JP7479348B2 - 光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュール - Google Patents

光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュール Download PDF

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Description

本発明は、光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュールに関する。
複数の半導体レーザ素子のそれぞれから出力されたレーザ光をマルチモード光ファイバの一方の端面に集光させて入力し、他方の端面から出力させる構成が開示されている(特許文献1参照)。当該他方の端面には、直方体のガラス部材が融着されている。このようなガラス部材はエンドキャップとも呼ばれる。エンドキャップは、出力するレーザ光の、ガラスと空気との界面におけるパワー密度を低減する機能を有する。
一方、加工や溶接といった産業分野においても、半導体レーザモジュールが用いられている。半導体レーザモジュールにおいて、複数の半導体レーザ素子から出力されたレーザ光を光ファイバの一方の端面に集光させて入力し、光ファイバを伝搬させる構成が開示されている(特許文献2参照)。
特開2004-128058号公報 国際公開第2015/037725号
レーザ光を入力する光ファイバの端面にエンドキャップを設け、ガラスと空気との界面におけるレーザ光のパワー密度を、レーザ光を直接的に光ファイバの端面に入力する場合の界面におけるパワー密度よりも低減し、光ファイバの端面の損傷の発生を抑制する技術が考えられる。しかしながら、この場合、エンドキャップに入力された光のうち前記光ファイバに結合しなかった非結合光が存在する場合がある。このような非結合光は、他の部材に到達すると、該部材を損傷させる場合がある。たとえば、非結合光が、光ファイバを固定部材に固着する固着材に到達すると、固着材を損傷させる場合がある。また、非結合光が、光ファイバの被覆に到達すると、被覆を損傷させる場合がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、損傷の発生が抑制された光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュールを提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、コア部と、前記コア部の外周に形成されたクラッド部とを有する光ファイバと、前記光ファイバの端面に接合された、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第1面と、前記第1面とは反対側に位置し、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第2面とを有し、前記第2面から光が入力されるエンドキャップと、を備え、前記第1面のうち、前記光ファイバの端面が接合された領域の周囲の領域の少なくとも一部に、前記エンドキャップに入力された光のうち前記光ファイバに結合しなかった光を散乱または反射する光処理材が設けられていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、前記光処理材は無機系接着剤、または光を反射する金属膜もしくは誘電体多層膜を含むことを特徴とする。
本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、前記光処理材は前記光を散乱させる樹脂剤を含むことを特徴とする。
本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、前記光ファイバの前記端面側の一部および前記エンドキャップの外周に配置され、少なくとも前記光ファイバを固定する光吸収体をさらに備えることを特徴とする。
本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、前記光ファイバと前記エンドキャップとは融着接続されていることを特徴とする。
本発明の一態様に係る光ファイバにおける端部構造は、前記光ファイバは、前記クラッド部の長手方向における一部が太径化された太径部を有することを特徴とする。
本発明の一態様に係る半導体レーザモジュールは、前記光ファイバにおける端部構造と、レーザ光を出力する半導体レーザ素子と、前記レーザ光を集光して前記端部構造の前記エンドキャップの前記第2面に入力させる光学系と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、損傷の発生が抑制された光ファイバにおける端部構造および半導体レーザモジュールを実現できるという効果を奏する。
