JP7473839B2 - レーザダイオード素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、レーザダイオード素子及びその製造方法に関する。

特許文献１には、窒化物半導体基板上に複数の発光素子構造を有する光集積型の半導体発光素子が記載されている。特許文献１の半導体発光素子において、複数の発光素子構造の形状は、半導体発光素子の中心線に対して線対称である。また、特許文献１には、窒化物半導体基板の例としてＧａＮ基板が記載されており、ＧａＮ基板を劈開することで、半導体発光素子の端面を形成することが記載されている。

特開２００６－２１６７７２号公報

劈開により形成される端面の形状は、窒化物半導体基板を含む積層体の形状によって変わる場合がある。複数のレーザ光を出射するレーザダイオード素子において、各レーザ光の光導波路に対応する部分の端面の形状のばらつきが大きいほど、１つのレーザダイオード素子における複数のレーザ光の特性のばらつきが大きくなる。

本開示は、以下の発明を含む。
窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の上に設けられた第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第２導電型半導体層と、を有する積層体を準備する工程であって、
前記積層体は、上面視で、複数の劈開予定線と、前記劈開予定線と交差する複数の分割予定線と、によって区画される、複数の素子領域を含み、
前記素子領域は、一方の前記劈開予定線と他方の前記劈開予定線とを繋ぐ第１側面及び第２側面と、上面視で前記第１側面及び第２側面の間に配置され、前記劈開予定線と交差する方向を長手方向とするリッジと、を含む、複数の凸部を有し、
前記第１側面の下端及び前記第２側面の下端は、前記活性層の下面よりも下方に位置し、
上面視で、前記劈開予定線における、前記第１側面から前記リッジまでの第１距離は、前記第２側面から前記リッジまでの第２距離とは異なっており、
１つの前記素子領域における複数の前記第１距離は等しい、工程と、
前記劈開予定線に沿って、前記積層体を劈開する工程であって、複数の前記凸部のそれぞれにおける劈開は、前記第１側面から開始し、前記第２側面に到達する、工程と、
前記分割予定線に沿って、前記積層体を分割する工程と、を備える、レーザダイオード素子の製造方法。

窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の上に設けられた第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２導電型半導体層と、
光出射側端面と、
光反射側端面と、
前記光出射側端面及び前記光反射側端面を繋ぐ第１側面及び第２側面と、上面視で、前記第１側面及び第２側面の間に配置され、前記光出射側端面と交差する方向を長手方向とするリッジと、を含む、複数の凸部と、を備え、
前記第１側面の下端及び前記第２側面の下端は、前記活性層の下面よりも下方に位置し、
上面視で、前記光出射側端面における、前記第１側面から前記リッジまでの第１距離は、前記第２側面から前記リッジまでの第２距離とは異なっており、
複数の前記凸部の前記第１距離は等しい、レーザダイオード素子。

上述の発明によれば、複数のリッジにそれぞれ対応する複数のレーザ光の特性のばらつきが低減されたレーザダイオード素子を得ることができる。

本発明の一実施形態のレーザダイオード素子の製造方法を示すフローチャートである。 本発明の一実施形態のレーザダイオード素子の製造方法を示す模式的な上面図である。 積層体の一部を拡大して示す模式的な上面図である。 図３の一部拡大図である。 図４ＡのIVＢ－IVＢ線における断面図である。 図４ＡのIVＣ－IVＣ線における断面図である。 凸部の形状を説明するための模式的な上面図である。 凸部の形状を説明するための模式的な上面図である。 凸部の形状の変形例を説明するための模式的な上面図である。 図６Ａの一部拡大図である。 図６Ａの一部拡大図である。 島部を有する例を説明するための模式的な上面図である。 島部を有する他の例を説明するための模式的な上面図である。 積層体の変形例を説明するための模式的な断面図である。 積層体の変形例を説明するための模式的な上面図である。 図９ＡのVIIＢ－VIIＢ線における断面図である。 図９ＡのVIIＣ－VIIＣ線における断面図である。 本発明の一実施形態のレーザダイオード素子の製造方法を示す模式的な上面図である。 本発明の一実施形態のレーザダイオード素子の製造方法を示す模式的な上面図である。 本発明の一実施形態のレーザダイオード素子を示す模式的な上面図である。 図１２ＡのＸＢ－ＸＢ線における断面図である。 本発明の一実施形態の発光装置を示す模式的な断面図である。 実施例１及び比較例の閾値電流値の正規確率分布を表すグラフである。

以下、図面を参照し、本発明の一実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。また、各断面図では、切断面の様子のみを示し、切断面に存在しない部材は図示を省略する。

図１は、本実施形態のレーザダイオード素子の製造方法を示すフローチャートである。図１に示すとおり、本実施形態のレーザダイオード素子の製造方法は、積層体準備工程Ｓ１０１と、劈開工程Ｓ１０２と、分割工程Ｓ１０３と、を有する。図２から図１２Ｂは、本実施形態に係るレーザダイオード素子の製造方法を説明するための模式図である。

（積層体準備工程Ｓ１０１）
まず、図２に示すように、積層体１００を準備する。図２に示す積層体１００は、ウエハである。積層体１００は、上面視で、複数の劈開予定線２００と、劈開予定線２００と交差する複数の分割予定線３００と、によって区画される、複数の素子領域４００を含む。図２において、図中左右方向に延びる線が劈開予定線２００であり、図中上下方向に延びる線が分割予定線３００である。劈開予定線２００と分割予定線３００は、いずれも仮想線である。劈開予定線２００と分割予定線３００は、例えば垂直に交わっている。上面視において、素子領域４００は例えば矩形である。図２では、すべての劈開予定線２００及び分割予定線３００の終端を積層体１００の外縁と一致させているが、レーザダイオード素子として完成させない部分には劈開予定線２００及び／又は分割予定線３００が存在しなくてもよい。積層体１００は、図２に示すようにウエハであってもよく、ウエハを複数の部分に分割した分割片であってもよい。

図３は、積層体１００の一部を拡大して示す模式的な上面図である。図３に示すようなパターンが、素子領域４００のそれぞれに配置されている。図３では、すべての素子領域４００が同じパターンである。一部の素子領域４００が異なるパターンを有していてもよい。

図４Ａは、図３の一部拡大図である。図４Ｂは、図４ＡのIVＢ－IVＢ線における断面図である。図４Ｃは、図４ＡのIVＣ－IVＣ線における断面図である。図４Ａ中のIVＢ－IVＢ線は劈開予定線２００と一致する。すなわち、図４Ｂは劈開予定線２００における断面図である。

図４Ａ～図４Ｃに示すように、積層体１００は、窒化物半導体基板１１と、第１導電型半導体層１２と、活性層１３と、第２導電型半導体層１４と、を有する。第１導電型半導体層１２は、窒化物半導体基板１１の上に設けられている。活性層１３は、第１導電型半導体層１２の上に設けられている。第２導電型半導体層１４は、活性層１３の上に設けられている。

窒化物半導体基板１１として例えばＧａＮ基板を準備する。ＧａＮ等のウルツ鉱構造を有する窒化物半導体の劈開容易面はｍ面（すなわち、｛１０－１０｝面）である。この場合、上面視において、劈開予定線２００をｍ面と一致させることが好ましい。これにより、劈開予定線２００に沿って精度良く劈開を行うことができる。なお、本開示において、ｍ面と一致とは、厳密にｍ面と一致する場合に限らず、ｍ面に対する角度が０．１度以下の場合も含む。例えば、窒化物半導体基板１１の上面をｃ面（すなわち、（０００１）面又は（０００－１）面）とし、劈開予定線２００をｍ面と一致させる。本開示において、ｃ面は、厳密に（０００１）面又は（０００－１）面と一致する面に限らず、±０．０３～１度の範囲内のオフ角を有する面も含む。窒化物半導体基板１１の形状は、例えば上面視において円形状である。窒化物半導体基板１１として、オリエンテーションフラット（ＯＦ）を有する基板を用いてもよい。窒化物半導体基板１１がＯＦを有する基板であれば、ＯＦを基準として劈開予定線２００をｍ面と一致させることができる。

第１導電型半導体層１２と、活性層１３と、第２導電型半導体層１４とを構成する半導体は、窒化物半導体とすることができ、例えば、III族窒化物半導体とする。III族窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮが挙げられる。窒化物半導体基板１１の上に、第１導電型半導体層１２をエピタキシャル成長させ、次に、活性層１３と第２導電型半導体層１４とをエピタキシャル成長させることで、これらの結晶方位を実質的に一致させることができる。これにより、劈開予定線２００は、窒化物半導体基板１１のｍ面と一致させることで、その上の活性層１３等のｍ面とも一致させることができる。第１導電型半導体層１２は、例えばｎ型半導体層である。第２導電型半導体層１４は、例えばｐ型半導体層である。窒化物半導体基板１１と、第１導電型半導体層１２と、活性層１３と、第２導電型半導体層１４とは、それぞれ直接接していてもよく、それらの間に別の半導体層が配置されていてもよい。例えば、第２導電型半導体層１４と活性層１３との間にアンドープの層が配置されていてもよい。活性層１３は、多重量子井戸構造、又は、単一量子井戸構造とすることができる。窒化物半導体基板１１の上に形成される複数の半導体層としては、例えば、窒化物半導体基板１１側から順に、ｎ側クラッド層、ｎ側光ガイド層、活性層１３、ｐ側電子閉じ込め層、ｐ側光ガイド層、ｐ側クラッド層、ｐ側コンタクト層が挙げられる。例えば、ｎ側クラッド層が第１導電型半導体層１２であり、ｐ側クラッド層が第２導電型半導体層１４である。第１導電型半導体層１２と活性層１３と第２導電型半導体層１４とを含む複数の半導体層は、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成することができる。

