｗに塗布されたレジストを感光させない光を投光する。検出光学系１０６は、基板Ｗで反射された光を検出する。検出光学系１０６には、基板Ｗで反射された光に対応させて複数の受光素子が配置されている。複数の受光素子の各受光面は、結像光学系を介して、基板Ｗで反射される光の各反射点と略共役となるように構成されている。従って、基板Ｗのフォーカスずれは、検出光学系１０６において、受光素子（受光面）に入射する光の位置ずれとして計測される。

吸着部１６０は、ステージ１４０に支持されている。吸着部１６０は、吸着制御部１７０の制御下において、基板Ｗを真空吸着する（保持する）。なお、本実施形態では、吸着制御部１７０が制御部１５０とは別に設けられているが、これに限定されるものではない。例えば、制御部１５０が吸着制御部１７０の機能を有していてもよい。

制御部１５０は、ＣＰＵやメモリなどを含む情報処理装置（コンピュータ）で構成され、記憶部１５２に記憶されたプログラムに従って、露光装置１００の全体を制御する。制御部１５０は、露光装置１００の各部を制御して、基板を露光して基板上の各ショット領域にレチクルＲのパターンを転写する露光処理や露光処理に関連する各種の処理を行う。

図２を参照して、吸着部１６０の具体的な構成を説明する。吸着部１６０は、図２に示すように、境界２１、２２及び２３で区分（分割）された吸着領域１１、１２及び１３を含む。また、吸着部１６０には、吸着領域１１、１２及び１３のエアを排出することで基板Ｗを真空吸着する吸着孔３１、３２及び３３と、ピン昇降孔４１、４２及び４３とが吸着部１６０を貫通して（即ち、貫通孔として）設けられている。ピン昇降孔４１乃至４３は、吸着部１６０と基板搬送ハンド（不図示）との間で基板Ｗの搬送（受け渡し）をする際に、昇降ピン（不図示）を昇降させるための開口である。基板搬送ハンドは、ピン昇降孔４１乃至４３から上昇した昇降ピンに基板Ｗを載置する。そして、基板搬送ハンドが退避してから、昇降ピンを下降させることで基板Ｗが吸着部１６０の上に載置される。

以下、保持装置２００の具体的な構成や機能について、各実施形態で説明する。

＜第１実施形態＞
図３及び図４は、第１実施形態における保持装置２００Ａの構成、特に、保持装置２００Ａの配管の一例を示す図である。保持装置２００Ａは、保持装置２００として露光装置１００に組み込まれ、基板Ｗを保持する保持機構である。

図３は、保持装置２００Ａが基板Ｗを保持している、即ち、吸着部１６０が基板Ｗを真空吸着しているときの状態を示している。吸着部１６０の吸着領域１１乃至１３のそれぞれには、基板Ｗを真空吸着する際に基板Ｗを支持する多数の小突起部が設けられている。

吸着部１６０に設けられた複数の吸着孔３１、３２及び３３のそれぞれは、吸着孔３１、３２及び３３のそれぞれ（吸着部１６０）に接続する複数の第１ラインＬ１を介して、複数の真空生成部Ｅ１、Ｅ２及びＥ３に接続されている。真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３は、本実施形態では、第１ラインＬ１のそれぞれに対応して設けられ、第１ラインＬ１を介して吸着部１６０（吸着孔３１乃至３３）に供給される真空エアを生成する真空生成装置である。真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれは、本実施形態では、エジェクタで構成されている。

複数の真空生成部Ｅ１、Ｅ２及びＥ３には、複数の第２ラインＬ２が接続され、かかる複数の第２ラインＬ２を介して、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３は、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３に圧縮エアを供給する圧縮エアポンプ１７３に接続されている。また、複数の第２ラインＬ２のそれぞれにおいて、複数の真空生成部Ｅ１、Ｅ２及びＥ３のそれぞれと圧縮エアポンプ１７３との間には、電磁弁をそれぞれ含む複数のエアオペレートバルブＡＶ１、ＡＶ２及びＡＶ３が設けられている。エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３は、電磁弁で第２ラインＬ２を開閉することによって、圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３への圧縮ガスの供給、及び、かかる圧縮ガスの供給の停止を制御するためのバルブである。エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３は、本実施形態では、分岐用のマニホールド１７１を介して、圧縮エアポンプ１７３に接続されている。

