JP7492820B2 - 有機el素子、有機el表示パネル、および、有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示の目的は、材料劣化の促進を防止することができる有機EL素子を提供することである。
有機EL素子を発光素子として使用するためには、発光の始状態となる励起子の生成が不可欠である。したがって、従来、正孔輸送層から発光層への正孔注入性と電子輸送層から発光層への電子注入性を高め、発光層内のキャリア密度を向上させて電子とホールの再結合確率を高めている。また、発光層内のキャリア密度をさらに向上させる構成として、発光層から電子輸送層への正孔漏出と発光層から正孔輸送層への電子漏出を抑制することができるように、電子輸送層のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)準位、および/または、正孔輸送層のLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位を調整した機能層を選定する。このような構成により、発光層内のキャリア密度を向上させて電子と正孔の再結合確率を高めることができるからである。
本開示の一態様に係る有機EL素子は、陽極と、発光層と、機能層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、前記発光層と前記機能層とは接しており、前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、前記発光層の電子移動度は、前記機能層の実効的電子移動度以上であり、前記発光層に含まれる機能材料の最高被占有軌道(HOMO)準位は、前記機能層に含まれる機能材料のHOMO準位より0.4eV以上高いことを特徴とする。
以下、実施の形態に係る有機EL素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
図1は、本実施の形態に係る有機EL素子1の断面構造を模式的に示す図である。有機EL素子1は、陽極13、正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17、第1電子輸送層18、第2電子輸送層19、電子注入層20、および、陰極21を備える。
<陽極>
陽極13は、層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、画素ごとに設けられ、層間絶縁層12に設けられたコンタクトホールを通じてTFT層112と電気的に接続されている。
正孔注入層15は、陽極13から発光層17へのホール(正孔)の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層15は、例えば、塗布膜であり、例えば、正孔注入材料と溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。正孔注入層15は蒸着膜で形成されていてもよい。正孔注入層15は、例えば、PEDOT:PSS(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの導電性ポリマー材料、あるいは、Ag、Mo、クロム(Cr)、バナジウム(V)、タングステン(W)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)などの酸化物からなる。
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入されたホールを発光層17へ輸送する機能を有する。正孔輸送層16は、例えば、塗布膜であり、具体的には、正孔輸送材料を溶質とする溶液の塗布および乾燥より形成されている。または、正孔輸送層16は蒸着膜で形成されていてもよい。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物などを用いることができる。
発光層17は、ホールと電子の再結合により光を出射する機能を有する。発光層中でのホールと電子の再結合位置は分布を持つため、発光層膜厚は再結合分布幅よりも大きいことが好ましく、実施の一態様において、発光層17の膜厚は30nm以上である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は40nm以上である。また、一般に発光材料の移動度は電荷輸送材料の移動度に比べて小さく、発光層膜厚を薄く設計することが素子の駆動電圧低減に寄与するため、実施の一態様において、発光層17の膜厚は80nm以下である。また、実施の一態様において、発光層17の膜厚は120nm以下である。
第1電子輸送層18は、発光層17から第1電子輸送層18へのホールの流出を制限するとともに、第1電子輸送層18から発光層17への電子の注入を制御する機能を有する。発光層17から第1電子輸送層18へのホールの流出を制限する機能は、後述のエネルギーバンド構造の設計により実現される。また、第1電子輸送層18から発光層17への電子の注入を制御する機能は、後述の電子移動度の設計により実現される。