図1は、実施形態1に係る端部構造を備えた半導体レーザモジュールの模式的な平面図である。 図2は、実施形態1に係る端部構造の模式的な一部切欠図である。 図3は、端部構造における光の入力状態を説明する図である。 図4は、実施形態2に係る端部構造の模式的な一部切欠図である。 図5は、実施形態3に係る端部構造の模式的な一部切欠図である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付し、重複説明を適宜省略する。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る光ファイバにおける端部構造を備えた半導体レーザモジュールの模式的な平面図である。なお、以下では、光ファイバにおける端部構造を、単に端部構造と記載する場合がある。
半導体レーザモジュール100は、筐体であるパッケージ101と、パッケージ101の内部に順に積載されたLD高さ調整板102と、サブマウント103-1~103-6と、6つの半導体レーザ素子104-1~104-6とを備える。パッケージ101は、蓋を備えるが、図1においては説明のために図示を省略している。半導体レーザモジュール100は、半導体レーザ素子104-1~104-6に電流を注入するリードピン105を備える。そして、半導体レーザモジュール100は、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力するレーザ光の光路上に順に配置された光学素子である、第1レンズ106-1~106-6と、第2レンズ107-1~107-6と、ミラー108-1~108-6と、第3レンズ109と、光フィルタ110と、第4レンズ111とを備える。第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6、第3レンズ109、光フィルタ110、第4レンズ111は、それぞれパッケージ101の内部に固定されている。さらに、半導体レーザモジュール100は、第4レンズ111の近傍に配置された端部構造10を備える。端部構造10は、光ファイバ11を備える。光ファイバ11の第4レンズ111側とは反対側の一端は、パッケージ101の外部に延伸している。
半導体レーザ素子104-1~104-6は、LD高さ調整板102によってパッケージ101の底面から互いに異なる高さに配置されている。さらに、第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6は、それぞれ対応する1つの半導体レーザ素子と同じ高さに配置されている。また、光ファイバ112のパッケージ101への挿入部には、ルースチューブ114が設けられ、ルースチューブ114の一部を覆うように、パッケージ101の一部にブーツ113が外嵌されている。
各半導体レーザ素子104-1~104-6は、リードピン105から電力を供給されてレーザ光を出力する。出力された各レーザ光は、それぞれ第1レンズ106-1~106-6および第2レンズ107-1~107-6によって、略平行光とされる。つぎに、各レーザ光は、対応する高さに配置された1つのミラー108-1~108-6によって、光ファイバ112の方向に反射される。そして、各レーザ光は、第3レンズ109および第4レンズ111によって集光される。すなわち、第1レンズ106-1~106-6、第2レンズ107-1~107-6、ミラー108-1~108-6、第3レンズ109および第4レンズ111は、各レーザ光を端部構造10に入力させる光学系を構成している。
端部構造10には、第4レンズ111によって集光された各レーザ光が入力される。光ファイバ11は、入力された各レーザ光を導波し、半導体レーザモジュール100の外部に出力する。
つぎに、半導体レーザモジュール100の各構成要素についてより詳細に説明する。筐体であるパッケージ101は、内部の温度上昇を抑制するため、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、各種金属からなる金属部材であってよい。
LD高さ調整板102は、上述したように、パッケージ101内に固定されており、半導体レーザ素子104-1~104-6の高さを調節し、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力するレーザ光の光路が互いに干渉しないようにしている。なお、LD高さ調整板102は、パッケージ101と一体として構成されていてもよい。