複数の素子領域４００は、それぞれ、複数の凸部２０を有する。１つの素子領域４００が有する凸部２０の数は、２以上であり、３以上であってもよい。３以上の場合、１つの素子領域４００における複数の凸部２０は、第１凸部２０ａと、第２凸部２０ｂと、１以上の中間凸部２０ｃと、を有する。第１凸部２０ａは、劈開が開始する側に位置する。第２凸部２０ｂは、劈開が終了する側に位置する。図４Ａ～図４Ｃにおいて、図中右側が、劈開が開始する側であり、図中左側が、劈開が終了する側である。すなわち、後述する劈開工程において、図中右から左へ劈開が進行する。中間凸部２０ｃは、第１凸部２０ａと第２凸部２０ｂの間に位置する。中間凸部の数は、例えば２つである。

複数の凸部２０は、それぞれ、第１側面２１と、第２側面２２と、リッジ２３と、を有する。第１側面２１及び第２側面２２は、それぞれ、１つの素子領域４００を区画する２つの劈開予定線２００のうち一方と他方とを繋ぐ面である。上面視において、第１側面２１と第２側面２２は２つの劈開予定線２００を介して繋がっている。上面視において、１つの凸部２０の外縁は、２つの劈開予定線２００と、第１側面２１と、第２側面２２とから構成されている。第１側面２１及び第２側面２２は、凸部２０の上面に対して傾斜していてもよく、この場合、凸部２０の外縁は第１側面２１の上端と第２側面２２の上端を用いて規定することができる。図４Ａ～図４Ｃに示す複数の凸部２０のそれぞれにおいて、図中右側の側面が第１側面２１であり、図中左側の側面が第２側面２２である。

リッジ２３は、上面視で、第１側面２１及び第２側面２２の間に配置されている。上面視で、リッジ２３は、劈開予定線２００と交差する方向を長手方向とする。すなわち、リッジ２３は、一方に長い形状であり、その長手方向は劈開予定線２００と交差する方向である。リッジ２３の長手方向は、分割予定線３００と平行な方向であってよい。リッジ２３は、例えばストライプ状である。リッジ２３によって光導波路を規定することができる。例えば、活性層１３のうちリッジ２３の直下の部分及びその周辺部を光導波路とすることができる。１つの素子領域４００が複数のリッジ２３を有するため、得られるレーザダイオード素子は複数の光導波路を有する。リッジ２３は、例えば、１つの凸部２０に１つずつ形成する。これにより、得られるレーザダイオード素子において、複数の光導波路の駆動制御をそれぞれ独立に行うことができる。リッジ２３は、例えば、第２導電型半導体層１４の上面の一部に形成されている。リッジ２３を含む複数の凸部２０は、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて窒化物半導体基板１１上の複数の半導体層の一部を除去することにより、形成することができる。

第１側面２１の下端、及び、第２側面２２の下端は、活性層１３の下面よりも下方に位置する。これにより、複数の凸部２０の活性層１３が分断されるため、得られるレーザダイオード素子において、複数の凸部２０に対応する複数の光導波路のそれぞれを個別に駆動させることが可能となる。また、第１側面２１の下端が活性層１３の下面よりも下方に位置することにより、後述する劈開工程において、光導波路の一部を構成する端面が第１側面２１を起点とする劈開により形成される。このため、凸部２０の形状が、光導波路の一部を構成する端面の形状に影響を与え得る。第１側面２１の下端及び第２側面２２の下端は、例えば第１導電型半導体層１２に位置する。第１側面２１の上端及び第２側面２２の上端は、例えば第２導電型半導体層１４に位置する。第２導電型半導体層１４は、複数の凸部２０のそれぞれに配置されている。１つの凸部２０の第２導電型半導体層１４と、別の１つの凸部２０の第２導電型半導体層１４とは、繋がっておらず、離間している。言い換えると、１つの素子領域４００は、複数の第２導電型半導体層１４を有するといってよい。このように第２導電型半導体層１４が分断されていることにより、複数の凸部２０のそれぞれの駆動制御を独立して行うことが可能になる。

図４Ａ及び図４Ｂに示すように、劈開予定線２００において、第１凸部２０ａと分割予定線３００との距離は、第２凸部２０ｂと分割予定線３００との距離よりも小さくすることができる。このような距離の非対称性は、光出射側となる部分と光反射側となる部分の判別に用いることができる。また、このような距離の非対称性は、個片化後のレーザダイオード素子においては、光出射側端面と光反射側端面の判別に用いることができる。

図５Ａ及び図５Ｂは、凸部２０の形状を説明するための模式的な上面図である。図５Ａは図３と同じ領域において、図５Ｂは図４Ａと同じ領域において、それぞれ、凸部２０と、リッジ２３と、劈開予定線２００と、分割予定線３００のみを示す図である。図５Ｂにおいて、凸部２０は実線で示し、リッジ２３は破線で示す。図５Ｂに示すように、上面視で、劈開予定線２００における、第１側面２１からリッジ２３までの第１距離Ｄ１は、第２側面２２からリッジ２３までの第２距離Ｄ２とは異なっている。そして、１つの素子領域４００における複数の第１距離Ｄ１は等しい。図５Ｂでは４つの第１距離Ｄ１があり、これらはすべて等しい。

第１距離Ｄ１を等しくすることにより、後述する劈開工程において、それぞれの凸部２０における劈開の開始から光導波路に対応する部分に至るまでの距離を均一に近付けることができる。これによって、後述する劈開工程によって形成される端面の形状を、それぞれの凸部２０の光導波路に対応する部分において均一に近付けることが可能であると考えられる。その結果、得られるレーザダイオード素子の複数のリッジにそれぞれ対応する複数のレーザ光の特性のばらつきを低減することができる。また、複数のレーザダイオード素子間のばらつきを低減することができる。なお、「複数の第１距離Ｄ１が等しい」とは、第１距離Ｄ１が厳密に同一であることのみならず、最小の第１距離Ｄ１と最大の第１距離Ｄ１との差が１μｍ以下のものも含む。

第２距離Ｄ２は、劈開の方向においてリッジ２３から第２側面２２までの距離であるため、光導波路に対応する部分の劈開への影響は第１距離Ｄ１よりも小さいと考えられる。このため、１つの素子領域４００における複数の第２距離Ｄ２は、等しくなくてもよい。図５Ｂでは、複数の第２距離Ｄ２をすべて等しくしている。複数の第２距離Ｄ２が等しいことにより、劈開工程によって形成される端面の形状をより均一に近付けることが可能であると考えられる。

第１側面２１とリッジ２３が近くなると、劈開工程によって形成される端面のリッジ２３直下の部分の平坦性が悪化する場合がある。このため、第１距離Ｄ１は、２０μｍ以上であることが好ましい。一方、第１距離Ｄ１の統一による上述の効果は、第１側面２１とリッジ２３が近いほど得られやすい。このため、第１距離Ｄ１は、８０μｍ未満であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましい。また、第１距離Ｄ１は、第２距離Ｄ２よりも長いことが好ましい。これにより、第１距離Ｄ１の統一による効果を得ながら、凸部２０の劈開予定線２００に沿った方向における幅を小さくすることができる。凸部２０の幅を小さくすることにより、得られるレーザダイオード素子の幅を小さくすることが可能である。第２距離Ｄ２は、５μｍ以上とすることができる。第２距離Ｄ２は、５０μｍ未満とすることができ、２０μｍ未満であることが好ましい。これにより、レーザダイオード素子の小型化が可能である。

凸部２０の劈開予定線２００に沿った方向における幅は、例えば、２０μｍ以上とすることができる。１つの素子領域４００において隣り合う２つの凸部２０の間の最短距離は、例えば１μｍ以上とすることができ、２μｍ以上であることが好ましい。これにより、隣り合う凸部２０が短絡する可能性を低減することができる。なお、凸部２０間の距離とは、上面視で、一方の凸部２０の外縁と他方の凸部２０の外縁との距離を指す。短絡の可能性をより低減するために、図４Ｂ及び図４Ｃに示すように、凸部２０の側面には絶縁膜３０が設けられていることが好ましい。凸部２０の劈開予定線２００に沿った方向における幅は、１５０μｍ以下とすることができ、５０μｍ以下とすることができる。これにより、レーザダイオード素子の小型化が可能である。

上面視において、凸部２０は、リッジ２３を境界として第１側面２１の側に位置する第１領域と、第２側面２２の側に位置する第２領域とを有する。凸部２０は、劈開予定線２００に沿った方向における幅が互いに異なる外側部と内側部とを有していてもよい。外側部は凸部２０のうちの劈開予定線２００が通過する部分である。内側部は、１つの素子領域４００を定義する２つの劈開予定線２００が通過する２つの外側部の間に位置している。

