JP7479801B2 - 撮像素子、製造方法、および電子機器 - Google Patents
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Description
図1乃至図8を参照して、本技術を適用した撮像素子の第1の実施の形態の構成例について説明する。
図9を参照して、本技術を適用した撮像素子の第2の実施の形態の構成例について説明する。
図10乃至図14を参照して、本技術を適用した撮像素子の第3の実施の形態の構成例について説明する。
図15および図16を参照して、撮像素子11の製造方法の一例について説明する。図15および図16では、それぞれ左側には図1の一点鎖線A1-A1に沿った断面が示されており、それぞれ右側には図1の一点鎖線A2-A2に沿った断面が示されている。
上述したような撮像素子11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像システム、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図18は、上述のイメージセンサ(撮像素子)を使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
(1)
半導体基板に設けられる複数の光電変換部と、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に設けられる分離部と、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に設けられる複数の素子と
を備え、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも深くなる形状である
撮像素子。
(2)
前記第2の深さの前記分離部における幅が、前記第1の深さの前記分離部における幅よりも狭く設定される
上記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記半導体基板を平面視して、前記第2の深さの前記分離部が所定の方向に沿って複数の前記光電変換部に亘って連続して設けられるとともに、前記第1の深さの前記分離部が前記所定の方向に対して直交する方向に沿って前記光電変換部ごとに設けられ、
前記第1の深さの前記分離部と、前記第2の深さの前記分離部との間が不連続となる隙間が設けられた構成である
上記(1)または(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記第2の深さの前記分離部における幅が、前記第1の深さの前記分離部における幅よりも狭く、それぞれの前記分離部を掘り込む工程が同時に行われることで前記分離部が設けられている
上記(1)から(3)までのいずれかに記載の撮像素子。
(5)
前記第2の深さの前記分離部を掘り込む工程と、前記第1の深さの前記分離部を掘り込む工程とが別々に行われることで前記分離部が設けられている
上記(3)に記載の撮像素子。
(6)
前記第1の深さの前記分離部は、前記光電変換部が配置される位置の像高に応じて調整された位置に配置される
上記(3)に記載の撮像素子。
(7)
前記分離部は、前記半導体基板を平面視して、個々の前記光電変換部を囲う形状である
上記(1)に記載の撮像素子。
(8)
1つの画素に対して所定数の前記光電変換部が設けられた構成である
上記(1)から(7)までのいずれかに記載の撮像素子。
(9)
1つの前記画素内で、前記光電変換部の間に前記第1の深さの前記分離部が設けられた構成である
上記(8)に記載の撮像素子。
(10)
前記画素内における中央部以外の領域に、前記分離部が設けられた構成である
上記(8)または(9)に記載の撮像素子。
(11)
前記分離部の側壁に、P型領域とN型領域との境界が設けられた構成である
上記(8)から(10)までのいずれかに記載の撮像素子。
(12)
半導体基板に複数の光電変換部を形成することと、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に分離部を形成することと、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に複数の素子を形成することと
を含み、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも深く形成される
撮像素子の製造方法。
(13)
半導体基板に設けられる複数の光電変換部と、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に設けられる分離部と、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に設けられる複数の素子と
を有し、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも深くなる形状である
撮像素子を備えた電子機器。
Claims (11)
- 半導体基板に設けられる複数の光電変換部と、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に設けられる分離部と、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に設けられる複数の素子と
を備え、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも浅くなる形状であり、
所定数の前記光電変換部が設けられた1つの前記画素内で、前記光電変換部の間に前記第1の深さの前記分離部が設けられた構成である
撮像素子。 - 前記第2の深さの前記分離部における幅が、前記第1の深さの前記分離部における幅よりも広く設定される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記半導体基板を平面視して、前記第2の深さの前記分離部が所定の方向に沿って複数の前記光電変換部に亘って連続して設けられるとともに、前記第1の深さの前記分離部が前記所定の方向に対して直交する方向に沿って前記光電変換部ごとに設けられ、
前記第1の深さの前記分離部と、前記第2の深さの前記分離部との間が不連続となる隙間が設けられた構成である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の深さの前記分離部は、前記光電変換部が配置される位置の像高に応じて調整された位置に配置される
請求項3に記載の撮像素子。 - 前記分離部は、前記半導体基板を平面視して、個々の前記光電変換部を囲う形状である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記画素内における中央部以外の領域に、前記分離部が設けられた構成である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記分離部の側壁に、P型領域とN型領域との境界が設けられた構成である
請求項1に記載の撮像素子。 - 半導体基板に複数の光電変換部を形成することと、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に分離部を形成することと、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に複数の素子を形成することと
を含み、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも浅く形成され、
所定数の前記光電変換部が設けられた1つの前記画素内で、前記光電変換部の間に前記第1の深さの前記分離部が設けられて構成される
撮像素子の製造方法。 - 前記第2の深さの前記分離部における幅が、前記第1の深さの前記分離部における幅よりも広く、それぞれの前記分離部を掘り込む工程が同時に行われることで前記分離部が設けられている
請求項8に記載の撮像素子の製造方法。 - 前記第2の深さの前記分離部を掘り込む工程と、前記第1の深さの前記分離部を掘り込む工程とが別々に行われることで前記分離部が設けられている
請求項8に記載の撮像素子の製造方法。 - 半導体基板に設けられる複数の光電変換部と、
前記半導体基板に対して光が入射する側となる光入射面から所定の深さで、前記光電変換部を有する画素どうしの間に設けられる分離部と、
前記光入射面に対して反対側となる素子形成面に設けられる複数の素子と
を有し、
前記分離部は、前記素子が設けられる領域における深さである第1の深さが、前記素子が設けられない領域における深さである第2の深さよりも浅くなる形状であり、
所定数の前記光電変換部が設けられた1つの前記画素内で、前記光電変換部の間に前記第1の深さの前記分離部が設けられた構成である
撮像素子を備えた電子機器。
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