サブマウント103-1~103-6は、LD高さ調整板102上に固定されており、載置された半導体レーザ素子104-1~104-6の放熱を補助する。そのため、サブマウント103-1~103-6は、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、各種金属からなる金属部材であってよい。
半導体レーザ素子104-1~104-6は、出力されるレーザ光の光強度が、1W以上、さらには、10W以上の高出力な半導体レーザ素子である。本実施形態において、半導体レーザ素子104-1~104-6の出力するレーザ光の光強度は、たとえば11Wである。また、半導体レーザ素子104-1~104-6は、たとえば、900nm~1000nmの波長のレーザ光を出力する。ただし、レーザ光の波長や強度は特に限定されない。なお、半導体レーザモジュール100は6つの半導体レーザ素子104-1~104-6を備えているが、6つ以外の複数でもよく、1つでもよい。
リードピン105は、不図示のボンディングワイヤを介して半導体レーザ素子104-1~104-6に電力を供給する。供給する電力は、一定の電圧であってよいが、変調電圧であってもよい。
第1レンズ106-1~106-6は、たとえば焦点距離が0.3mmのシリンドリカルレンズである。第1レンズ106-1~106-6は、対応する1つの半導体レーザ素子の出力光を鉛直方向に略平行光とする位置に配置される。
第2レンズ107-1~107-6は、たとえば焦点距離が5mmのシリンドリカルレンズである。第2レンズ107-1~107-6は、半導体レーザ素子の出力光を水平方向に略平行光とする位置に配置される。
ミラー108-1~108-6は、各種の金属膜、または誘電体膜を備えるミラーであってよく、半導体レーザ素子104-1~104-6の出力するレーザ光の波長において、反射率が高いほど好ましい。また、ミラー108-1~108-6は、対応する1つの半導体レーザ素子のレーザ光を光ファイバ112に好適に結合するように、反射方向を微調整することができる。
第3レンズ109と第4レンズ111とは、たとえばそれぞれ焦点距離が12mm、5mmの互いに曲率が直交したシリンドリカルレンズであり、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光を集光し、光ファイバ112に好適に結合する。第3レンズ109と第4レンズ111とは、たとえば半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光の光ファイバ112への結合効率が85%以上となるように、光ファイバ112に対する位置が調整されている。
光フィルタ110は、たとえば波長1060nm~1080nmの光を反射し、900nm~1000nmの光を透過するローパスフィルタである。その結果、光フィルタ110は、半導体レーザ素子104-1~104-6が出力したレーザ光を透過するとともに、波長1060nm~1080nmの光が半導体レーザ素子104-1~104-6に外部から照射されることを防止する。また、光フィルタ110は、光フィルタ110でわずかに反射された半導体レーザ素子104-1~104-6の出力レーザ光が半導体レーザ素子104-1~104-6に戻らないように、レーザ光の光軸に対して角度をつけて配置されている。光フィルタ110の通過波長として、1060nm~1080nmとしたが、この波長に限定するものではない。また、光フィルタ110は必ずしも必要ではない。
ブーツ113は、光ファイバ112を挿通されており、光ファイバ11の曲げによる損傷を防止する。ブーツ113は、金属製のブーツであってよいが、材料は特に限定されず、ゴムや各種の樹脂、プラスチックなどであってもよい。ただし、ブーツ113は必ずしも必要ではない。
ルースチューブ114は、光ファイバ11を挿通されており、光ファイバ11の曲げによる損傷を防止する。さらに、ルースチューブ114は、光ファイバ11と固着され、その結果、光ファイバ11に対して長手方向に引っ張る力が加えられた場合に、光ファイバ11の位置がずれることを防止する構成であってもよい。ただし、ルースチューブ114は必ずしも必要ではない。
(端部構造の構成)
つぎに、端部構造10の構成について具体的に説明する。図2は、端部構造10の模式的な一部切欠図である。
端部構造10は、光ファイバ11と、エンドキャップ12と、光吸収体13と、固着材14とを備えている。
光ファイバ11は、石英ガラス系材料からなる光ファイバであって、コア部11aと、コア部11aの外周に形成されたクラッド部11bと、クラッド部11bの外周に形成された樹脂からなる被覆11cとを有する。また、光ファイバ11は、端面11dを有する。被覆11cは、端面11dの近傍では除去されており、クラッド部11bが露出している。光ファイバ11は、コア部11aのコア径が105μm、クラッド部11bのクラッド径が125μmのマルチモード光ファイバであってよいが、シングルモード光ファイバであってもよい。光ファイバ11のNAは、たとえば0.15~0.22である。