図５Ａに示すように、第１凸部２０ａの第１領域は、一方の劈開予定線２００が通過する第１外側部２４ａと、他方の劈開予定線２００が通過する第２外側部２４ｂと、を有する。第１凸部２０ａの第１領域は、さらに、第１外側部２４ａ及び第２外側部２４ｂの間に位置する第１内側部２４ｃを有する。図５Ａにおいて、第１外側部２４ａ及び第２外側部２４ｂは格子状のハッチングで示し、第１内側部２４ｃは斜線のハッチングで示す。劈開予定線２００に沿った方向における幅について、第１内側部２４ｃの幅は、第１外側部２４ａ及び第２外側部２４ｂの幅よりも大きい。第１凸部２０ａの第１領域の幅は、１つの素子領域４００において隣り合うリッジ２３間の距離に影響を与えないため、第１凸部２０ａの第１領域に、そのような幅広の第１内側部２４ｃを設けてもよい。図５Ａにおいて、第１凸部２０ａの第１領域は、第１外側部２４ａと第２外側部２４ｂと第１内側部２４ｃとのみからなる。第１凸部２０ａの第１領域は、これ以外の部分を有していてもよい。第１凸部２０ａは、第１内側部２４ｃを有していなくてもよい。第１凸部２０ａの上面視形状は、中間凸部２０ｃの上面視形状と同じであってもよい。

リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第１内側部２４ｃの長さは、第１外側部２４ａ及び第２外側部２４ｂのそれぞれの長さよりも大きい。また、第１外側部２４ａ及び第２外側部２４ｂの合計長さよりも大きい。これにより、第１内側部２４ｃを第１導電層４１が主に設けられる部分として用いることができる。第１内側部２４ｃの長さは、リッジ２３の長さの半分以上とすることができ、９５％以上としてもよい。第１内側部２４ｃの長さは、リッジ２３の長さよりも小さくすることができ、９８％以下としてもよい。

第２凸部２０ｂの第２領域は、一方の劈開予定線２００が通過する第３外側部２５ａと、他方の劈開予定線２００が通過する第４外側部２５ｂと、を有する。第２凸部２０ｂの第２領域は、さらに、第３外側部２５ａ及び第４外側部２５ｂの間に位置する第２内側部２５ｃを有する。図５Ａにおいて、第３外側部２５ａ及び第４外側部２５ｂは格子状のハッチングで示し、第２内側部２５ｃは斜線のハッチングで示す。劈開予定線２００に沿った方向における幅について、第２内側部２５ｃの幅は、第３外側部２５ａ及び第４外側部２５ｂの幅よりも大きい。第１凸部２０ａの第１領域と同様の理由から、第２凸部２０ｂの第２領域に、そのような幅広の第２内側部２５ｃを設けてもよい。図５Ａにおいて、第２凸部２０ｂの第２領域は、第３外側部２５ａと第４外側部２５ｂと第２内側部２５ｃとのみからなる。第２凸部２０ｂの第２領域は、これ以外の部分を有していてもよい。第２凸部２０ｂは、第２内側部２５ｃを有していなくてもよい。その場合、後述する第３導電層４３は設けなくてもよい。第２凸部２０ｂの上面視形状は、中間凸部２０ｃの上面視形状と同じであってもよい。

リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第２内側部２５ｃの長さは、第３外側部２５ａ及び第４外側部２５ｂのそれぞれの長さよりも大きく、また、第３外側部２５ａ及び第４外側部２５ｂの合計長さよりも大きい。これにより、第２内側部２５ｃを第１導電層４１が主に設けられる部分として用いることができる。第２内側部２５ｃの長さは、リッジ２３の長さの半分以上とすることができ、９５％以上としてもよい。第２内側部２５ｃの長さは、リッジ２３の長さよりも小さくすることができ、９８％以下としてもよい。

第１外側部２４ａ及び第３外側部２５ａを設け、一方の素子領域４００の第１外側部２４ａと、それと向かい合う他方の素子領域４００の第３外側部２５ａとに挟まれた領域を、後述する劈開工程で溝を形成する領域として用いてもよい。一方の素子領域４００及び他方の素子領域４００は、例えば、図５Ａにおいて横方向に並ぶ２つの素子領域４００である。また、第２外側部２４ｂ及び第４外側部２５ｂを設け、一方の素子領域４００の第２外側部２４ｂと、それと向かい合う他方の素子領域４００の第４外側部２５ｂとに挟まれた領域を、後述する劈開工程で溝を形成する領域として用いてもよい。

図６Ａは、凸部２０の形状の変形例を説明するための模式的な上面図である。図６Ａに示すように、劈開予定線２００における凸部２０間の距離は、凸部２０間の最短距離より大きくてもよい。図６Ａでは、劈開予定線２００において、第１側面２１及び第２側面２２のそれぞれに、リッジ２３に向かう方向に凹んだ凹み形状を設けている。これにより、劈開工程で実際に劈開される位置と、劈開予定線２００とのずれを、低減することができる。このような凹み形状は、第１側面２１及び第２側面２２の一方のみに設けてもよい。実際の劈開位置と劈開予定線２００とのずれをより確実に低減するためには、両方に設けることが好ましい。図６Ａにおいて、第１距離Ｄ１は、凹み形状の最もリッジ２３側の辺からリッジ２３までの距離であり、第２距離Ｄ２は、凹み形状の最もリッジ２３側の辺からリッジ２３までの距離である。

図６Ａに示す凸部２０は、外側部と内側部との間に中間部を有する構造といえる。劈開予定線２００に沿った方向における幅について、中間部の幅は、外側部の幅よりも大きく内側部の幅よりも小さい。

図６Ｂは、第１凸部２０ａの劈開予定線２００付近の一部拡大図である。図６Ｂに示すように、第１凸部２０ａは、第１外側部２４ａと第１内側部２４ｃとの間に中間部２４ｄを有する。第１外側部２４ａの幅Ｗ_２４ａは第１距離Ｄ１と一致する。第１外側部２４ａの幅Ｗ_２４ａと第１内側部２４ｃの幅Ｗ_２４ｃと中間部２４ｄの幅Ｗ_２４ｄとの関係は、Ｗ_２４ａ＜Ｗ_２４ｄ＜Ｗ_２４ｃである。これらの幅の関係は、（Ｗ_２４ｄ－Ｗ_２４ａ）＜（Ｗ_２４ｃ－Ｗ_２４ｄ）を満たすことができる。図６Ａに示すように、中間部２４ｄを有することにより、１つの素子領域４００の中間部２４ｄと、劈開予定線２００を挟んでそれに隣接する他の素子領域４００の中間部２４ｄとの間の部分を、劈開時に劈開の進行をガイドする部分として利用することができる。このようなガイドとして利用するために、リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第１外側部２４ａの長さＬ_２４ａと中間部２４ｄの長さＬ_２４ｄとの関係は、Ｌ_２４ａ＜Ｌ_２４ｄであることが好ましい。第１内側部２４ｃの長さは、中間部２４ｄの長さＬ_２４ｄよりも長くてよい。

図６Ｃは、第２凸部２０ｂの劈開予定線２００付近の一部拡大図である。第２凸部２０ｂは、第３外側部２５ａと第２内側部２５ｃとの間に中間部２５ｄを有する。第３外側部２５ａの幅Ｗ_２５ａは第２距離Ｄ２と一致する。第３外側部２５ａの幅Ｗ_２５ａと第２内側部２５ｃの幅Ｗ_２５ｃと中間部２５ｄの幅Ｗ_２５ｄとの関係は、Ｗ_２５ａ＜Ｗ_２５ｄ＜Ｗ_２５ｃである。これらの幅の関係は、（Ｗ_２５ｄ－Ｗ_２５ａ）＜（Ｗ_２５ｃ－Ｗ_２５ｄ）を満たすことができる。図６Ａに示すように、中間部２５ｄを有することにより、１つの素子領域４００の中間部２５ｄと、劈開予定線２００を挟んでそれに隣接する他の素子領域４００の中間部２５ｄとの間の部分を、劈開時に劈開の進行をガイドする部分として利用することができる。このようなガイドとして利用するために、リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第３外側部２５ａの長さＬ_２５ａと中間部２５ｄの長さＬ_２５ｄとの関係は、Ｌ_２５ａ＜Ｌ_２５ｄであることが好ましい。第２内側部２５ｃの長さは、中間部２５ｄの長さＬ_２５ｄよりも長くてよい。

図６Ａに示すように、第１凸部２０ａの第２領域は、劈開予定線２００に沿った方向における幅が互いに異なる外側部と内側部とを有することができる。第１凸部２０ａの第２領域は、中間部を有しておらず、外側部と内側部とが直接的に繋がっている。第１凸部２０ａの第２領域の外側部の幅は、第２距離Ｄ２と一致する。第１凸部２０ａの第２領域における外側部の幅と内側部の幅との差は、第１凸部２０ａの第１領域における第１外側部２４ａの幅と中間部２４ｄの幅との差と同じとしてよい。リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第１凸部２０ａの第２領域の外側部の長さは、第１外側部２４ａの長さと同じとすることができる。

図６Ａに示すように、第２凸部２０ｂの第１領域は、劈開予定線２００に沿った方向における幅が互いに異なる外側部と内側部とを有することができる。第２凸部２０ｂの第１領域は、中間部を有しておらず、外側部と内側部とが直接的に繋がっている。第２凸部２０ｂの第１領域の外側部の幅は、第１距離Ｄ１と一致する。第２凸部２０ｂの第１領域における外側部の幅と内側部の幅との差は、第２凸部２０ｂの第２領域における第３外側部２５ａの幅と中間部２５ｄの幅との差と同じとしてよい。リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、第２凸部２０ｂの第１領域の外側部の長さは、第３外側部２５ａの長さと同じとすることができる。