複数の第２ラインＬ２において、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３のそれぞれとの間には、複数の第２ラインＬ２のそれぞれから分岐する分岐路として第３ラインＬ３が接続されている。第３ラインＬ３は、複数の第２ラインＬ２のそれぞれに接続する複数の接続ラインＣＬと、かかる複数の接続ラインＣＬを統合する統合ラインＭＬとを含む。また、統合ラインＭＬには、統合ラインＭＬを開閉することによって、複数の接続ラインＣＬを介して複数の第２ラインＬ２の大気開放を制御する制御弁として、電磁弁７０１が設けられている。更に、複数の接続ラインＣＬのそれぞれには、複数の第２ラインＬ２のうち、１つのラインに存在する圧縮エアが第３ラインＬ３を介して他のラインに流入することを抑制（防止）する複数の逆止弁ＣＶ１、ＣＶ２及びＣＶ３が設けられている。

基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、複数のラインＬ２を開くように、エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３（電磁弁）をＯＰＥＮ状態に制御する。圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３に供給された圧縮エアを真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれからステージ１４０の内部に排出することで、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれで真空エアが生成される。真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれで生成された真空エアは、第１ラインＬ１を介して、吸着孔３１乃至３３のそれぞれに供給され、吸着部１６０で基板Ｗが真空吸着される。

真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３とエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３との間には、上述したように、本実施形態では排気ポートとして機能する電磁弁７０１に接続する第３ラインＬ３（分岐路）が設けられている。基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬ（第３ラインＬ３）を閉じるように、電磁弁７０１をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、複数の第２ラインＬ２から第３ラインＬ３に流入した（流れ込んだ）圧縮エアが封止される。また、第３ラインＬ３に流入した圧縮エアが電磁弁７０１を介して第２ラインＬ２に戻ること（即ち、他の排出口に繋がる系統への回り込み）は、接続ラインＣＬに設けられた逆止弁ＣＶ１乃至ＣＶ３によって防止されている。

図４は、保持装置２００Ａが基板Ｗを保持していない、即ち、吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除して、例えば、基板Ｗを搬送しているときの状態を示している。吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除する場合、吸着制御部１７０は、複数の第２ラインＬ２を閉じるように、エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３（電磁弁）をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３への圧縮エアの供給が停止される。同時に、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬを開けるように、排気ポートとなる電磁弁７０１をＯＰＥＮ状態に制御する。これにより、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３のそれぞれとの間の第２ラインＬ２に残存している圧縮エアは、電磁弁７０１に繋がる第３ラインＬ３から電磁弁７０１に流れ込み、電磁弁７０１から排出される。従って、圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３への圧縮エアの供給が即座に停止され、吸着部１６０での真空開放に要する時間を短縮することができる。このため、本実施形態の保持装置２００Ａを有する露光装置１００によれば、基板Ｗの受け渡しに要する時間が短縮され、生産性（スループット）の向上に有利となる。

なお、本実施形態では、吸着制御部１７０は、複数の第２ラインＬ２の開閉をまとめて制御する、即ち、複数のエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３の状態が全て同じ状態となるように制御しているが、これに限定されるものではない。例えば、吸着制御部１７０は、図５に示すように、複数の第２ラインＬ２のそれぞれの開閉が独立して制御されるように、複数のエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３の状態を個別に制御してもよい。図５は、エアオペレートバルブＡＶ１のみをＯＰＥＮ状態に制御して真空生成部Ｅ１のみに圧縮エアを供給し、吸着部１６０に設けられた吸着孔３１のみで基板Ｗを真空吸着している状態を示している。

＜第２実施形態＞
図６及び図７は、第２実施形態における保持装置２００Ｂの構成、特に、保持装置２００Ｂの配管の一例を示す図である。保持装置２００Ｂは、保持装置２００として露光装置１００に組み込まれ、基板Ｗを保持する保持機構である。

図６は、保持装置２００Ｂが基板Ｗを保持している、即ち、吸着部１６０が基板Ｗを真空吸着しているときの状態を示している。複数の第１ラインＬ１において、吸着部１６０に設けられた吸着孔３１乃至３３のそれぞれと真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとの間には、複数の第１ラインＬ１のそれぞれから分岐する分岐路として第３ラインＬ３が接続されている。第３ラインＬ３は、複数の第１ラインＬ１のそれぞれに接続する複数の接続ラインＣＬと、かかる複数の接続ラインＣＬを統合する統合ラインＭＬとを含む。また、統合ラインＭＬには、統合ラインＭＬを開閉することによって、複数の接続ラインＣＬを介して複数の第１ラインＬ１の大気開放を制御する制御弁として、電磁弁８０１が設けられている。更に、複数の接続ラインＣＬのそれぞれには、複数の第１ラインＬ１のうち、１つのラインに存在する真空エアが第３ラインＬ３を介して他のラインに流入することを抑制（防止）する複数の逆止弁ＣＶ１、ＣＶ２及びＣＶ３が設けられている。