エンドキャップ12は、円錐台形状の出力部12aと、円柱形状の入力部12bとを備える。出力部12aは、その表面として、円錐台形状の上底面である円形状の底面12aaと、円錐台の側面である側面12abとを有する。エンドキャップ12の底面12aaは光ファイバ11の端面11dと接合している。接合は、融着接続による接合でもよいし、底面12aaと端面11dとが融着されずに単に当接した状態でもよい。底面12aaは第1面に相当し、端面11dよりも面積が大きい。エンドキャップ12の出力部12aは、底面12aaに向かって直径が縮径しているので、光ファイバ11と融着接続がしやすい。
入力部12bは、その表面として、円柱形状の一方の端面であり円環状の円環面12baと、円柱形状の側面である側面12bbと、円柱形状の他方の端面であり円形状の底面12bcとを有する。底面12bcは、底面12aaの反対側に位置する第2面に相当し、端面11dよりも面積が大きい。
エンドキャップ12の材料は、光ファイバ11のコア部11aと同程度の屈折率を有する材料であることが好ましく、たとえば光ファイバ11のコア部11aと同じ石英系ガラス材料であることが好ましい。
エンドキャップ12は、底面12bcから、第4レンズ111で集光されたレーザ光L1が入力される。
光吸収体13は、筒状の部材であって、光ファイバ11の端面11d側の一部およびエンドキャップ12の外周に配置されている。光吸収体13は、光ファイバ11が配置される挿通孔13aと、挿通孔13aと連通しており、エンドキャップ12が配置される凹部13bとを有する。光吸収体13は、クラッド部11bと固着材14で固着される。光吸収体13は、単一の筒状の部材で構成されていてもよいし、複数の部材を組み合わせて構成されていてもよい。また、光吸収体13の形状については、外縁が挿通孔13aに垂直な断面においてたとえば円状や多角形状などであり、特に限定されない。また、挿通孔13aの断面形状についても円状や多角形状などであり、特に限定されない。外縁が多角形状で挿通孔13aが円状でもよい。
光吸収体13は、レーザ光L1の波長において、光吸収性を有し、たとえばレーザ光L1の波長において、吸収率が30%以上、好ましくは70%以上である。その結果、光吸収体13は、光ファイバ11に入力したレーザ光L1のうち、クラッド部11bから漏洩したレーザ光を吸収する。また、光吸収体13は、光吸収により発生した熱を放熱するため、熱伝導性のよい材料からなることが好ましく、たとえばCu、Ni、ステンレス鋼、またはFeを含む金属部材、Ni、Cr、Tiを含む金属、もしくはCを含む表面メッキ層を備える部材、AlN、もしくはAlを含むセラミック部材、またはAlN、もしくはAlを含む表面を覆うセラミック層を備える部材からなることが好ましい。また、光吸収体13は、光吸収により発生した熱を放熱するため、パッケージ101に不図示の熱良導体を介して接続されていることが好ましい。熱良導体は、熱伝導率が0.5W/mK以上の材料からなることが好ましく、たとえばはんだや熱伝導性接着剤からなる。
固着材14は、たとえばエポキシ樹脂、ウレタン系の樹脂などのUV硬化樹脂からなる。固着材14の屈折率は、25℃において光ファイバ11のクラッド部11bの屈折率と等しい、またはそれよりも高いことが好ましく、半導体レーザモジュール100の使用温度領域(たとえば、15℃~100℃)において、光ファイバ11のクラッド部11bの屈折率と等しい、またはそれよりも高いことがさらに好ましい。固着材14の屈折率は、たとえばクラッド部11bに対する比屈折率差が0%以上10%以下である。また、固着材14は、光ファイバ11の長手方向に直交する方向における厚さが1μm以上800μm以下とされていることが好ましい。なお、UV硬化樹脂は、例えば、フッ素を含有させることで低屈折率化でき、イオウを含有させることで高屈折率化できることが知られており、屈折率を高くする材料や、低くする材料の含有量を調整することで、屈折率を調整することができる。
つぎに、エンドキャップ12のより具体的構成およびレーザ光L1の入力状態について、図3を参照して説明する。図3において、レーザ光L1a、L1b、L1cはレーザ光L1の成分である。
エンドキャップ12の底面12bcには、AR(Anti-Reflection)コーティング12cが設けられている。これにより、レーザ光L1a、L1b、L1cの底面12bcでの反射が抑制される。