図６Ａに示すように、中間凸部２０ｃの第１領域は、劈開予定線２００に沿った方向における幅が互いに異なる外側部と内側部とを有することができる。中間凸部２０ｃの第１領域は、中間部を有しておらず、外側部と内側部とが直接的に繋がっている。中間凸部２０ｃの第１領域の外側部の幅は、第１距離Ｄ１と一致する。中間凸部２０ｃの第１領域における外側部の幅と内側部の幅との差は、第１凸部２０ａの第１外側部２４ａの幅と中間部２４ｄの幅との差と同じとしてよい。リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、中間凸部２０ｃの第１領域の外側部の長さは、第１凸部２０ａの第１外側部２４ａの長さと同じとすることができる。

図６Ａに示すように、中間凸部２０ｃの第２領域は、劈開予定線２００に沿った方向における幅が互いに異なる外側部と内側部とを有することができる。中間凸部２０ｃの第２領域は、中間部を有しておらず、外側部と内側部とが直接的に繋がっている。中間凸部２０ｃの第２領域の外側部の幅は、第２距離Ｄ２と一致する。中間凸部２０ｃの第２領域における外側部の幅と内側部の幅との差は、第２凸部２０ｂの第３外側部２５ａの幅と中間部２５ｄの幅との差と同じとしてよい。リッジ２３の長手方向に沿った方向における長さについて、中間凸部２０ｃの第２領域の外側部の長さは、第２凸部２０ｂの第３外側部２５ａの長さと同じとすることができる。

図６Ａに示すように、すべての凸部２０において、外側部の長さを同じとしてもよい。図６Ａでは、分割予定線３００とリッジ２３との間に位置する第１凸部２０ａの第１領域及び第２凸部２０ｂの第２領域のみに中間部を設け、それ以外の各領域には中間部を設けていない。これにより、得られるレーザダイオード素子の幅を小さくすることができる。

図７Ａは、島部２６を有する例を説明するための模式的な上面図である。図７Ａは、第２凸部２０ｂの劈開予定線２００付近の一部拡大図である。図７Ａでは、図６Ｃと同様に、絶縁膜３０等を省略している。図７Ａに示すように、素子領域４００は、第２内側部２５ｃと少なくとも１つの劈開予定線２００との間に、第２凸部２０ｂから分離された島部２６を有する。島部２６は、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて窒化物半導体基板１１上の複数の半導体層の一部を除去することにより、形成することができる。

島部２６を設けることで、得られるレーザダイオード素子の遠視野像（ＦＦＰ）に生じるリップルを低減することができる。第１凸部２０ａ及び中間凸部２０ｃの第２領域の側方には他の凸部２０が配置されているが、第２凸部２０ｂの第２領域の側方には凸部が配置されていない。換言すると、第１凸部２０ａ及び中間凸部２０ｃの第２領域はそれぞれのリッジと他の凸部２０とに挟まれているが、第２凸部２０ｂの第２領域はそのような位置関係にない。このため、特に第１距離Ｄ１よりも第２距離Ｄ２を小さくする構造において、得られるレーザダイオード素子の駆動時に第２凸部２０ｂの第２領域から漏れる光の量が、第２凸部２０ｂの第１領域から漏れる光の量よりも増える傾向がある。また、第２凸部２０ｂの第２領域から漏れる光の量は、第１凸部２０ａ及び中間凸部２０ｃの第１領域及び第２領域のそれぞれから漏れる光の量よりも増える傾向がある。これらの傾向は第２内側部２５ｃを設けることでより顕著になる。そこで、島部２６を設けることで、第２距離Ｄ２を維持したまま、第２凸部２０ｂの第２領域から漏れる光を吸収又は散乱することができる。したがって、得られるレーザダイオード素子のＦＦＰに生じるリップルを低減することができる。

ＦＦＰのリップルをより効率的に低減するために、島部２６は劈開予定線２００の近傍に設けられていることが好ましい。島部２６と劈開予定線２００との最短距離は、例えば３μｍ以下とすることができる。また、島部２６は、得られるレーザダイオード素子において、光出射側端面と第２内側部２５ｃとの間に位置するように設ける。島部２６は、光反射側端面と第２内側部２５ｃとの間に位置するように設けてもよい。１つの素子領域４００は、一方の劈開予定線２００と第２内側部２５ｃとの間と、他方の劈開予定線２００と第２内側部２５ｃとの間のそれぞれに、島部２６を有していてもよい。島部２６は、第２内側部２５ｃを有していない第２凸部２０ｂに対して設けられていてもよい。この場合、島部２６は、第２凸部２０ｂと、それに隣接する分割予定線３００との間に配置される。島部２６は、第１凸部２０ａの第１内側部２４ｃと劈開予定線２００との間に設けられていてもよい。第２凸部２０ｂが出射するレーザ光のＦＦＰのリップルを低減する目的であれば、島部２６を、第１凸部２０ａの第１内側部２４ｃと劈開予定線２００との間には設けず、第２凸部２０ｂの第２内側部２５ｃと劈開予定線２００との間のみに設けてもよい。また、島部２６は、中間凸部２０ｃと劈開予定線２００との間には設けなくてよい。

後述する劈開工程においてレーザスクライブ装置等を用いて形成する溝が島部２６にまで達すると島部２６が有するｐ型半導体層とｎ型半導体層が短絡する可能性がある。このため、第２凸部２０ｂから分離された島部２６を設けることが好ましい。島部２６の下端は、活性層１３の下面よりも下方に位置する。島部２６と第２内側部２５ｃとの最短距離は、島部２６と劈開予定線２００との最短距離よりも大きくすることができる。

劈開予定線２００に沿った方向における幅について、島部２６の幅は、第２内側部２５ｃの幅よりも小さくてもよい。例えば、上面視において劈開予定線２００と平行な線を島部２６に重ねたときに、この線上における島部２６のリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との距離が、この線上における第１凸部２０ａの第１側面２１とリッジ２３との距離と等しくなるように島部２６の幅を設定することができる。これにより、得られるレーザダイオード素子において、第１凸部２０ａから出射するレーザ光と第２凸部２０ｂから出射するレーザ光のＦＦＰの差異を低減することが期待できる。なお、それらの距離が等しいとはそれらの距離の差が１μｍ以下のものも含む。島部２６の幅は、第２内側部２５ｃの幅の９５％以下とすることができ、さらには４０％以下とすることができる。島部２６の幅は、第２内側部２５ｃの幅の２０％以上とすることができ、さらには３０％以上とすることができる。

島部２６は１つでもよいが、図７Ａに示すように、島部２６は、第１部分２６ａと第２部分２６ｂとを有してもよい。上面視において、第２部分２６ｂは、第１部分２６ａから分離されており、且つ、第１部分２６ａと第２内側部２５ｃとの間に位置する。このように島部２６が複数の部分からなることにより、それぞれの部分とその外側（例えば絶縁膜３０または空気等）との屈折率差によって光が反射する確率が上昇するため、より効果的にＦＦＰのリップルを低減することができる。第１部分２６ａの側面及び第２部分２６ｂの側面のうち少なくとも互いに対面している部分は、活性層１３の下面よりも下方に位置することが好ましい。これによって、ＦＦＰのリップルをさらに低減することができる。第１部分２６ａと第２部分２６ｂとの最短距離は、例えば２μｍ以下である。第１部分２６ａと第２部分２６ｂとの最短距離は、例えば０．５μｍ以上である。

図７Ａにおいて、第１部分２６ａと第２部分２６ｂとは波線状の溝によって分離されており、その溝の底が活性層１３の下面よりも下方に位置している。波線状の溝は、上面視において、共振面に対する傾斜角が互いに異なる第１の構成辺と第２の構成辺を有するといえる。第１の構成辺と第２の構成辺を有することにより、漏光を異なる２方向に屈折させることができる。したがって、屈折された漏光が特定の方向に集中することを緩和できる。溝の上面視形状は、第１部分２６ａの外縁及び第２部分２６ｂの外縁のうち互いに向かい合っている部分の上面視形状と言い換えることもできる。第１部分２６ａと第２部分２６ｂとを分離する溝は、波線状でなくてもよい。

図７Ａにおいて、第２凸部２０ｂの第１側面２１及び第２側面２２の一部が、リッジ２３に向かって延びる形状を有している。このように、光出射側のリッジ２３の付近に下方に凹んだ凹部を設けることで、得られるレーザダイオード素子のＦＦＰに生じるリップルをより低減することができる。このように第２凸部２０ｂに溝が設けられている場合、その溝の延長線上に第１部分２６ａと第２部分２６ｂとを分離する溝を配置してもよい。図７Ａにおいて第２凸部２０ｂに設けられた溝は上面視で波線状の形状を有する。