基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、複数の第２ラインＬ２を開くように、エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３（電磁弁）をＯＰＥＮ状態に制御する。圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３に供給された圧縮エアを真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれからステージ１４０の内部に排出することで、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれで真空エアが生成される。真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれで生成された真空エアは、第１ラインＬ１を介して、吸着孔３１乃至３３のそれぞれに供給され、吸着部１６０で基板Ｗが真空吸着される。

吸着部１６０に設けられた吸着孔３１乃至３３と真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３との間には、上述したように、本実施形態では大気開放ポートとして機能する電磁弁８０１に接続する第３ラインＬ３（分岐路）が設けられている。基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬ（第３ラインＬ３）を閉じるように、電磁弁８０１をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、複数の第１ラインＬ１から第３ラインＬ３に流入した（流れ込んだ）真空エアが封止される。また、第３ラインＬ３に流入した真空エアが電磁弁８０１を介して第１ラインＬ１に戻ること（即ち、他の排出口に繋がる系統への回り込み）は、接続ラインＣＬに設けられた逆止弁ＣＶ１乃至ＣＶ３によって防止されている。

図７は、保持装置２００Ｂが基板Ｗを保持していない、即ち、吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除して、例えば、基板Ｗを搬送しているときの状態を示している。吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除する場合、吸着制御部１７０は、複数の第２ラインＬ２を閉じるように、エアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３（電磁弁）をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、圧縮エアポンプ１７３から真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３への圧縮エアの供給が停止される。同時に、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬを開けるように、大気開放ポートとなる電磁弁８０１をＯＰＥＮ状態に制御する。これにより、電磁弁８０１から、第３ラインＬ３を介して、吸着孔３１乃至３３のそれぞれと真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとの間の複数の第１ラインＬ１に大気が入り込む。一方、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３のそれぞれとの間の複数の第２ラインＬ２に残存している圧縮エアは、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれからステージ１４０の内部に排出される。このため、吸着孔３１乃至３３のそれぞれと真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとの間の複数の第１ラインＬ１には、一時的に（即ち、第２ラインＬ２に残存している圧縮エアが排出されるまでは）、真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３から真空エアが供給される。但し、吸着孔３１乃至３３のそれぞれと真空生成部Ｅ１乃至Ｅ３のそれぞれとの間の複数の第１ラインＬ１には、第３ラインＬ３から大気も入り込んでいるため、複数の第１ラインＬ１における真空状態を大気開放することができる。従って、吸着部１６０での真空開放に要する時間を短縮することができる。このため、本実施形態の保持装置２００Ｂを有する露光装置１００によれば、基板Ｗの受け渡しに要する時間が短縮され、生産性（スループット）の向上に有利となる。

なお、本実施形態では、吸着制御部１７０は、複数の第２ラインＬ２の開閉をまとめて制御する、即ち、複数のエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３の状態が全て同じ状態となるように制御しているが、これに限定されるものではない。例えば、吸着制御部１７０は、図８に示すように、複数の第２ラインＬ２のそれぞれの開閉が独立して制御されるように、複数のエアオペレートバルブＡＶ１乃至ＡＶ３の状態を個別に制御してもよい。図８は、エアオペレートバルブＡＶ１のみをＯＰＥＮ状態に制御して真空生成部Ｅ１のみに圧縮エアを供給し、吸着部１６０に設けられた吸着孔３１のみで基板Ｗを真空吸着している状態を示している。

＜第３実施形態＞
図９及び図１０は、第３実施形態における保持装置２００Ｃの構成、特に、保持装置２００Ｃの配管の一例を示す図である。保持装置２００Ｃは、保持装置２００として露光装置１００に組み込まれ、基板Ｗを保持する保持機構である。

図９は、保持装置２００Ｃが基板Ｗを保持している、即ち、吸着部１６０が基板Ｗを真空吸着しているときの状態を示している。吸着部１６０に設けられた複数の吸着孔３１、３２及び３３のそれぞれは、吸着孔３１、３２及び３３のそれぞれ（吸着部１６０）に接続する複数の第１ラインＬ１を介して、真空ポンプ２７３に接続されている。真空ポンプ２７３は、複数の第１ラインＬ１を排気して複数の吸着孔３１乃至３３のそれぞれ（吸着部１６０）に供給される真空エアを生成する。複数の第１ラインＬ１のそれぞれにおいて、吸着部１６０と真空ポンプ２７３との間には、複数の電磁弁ＳＶ１、ＳＶ２及びＳＶ３が設けられている。電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３は、複数の第１ラインＬ１のそれぞれを開閉することによって、真空ポンプ２７３による複数の第１ラインＬ１の排気、及び、真空ポンプ２７３による複数の第１ラインＬ１の排気の停止を制御するための弁である。電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３は、本実施形態では、３つ以上のポートを含み、分岐用のマニホールド１７１を介して、真空ポンプ２７３に接続されている。