エンドキャップ12の底面12bcは、光ファイバ11の端面11dよりも面積が大きい。その結果、レーザ光L1が集光されて端部構造10に入力する場合、光ファイバ11の端面11dに直接入力する場合よりも、エンドキャップ12の底面12bcに入力する方が、界面におけるレーザ光L1のビームのパワー密度が小さい状態で入力する。その結果、レーザ光L1のパワーによるガラスの損傷の発生が抑制される。
また、エンドキャップ12の側面12ab、円環面12ba、および、底面12aaのうち、光ファイバ11の端面11dが接合された領域の周囲にある円環状の領域には、光処理材12dが設けられている。
レーザ光L1には、光ファイバ11のコア部11aに結合してコア部11aを伝搬する成分であるレーザ光L1aが含まれている。また、レーザ光L1には、光ファイバ11のコア部11aに結合しないが、クラッド部11bに結合してクラッドモードで伝搬する成分であるレーザ光L1bが含まれている。なお、クラッドモードで伝搬したレーザ光L1bは、長手方向において徐々に漏洩し、固着材14を通過して光吸収体13に吸収される。
さらに、レーザ光L1には、光ファイバ11に結合しない成分、すなわち非結合光であるレーザ光L1cが含まれている。レーザ光L1cはたとえば底面12aaのうち、端面11dが接合された領域の周囲にある円環状の領域に到達する。
光処理材12dは、レーザ光L1cを散乱または反射する。その結果、レーザ光L1cが固着材14や被覆11cに到達することが抑制される、または散乱された光の場合、固着材14や被覆11cに到達しても光密度が低くなっているので、固着材14や被覆11cの損傷が抑制される。
光処理材12dは、レーザ光L1cを散乱または反射するものであれば特に限定されない。たとえは、光処理材12dは、誘電体多層膜や金属膜からなる高反射コーティングである。高反射コーティングの反射率は80%以上が好ましく、95%以上がさらに好ましい。
たとえは、光処理材12dは、主成分として無機系接着剤を含む。また、光処理材12dは、無機系接着剤からなるものでもよい。無機系接着剤は、たとえばケイ素系やアルミナ系のものであり、未硬化の状態で塗布した後に硬化させることで、セラミック状の膜となる。無機系接着剤は光を反射したり散乱したりする。無機系接着剤は耐熱性が高いので好ましい。また、無機系接着剤が有機溶剤を使用するものである場合、有機溶剤は、硬化の際に殆どが揮発する。
たとえは、光処理材12dは、主成分としてレーザ光L1cを散乱させる樹脂剤を含む。また、光処理材12dは、レーザ光L1cを散乱させる樹脂剤からなるものでもよい。このような樹脂としては、たとえばシリコーン系の熱伝導性コンパウンドを使用できる。このような熱伝導性コンパウンドは、たとえば窒化ホウ素をフィラーとして含み、フィラーによって光が散乱され、拡散する。このような熱伝導性コンパウンドは、たとえば窒化ホウ素をフィラーとして含むものであり、たとえば米国コメリクス社製T644である。また、光を散乱するフィラーは、窒化ホウ素に限られず、他の無機フィラーでもよい。
また、光処理材12dが無機系接着剤や樹脂剤を含むものであれば、光ファイバ11とエンドキャップ12とを融着接続した後に、塗布して硬化させることによって光処理材12dを容易かつ安価に形成することができる。また、光ファイバ11との間に隙間ができないように光処理材12dを設けることが容易にできる。
なお、本実施形態では、光処理材12dは、エンドキャップ12の側面12ab、円環面12ba、および、底面12aaのうち円環状の領域に設けられている。しかし、光処理材は、たとえば底面12aaのうち円環状の領域または該領域の一部のみに設けられていてもよいし、底面12aaのうち円環状の領域と、エンドキャップ12の側面12abまたは側面12abの一部とに設けられていてもよい。
以上説明したように、端部構造10では、固着材14や被覆11cの損傷が抑制される。
(実施形態2)
図4は、実施形態2に係る端部構造10Aの模式的な一部切欠図である。この端部構造10Aは、半導体レーザモジュール100において端部構造10に置き換えて使用することができる。
端部構造10Aは、光ファイバ11と、エンドキャップ12Aと、光吸収体13Aと、固着材14と、光処理材12Adを備えている。
エンドキャップ12Aは、図3に示すエンドキャップ12の構成から、光処理材12dを削除した構成を有する。光吸収体13Aは、図2に示す光吸収体13の構成に、さらに注入孔13cを設けた構成を有する。注入孔13cは光吸収体13の外周面から凹部13bに連通するように形成されている。光吸収体13Aは、単一の筒状の部材で構成されていてもよいし、複数の部材を組み合わせて構成されていてもよい。固着材14は、図2と同様に、光ファイバ11のクラッド部11bと光吸収体13Aとを固着している。