図７Ｂは、島部２６を有する別の例を説明するための模式的な上面図である。図７Ｂでは、上面視において、島部２６の端のうち第２凸部２０ｂのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第３距離が、第２内側部２５ｃの端のうち第２凸部２０ｂのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第４距離と等しい。第３距離と第４距離とが等しいとはこれらの幅の差が１μｍ以下である場合を含む。第３距離は、第４距離よりも大きくてもよい。第３距離が第４距離と等しいかそれよりも大きいことにより、得られるレーザダイオード素子において、第２凸部２０ｂから出射するレーザ光のＦＦＰのリップルをより低減することができる。得られるレーザダイオード素子をパッケージに実装して封止する場合に、レーザダイオード素子が出射するレーザ光のＦＦＰのリップルの発生率が、実装前よりも封止後で増大することがある。この場合に、第３距離が第４距離と等しいかそれよりも大きいことにより、パッケージ封止後の第２凸部２０ｂから出射するレーザ光のＦＦＰのリップルの発生率をより確実に低減することができる。

図７Ｂに示すように、素子領域４００は、第１内側部２４ｃと少なくとも１つの劈開予定線２００との間に、第１凸部２０ａから分離された島部２７を有することができる。島部２７を設けることで、得られるレーザダイオード素子のＦＦＰに生じるリップルを低減することができる。島部２７は、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングを用いて窒化物半導体基板１１上の複数の半導体層の一部を除去することにより、形成することができる。図７Ｂでは、上面視において、島部２７の端のうち第１凸部２０ａのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第５距離が、第１内側部２４ｃの端のうち第１凸部２０ａのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第６距離と等しい。第５距離と第６距離とが等しいとはこれらの幅の差が１μｍ以下である場合を含む。第５距離は、第６距離よりも大きくてもよい。第５距離が第６距離と等しいかそれよりも大きいことにより、パッケージ封止後の第１凸部２０ａから出射するレーザ光のＦＦＰのリップルの発生率をより確実に低減することができる。

図７Ｂでは、島部２６の端のうち第２凸部２０ｂのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第３距離と、島部２７の端のうち第１凸部２０ａのリッジ２３から最も遠い端とリッジ２３との間の第５距離とが等しい。これにより、得られるレーザダイオード素子において、第１凸部２０ａから出射するレーザ光と第２凸部２０ｂから出射するレーザ光のＦＦＰの差異を低減することが期待できる。なお、第３距離と第５距離が等しいとはそれらの距離の差が１μｍ以下である場合を含む。

図７Ｂでは、劈開予定線２００における、第１側面２１からリッジ２３までの第１距離Ｄ１と、第２側面２２からリッジ２３までの第２距離Ｄ２とが等しい。第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが等しいとは、それらの距離の差が１μｍ以下である場合を含む。第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２とが等しい場合、島部２６と島部２７の両方を設けることが好ましい。これにより、島部２６と島部２７のいずれか一方のみを設ける場合と比較して、得られるレーザダイオード素子における、第１凸部２０ａから出射するレーザ光と第２凸部２０ｂから出射するレーザ光のＦＦＰの差異を低減することが可能である。島部２６および島部２７の形状は、図７Ａに示すような第１部分と第２部分とを有する形状であってもよい。

上面視において、凸部２０は、リッジ２３を境界として第１側面２１の側に位置する第１領域と、第２側面２２の側に位置する第２領域とを有する。図４Ａ及び図４Ｃに示すように、素子領域４００は、複数の凸部２０のそれぞれのリッジ２３及び第１領域の上方に配置された複数の第１導電層４１を有する。第１導電層４１は、第２導電型半導体層１４と電気的に接続されている。第１導電層４１は、第２領域にも形成されていてもよい。凸部２０が上述したような外側部と内側部を有する場合、第１導電層４１は主に内側部に設けることができる。

第１導電層４１は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ等の金属又は合金を１層以上積層することにより形成することができる。第１導電層４１は、例えば、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層、Ｐｔ層、Ａｕ層、Ｐｔ層をこの順に積層して形成する。図４Ａ及び図４Ｃに示すように、第１導電層４１の上に第２導電層４２を設ける場合は、第１導電層４１の最表面はＡｕを含まないことが好ましい。これにより、レーザダイオード素子をサブマウントの導電層等と電気的に接続するための導電性接合材としてＡｕＳｎ等のＡｕを含む接合材を用いる場合に、第１導電層４１の最表面に接合材が付着する可能性を低減することができる。したがって、第１導電層４１を介して隣り合う凸部２０が短絡する可能性を低減することができる。第１導電層４１の最表面は、Ｐｔ層のようにレーザダイオード素子を接合する金属接合材に対してバリア層として機能する材料で構成されていることが好ましい。

上面視で、複数の凸部２０の第１導電層４１の形状は、同一でなくてもよい。本実施形態では、素子領域４００はすべて同じ向きで配列されている。すなわち、図４Ａにおいて、劈開予定線２００を境界として図中下側が光出射側となる部分であり、図中上側が光反射側となる部分である。図４Ａにおいて、第１凸部２０ａと第２凸部２０ｂは、光出射側の部分及び光反射側の部分の第１導電層４１の形状が劈開予定線２００に対して線対称である。一方、中間凸部２０ｃは、光出射側の部分及び光反射側の部分の第１導電層４１の形状が劈開予定線２００に対して線対称ではない。このように凸部２０の１以上において、光出射側の部分及び光反射側の部分の第１導電層４１の形状を劈開予定線２００に対して非対称としてもよい。これにより、どちらが光出射側の部分又は光反射側の部分であるかの判別を容易に行うことができる。また、第１導電層４１の上面視形状が、素子領域４００の中心を軸とする１８０度回転において非対称であることが好ましい。これにより、得られるレーザダイオード素子において、どちらが光出射側端面又は光反射側端面であるかの判別を容易に行うことができる。

図４Ｃに示すように、第１導電層４１と第２導電型半導体層１４の間に、上側電極５０を設けてもよい。図４Ｃでは、第２導電型半導体層１４の上面の一部にリッジ２３が形成されており、上側電極５０は、リッジ２３の上面と接触して形成されている。上側電極５０は、例えばｐ電極である。上側電極５０は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎから選択される少なくとも１種を含む導電性酸化物等の単層膜又は多層膜が挙げられる。導電性酸化物の例としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）が挙げられる。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、上側電極５０は、例えば、劈開予定線２００を避けて形成することができる。

素子領域４００は、それぞれの第１導電層４１の上方に配置された複数の第２導電層４２を有することができる。第２導電層４２は、第１導電層４１と電気的に接続されている。図４Ａに示すように、劈開予定線２００に沿った方向の幅について、第２導電層４２の幅は、第１導電層４１の幅よりも小さいことが好ましい。これにより、隣り合う凸部２０の第２導電層４２間の最短距離を、隣り合う凸部２０の第１導電層４１間の最短距離よりも大きくすることができるため、隣り合う凸部２０が短絡する可能性を低減することができる。特に、第２導電層４２をサブマウント等に実装するフリップチップ接合を行う場合に、そのような配置であることが好ましい。

図３及び図４Ａにおいて、第２導電層４２の外縁は、上面視で、第１導電層４１の外縁よりも内側に位置している。また、第２導電層４２の外縁は、上面視で、第１領域の外縁よりも内側に位置している。このように、第２導電層４２はリッジ２３の上方を避けて配置することが好ましい。第２導電層４２をリッジ２３のような段差の上に形成すると膜厚の不均一や部分的な分断が生じる可能性があるが、第２導電層４２を、リッジ２３を含まない比較的平坦な面の上に形成することで、それらが生じる可能性を低減することができる。

第２導電層４２は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金を１層以上積層することにより形成することができる。第２導電層４２は、例えば、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層をこの順に積層して形成する。第２導電層４２は、ＡｕＳｎ等の導電性接合材と接合しやすいように、その最表面がＡｕ層等のＡｕを含む層であることが好ましい。

図４Ａにおいて、第２凸部２０ｂの上方に配置された第１導電層４１は、第２凸部２０ｂの第２領域の上方にも配置されている。素子領域４００は、第２凸部２０ｂの第２領域の上方に配置された第３導電層４３を有することができる。第３導電層４３は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金を１層以上積層することにより形成することができる。第３導電層４３は、例えば、Ｔｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層をこの順に積層して形成する。第３導電層４３は、第２導電層４２と同じ材料及び膜厚で、第２導電層４２と一括で形成してもよい。図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１導電層４１と、第２導電層４２と、第３導電層４３とは、劈開予定線２００を避けて形成することができる。

図３及び図４Ａにおいて、第３導電層４３の外縁は、上面視で、第１導電層４１の外縁よりも内側に位置している。また、第３導電層４３の外縁は、上面視で、第２凸部２０ｂの第２領域の外縁よりも内側に位置している。このように、第３導電層４３はリッジ２３の上方を避けて配置することが好ましい。第３導電層４３をリッジ２３のような段差の上に形成すると膜厚の不均一や部分的な分断が生じる可能性があるが、第３導電層４３をリッジ２３を含まない比較的平坦な面の上に形成することで、それらが生じる可能性を低減することができる。第３導電層４３を設けることで、得られるレーザダイオード素子を駆動する際に生じる熱を第３導電層４３を介して後述する支持体等に放熱させることができるため、放熱性を向上させることができる。

