JP7480488B2 - 光半導体素子及び受信器 - Google Patents
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Description
先ず、第1の実施形態について説明する。第1の実施形態は、90度ハイブリッド回路を含む光半導体素子に関する。図1は、第1の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。図2~図5は、第1の実施形態に係る光半導体素子を示す断面図である。図2は、図1中のII-II線に沿った断面図を示す。図3は、図1中のIII-III線に沿った断面図を示す。図4は、図1中のIV-IV線に沿った断面図を示す。図5は、図1中のV-V線に沿った断面図を示す。第1の実施形態に係る光半導体素子は、例えば、SOI(Silicon On Insulator)基板とSOI基板上のクラッド層とを用いて構成される。SOI基板は、シリコン基板と、シリコン基板上の絶縁層と、絶縁層上のシリコン層とを備える。
次に、第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、主に、リブ型のシングルモード導波路のコア部の構成の点で第1の実施形態と相違する。図9は、第2の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第3の実施形態は、主に、リブ型のシングルモード導波路のスラブ部の構成の点で第2の実施形態と相違する。図15は、第3の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、主に、リブ型のシングルモード導波路のスラブ部の構成の点で第3の実施形態と相違する。図17は、第4の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。図18A~図18Dは、図17の一部を拡大して示す平面図である。
次に、第5の実施形態について説明する。第5の実施形態は、主に、MMIカプラよりも外側のチャネル型のシングルモード導波路のスラブ部の構成の点で第2の実施形態と相違する。図20は、第5の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。
次に、第6の実施形態について説明する。第6の実施形態は、主に、チャネル型のシングルモード導波路のスラブ部の構成の点で第4の実施形態と相違する。図21は、第6の実施形態に係る光半導体素子を透視で示す平面図である。
次に、第7の実施形態について説明する。第7の実施形態は、第1~第6の実施形態のいずれかに係る光半導体素子を備えた受信器に関する。図22は、第7の実施形態に係る受信器を示すブロック図である。
第1の入力ポート、第2の入力ポート、第1の出力ポート及び第2の出力ポートを備えた第1の光結合器と、
第3の入力ポート、第4の入力ポート、第3の出力ポート及び第4の出力ポートを備えた第1の光分岐器と、
第5の入力ポート、第6の入力ポート、第5の出力ポート及び第6の出力ポートを備えた第2の光結合器と、
第7の入力ポート、第7の出力ポート及び第8の出力ポートを備えた第2の光分岐器と、
前記第2の入力ポートと前記第3の出力ポートとを光学的に接続するリブ型の第1のシングルモード導波路と、
前記第4の出力ポートと前記第5の入力ポートとを光学的に接続するリブ型の第2のシングルモード導波路と、
前記第6の入力ポートと前記第7の出力ポートとを光学的に接続するリブ型の第3のシングルモード導波路と、
前記第8の出力ポートと前記第1の入力ポートとを光学的に接続するリブ型の第4のシングルモード導波路と、
を有することを特徴とする光半導体素子。
(付記2)
前記第1の光結合器は、チャネル型の第1のマルチモード導波路を有し、
前記第1の光分岐器は、チャネル型の第2のマルチモード導波路を有し、
前記第2の光結合器は、チャネル型の第3のマルチモード導波路を有し、
前記第2の光分岐器は、チャネル型の第4のマルチモード導波路を有することを特徴とする付記1に記載の光半導体素子。
(付記3)
前記第1のシングルモード導波路、前記第2のシングルモード導波路、前記第3のシングルモード導波路及び前記第4のシングルモード導波路は、共通の平面に設けられていることを特徴とする付記1又は2に記載の光半導体素子。
(付記4)
前記第1のシングルモード導波路は、
第1のコア部と、
前記第1のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第1のスラブ部と、
を有し、
前記第2のシングルモード導波路は、
第2のコア部と、
前記第2のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第2のスラブ部と、
を有し、
前記第3のシングルモード導波路は、
第3のコア部と、
前記第3のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第3のスラブ部と、
を有し、
前記第4のシングルモード導波路は、
第4のコア部と、
前記第4のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第4のスラブ部と、
を有し、
前記第1のコア部は、
前記第2の入力ポートに直接接続され、前記第2の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第1のコアテーパ部と、
前記第3の出力ポートに直接接続され、前記第3の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第2のコアテーパ部と、
を有し、
前記第2のコア部は、
前記第4の出力ポートに直接接続され、前記第4の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第3のコアテーパ部と、
前記第5の入力ポートに直接接続され、前記第5の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第4のコアテーパ部と、
を有し、
前記第3のコア部は、
前記第6の入力ポートに直接接続され、前記第6の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第5のコアテーパ部と、