第2電子輸送層19は、陰極21からの電子を、第1電子輸送層18を経て発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層19は、電子輸送性が高い有機材料からなる。電子輸送層19は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子輸送層19に用いられる有機材料としては、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、キナゾリン誘導体、フェナントロリン誘導体などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入層20は、陰極21から供給される電子を発光層17側へと注入する機能を有する。電子注入層20は、例えば、蒸着膜で構成されている。電子注入層20は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または、希土類金属等から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。なお、ドープ金属は、金属単体に限られず、フッ化物(例えば、NaF)やキノリニウム錯体(例えば、Alq3、Liq)など化合物としてドープされてもよい。実施の形態では、LiがLiqとしてドープされている。ドープ金属としては、例えば、アルカリ金属に該当するリチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、フランシウム(Fr)、アルカリ土類金属に該当するカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ラジウム(Ra)、希土類金属に該当するイットリウム(Y)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等である。
陰極21は、光透過性の導電性材料からなり、電子注入層20上に形成されている。
有機EL素子1は基板11上に形成される。基板11は、絶縁材料である基材111からなる。あるいは、絶縁材料である基材111上に配線層112を形成してもよい。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、プラスチック基板等を採用することができる。プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。配線層112を構成する材料としては、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属材料、窒化ガリウム、ガリウム砒素などの無機半導体材料、アントラセン、ルブレン、ポリパラフェニレンビニレンなどの有機半導体材料等が挙げられ、これらを複合的に用いて形成したTFT(Thin Film Transistor)層としてもよい。
有機EL素子1は、発光層17、第1電子輸送層18、および、第2電子輸送層19のエネルギーバンド構造に特徴を有する。なお、説明の簡略化のために、「層のエネルギー準位」と記載するが、これは、当該層を形成する有機材料のエネルギー準位を略記したものである。なお、複数の種類の材料からなる層については、電子および/またはホールの輸送を担っている代表的な有機材料のエネルギー準位を「層のエネルギー準位」として表記する。
陰極21側から発光層17へ電子を注入するためのエネルギー障壁が、陰極21から発光層17までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陽極13側の層と陰極21側の層とのLUMO準位の差に起因する。以下、隣り合う2つの層の界面において陰極21側から陽極13側へ電子を注入するためのエネルギー障壁を「電子注入障壁」という。
一方、陽極13から発光層17を経て陰極21側へホールを注入するためのエネルギー障壁が、陽極13から第2電子輸送層19までの各層の界面に存在する。このエネルギー障壁は、界面の陰極21側の層と陽極13側の層とのHOMO準位の差に起因する。以下、隣り合う2つの層の界面において陽極13側から陰極21側へホールを注入するためのエネルギー障壁を「ホール注入障壁」という。
Hg(etl1)≧0.4eV …式(2)
[3.キャリア移動度の構成]
有機EL素子1は、発光層17、第1電子輸送層18、および、第2電子輸送層19のキャリア移動度に特徴を有する。
μh(eml)>μe(eml) …式(3)
また、第1電子輸送層18と第2電子輸送層19とを併せた電子輸送層全体の実効的な電子移動度をμe(etl)としたとき、下記の式(4)を満たすことが好ましい。
μe(eml)≧μe(etl) …式(4)
なお、μe(etl)は、第1電子輸送層18の電子移動度をμe(etl1)、第1電子輸送層18の膜厚をd(etl1)、第2電子輸送層19の電子移動度をμe(etl2)、第2電子輸送層19の膜厚をd(etl2)としたとき、下記の式(5)により定義される。
[4.構成がもたらす効果]
[4.1 設計から予測される効果]
図3(a)~(b)、および、(c)は、それぞれ、実施例および比較例に係る、正孔輸送層16、発光層17、第1電子輸送層18、第2電子輸送層19のバンドダイアグラム及び電子と正孔の再結合を示した簡易模式図である。
以下、実施の形態に係る有機EL素子の特性について評価結果とともに説明する。
ここで、発光層における発光中心について説明する。発光中心とは、以下に説明する発光のピークとなる代表位置を指す。発光ピークの位置は、発光材料の励起子が集中する位置であり、一般に、発光層の陰極側の界面と、発光層の陽極側の界面との、いずれか一方、または、両方である。発光層におけるホールの移動度が電子の移動度より十分に高い場合、ホールは発光層の陰極側の界面まで移動する一方で、電子は発光層の陰極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陰極側の界面付近で集中的に生成する。一方、発光層における電子の移動度がホールの移動度より十分に高い場合、電子は発光層の陽極側の界面まで移動する一方で、ホールは発光層の陽極側の界面付近で再結合によって消費されるため、励起子は発光層の陽極側の界面付近で集中的に生成する。また、発光層におけるホールの移動度と電子の移動度との関係によっては、励起子が、発光層の陰極側の界面付近と陽極側の界面付近の双方で集中的に生成することもある。一般には、励起子が集中的に生成した位置が、そのまま発光ピークの位置となる。