第１凸部２０ａの劈開予定線２００に沿った方向における最大幅は、中間凸部２０ｃの劈開予定線２００に沿った方向における最大幅よりも大きくすることができる。これにより、第２導電層４２のような外部接続部の、劈開予定線２００に沿った方向における幅について、第１凸部２０ａにおける外部接続部の幅を、中間凸部２０ｃにおける外部接続部の幅よりも大きくすることができる。これにより、第１凸部２０ａの外部接続部に対して、実装前の検査に用いるプローブ装置の検査針等の検査用の器具を接触しやすくできる。第１凸部２０ａと同様の理由から、第２凸部２０ｂの劈開予定線２００に沿った方向における最大幅は、中間凸部２０ｃの劈開予定線２００に沿った方向における最大幅よりも大きくすることができる。例えば、劈開予定線２００に沿った方向の幅について、第１凸部２０ａの第２導電層４２の幅、及び、第３導電層４３の幅は、中間凸部２０ｃの第２導電層４２の幅、及び、第２凸部２０ｂの第２導電層４２の幅よりも大きい。

図８は、積層体１００の変形例を説明するための模式的な断面図である。図８に示すように、第２導電層４２はリッジ２３の上方に配置してもよい。この場合、第３導電層４３は設けなくてもよい。得られるレーザダイオード素子の幅をより小さくするためには、このような配置が有利な場合がある。図８に示すように、中間凸部２０ｃに配置する第２導電層４２は、その一方の端が第１導電層４１の一方の端と一致させてもよい。リッジ２３と第２側面２２との間に位置する第２導電層４２の端と第１導電層４１の端とを一致させることで、そうでない場合と比較して第２導電層４２の面積を大きくすることができる。これにより、得られるレーザダイオード素子を駆動する際に生じる熱を第２導電層４２を介して後述する支持体等に放熱させる際に、その効率を向上させることができる。

図７Ｂに示すように、第２導電層４２をリッジ２３の上方に配置する場合、上面視において、複数の凸部２０にそれぞれ設けられる第２導電層４２の劈開予定線２００に沿った幅は、すべて等しくすることができる。上面視において、複数の凸部２０にそれぞれ設けられる第２導電層４２の分割予定線３００に沿った長さは、すべて等しくすることができる。複数の第２導電層４２の幅または長さが等しいとは、これらが厳密に同一であることのみならず、複数の幅または長さの最大値と最小値の差が１μｍ以下である場合を含む。図７Ｂに示すように、第２導電層４２をリッジ２３の上方に配置する場合は、第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１と等しくてもよい。「第２距離Ｄ２が第１距離Ｄ１と等しく」とは、これらが厳密に同一であることのみならず、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２との差が１μｍ以下のものも含む。この場合も、１つの素子領域４００における複数の第１距離Ｄ１は等しい。これにより、得られるレーザダイオード素子の複数のリッジにそれぞれ対応する複数のレーザ光の特性のばらつきを低減することができる。また、複数のレーザダイオード素子間のばらつきを低減することができる。

図９Ａは、積層体１００の変形例を説明するための模式的な上面図である。図９Ｂは、図９ＡのVIIＢ－VIIＢ線における断面図である。図９Ｃは、図９ＡのVIIＣ－VIIＣ線における断面図である。図９Ａは、素子領域４００のうち第１凸部２０ａの光出射側となる部分及びその付近を拡大して示す図である。図９Ａ～図９Ｃに示す変形例は、図９Ａで示す以外の部分、すなわち、第１凸部２０ａ以外の凸部２０又は光反射側となる部分に採用してもよい。

図９Ａに示す第１凸部２０ａの形状は、図６Ａに示す第１凸部２０ａの形状とほぼ同じであるが、劈開予定線２００の付近において、第１側面２１及び第２側面２２の一部が、リッジ２３に向かう波線状の形状を有する点が異なる。このように、光出射側のリッジ２３の付近に下方に凹んだ凹部を設けることで、得られるレーザダイオード素子の遠視野像（ＦＦＰ）に生じるリップルを低減することができる。

図９Ａ～図９Ｃでは、絶縁膜３０として、第１絶縁膜３１と、第２絶縁膜３２とを有する。このように、絶縁膜３０は、材料及び／又は形成位置が異なる２以上の層を有していてもよい。第１絶縁膜３１は、リッジ２３に接して設けられている。上面視において、劈開予定線２００における幅は、第１絶縁膜３１の幅が、第１凸部２０ａの幅よりも小さい。

図９Ａ及び図９Ｃに示すように、第１絶縁膜３１は、凸部２０の上面のみならず、凸部２０の側面から連続する第１導電型半導体層１２の表面にも形成されていてもよい。第１導電層４１と第１側面２１との間に第１絶縁膜３１の外縁が位置しないことにより、そうでない場合と比較して、第１導電層４１と第１側面２１との距離を小さくすることができる。図９Ａでは、凸部２０の第１領域が、第１導電層４１の主要部分が配置される内側部と、それよりも幅が狭い幅狭部とを有する。その内側部の外縁は、幅狭部と接続してリッジ２３から遠ざかる方向に延びる第１辺２１ａと、第１辺と接続して劈開予定線２００と交差する方向に沿って延びる第２辺２１ｂとを有する。第２辺２１ｂと第１導電層４１との間に第１絶縁膜３１の外縁を配置することにより、凸部２０の幅の増大を抑制することができる。また、第１辺２１ａと第１導電層４１との間に第１絶縁膜３１の外縁が位置しないように、第１絶縁膜３１の外縁の一部を凸部２０の外に配置することにより、第１辺２１ａと第１導電層４１との距離を小さくすることができる。これによって、第１導電層４１の面積を増大させることができる。

第２絶縁膜３２は、リッジ２３から離間した位置に形成されている。すなわち、第２絶縁膜３２は、リッジ２３とは接触していない。第２絶縁膜３２は、第１絶縁膜３１の表面、及び、第１絶縁膜３１から露出した第２導電型半導体層１４等の半導体層の表面を覆うことができる。積層体１００の上面の側をサブマウント等にフリップチップ実装する場合は、このように、上面視で、リッジ２３の上面以外を絶縁膜３０で覆うことが好ましい。これにより、凸部２０が短絡する可能性を低減することができる。絶縁膜３０は、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ等の酸化物又は窒化物等の単層膜又は多層膜によって形成することができる。例えば、第１絶縁膜３１の屈折率は、第２絶縁膜３２の屈折率よりも高い。

図４Ｃに示すように、積層体１００は、その下面の側に配置された１以上の下側電極６０を有することができる。図４Ｃにおいて、下側電極６０は、窒化物半導体基板１１の下面に形成されている。下側電極６０は、例えばｎ電極である。下側電極６０は、１つの素子領域４００において１つのみであってもよい。下側電極６０が１つであれば、レーザダイオード素子の小型化に有利である。下側電極６０は、例えば、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属又は合金を１層以上積層することにより形成することができる。

（劈開工程Ｓ１０２）
次に、図１０に示すように、劈開予定線２００に沿って、積層体１００を劈開する。複数の凸部２０のそれぞれにおける劈開は、第１側面２１から開始し、第２側面２２に到達する。すなわち、図１０においては右から左に向かって劈開が進行する。劈開は、例えば、まず、劈開予定線２００の一部に、レーザスクライブ装置を用いて溝を形成し、その後、ブレードによって積層体１００を押すことによって行うことができる。レーザスクライブ装置を用いて形成する溝は、劈開予定線２００と重なる位置であって、一方の素子領域４００の第１側面２１と、それと向かい合う他方の素子領域４００の第２側面２２との間に形成してもよい。

レーザスクライブ装置を用いて形成する溝は、素子領域４００の外にのみ形成してもよい。例えば、ウエハ又はウエハを分割した分割片である積層体１００の一方の端部に、劈開予定線２００に沿って伸びる溝を形成し、その溝に沿って外力により積層体１００を劈開することができる。この場合、溝を付けた位置から劈開が開始する。このため、溝は、第２凸部２０ｂよりも第１凸部２０ａに近い側の端部に設ける。積層体１００の対向する２つの端部の両方に溝を形成してもよい。この場合、外力を加える位置によって劈開が開始する位置を調整することができる。レーザスクライブ装置等により形成する、劈開に用いる溝は、例えば、積層体１００のリッジ２３がある側の面に形成することができる。溝の劈開予定線２００に沿った長さは１～１０ｍｍ程度とすることができる。溝の長さは、例えば１つの素子領域４００の幅の１倍以上３倍以下であってもよい。溝の深さは、例えば１０～１００μｍとすることができる。劈開される位置は、例えば、上面視において、劈開予定線２００と一致する。必ずしも狙った位置で劈開されるとは限らないため、劈開位置は劈開予定線２００と完全に一致しなくてもよい。図１０では劈開の進行方向を図中右から左としたが、逆でもよく、その場合は、リッジ２３の図中左側が第１側面となり、リッジ２３の図中右側が第２側面となる。

劈開工程を行うことにより、光出射側端面７１と光反射側端面７２とが形成される。図１０において、１つの劈開予定線２００に沿って劈開された結果として得られる２つの面は、一方が光出射側端面７１であり、他方が光反射側端面７２である。劈開工程の後に、光出射側端面７１及び光反射側端面７２のそれぞれに、光反射膜を形成してもよい。