前記第7の出力ポートに直接接続され、前記第7の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第6のコアテーパ部と、
を有し、
前記第4のコア部は、
前記第8の出力ポートに直接接続され、前記第8の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第7のコアテーパ部と、
前記第1の入力ポートに直接接続され、前記第1の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第8のコアテーパ部と、
を有することを特徴とする付記3に記載の光半導体素子。
(付記5)
前記平面に平行な方向において、前記第1のスラブ部と、前記第2のスラブ部と、前記第3のスラブ部と、前記第4のスラブ部とが、互いから離間していることを特徴とする付記4に記載の光半導体素子。
(付記6)
前記第1のスラブ部は、
前記第1のコアテーパ部の側方に位置し、前記第2の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第1のスラブテーパ部と、
前記第2のコアテーパ部の側方に位置し、前記第3の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第2のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第2のスラブ部は、
前記第3のコアテーパ部の側方に位置し、前記第4の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第3のスラブテーパ部と、
前記第4のコアテーパ部の側方に位置し、前記第5の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第4のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第3のスラブ部は、
前記第5のコアテーパ部の側方に位置し、前記第6の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第5のスラブテーパ部と、
前記第6のコアテーパ部の側方に位置し、前記第7の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第6のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第4のスラブ部は、
前記第7のコアテーパ部の側方に位置し、前記第8の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第7のスラブテーパ部と、
前記第8のコアテーパ部の側方に位置し、前記第1の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第8のスラブテーパ部と、
を有することを特徴とする付記5に記載の光半導体素子。
(付記7)
前記第1の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第5のシングルモード導波路と、
前記第2の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第6のシングルモード導波路と、
前記第3の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第7のシングルモード導波路と、
前記第4の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第8のシングルモード導波路と、
前記第5の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第9のシングルモード導波路と、
前記第6の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第10のシングルモード導波路と、
前記第7の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第11のシングルモード導波路と、
を有することを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項に記載の光半導体素子。
(付記8)
付記1乃至7のいずれか1項に記載の光半導体素子を有することを特徴とする受信器。
110、120、130:2×2MMIカプラ
111、112、121、122、131、132、141:入力ポート
113、114、123、124、133、134、143、144:出力ポート
115、125、135、145:マルチモード導波路
115A、125A、135A、145A、151、161、171、181、251、261、271、281:コア部
150、160、170、180、250、260、270、280、350、360、370、380、450、460、470、480、516、517、526、527、536、537、546、616、617、626、627、636、637、646:シングルモード導波路
152、162、172、182、192、252、262、272、282、292、352、362、372、382、452、462、472、482:スラブ部
251A、251B、261A、261B、271A、271B、281A、281B:コアテーパ部
455A、455B、465A、465B、475A、475B、485A、485B:スラブテーパ部
700:受信器
704、705:90度ハイブリッド回路
Claims (4)
- 第1の入力ポート、第2の入力ポート、第1の出力ポート及び第2の出力ポートを備えた第1の光結合器と、
第3の入力ポート、第4の入力ポート、第3の出力ポート及び第4の出力ポートを備えた第1の光分岐器と、
第5の入力ポート、第6の入力ポート、第5の出力ポート及び第6の出力ポートを備えた第2の光結合器と、
第7の入力ポート、第7の出力ポート及び第8の出力ポートを備えた第2の光分岐器と、
前記第2の入力ポートと前記第3の出力ポートとを光学的に接続するリブ型の第1のシングルモード導波路と、
前記第4の出力ポートと前記第5の入力ポートとを光学的に接続するリブ型の第2のシングルモード導波路と、
前記第6の入力ポートと前記第7の出力ポートとを光学的に接続するリブ型の第3のシングルモード導波路と、