端部構造10Aでは、光吸収体13Aの凹部13bに光処理材12Adが充填されている。これによって、エンドキャップ12Aの側面12ab、円環面12ba、および、底面12aaのうち光ファイバ11の端面11dが接合された領域の周囲にある円環状の領域に、光処理材12Adが設けられている。その結果、端部構造10Aでは、端部構造10の場合と同様に、エンドキャップ12Aの底面12bcから入力されたレーザ光L1のうち、光ファイバ11に結合しない非結合光を、光処理材12Adが散乱または反射する。その結果、固着材14や被覆11cの損傷が抑制される。
光処理材12Adは、たとえば主成分として無機系接着剤を含む、または非結合光を散乱させる樹脂剤を含むものであり、光処理材12dと同様のものが使用できる。光処理材12Adは、未硬化の状態で注入孔13cから注入した後に硬化させることで、凹部13bに充填された状態とすることができる。
本実施形態においても、光処理材12Adは、たとえば底面12aaのうち円環状の領域または該領域の一部のみに設けられていてもよいし、底面12aaのうち円環状の領域と、エンドキャップ12の側面12abまたは側面12abの一部とに設けられていてもよい。ただし、光処理材12Adが設けられる領域はこれらに限定されない。
(実施形態3)
図5は、実施形態2に係る端部構造10Bの模式的な一部切欠図である。この端部構造10Aは、半導体レーザモジュール100において端部構造10に置き換えて使用することができる。
端部構造10Bは、光ファイバ11Bと、エンドキャップ12と、光吸収体13Bと、固着材14とを備えている。
光ファイバ11Bは、光ファイバ11のクラッド部11bをクラッド部11Bbに置き換えた構成を有する。光ファイバ11Bは、クラッド部11Bbの長手方向における一部が太径化された太径部11Bbaを有する。太径部11Bbaは、クラッド径が、光ファイバ11Bの端面11Bdにおいては太径部11Bba以外の部分と同じであり、たとえば125μmである。太径部11Bbaは、端面11Bdから離間するにつれてクラッド径がテーパ状に拡径する部分と、クラッド径が一定の太径である部分と、端面11Bdから離間するにつれてクラッド径がテーパ状に縮径する部分とからなる。縮径した後のクラッド径はたとえば125μmである。一定の太径の部分のクラッド径は125μmより大きく、たとえば500μmである。
光吸収体13Bは、光吸収体13と同様に、光ファイバ11Bが配置される挿通孔13Baと、挿通孔13Baと連通しており、エンドキャップ12が配置される凹部13bとを有する。挿通孔13Baの内径は、光ファイバ11Bの太径部11Bbaのクラッド径に対応した大きさとされている。光吸収体13Bは、クラッド部11Bbの太径部11Bbaにおいて固着材14で固着される。
エンドキャップ12には、図3に示すエンドキャップと同様に、図5では不図示の光処理材12dが設けられている。
端部構造10Bにおいても、端部構造10や10Aと同様に、固着材14や被覆11cの損傷が抑制される。
さらに、端部構造10Bでは、クラッドモードで伝搬したレーザ光(たとえば図2におけるレーザ光L1b)が太径部11Bbaの外周面に到達し、漏洩して固着材14を通過する際には、太径部11Bbaが無い場合よりも、レーザ光のパワー密度が低減される。その結果、固着材14の損傷の発生をより一層抑制できる。
なお、本実施形態では、太径部11Bbaが光ファイバ11の端面11dから始まっているが、太径部11Bbaが端面11dから離れていてもよい。また、本実施形態では、太径部11Bbaの両端がテーパ状になっているが、両端の少なくとも一方がステップ状になっていてもよい。
また、上記実施形態では、エンドキャップ12、12Aは円柱形状と円錐台形状とを組み合わせた形状を有するが、エンドキャップの形状はこれには限定されず、たとえば直方体形状や円柱形状でもよい。
なお、上記実施形態では、赤外領域の波長のレーザ光を例に挙げたが、波長はこれに限定されない。例えば、緑色や青色のような短波長のレーザ光にあっては、固着材によるエネルギの吸収量が赤外領域の波長のレーザ光よりも大きく、本発明による効果がより顕著になる場合がある。
また、上記実施形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
本発明は、光ファイバおよび半導体レーザモジュールに利用することができる。
10、10A、10B 端部構造
11、11B 光ファイバ
11a コア部
11b、11Bb クラッド部
11Bba 太径部
11c 被覆
11d、11Bd 端面
12、12A エンドキャップ
12a 出力部
12aa 底面
12ab 側面
12b 入力部
12ba 円環面
12bb 側面
12bc 底面
12c ARコーティング
12d、12Ad 光処理材
13、13A、13B 光吸収体
13a、13Ba 挿通孔
13b 凹部
13c 注入孔
14 固着材
100 半導体レーザモジュール