（分割工程Ｓ１０３）
次に、図１１に示すように、分割予定線３００に沿って、積層体１００を分割する。これによって、レーザダイオード素子５００を得ることができる。分割は、例えば、まず、分割予定線３００に重なる位置に、レーザスクライブ装置を用いて溝を形成し、その後、ブレードによって積層体１００を押すことによって行うことができる。レーザスクライブ装置を用いて形成する分割用溝は、例えば、積層体１００のリッジ２３がある側の面に形成する。素子領域４００が島部２６を有する場合、分割用溝が島部２６にまで達すると島部２６が有するｐ型半導体層とｎ型半導体層とが短絡する可能性がある。第２凸部２０ｂのｐ型半導体層および活性層が島部２６のｐ型半導体層および活性層と繋がっていないことで、分割用溝によって第２凸部２０ｂのｐ型半導体層とｎ型半導体層が短絡する可能性を低減することができる。島部２７についても同様に、島部２７のｐ型半導体層および活性層が第１凸部２０ａのｐ型半導体層および活性層と繋がっていないことで、分割用溝によって第１凸部２０ａのｐ型半導体層とｎ型半導体層が短絡する可能性を低減することができる。分割工程によって、複数の素子領域４００が１つずつに分離される。なお、分割工程と劈開工程の順序は入れ替えることができる。光反射膜を形成する場合は、劈開工程を行った後に分割工程を行う本実施形態の順序であることが、作業効率を向上可能であるため、好ましい。

以上の工程により、複数のリッジにそれぞれ対応する複数のレーザ光の特性のばらつきが低減されたレーザダイオード素子を得ることができる。

（レーザダイオード素子５００）
図１２Ａ及び図１２Ｂに、本実施形態のレーザダイオード素子５００を示す。図１２Ａは上面図であり、図１２Ｂは図１２ＡのＸＢ－ＸＢ線における断面図である。レーザダイオード素子５００は、窒化物半導体基板１１と、第１導電型半導体層１２と、活性層１３と、第２導電型半導体層１４と、光出射側端面７１と、光反射側端面７２と、複数の凸部２０と、を有する。第１導電型半導体層１２は窒化物半導体基板１１の上に設けられており、活性層１３は第１導電型半導体層１２の上に設けられており、第２導電型半導体層１４は活性層１３の上に設けられている。凸部２０は、それぞれ、光出射側端面７１及び光反射側端面７２を繋ぐ第１側面２１及び第２側面２２と、リッジ２３とを有する。リッジ２３は、上面視で、第１側面２１及び第２側面２２の間に配置され、光出射側端面７１と交差する方向を長手方向とする。第１側面２１の下端及び第２側面２２の下端は、活性層１３の下面よりも下方に位置する。上面視で、光出射側端面７１における、第１側面２１からリッジ２３までの第１距離Ｄ１は、第２側面２２からリッジ２３までの第２距離Ｄ２とは異なっている。複数の凸部２０の第１距離Ｄ１は等しい。第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２は、光反射側端面７２を基準としてもよい。上面視において、第１凸部２０ａは、リッジ２３を境界として第１側面２１の側に位置する第１領域と第２側面２２の側に位置する第２領域とを有する。第１凸部２０ａの第１領域は、光出射側端面７１を含む第１外側部と、光反射側端面７２を含む第２外側部と、第１外側部及び第２外側部の間に位置する第１内側部と、を有する。光出射側端面７１に沿った方向における幅について、第１内側部の幅は、第１外側部及び第２外側部の幅よりも大きい。上面視において、第２凸部２０ｂは、リッジ２３を境界として第１側面２１の側に位置する第１領域と第２側面２２の側に位置する第２領域とを有する。第２凸部２０ｂの第２領域は、光出射側端面７１を含む第３外側部と、光反射側端面７２を含む第４外側部と、第３外側部及び第４外側部の間に位置する第２内側部と、を有する。光出射側端面７１に沿った方向における幅について、第２内側部の幅は、第３外側部及び第４外側部の幅よりも大きい。上面視において、第２内側部と光出射側端面７１との間に配置され、第２凸部２０ｂから分離された島部を備える。

レーザダイオード素子５００は、複数の凸部２０のそれぞれの駆動制御を独立して行うことができる。レーザダイオード素子５００が有するリッジの数は、２以上であり、３以上とすることができ、４以上であってもよい。レーザダイオード素子５００の光出射側端面７１に沿った方向における幅は、例えば、６００μｍ以下とすることができる。この幅は、例えば、１００μｍ以上とすることができる。レーザダイオード素子５００のリッジ２３の長手方向に沿った方向における長さは、例えば、３００μｍ以上とすることができ、２ｍｍ以下とすることができる。上面視において、レーザダイオード素子５００の形状は、例えば矩形である。レーザダイオード素子５００は、複数のレーザ光を出射することができる。複数のレーザ光は、例えば、紫外光又は可視光である。複数のレーザ光のピーク波長は、例えば、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下としてよい。１つのレーザダイオード素子５００における複数のレーザ光は、例えば同じ色である。例えば、１つのレーザダイオード素子５００における複数のレーザ光において、最も長いピーク波長と最も短いピーク波長との差が５ｎｍ以下であってよい。

レーザダイオード素子５００を構成する各部材の形状、配置、材料等は、積層体準備工程Ｓ１０１において述べたものを採用することができる。積層体準備工程Ｓ１０１における劈開予定線２００は、レーザダイオード素子５００においては光出射側端面７１または光反射側端面７２と読み替えることができる。積層体準備工程Ｓ１０１における分割予定線３００は、レーザダイオード素子５００においては素子の最外側面と読み替えることができる。なお、レーザダイオード素子５００を使用する形態は、本実施形態中で述べた上面を上とする形態に限らず、いずれの方向を上としてもよい。

（発光装置６００）
図１３は、本実施形態の発光装置６００を示す模式的な断面図である。発光装置６００は、レーザダイオード素子５００と、支持体６１０と、パッケージ６２０と、を有する。支持体６１０は、レーザダイオード素子５００が固定されると共に電気的に接続される部材であり、例えばサブマウントである。支持体６１０は、本体６１１と、その表面に設けられた導電層６１２と、を有する。本体６１１は例えばセラミックス等の絶縁性の部材である。レーザダイオード素子５００の第２導電層４２が、導電性の接着剤６３０を介して支持体６１０の導電層６１２に接合されている。これにより、第２導電層４２を介してレーザダイオード素子５００が発する熱を支持体６１０へ放熱させることができる。また、レーザダイオード素子５００の第３導電層４３が、導電性の接着剤６３０を介して支持体６１０の導電層６１２に接合されていてもよい。これにより、第３導電層４３を介してレーザダイオード素子５００が発する熱を支持体６１０へ放熱させることができる。

パッケージ６２０は、金属等の導電性の材料、ガラスやセラミックス等の絶縁性の材料、またはそれらの複合材料からなる。パッケージ６２０の一部はレーザ光を透過する透光性を有する。レーザ光はパッケージ６２０の透光性の部分を通過して発光装置６００の外に出射する。パッケージ６２０のレーザ光が通過する部分に蛍光体等の波長変換部材を配置してもよい。パッケージ６２０は、レーザダイオード素子５００を気密封止している。パッケージ６２０は、アノード電極とカソード電極とを有する。レーザダイオード素子５００のアノード電極は、導電層や線状のワイヤ等を介してパッケージのアノード電極と電気的に接続されている。レーザダイオード素子５００のカソード電極は、導電層や線状のワイヤ等を介してパッケージのカソード電極と電気的に接続されている。

（実施例１及び比較例）
実施例１のレーザダイオード素子及び比較例のレーザダイオード素子として、１つのリッジが形成された凸部を４つ有する点は同じであるが、第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２が相違するレーザダイオード素子をそれぞれ作製した。実施例１のレーザダイオード素子は、４つの凸部における第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２をいずれも３４μｍ及び１４μｍとした。比較例のレーザダイオード素子は、４つの凸部における第１距離Ｄ１及び第２距離Ｄ２を、８７μｍ及び１４μｍ、３４μｍ及び２４μｍ、２４μｍ及び３４μｍ、１４μｍ及び８７μｍ、とした。実施例１及び比較例において、同じ条件で劈開工程及び分割工程を行い、レーザダイオード素子を得た。

（閾値電流値の評価）
実施例１のレーザダイオード素子及び比較例のレーザダイオード素子はそれぞれ複数個作製した。得られたレーザダイオード素子について、それぞれ、第１凸部のみをレーザ発振させたときの閾値電流値と、第２凸部のみをレーザ発振させたときの閾値電流値と、を測定した。図１４は、その測定結果の正規確率分布を表すグラフである。図１４では、縦軸を閾値電流とし、横軸を累積確率として各データをプロットした。図１４において、黒色の円形が実施例１の第１凸部を示し、白色の円形が実施例１の第２凸部を示し、灰色の三角形が比較例の第１凸部を示し、白色の三角形が比較例の第２凸部を示す。図１４に示す結果から、比較例と比べて実施例１は、第１凸部と第２凸部の閾値電流値の差が小さいサンプルの数が多いことがわかる。第１凸部及び第２凸部のレーザ光を出射する端面の形状の差異が、比較例と比べて実施例１の方が小さくなったことにより、このような結果が得られたと推測される。このことから、第１距離Ｄ１を等しくすることにより、複数のリッジにそれぞれ対応する複数のレーザ光の特性のばらつきが低減可能であるといえる。また、図１４から、複数の実施例１のレーザダイオード素子の閾値電流値のばらつきは、複数の比較例のレーザダイオード素子の閾値電流値のばらつきよりも小さいことがわかる。このことから、第１距離Ｄ１を等しくすることにより、複数のレーザダイオード素子間のばらつきが低減可能であるといえる。