前記第8の出力ポートと前記第1の入力ポートとを光学的に接続するリブ型の第4のシングルモード導波路と、
を有し、
前記第1のシングルモード導波路、前記第2のシングルモード導波路、前記第3のシングルモード導波路及び前記第4のシングルモード導波路は、共通の平面に設けられ、
前記第1のシングルモード導波路は、
第1のコア部と、
前記第1のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第1のスラブ部と、
を有し、
前記第2のシングルモード導波路は、
第2のコア部と、
前記第2のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第2のスラブ部と、
を有し、
前記第3のシングルモード導波路は、
第3のコア部と、
前記第3のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第3のスラブ部と、
を有し、
前記第4のシングルモード導波路は、
第4のコア部と、
前記第4のコア部から前記平面に平行な方向に延出する第4のスラブ部と、
を有し、
前記第1のコア部は、
前記第2の入力ポートに直接接続され、前記第2の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第1のコアテーパ部と、
前記第3の出力ポートに直接接続され、前記第3の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第2のコアテーパ部と、
を有し、
前記第2のコア部は、
前記第4の出力ポートに直接接続され、前記第4の出力ポートから離間するほど幅が
狭くなる第3のコアテーパ部と、
前記第5の入力ポートに直接接続され、前記第5の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第4のコアテーパ部と、
を有し、
前記第3のコア部は、
前記第6の入力ポートに直接接続され、前記第6の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第5のコアテーパ部と、
前記第7の出力ポートに直接接続され、前記第7の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第6のコアテーパ部と、
を有し、
前記第4のコア部は、
前記第8の出力ポートに直接接続され、前記第8の出力ポートから離間するほど幅が狭くなる第7のコアテーパ部と、
前記第1の入力ポートに直接接続され、前記第1の入力ポートから離間するほど幅が狭くなる第8のコアテーパ部と、
を有し、
前記平面に平行な方向において、前記第1のスラブ部と、前記第2のスラブ部と、前記第3のスラブ部と、前記第4のスラブ部とが、互いから離間し、
前記第1のスラブ部は、
前記第1のコアテーパ部の側方に位置し、前記第2の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第1のスラブテーパ部と、
前記第2のコアテーパ部の側方に位置し、前記第3の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第2のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第2のスラブ部は、
前記第3のコアテーパ部の側方に位置し、前記第4の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第3のスラブテーパ部と、
前記第4のコアテーパ部の側方に位置し、前記第5の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第4のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第3のスラブ部は、
前記第5のコアテーパ部の側方に位置し、前記第6の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第5のスラブテーパ部と、
前記第6のコアテーパ部の側方に位置し、前記第7の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第6のスラブテーパ部と、
を有し、
前記第4のスラブ部は、
前記第7のコアテーパ部の側方に位置し、前記第8の出力ポートから離間するほど幅が広くなる第7のスラブテーパ部と、
前記第8のコアテーパ部の側方に位置し、前記第1の入力ポートから離間するほど幅が広くなる第8のスラブテーパ部と、
を有することを特徴とする光半導体素子。 - 前記第1の光結合器は、チャネル型の第1のマルチモード導波路を有し、
前記第1の光分岐器は、チャネル型の第2のマルチモード導波路を有し、
前記第2の光結合器は、チャネル型の第3のマルチモード導波路を有し、
前記第2の光分岐器は、チャネル型の第4のマルチモード導波路を有することを特徴とする請求項1に記載の光半導体素子。 - 前記第1の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第5のシングルモード導波路と、
前記第2の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第6のシングルモード導波路と、
前記第3の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第7のシングルモード導波路と、
前記第4の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第8のシングルモード導波路と、
前記第5の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第9のシングルモード導波路と、
前記第6の出力ポートに光学的に接続されたリブ型の第10のシングルモード導波路と、
前記第7の入力ポートに光学的に接続されたリブ型の第11のシングルモード導波路と、
を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の光半導体素子。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光半導体素子を有することを特徴とする受信器。
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