複数の第１ラインＬ１において、吸着部１６０に設けられた吸着孔３１乃至３３のそれぞれと電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３のそれぞれとの間には、複数の第１ラインＬ１のそれぞれから分岐する分岐路として第２ラインＬ２２が接続されている。第２ラインＬ２２は、複数の第１ラインＬ１のそれぞれに接続する複数の接続ラインＣＬ１と、かかる複数の接続ラインＣＬ１を統合する統合ラインＭＬ１とを含む。また、統合ラインＭＬ１には、統合ラインＭＬ１を開閉することによって、複数の接続ラインＣＬ１を介して複数の第１ラインＬ１の大気開放を制御する制御弁として、電磁弁８０１が設けられている。更に、複数の接続ラインＣＬ１のそれぞれには、複数の第１ラインＬ１のうち、１つのラインに存在する真空エアが第２ラインＬ２２を介して他のラインに流入することを抑制（防止）する複数の逆止弁ＣＶ１、ＣＶ２及びＣＶ３が設けられている。

基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、複数の第１ラインＬ１を開くように、電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３をＯＰＥＮ状態に制御する。吸着部１６０に設けられた吸着孔３１乃至３３と電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３との間には、上述したように、本実施形態では大気開放ポートとして機能する電磁弁８０１に接続する第３ラインＬ３（分岐路）が設けられている。基板Ｗを吸着部１６０で真空吸着する場合、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬ１（第２ラインＬ２２）を閉じるように、電磁弁８０１をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、複数の第１ラインＬ１から第２ラインＬ２２に流入した（流れ込んだ）真空エアが封止される。また、第２ラインＬ２２に流入した真空エアが電磁弁８０１を介して第１ラインＬ１に戻ること（即ち、他の排出口に繋がる系統への回り込み）は、接続ラインＣＬ１に設けられた逆止弁ＣＶ１乃至ＣＶ３によって防止されている。従って、第１ラインＬ１を介して、真空エアが吸着孔３１乃至３３のそれぞれに供給され、吸着部１６０で基板Ｗが真空吸着される。

図１０は、保持装置２００Ｃが基板Ｗを保持していない、即ち、吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除して、例えば、基板Ｗを搬送しているときの状態を示している。吸着部１６０による基板Ｗの真空吸着を解除する場合、吸着制御部１７０は、複数の第１ラインＬ１を閉じるように、電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３をＣＬＯＳＥ状態に制御する。これにより、真空ポンプ２７３から吸着孔３１乃至３３の真空エアの供給が停止される。更に、電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３の別のポートから大気が入り込むことで、吸着孔３１乃至３３と電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３との間の複数の第１ラインＬ１が真空状態から大気開放される。同時に、吸着制御部１７０は、統合ラインＭＬ１を開けるように、大気開放ポートとなる電磁弁８０１をＯＰＥＮ状態に制御する。これにより、電磁弁８０１から、第２ラインＬ２２を介して、吸着孔３１乃至３３のそれぞれと電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３のそれぞれとの間の複数の第１ラインＬ１に大気が入り込む。電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３から入り込む大気に加えて、第２ラインＬ２２からも大気が入り込むことで、吸着部１６０での真空開放に要する時間を短縮することができる。このため、本実施形態の保持装置２００Ｃを有する露光装置１００によれば、基板Ｗの受け渡しに要する時間が短縮され、生産性（スループット）の向上に有利となる。

なお、本実施形態では、吸着制御部１７０は、複数の第１ラインＬ１の開閉をまとめて制御する、即ち、複数の電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３の状態が全て同じ状態となるように制御しているが、これに限定されるものではない。例えば、吸着制御部１７０は、図１１に示すように、複数の第１ラインＬ１のそれぞれの開閉が独立して制御されるように、複数の電磁弁ＳＶ１乃至ＳＶ３の状態を個別に制御してもよい。図１１は、電磁弁ＳＶ１のみをＯＰＥＮ状態に制御して、吸着部１６０に設けられた吸着孔３１のみで基板Ｗを真空吸着している状態を示している。