以上説明したように、本実施の形態に係る有機EL素子は、発光層17においてホール移動度が電子移動度より高い。そのため、発光層17における電子とホールの再結合領域が発光層17の電子輸送層との界面付近の狭い領域とすることができ、励起子密度を向上させてTTFによる発光効率の向上を得ることができる。また、本実施の形態に係る有機EL素子は、電子輸送層の実効的電子移動度が発光層17の電子移動度以下である。したがって、再結合による励起子の生成を第1電子輸送層18から発光層17への電子注入によって制御することができ、電子や励起子による発光材料の劣化を抑止することができる。
図6(a)~(b)は、変形例に係る、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層181のバンドダイアグラム及び電子と正孔の再結合を示した簡易模式図である。
Hg(etl)≧0.2eV
Hg(etl)≧0.4eV
を満たす。また、電子輸送層18は、その電子移動度をμe(etl)としたとき、上述の式(4)を満たす。すなわち、
μe(eml)≧μe(etl)
を満たす。
有機EL素子の製造方法について、図面を用いて説明する。図7(a)~図10(c)は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図11は、有機EL素子を備える有機EL表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。
まず、図7(a)に示すように、基材111上にTFT層112を成膜して基板11を形成する(図11のステップS10)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により成膜することができる。
次に、図7(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する(図11のステップS31)。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる
次に、図7(d)に示すように、画素電極材料層130をエッチングによりパターニングして、サブピクセルごとに区画された複数の画素電極13を形成する(図11のステップS32)。この画素電極13は、各有機EL素子の陽極として機能する。
次に、図7(e)に示すように、画素電極13および層間絶縁層12上に、隔壁14の材料である隔壁用樹脂を塗布し、隔壁材料層140を形成する。隔壁材料層140は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を画素電極13上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される(図11のステップS41)。そして、隔壁材料層140にパターン露光と現像を行うことで隔壁14を形成し(図8(a)、図11のステップS42)、隔壁14を焼成する。これにより、発光層17の形成領域となる開口部14aが規定される。隔壁14の焼成は、例えば、150℃以上210℃以下の温度で60分間行う。
次に、図8(b)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔注入層15の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド401のノズルから吐出して開口部14a内の画素電極13上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔注入層15を形成する(図11のステップS50)。
次に、図8(c)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド402のノズルから吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図11のステップS60)。
次に、図9(a)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド403のノズルから吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(図11のステップS70)。
次に、図9(b)に示すように、発光層17および隔壁14上に、第1電子輸送層18を形成する(図11のステップS80)。第1電子輸送層18は、例えば、第1電子輸送層18の材料となる有機化合物を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図9(c)に示すように、第1電子輸送層18上に、第2電子輸送層19を形成する(図11のステップS90)。第2電子輸送層19は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図10(a)に示すように、第2電子輸送層19上に、電子注入層20を形成する(図11のステップS100)。電子注入層20は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属またはその化合物を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図10(b)に示すように、電子注入層20上に、対向電極21を形成する(図11のステップS110)。対向電極21は、ITO、IZO、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。なお、対向電極21は、各有機EL素子の陰極として機能する。
