JP7489359B2 - パターン修正方法 - Google Patents
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Description
実施形態1では、予め第1遮光膜11によって第1パターンが既に形成されたフォトマスクに、新たに第2遮光膜22による遮光部を形成するパターン修正方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様では、第1パターンが遮光膜以外の膜によって形成されているフォトマスクを対象とすることができる。詳細について、図7~10を参照しながら説明する。
上記で説明した各パターン修正方法は、第1パターンが位相シフト膜によって形成されているフォトマスクに対しても行うことができる。位相シフト膜は、透過率が1~15%程度であり、かつ、位相を反転(またはシフト)させる効果を持つ半透過膜であり、位相シフト効果により解像度が向上する。ただし、図12に示す例のように、フォトマスク10を平面視した場合に位相シフト膜によって形成された第1パターンの全領域を含むように第2遮光膜22を形成した場合は、修正前のフォトマスク10が有していた位相シフト効果は消失する。
変形例1では、トップ型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、ボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図13~16を参照しながら説明する。
変形例3では、同一金属系の材料にて構成されている、半透過膜13および第1遮光膜11と、半透過膜13および第1遮光膜11との間に配置されたエッチングストッパー膜14とにより構成されたボトム型のハーフトーンマスクのパターンを修正する方法について説明したが、本発明はこれに限られない。本発明の一態様のパターン修正方法は、他の構成を有するボトム型のハーフトーンマスクに対しても適用することができる。詳細について、図19~22を参照しながら説明する。
本変形例では、実施形態1において説明した遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた遮光領域を小さくする修正を行うパターン修正方法について説明する。図23は、本変形例におけるパターン修正の対象となるフォトマスク10における1つのパターン形成領域Aを拡大した図である。図24および図25は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。図24および図25に示す各図は、図23に示すH-H線矢視断面図に対応する。
本変形例では、変形例1において説明したトップ型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図27および図28を参照しながら説明する。図27および図28は、本変形例におけるパターン修正方法を説明するための図である。
本変形例では、変形例3において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図29および図30を参照しながら説明する。
本変形例では、変形例4において説明したボトム型のフォトマスクに対して、遮光領域を追加する修正行うとともに、もともとフォトマスクに形成されていた第1パターンを小さくする修正を行うパターン修正方法について、図31および図32を参照しながら説明する。
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
4 アライメントマーク
10 フォトマスク
11 第1遮光膜(第1パターン形成部)
13 半透過膜(第1パターン形成部)
14、21 エッチングストッパー膜
21 エッチングストッパー膜
22 第2遮光膜(第2パターン形成部)
23 フォトレジスト膜
Claims (14)
- 透明基板上に第1材料を含む第1パターン形成部によってパターンが既に形成され一連の製造工程により一旦完成品として製造され、前記パターンとの位置関係が既知である転写露光用アライメントマークまたは長寸測定用マークが形成されたフォトマスクに対して新たに所望のパターンを修正するパターン修正方法であって、
前記フォトマスクの前記パターンが形成された面に、エッチングストッパー膜、および、前記第1材料と同一金属系の第2材料を含む第2パターン形成部をこの順に成膜する成膜工程と、
前記第2パターン形成部の全面を覆うように前記フォトマスクの表面にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、
前記フォトレジスト膜に対して描画装置で描画してフォトレジストパターンを形成するパターン形成工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第2パターン形成部の一部を除去する第1除去工程と、
前記第1除去工程において除去されなかった前記第2パターン形成部、または、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去するエッチングストッパー膜除去工程と、を含み、
前記パターン形成工程において、
前記透明基板上に前記第1パターン形成部によるパターン形成時に同時に形成されている描画用アライメントマークを基準として前記フォトレジスト膜に対して前記描画装置で描画を行う、または、
前記成膜工程と前記フォトレジスト膜形成工程との間において作成した描画用アライメントマークと、当該描画用アライメントマークとは異なるマークであって、修正前のパターンに形成されている転写露光用アライメントマークまたは長寸測定用マークと、の位置関係および傾きのずれに基づいて前記描画装置による描画位置を補正して描画を行う、パターン修正方法。 - 前記第1材料および前記第2材料は、Cr系金属化合物、Si系化合物、または金属シリサイド化合物である、請求項1に記載のパターン修正方法。
- 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第1除去工程において除去されなかった前記第2パターン形成部の一部が前記第1パターン形成部に隣接するように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項1または2に記載のパターン修正方法。
- 前記フォトマスクを平面視した場合に、前記第1除去工程において除去されなかった前記第2パターン形成部の一部が前記第1パターン形成部に隣接しないように、前記パターン形成工程において前記フォトレジストパターンを形成する、請求項1または2に記載のパターン修正方法。
- 前記第1パターン形成部は、遮光性を有する第1遮光膜であり、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程をさらに含む、請求項5に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、半透過膜と、前記半透過膜と前記透明基板との間の領域の一部の領域に配置された、遮光性を有する第1遮光膜、または位相シフト膜とを含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜または前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第3除去工程と、をさらに含む、請求項7に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、位相シフト膜を含み、
前記第2パターン形成部は、位相シフト膜、または、遮光性を有する第2遮光膜を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記位相シフト膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記位相シフト膜の一部を除去する第2除去工程をさらに含む、請求項9に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、透明基板上に形成された半透過膜または位相シフト膜と、前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域に第2エッチングストッパー膜を介して積層された遮光性を有する第1遮光膜とを含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜を含む、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第2エッチングストッパー膜の一部を除去する第3除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第4除去工程と、をさらに含む、請求項11に記載のパターン修正方法。 - 前記第1パターン形成部は、
前記第1材料および前記第2材料とは異なる第3材料を含み、前記透明基板上に形成された、半透過膜または位相シフト膜と、
前記半透過膜または前記位相シフト膜の前記透明基板側とは反対側の表面の一部の領域に積層された、遮光性を有する第1遮光膜と、を含み、
前記第2パターン形成部は、遮光性を有する第2遮光膜である、請求項1から4のいずれか1項に記載のパターン修正方法。 - 前記パターン形成工程では、前記フォトマスクを平面視した場合に、少なくとも前記第1遮光膜と重なる前記フォトレジスト膜の一部を除去するように前記フォトレジストパターンを形成し、
前記第1除去工程は、前記パターン形成工程と、前記エッチングストッパー膜除去工程との間で行われ、
前記エッチングストッパー膜除去工程では、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記エッチングストッパー膜を除去し、
前記エッチングストッパー膜除去工程の後に、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第1遮光膜の一部を除去する第2除去工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記半透過膜または前記位相シフト膜の一部を除去する第3除去工程と、をさらに含む、請求項13に記載のパターン修正方法。
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JPS57112018A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Correction of pattern |
JPS602956A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | Nippon Denso Co Ltd | フオトマスクの製造方法 |
JP2803259B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1998-09-24 | 三菱電機株式会社 | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
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