JP7474770B2 - 発光ダイオードパッケージアセンブリ - Google Patents
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Description
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側面を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極と前記第1の表面の少なくとも一部を露出させる第1の有色層である第1のパッケージ層と、
前記第1のパッケージ層に形成され、前記LEDチップの第1の表面を覆い、且つ、前記第1のパッケージ層の透過率より大である所定の透過率を有する光透過層である第2のパッケージ層と、前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆う絶縁層と、を備える。
Claims (28)
- 互いに間を開けて第1の方向に沿って複数の列を構成し、そして各列が該第1の方向に直交する第2の方向に沿って並べられるように配置され、いずれも反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、前記第2の表面に形成された第1の電極と第2の電極とからなる電極セットとをそれぞれ有し、前記第1の電極及び第2の電極は前記第2の方向に沿って並べられ、且つ、前記第1の表面を光射出面とする複数のLEDチップと、
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側壁を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極を露出させる光吸収層であり、且つ、透過率が低いもしくは光が透過できない材料からなるパッケージ層と、
前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、
前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆い、且つ、1層または多層構造を有し、且つ、全体的に透明材料からなる絶縁層と、を備える発光ダイオードパッケージアセンブリであって、
隣り合う2つの列の前記LEDチップの前記第1の電極と前記第2の電極は配置された位置が反対であることを特徴とする発光ダイオードパッケージアセンブリ。 - 前記絶縁層の透過率が50%以上あることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の透過率が前記パッケージ層の透過率より大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層にマイクロメートルレベルの粒子が含まれていないことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は硬化した感光性材料によりなるものであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の少なくとも1層の硬度は前記配線層の硬度より高いことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層の硬度はD60以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、前記絶縁層により該複数層の電気伝導回路を互いに絶縁することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数層の電気伝導回路における少なくとも1層の厚さは50μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージ層の透過率は30%以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記LEDチップの第1の表面を覆うように前記パッケージ層に形成されて、厚さが20μm以下である光透過層を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記光透過層の透過率は40%~80%であることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記光透過層の透過率は70%以上であることを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数のLEDチップによりm×nマトリックス配置の複数の発光ユニットを構成し、前記mとnはいずれも1より大である整数であり、各前記発光ユニットはいずれも第1のLEDチップと第2のLEDチップと第3のLEDチップとを有し、そして各発光ユニットの間の間隔は1mm以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージアセンブリ全体の厚さは100~500μmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 互いに間を開けて第1の方向に沿って複数の列を構成し、そして各列が該第1の方向に直交する第2の方向に沿って並べられるように配置され、いずれも反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、前記第2の表面に形成された第1の電極と第2の電極とからなる電極セットとをそれぞれ有し、前記第1の電極及び第2の電極は前記第2の方向に沿って並べられ、且つ、前記第1の表面を光射出面とする複数のLEDチップと、
前記LEDチップの間の隙間に充填されて前記LEDチップの側面を覆うと共に、前記LEDチップの第1の電極と第2の電極と前記第1の表面の少なくとも一部を露出させる有色層であり、且つ、透過率が低いもしくは光が透過できない材料からなる第1のパッケージ層と、
前記第1のパッケージ層に形成され、前記LEDチップの第1の表面を覆い、且つ、前記第1のパッケージ層の透過率より大である所定の透過率を有する光透過層である第2のパッケージ層と、
前記LEDチップの第2の表面に形成されると共に、反対する第1の表面と第2の表面と、該第1の表面と第2の表面との間に接続されている側面と、を有し、且つ、前記第1の表面が前記LEDチップの電極セットに接続する配線層と、
前記配線層をカバーするように前記パッケージ層の表面を覆う全体的に透明材料からなる絶縁層と、を備える発光ダイオードパッケージアセンブリであって、
隣り合う2つの列の前記LEDチップの前記第1の電極と前記第2の電極は配置された位置が反対であることを特徴とする発光ダイオードパッケージアセンブリ。 - 前記第1のパッケージ層の透過率は50%以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第1のパッケージ層の透過率は0~30%であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第1のパッケージ層に光吸収粒子が含まれていることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第2のパッケージ層の厚さは5~20μmであることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記第2のパッケージ層は散乱層であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は1層または多層構造を有し、そのうち少なくとも1層の硬度は前記配線層の硬度より高いことを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 各前記LEDチップの光射出面の間の高低差は10μm以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記絶縁層は1層または多層構造を有し、そのうち少なくとも1層は硬化した感光性材料によりなったものであることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、前記絶縁層により該複数層の電気伝導回路を互いに絶縁することを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記複数のLEDチップによりm×nマトリックス配置の複数の発光ユニットを構成し、前記mとnはいずれも1より大である整数であり、各前記発光ユニットはいずれも第1のLEDチップと第2のLEDチップと第3のLEDチップとを有し、そして各発光ユニットの間の間隔は1mm以下であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記配線層は複数層の電気伝導回路を有し、その層数は4層以下であることを特徴とする請求項26に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
- 前記パッケージアセンブリ全体の厚さは100~500μmの範囲内であることを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージアセンブリ。
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