101 パッケージ
102 LD高さ調整板
103-1~103-6 サブマウント
104-1~104-6 半導体レーザ素子
105 リードピン
106-1~106-6 第1レンズ
107-1~107-6 第2レンズ
108-1~108-6 ミラー
109 第3レンズ
110 光フィルタ
111 第4レンズ
112 光ファイバ
113 ブーツ
114 ルースチューブ
L1、L1a、L1b、L1c レーザ光

Claims (9)

  1. コア部と、前記コア部の外周に形成されたクラッド部とを有する光ファイバと、
    前記光ファイバの端面に接合された、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第1面と、前記第1面とは反対側に位置し、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第2面とを有し、前記第2面から光が入力されるエンドキャップと、
    を備え、
    前記エンドキャップに入力された光には、前記光ファイバに結合しない成分が含まれ、
    前記第1面のうち、前記光ファイバの端面が接合された領域の周囲の円環状の領域に、前記光ファイバに結合しない成分を散乱または反射する光処理材が設けられていることを特徴とする光ファイバにおける端部構造。
  2. 前記エンドキャップは、
    前記第2面と、当該第2面に対して前記光ファイバ側に離れて位置した円環面と、を有するとともに、前記第2面と前記円環面との間で延びた円柱形状を有した入力部と、
    前記円環面の円環の内側から前記光ファイバに向けて先細り状に突出した円錐台形状を有するとともに、前記第1面と、前記円錐台形状の側面と、を有した出力部と、
    を有し、
    さらに、前記円環面および前記側面に、前記光ファイバに結合しない成分を散乱または反射する光処理材が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載の光ファイバにおける端部構造。
  3. 前記光処理材は無機系接着剤、または光を反射する金属膜もしくは誘電体多層膜を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の光ファイバにおける端部構造。
  4. 前記光処理材は前記光を散乱させる樹脂剤を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の光ファイバにおける端部構造。
  5. 前記光ファイバの前記端面側の一部および前記エンドキャップの外周に配置され、少なくとも前記光ファイバを固定する光吸収体をさらに備えることを特徴とする請求項1~のいずれか一つに記載の光ファイバにおける端部構造。
  6. 前記光ファイバと前記エンドキャップとは融着接続されていることを特徴とする請求項1~のいずれか一つに記載の光ファイバにおける端部構造。
  7. 前記光ファイバは、前記クラッド部の長手方向における一部が太径化された太径部を有することを特徴とする請求項1~のいずれか一つに記載の光ファイバにおける端部構造。
  8. 請求項1~のいずれか一つに記載の光ファイバにおける端部構造と、
    レーザ光を出力する半導体レーザ素子と、
    前記レーザ光を集光して前記端部構造の前記エンドキャップの前記第2面に入力させる光学系と、
    を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
  9. コア部と、前記コア部の外周に形成されたクラッド部とを有する光ファイバと、
    前記光ファイバの端面に接合された、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第1面と、前記第1面とは反対側に位置し、前記光ファイバの端面よりも面積が広い第2面とを有し、前記第2面から光が入力されるエンドキャップと、
    を備え、
    前記エンドキャップに入力された光には、前記光ファイバに結合しない成分が含まれ、
    前記第1面のうち、前記光ファイバの端面が接合された領域の周囲の領域の少なくとも一部に、前記光ファイバに結合しない成分を散乱または反射する光処理材が設けられ、
    前記光ファイバの前記端面側の一部および前記エンドキャップの外周に配置され、少なくとも前記光ファイバを固定する光吸収体を備え、
    前記クラッド部と前記光吸収体との間に当該クラッド部および当該光吸収体に接した状態で介在する固着剤により、前記クラッド部と前記光吸収体とが固着されている、ことを特徴とする光ファイバにおける端部構造。
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