（実施例２）
図７Ａに示すように第２内側部と劈開予定線との間に島部を設けた以外は実施例１と同様にして、実施例２のレーザダイオード素子を複数個作製した。

（ＦＦＰの評価）
まず、実施例１の複数個のレーザダイオード素子において、それぞれの凸部が出射するレーザ光のＦＦＰにおけるリップルの大きさを確認し、リップルの大きさが所定の値以上であるものをリップルありとした。実施例１の複数個のレーザダイオード素子において、凸部ごとにリップルありの発生率を算出すると、第２凸部がリップルありの発生率が最も高かった。次に、実施例２の複数個のレーザダイオード素子において、第２凸部が出射するレーザ光のＦＦＰにおけるリップルの大きさを確認し、実施例１のレーザダイオード素子と同じ基準でリップルありか否かを判定した。その結果、実施例２の複数個のレーザダイオード素子において、第２凸部のレーザ光にリップルありと判定されたものは無かった。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

実施形態に記載のレーザダイオード素子は、例えば、プロジェクタ、車両用ヘッドライト、ヘッドマウントディスプレイ、特殊照明、ディスプレイ等の光源に利用することができる。

１１ 窒化物半導体基板、１２ 第１導電型半導体層、１３ 活性層、１４ 第２導電型半導体層、２０ 凸部、２０ａ 第１凸部、２０ｂ 第２凸部、２０ｃ 中間凸部、２１ 第１側面、２１ａ 第１辺、２１ｂ 第２辺、２２ 第２側面、２３ リッジ、２４ａ 第１外側部、２４ｂ 第２外側部、２４ｃ 第１内側部、２４ｄ 中間部、２５ａ 第３外側部、２５ｂ 第４外側部、２５ｃ 第２内側部、２５ｄ 中間部、２６、２７ 島部、２６ａ 第１部分、２６ｂ 第２部分、３０ 絶縁膜、３１ 第１絶縁膜、３２ 第２絶縁膜、４１ 第１導電層、４２ 第２導電層、４３ 第３導電層、５０ 上側電極、６０ 下側電極、７１ 光出射側端面、７２ 光反射側端面、１００ 積層体、２００ 劈開予定線、３００ 分割予定線、４００ 素子領域、５００ レーザダイオード素子、６００ 発光装置、６１０ 支持体、６１１ 本体、６１２ 導電層、６２０ パッケージ、６３０ 接着剤

Claims (14)

1. 窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板の上に設けられた第１導電型半導体層と、
   前記第１導電型半導体層の上に設けられた活性層と、前記活性層の上に設けられた第２導電型半導体層と、を有する積層体を準備する工程であって、
   前記積層体は、上面視で、複数の劈開予定線と、前記劈開予定線と交差する複数の分割予定線と、によって区画される、複数の素子領域を含み、
   前記素子領域は、複数の凸部を有し、
   複数の前記凸部は、それぞれ、側方に位置し、一方の前記劈開予定線と他方の前記劈開予定線とを繋ぐ第１側面及び前記第１側面とは反対側の側方に位置し、一方の前記劈開予定線と他方の前記劈開予定線とを繋ぐ第２側面と、上面視で前記第１側面及び第２側面の間に配置され、前記劈開予定線と交差する方向を長手方向とするリッジとを含み、
   前記第１側面の下端及び前記第２側面の下端は、前記活性層の下面よりも下方に位置し、
   上面視で、前記劈開予定線における、前記第１側面から前記リッジまでの第１距離は、前記第２側面から前記リッジまでの第２距離とは異なっており、
   １つの前記素子領域における複数の前記第１距離は等しい、工程と、
   前記劈開予定線に沿って、前記積層体を劈開する工程であって、複数の前記凸部のそれぞれにおける劈開は、前記第１側面から開始し、前記第２側面に到達する、工程と、
   前記分割予定線に沿って、前記積層体を分割する工程と、を備え、
   前記素子領域における複数の前記凸部は、劈開が開始する側に位置する第１凸部と、劈開が終了する側に位置する第２凸部と、前記第１凸部と前記第２凸部の間に位置する１以上の中間凸部と、を有し、
   上面視において、前記凸部は、前記リッジを境界として前記第１側面の側に位置する第１領域と前記第２側面の側に位置する第２領域とを有し、
   前記第１凸部の前記第１領域は、一方の前記劈開予定線が通過する第１外側部と、他方の前記劈開予定線が通過する第２外側部と、前記第１外側部及び前記第２外側部の間に位置する第１内側部と、を有し、
   前記劈開予定線に沿った方向における幅について、前記第１内側部の幅は、前記第１外側部及び前記第２外側部の幅よりも大きい、
   レーザダイオード素子の製造方法。
2. 前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項１に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
3. 上面視において、前記凸部は、前記リッジを境界として前記第１側面の側に位置する第１領域と前記第２側面の側に位置する第２領域とを有し、
   前記素子領域は、複数の前記凸部のそれぞれの前記リッジ及び前記第１領域の上方に配置され、前記第２導電型半導体層と電気的に接続された複数の第１導電層を有する、請求項１に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
4. 前記素子領域は、それぞれの前記第１導電層の上方に配置され、前記第１導電層と電気的に接続された複数の第２導電層を有し、
   前記劈開予定線に沿った方向の幅について、前記第２導電層の幅は前記第１導電層の幅よりも小さい、請求項３に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
5. 前記第２凸部の上方に配置された前記第１導電層は、前記第２凸部の前記第２領域の上方にも配置されており、
   前記素子領域は、前記第２凸部の前記第２領域の上方に配置された第３導電層を有する、請求項４に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
6. 上面視において、前記凸部は、前記リッジを境界として前記第１側面の側に位置する第１領域と前記第２側面の側に位置する第２領域とを有し、
   前記第２凸部の前記第２領域は、一方の前記劈開予定線が通過する第３外側部と、他方の前記劈開予定線が通過する第４外側部と、前記第３外側部及び前記第４外側部の間に位置する第２内側部と、を有し、
   前記劈開予定線に沿った方向における幅について、前記第２内側部の幅は、前記第３外側部及び前記第４外側部の幅よりも大きい、請求項１～５のいずれか一項に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
7. 上面視において、前記素子領域は、前記第２内側部と少なくとも１つの前記劈開予定線との間に、前記第２凸部から分離された島部を有する、請求項６に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
8. 上面視において、前記島部は、第１部分と、前記第１部分から分離され且つ前記第１部分と前記第２内側部との間に位置する第２部分と、を有する、請求項７に記載のレーザダイオード素子の製造方法。
9. 窒化物半導体基板と、
   前記窒化物半導体基板の上に設けられた第１導電型半導体層と、
   前記第１導電型半導体層の上に設けられた活性層と、
   前記活性層の上に設けられた第２導電型半導体層と、
   光出射側端面と、
   光反射側端面と、
   複数の凸部とを備え、
   複数の前記凸部は、側方に位置し、前記光出射側端面及び前記光反射側端面を繋ぐ第１側面と、前記第１側面とは反対側の側方に位置し、前記光出射側端面及び前記光反射側端面を繋ぐ第２側面と、上面視で、前記第１側面及び第２側面の間に配置され、前記光出射側端面と交差する方向を長手方向とするリッジと、を含み、
   前記第１側面の下端及び前記第２側面の下端は、前記活性層の下面よりも下方に位置し、
   上面視で、前記光出射側端面における、前記第１側面から前記リッジまでの第１距離は、前記第２側面から前記リッジまでの第２距離とは異なっており、
   複数の前記凸部の前記第１距離は等しく、
   複数の前記凸部は、第１凸部と、第２凸部と、前記第１凸部と前記第２凸部の間に位置する１以上の中間凸部と、を有し、
   上面視において、前記第１凸部は、前記リッジを境界として前記第１側面の側に位置する第１領域と前記第２側面の側に位置する第２領域とを有し、
   前記第１凸部の前記第１領域は、前記光出射側端面を含む第１外側部と、前記光反射側端面を含む第２外側部と、前記第１外側部及び前記第２外側部の間に位置する第１内側部と、を有し、
   前記光出射側端面に沿った方向における幅について、前記第１内側部の幅は、前記第１外側部及び前記第２外側部の幅よりも大きい、
   レーザダイオード素子。
10. 前記第１距離は、前記第２距離よりも長い、請求項９に記載のレーザダイオード素子。
11. 上面視において、前記第２凸部は、前記リッジを境界として前記第１側面の側に位置する第１領域と前記第２側面の側に位置する第２領域とを有し、
    前記第２凸部の前記第２領域は、前記光出射側端面を含む第３外側部と、前記光反射側端面を含む第４外側部と、前記第３外側部及び前記第４外側部の間に位置する第２内側部と、を有し、
    前記光出射側端面に沿った方向における幅について、前記第２内側部の幅は、前記第３外側部及び前記第４外側部の幅よりも大きい、請求項９に記載のレーザダイオード素子。
12. 上面視において、前記第２内側部と前記光出射側端面との間に配置され、前記第２凸部から分離された島部を備える、請求項１１に記載のレーザダイオード素子。
13. 上面視で、前記第１凸部の面積は、前記中間凸部の面積とは異なる、請求項９～１２のいずれか一項に記載のレーザダイオード素子。
14. 前記第１凸部において、上面視で、前記第１側面から前記リッジまでの距離は、前記光出射側端面における、前記第１側面から前記リッジまでの前記第１距離とは異なる距離を含む、請求項９～１２のいずれか一項に記載のレーザダイオード素子。

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