上述した実施形態では、吸着部１６０は、１つの吸着部材、具体的には、基板Ｗが載置されて基板Ｗを真空吸着する吸着部材（所謂、チャック）で構成され、かかる吸着部材に、複数のラインＬ１のそれぞれと接続する複数の吸着孔３１乃至３３が設けられている。但し、吸着部１６０は、複数の吸着部材で構成されていてもよい。この場合、吸着部材のそれぞれには、複数のラインＬ１のそれぞれと接続する複数の吸着孔３１乃至３３が設けられていてもよいし、複数のラインＬ１のうちの少なくとも１つのラインと接続する吸着孔が設けられていてもよい。

本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１００を用いて、基板にパターンを形成する工程と、パターンが形成された基板を処理する工程と、処理された基板から物品を製造する工程とを含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

なお、本発明は、リソグラフィ装置を露光装置に限定するものではなく、例えば、インプリント装置にも適用することができる。インプリント装置は、基板上に供給（配置）されたインプリント材と型（原版）とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型のパターンが転写された硬化物のパターンを形成する。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：露光装置 １４０：ステージ １６０：吸着部 １７０：吸着制御部 １７３：圧縮エアポンプ ２００：保持装置 ７０１：電磁弁 Ｗ：基板 Ｌ１：第１ライン Ｌ２：第２ライン Ｌ３：第３ライン ＣＬ：接続ライン ＭＬ：統合ライン Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３：真空生成部 ＣＶ１、ＣＶ２、ＣＶ３：逆止弁

Claims (10)

1. 物体を保持する保持装置であって、
   前記物体を真空吸着するための吸着部と、
   前記吸着部に接続する複数の第１ラインのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１ラインを介して前記吸着部に供給される減圧された気体を生成する複数の生成部と、
   前記複数の生成部のそれぞれに接続する複数の第２ラインを介して、前記複数の生成部に圧縮エアを供給するポンプと、
   前記複数の第２ラインのそれぞれに接続する複数の接続ラインと、前記複数の接続ラインを統合する統合ラインとを含む第３ラインと、
   前記統合ラインに設けられ、前記統合ラインの開閉を制御する制御弁と、
   前記複数の接続ラインのそれぞれに設けられ、前記複数の第２ラインのうちの１つのラインに存在する前記圧縮エアが前記第３ラインを介して前記複数の第２ラインのうちの他のラインに流入することを抑制する複数の逆止弁と、
   を有することを特徴とする保持装置。
2. 前記複数の生成部のそれぞれと前記ポンプとの間に設けられ、前記複数の第２ラインのそれぞれを開閉することによって、前記ポンプから前記複数の生成部への前記圧縮エアの供給、及び、前記ポンプから前記複数の生成部への前記圧縮エアの供給の停止を制御する複数のバルブを更に有することを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
3. 前記制御弁及び前記複数のバルブを制御する制御部を更に有し、
   前記制御部は、
   前記物体を前記吸着部で真空吸着する場合には、前記統合ラインを閉じて前記複数の第２ラインを開くように、前記制御弁及び前記複数のバルブを制御し、
   前記吸着部による前記物体の真空吸着を解除する場合には、前記統合ラインを開けて前記複数の第２ラインを閉じるように、前記制御弁及び前記複数のバルブを制御することを特徴とする請求項２に記載の保持装置。
4. 前記制御部は、前記複数の第２ラインのそれぞれの開閉が独立して制御されるように、前記複数のバルブを個別に制御することを特徴とする請求項３に記載の保持装置。
5. 前記複数の生成部のそれぞれは、前記ポンプから供給された前記圧縮エアを排出することで前記減圧された気体を生成するエジェクタを含むことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の保持装置。
6. 前記吸着部は、前記物体が載置されて前記物体を真空吸着する吸着部材を含み、
   前記吸着部材には、前記複数の第１ラインのそれぞれと接続する複数の吸着孔が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の保持装置。
7. 前記吸着部は、前記物体がそれぞれ載置されて前記物体をそれぞれ真空吸着する複数の吸着部材を含み、
   前記複数の吸着部材のそれぞれには、前記複数の第１ラインのうちの少なくとも１つのラインと接続する吸着孔が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の保持装置。
8. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
   前記基板を物体として保持する請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の保持装置を有することを特徴とするリソグラフィ装置。
9. 前記保持装置に保持された前記基板に原版のパターンを投影する投影光学系を有することを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
10. 請求項８又は９に記載のリソグラフィ装置を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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