最後に、図10(c)に示すように、対向電極21上に、封止層22を形成する(図11のステップS120)。封止層22は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。なお、SiON、SiNなどの無機膜上に封止樹脂層をさらに塗布、焼成等により形成してもよい。
図12は、有機EL表示パネル100を備えた有機EL表示装置1000の構成を示す模式ブロック図である。図12に示すように、有機EL表示装置1000は、有機EL表示パネル100と、これに接続された駆動制御部200とを含む構成である。駆動制御部200は、4つの駆動回路210~240と、制御回路250とから構成されている。
(1)上記実施の形態において、発光層17においてホール輸送性が電子輸送性より高いとしたが、発光層17において電子輸送性がホール輸送性より高い場合においても、本開示に係る構成が可能である。
Eg(htl2)≧0.4eV …式(7)
また、第1正孔輸送層161と第2正孔輸送層162とを併せた正孔輸送層全体の実効的なホール移動度をμh(htl)としたとき、下記の式(8)を満たすことが好ましい。
上記構成によれば、図14(b)の模式図に示すように、発光層17における電子とホールの再結合領域が発光層17の正孔輸送層との界面付近の狭い領域とすることができ、励起子密度を向上させてTTFによる発光効率の向上を得ることができる。また、再結合による励起子の生成を第2正孔輸送層162から発光層17へのホール注入によって制御することができ、ホールや励起子による発光材料の劣化を抑止することができる。さらに、発光層17から第2正孔輸送層162への電子の漏出を抑止し、発光層17の第2正孔輸送層162との界面付近の電子密度を向上させることができる。したがって、再結合領域が発光層17の外部、特に、第2正孔輸送層162へと広がることを抑止することができ、発光効率の向上とともに、電子や励起子による機能性材料の劣化を抑止することができる。
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極(陽極)
14 隔壁
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 第1電子輸送層
19 第2電子輸送層
20 電子注入層
21 対向電極(陰極)
22 封止層
100 有機EL表示パネル
200 駆動制御部
210~240 駆動回路
250 制御回路
1000 有機EL表示装置
Claims (7)
- 陽極と、発光層と、機能層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記発光層と前記機能層とは接しており、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記発光層の電子移動度は、前記機能層の実効的電子移動度以上であり、
前記機能層は、前記発光層に接する第1機能層と、前記第1機能層に接する第2機能層とを含み、
前記発光層に含まれる機能材料のHOMO準位は、前記第1機能層に含まれる機能材料のHOMO準位より0.4eV以上高く、
前記機能層の実効的電子移動度は、前記第1機能層の電子移動度を前記第1機能層の膜厚で割り、前記第2機能層の電子移動度を前記第2機能層の膜厚で割って、前記第1機能層の膜厚と前記第2機能層の膜厚との和で重みづけることで得られる値である
ことを特徴とする有機EL素子。 - 前記発光層に含まれる機能材料の最低空軌道(LUMO)準位は、前記機能層に含まれる機能性材料のLUMO準位以上である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。 - 前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陰極側の表面との距離は、前記発光層の発光中心と前記発光層の前記陽極側の表面との距離より短い
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における一重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料における一重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 前記機能層に含まれる機能材料における三重項励起子のエネルギーは、前記発光層に含まれる機能材料における三重項励起子のエネルギーより大きい
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の有機EL素子。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の有機EL素子を基板上に複数備える
有機EL表示パネル。 - 陽極と、発光層と、電子輸送層と、陰極とがこの順に積層されてなる有機EL素子であって、
前記電子輸送層は、前記発光層と接する第1電子輸送層と、前記第1電子輸送層と接する第2電子輸送層とを含み、
前記発光層の正孔移動度は、前記発光層の電子移動度より大きく、
前記発光層の電子移動度は、前記第1電子輸送層の電子移動度以上であり、
前記発光層に含まれる機能材料の最高被占有軌道(HOMO)準位は、前記第1電子輸送層に含まれる機能材料のHOMO準位より0.4eV以上高く、
前記第1電子輸送層には、格子不整合を有している層、または、電子トラップを生成する材料をドーパントとして含んでいる層を含み、
前記電子輸送層の実効的電子移動度は、前記第1電子輸送層の電子移動度を前記第1電子輸送層の膜厚で割り、前記第2電子輸送層の電子移動度を前記第2電子輸送層の膜厚で割って、前記第1電子輸送層の膜厚と前記第2電子輸送層の膜厚との和で重みづけることで得られる値である
ことを特徴とする有機EL素子。
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